CN106601890A - 量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 - Google Patents
量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106601890A CN106601890A CN201611238160.5A CN201611238160A CN106601890A CN 106601890 A CN106601890 A CN 106601890A CN 201611238160 A CN201611238160 A CN 201611238160A CN 106601890 A CN106601890 A CN 106601890A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- qled
- lamp bead
- lamp
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000011324 bead Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
本发明提供了一种量子点灯珠的制备方法，其包括以下步骤：将4～20份质量的量子点粉溶于适量2～200份质量的溶剂；再将配好的100份质量的有机硅或有机硅树脂封装胶水倒入含量子点的有机溶剂中，混合均匀；采用离心工艺得到分层溶液，转速1000～2000rpm搅拌10～20min或转速500rmp搅拌180min，去除有机溶剂，得到量子点粉溶于胶水的封装胶水，再通过点胶，烘烤，得到量子点灯珠QLED；将所述点灯珠QLED贴到灯条上制备成QLED灯条；本发明还提供了使用该量子点灯珠QLED的显示器。本发明将量子点灯珠应用于高色域背光源中，得到高色域显示技术。
Description
技术领域
本发明涉及到显示器背光技术领域，特别是量子点灯珠的制备方法及QLED的显示器。
背景技术
随着电视技术的不断进步，电视经历了从黑白到彩色的发展，从电子管、晶体管到如今的平板液晶电视。液晶自身并不能发光，需要利用到亮度恒定、均匀的白光背光源。通过信号电压，改变液晶分子的排布状态，达到调节穿透液晶后的光线强度，从而在屏幕上产生所需图像内容。与传统的CCFL背光源相比，LED背光具有色域高、亮度高、寿命长、节能环保等优点，特别是高色域的LED背光源广泛应用于电视、手机、平板电脑等电子产品中，使其具有更加艳丽，色彩还原度高。
目前，主流LED灯珠采用蓝光LED芯片激发黄色YAG荧光粉，但缺少红色成分，色域值仅能达到NTSC 65％～72％。针对这一缺陷，技术人员采用蓝光芯片激发红色荧光粉和绿色荧光粉，将NTSC提升至80％～85％。现有荧光粉激发效率低，为得到高色域LED灯珠，需要提高荧光粉浓度，增加封装成本，降低亮度、提升不良率。
量子点(Quantum Dot)，又叫纳米晶，是由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，粒径1～10nm。量子点的量子限域效应明显，将半导体中载流子限定在微小的三维空间内。受到光电刺激时，载流子会被激发跳跃到更高的能级，这些载流子回到原来较低能级时，会发出固定波长的光。量子点荧光粉具有较宽的吸收谱和较窄的激发谱，具有比传统荧光粉，更优秀的光电性能，NTSC高达140％。通过改变量子点颗粒尺寸和化学组成，可以使发射光谱覆盖整个可见光区域。寿命方面，量子点荧光粉是传统荧光粉寿命的3～5倍，且具有很好的光稳定性。
LG Display和QD Vision两家公司在2010年11月表示，他们将共同开发有源矩阵利用量子点发光二极管(QLED)的纳米技术显示器，这种显示器更为明亮，色彩更亮丽的同时可以消耗较少的能量。有资料报道，量子点粉溶于溶剂中，并与LED封装胶水混合，通过真空离心，去除溶剂，得到量子点荧光粉胶水混合溶液。再进行传统的封装工艺，点胶、烘烤、外观、剥料、测试、分光、包装。
目前，现有的量子点LED高色域背光方式主要有：(1)采用量子点粉制成的光学膜，填充在导光板或者液晶屏内，通过蓝光或UV背光灯珠激发，得到高色域白光；(2)将制成含有量子点荧光粉的玻璃管，至于屏幕侧面，通过蓝光或UV背光灯珠激发，得到高色域白光。但上述2种方法，工艺复杂、荧光粉利用率低、成本高、良品率低、难实现大规模产业化。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种量子点灯珠的制备方法，其包括以下步骤：
将4～20份质量的量子点粉溶于适量2～200份质量的溶剂；
再将配好的100份质量的有机硅或有机硅树脂封装胶水倒入含量子点的有机溶剂中，混合均匀；
采用离心工艺得到分层溶液，转速1000～2000rpm搅拌10～20min或转速500rmp搅拌180min，去除有机溶剂，得到量子点粉溶于胶水的封装胶水，再通过点胶，烘烤，得到量子点灯珠QLED；
将所述点灯珠QLED贴到灯条上制备成QLED灯条。
本发明还提供了一种QLED的显示器，包括自下而上依次设置的金属背板、QLED灯条、反射片、扩散板、膜片以及OPEN CELL，所述反射片与扩散板具有一定间隙。
本发明还提供了另一种QLED的显示器，其包括自下而上依次设置的金属背板、反射片、导光板、膜片、OPEN CELL，以及与所述导光板平行设置的QLED灯条。
较佳地，所述量子点粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种或多种混合。
本发明具有以下有益效果：
本发明结合量子点粉通过有机溶剂与封装胶水混合，制备出量子点LED灯珠的方法，将该方法制备出来的量子点QLED灯珠直接应用到背光技术中的一种方法。避免了量子点膜和量子点管的工艺复杂、荧光粉利用率低、成本高、良品率低、难实现大规模产业化的缺点，有效简化传统量子点LED制作工艺，提高荧光粉利用率，降低量子点背光源成本、提升产品良率，为以后的大规模产业化做准备。本发明将量子点灯珠应用于高色域背光源中，得到高色域显示技术。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的量子点灯珠的制备方法流程示意图；
图2为本发明实施例提供的量子点灯珠QLED结构示意图；
图3为本发明实施例提供的直下式显示器背光结构示意图；
图4为本发明实施例提供的侧入式显示器背光结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种量子点灯珠的制备方法，如图1所示，其包括以下步骤：
将4～20份质量的量子点粉溶于适量2～200份质量的溶剂；
再将配好的100份质量的有机硅或有机硅树脂封装胶水倒入含量子点的有机溶剂中，混合均匀；本实施例提供的有机硅或有机硅树脂峰值胶水
采用离心工艺得到分层溶液，转速1000～2000rpm搅拌10～20min或转速500rmp搅拌180min，去除有机溶剂，得到量子点粉溶于胶水的封装胶水，再通过点胶，烘烤，得到量子点灯珠QLED，制备的量子点灯珠QLED结构如图2所示；
将所述点灯珠QLED贴到灯条上制备成QLED灯条。
本发明实施例提供了一种含有量子点灯珠QLED的显示器，其采用直下式显示器背光结构，如图3所示，其包括自下而上依次设置的金属背板1、QLED灯条2、反射片3、扩散板4、膜片5以及OPEN CELL6，所述反射片3与扩散板4具有一定间隙。
本发明实施例提供了另外一种使用量子点灯珠QLED的显示器，其采用直下式显示器背光结构，如图4所示，包括自下而上依次设置的金属背板11、反射片12、导光板13、膜片14、OPEN CELL15，以及与所述导光板平行设置的QLED灯条16。
本实施例中所述量子点粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种或多种混合。
本发明结合量子点粉通过有机溶剂与封装胶水混合，制备出量子点LED灯珠的方法，将该方法制备出来的量子点QLED灯珠直接应用到背光技术中的一种方法。避免了量子点膜和量子点管的工艺复杂、荧光粉利用率低、成本高、良品率低、难实现大规模产业化的缺点，有效简化传统量子点LED制作工艺，提高荧光粉利用率，降低量子点背光源成本、提升产品良率，为以后的大规模产业化做准备。本发明将量子点灯珠应用于高色域背光源中，得到高色域显示技术。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (4)
1.一种量子点灯珠的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将4～20份质量的量子点粉溶于适量2～200份质量的溶剂；
再将配好的100份质量的有机硅或有机硅树脂封装胶水倒入含量子点的有机溶剂中，混合均匀；
采用离心工艺得到分层溶液，转速1000～2000rpm搅拌10～20min或转速500rmp搅拌180min，去除有机溶剂，得到量子点粉溶于胶水的封装胶水，再通过点胶，烘烤，得到量子点灯珠QLED；
将所述点灯珠QLED贴到灯条上制备成QLED灯条。
2.一种如权利要求1所述方法制备的量子点灯珠QLED的显示器，其特征在于，包括自下而上依次设置的金属背板、QLED灯条、反射片、扩散板、膜片以及OPEN CELL，所述反射片与扩散板具有一定间隙。
3.一种如权利要求1所述方法制备的量子点灯珠QLED的显示器，其特征在于，包括自下而上依次设置的金属背板、反射片、导光板、膜片、OPEN CELL，以及与所述导光板平行设置的QLED灯条。
4.如权利要求1所述的量子点灯珠的制备方法，其特征在于，所述量子点粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种或多种混合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611238160.5A CN106601890A (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611238160.5A CN106601890A (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106601890A true CN106601890A (zh) | 2017-04-26 |
Family
ID=58604654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611238160.5A Pending CN106601890A (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106601890A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111273484A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-12 | 宁波东旭成新材料科技有限公司 | 一种无阻隔膜量子点膜 |
| CN114242831A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-25 | 上海应用技术大学 | CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080032473A (ko) * | 2006-10-10 | 2008-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 형광체 페이스트 조성물과 그 제조방법 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널과 그 제조방법 |
| CN205015587U (zh) * | 2015-09-16 | 2016-02-03 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组及液晶显示器 |
| CN105679894A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-15 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种基于红光量子点的高色域白光led灯珠的制作方法 |
-
2016
- 2016-12-28 CN CN201611238160.5A patent/CN106601890A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080032473A (ko) * | 2006-10-10 | 2008-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 형광체 페이스트 조성물과 그 제조방법 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널과 그 제조방법 |
| CN205015587U (zh) * | 2015-09-16 | 2016-02-03 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 背光模组及液晶显示器 |
| CN105679894A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-15 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种基于红光量子点的高色域白光led灯珠的制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111273484A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-12 | 宁波东旭成新材料科技有限公司 | 一种无阻隔膜量子点膜 |
| CN111273484B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-08-22 | 宁波东旭成新材料科技有限公司 | 一种无阻隔膜量子点膜 |
| CN114242831A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-25 | 上海应用技术大学 | CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8919998B2 (en) | White light emitting diode and liquid crystal display including the same | |
| US8487331B2 (en) | Liquid crystal display device including white light emitting diode | |
| US7884544B2 (en) | Semiconductor light emitting device having mixed light emission | |
| TWI608076B (zh) | 以金屬硫醇聚合物穩定化的量子點 | |
| WO2017166871A1 (zh) | 一种高色域白光量子点led的封装方法 | |
| CN105679894B (zh) | 一种基于红光量子点的高色域白光led灯珠的制作方法 | |
| CN204314577U (zh) | 光学膜片组、背光模组以及液晶显示模组 | |
| CN107102514A (zh) | 量子点光刻胶、量子点彩膜基板和显示装置 | |
| CN106935693A (zh) | 一种五面发光的量子点csp背光源及其制备方法 | |
| CN107093662A (zh) | 一种新型的全无机钙钛矿量子点硅胶透镜及其制备方法 | |
| CN108008565A (zh) | 一种基于自组装的量子点滤色膜的制备方法 | |
| CN103869391A (zh) | 色彩增强膜、使用结构、使用方法和制作方法 | |
| WO2018099082A1 (zh) | 一种包覆型量子点led灯珠的封装方法 | |
| CN107237996A (zh) | 一种qled灯条制作方法 | |
| CN105742462B (zh) | 一种紫外光与多量子点组合的高色域白光实现方式 | |
| CN106601890A (zh) | 量子点灯珠的制备方法及qled的显示器 | |
| CN105679921B (zh) | 一种多量子点组合的高色域白光led灯珠的制作方法 | |
| CN108051952A (zh) | 一种出光均匀的高色域直下式背光模组及其制作方法 | |
| JP2021536094A (ja) | 量子ドットを含む有機発光表示装置 | |
| CN109742220B (zh) | 含液态量子点的白光led及其制备方法 | |
| CN106784260A (zh) | 一种直下式led背光源的制作方法 | |
| CN105485573B (zh) | 一种高色域直下式led背光模组 | |
| CN106054457A (zh) | 一种背光模组及用于该背光模组的量子点管的制备方法 | |
| CN207799287U (zh) | 一种出光均匀的高色域直下式背光模组 | |
| CN106784177A (zh) | 一种量子点led灯珠的封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170426 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |