CN106598484A - 数据的存储方法、闪存芯片以及存储装置 - Google Patents

数据的存储方法、闪存芯片以及存储装置 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供了一种数据的存储方法，应用于存储装置中，该存储装置包括至少一片闪存芯片，闪存芯片包括多个存储块，所述存储方法包括：启动后台监控程序，读取待处理的存储块的擦写记录信息，根据擦写记录信息获取存储块存储的数据的保存时间；判断待处理的存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，若超出保存时间阈值，则将该待处理的存储块存储的数据迁移到空闲存储块上。该存储方法，通过实时监控闪存芯片上各存储块的擦写使用情况和数据的保存时间，确保各个存储块上存储的数据在保存时间即将超时之前实现刷新与备份，使得这些数据的保存时间能够得到延长。

Description

数据的存储方法、闪存芯片以及存储装置
技术领域
本申请涉及存储领域，尤其涉及一种数据存储方法、闪存芯片以及存储装置。
背景技术
NAND型闪存(NAND Flash)是闪存(Flash Memory)中的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量大，擦写速度快等优点，适用于大量数据的存储，但也有擦写次数低、数据保存有效期短等明显缺点。NAND Flash包括单层式储存(Single Level Cell,SLC)和多层式储存(Multi Level Cell,MLC)等类型，其内部存储单位采用非线性宏单元模式排列。如图1所示，NAND Flash的存储单元为三端器件，包括：源极、漏极和栅极。栅极包括控制栅极和浮置栅极，栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。每个存储单元(memory cell)可存储1个或1个以上信息单元的比特信息。NAND Flash的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。NAND Flash的数据擦写原理是通过对浮置栅极加以不同的电压，然后透过源极，来改变或消除所储存的电荷电位等级(Level)，从而达到每个单位可以保存一个或多个单元(即bit)位的多个值。简单来说就是各bit位的值是通过不同的电荷电位水平来保持的。
但这种数据保存方式同时也有明显的缺点：由于栅极存储的电荷会慢慢漏电，每个存储单位存储的bit位数越多，保存的数据密度越大，电荷的电位水平等级越细化，这样数据保存的稳定性就越弱。同时，NAND Flash数据保存有效期也随擦写次数增加而显著下降。这样对于那些长时间不擦写刷新的数据，自然丢失或读取错误的风险极大。
如图2所示，为某型号SLC NAND Flash，采用24nm的工艺，根据数据保存时间和擦写次数及工作温度的关系可以看出，在通常75℃的工作温度下，若擦写10000次后，该NANDFlash存储单元上的数据仅能有效保存1个月左右。
发明内容
有鉴于此，实有必要提供一种能提升NAND Flash数据保存时间的方法，保证NANDFlash数据存储的稳定性和安全性。
第一方面，提供一种数据的存储方法，应用于存储装置中，所述存储装置包括至少一片闪存芯片，所述闪存芯片包括多个存储块，所述存储方法包括：
启动后台监控程序，读取待处理的存储块的擦写记录信息，根据擦写记录信息获取该待处理的存储块存储的数据的保存时间；判断待处理的存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，若超出保存时间阈值，则将该待处理的存储块存储的数据迁移到空闲存储块上。
该存储方法，通过实时监控闪存芯片各块的擦写使用情况和数据的保存时间，确保各个存储块上存储的数据在保存时间即将超时之前实现自动触发刷新与备份，使得这些数据的保存时间能够得到延长，保证数据存储的安全性和稳定性。
根据第一方面的第一实施方式，所述擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间，数据的保存时间的获取方式，包括：
获取系统当前时间，根据所述数据最后一次写入时间和系统当前时间计算所述存储块的数据的保存时间。
根据第一方面或第一方面第一实施方式的第二实施方式，所述判断存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值，包括：
获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，根据计算的所述数据的保存时间、所述存储块的已擦写次数和所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值。
根据第一方面或第一方面第一实施方式或第二实施方式的第三实施方式中，所述将存储块存储的数据迁移到空闲存储块上，包括：查询空闲存储块，获取所述空闲存储块的擦写次数，将擦写次数最小的空闲存储块确定为数据迁移目的块，将所述数据转存至所述目的块中。该实施方式中，通过在待处理存储块对应的分区内将擦写次数最小的空闲存储块确定为数据迁移目的块，兼顾均衡磨损机制，使得这些数据的保存时间能进一步得到延长。
第二方面，提供一种存储装置，该存储装置包括至少一片闪存芯片，所述闪存芯片包括多个存储块，所述存储装置还包括依次相连的读取单元、判断单元和写入单元，其中：
读取单元，用于读取存储块的擦写记录信息，获取待处理的存储块存储的数据的保存时间；判断单元，用于判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值；写入单元，用于在所述判断单元确定所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值时，将所述存储块中存储的数据迁移到空闲存储块中。
根据第二方面的第一实施方式，所述读取单元读取的所述存储块的擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间和当前时间；
所述读取单元具体根据所述数据最后一次写入时间和系统当前时间计算所述数据的保存时间。
根据第二方面或者第二方面第一实施方式的第二实施方式，所述判断模块判断存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，包括：
所述判断模块先从本地获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，然后根据所述读取模块计算的所述数据的保存时间、所述存储块的已擦写次数和所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值。
根据第二方面或第二方面第一实施方式或第二实施方式的第三实施方式中，所述写入单元将所述存储块中存储的数据写入到的空闲存储块中，包括：
查询空闲存储块，获取所述空闲存储块的擦写次数，将擦写次数最小的存储块确定为数据迁移目的块，将所述数据转存至所述目的块中。
第三方面，提供一种闪存芯片，包括多个存储块，每个存储块包含多个页，所述存储块的首个有效页存储有擦写记录信息，所述擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间。该闪存芯片通过擦写记录信息记录每个存储块数据的写入时间和擦写次数，便于存储装置在刷新过程中，根据该擦写记录信息获取各个存储块的数据保存时间，并在数据保存时间超时之前将数据迁移到空闲存储块，提升数据的保存时间和保证数据的安全性。
根据第三方面的第一实施方式中，所述存储块中的最后一个有效页也存储有所述擦写记录信息。该实施方式可以避免由于坏块等原因导致擦写记录信息丢失。
根据第三方面的或第三方面第一实施方式的第二实施方式，所述闪存芯片还存储有{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表用于表示存储块的已擦写次数与数据最长保存时间之间的对应关系。
本申请方案，通过实时监控闪存芯片各块的擦写使用情况，并建立擦写次数、擦写时间、数据保存时间等关联算法及备份方案，确保各个存储块数据的保存时间在即将超时之前实现刷新与备份，并找到空闲块中保存时间最长的存储块来存储刷新内容，兼顾均衡磨损机制，使得这些数据的保存时间能够得到延长，保证数据保存的安全性。
附图说明
图1是NAND Flash的物理结构示意图；
图2是一型号的SLC NAND Flash的数据保存时间和擦写次数及工作温度的关系图；
图3是本申请实施例的数据存储方法的流程示意图；
图4是本申请实施例中数据迁移方法流程示意图；
图5是本申请实施例中在特定温度下擦除次数与数据保存时间的对应关系表；
图6是本申请实施例中擦写记录标签一实例示意图；
图7是本申请实施例中存储块的数据结构示意图；
图8是本申请实施例中存储装置的结构示意图；
图9是本申请实施例中另一存储装置的结构示意图；
图10是本申请实施例中存储芯片的逻辑结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
为便于理解本申请的方案，在此对NAND Flash的相关原理和概念作些说明：
一片NAND Flash为一个设备(device)，1个设备包括若干个块(block)，1个块包含若干个页(page)，1页包含若干个字节(bytes，B)。NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。
页是NAND Flash中的基本存储单元，多个页组成块。每一个页一般包含数据区和空闲区(spare area)。空闲区也称为OOB(Out-Of-Band)区，通常被用于错误纠正代码(Error Correcting Code，ECC)、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能，NANDFlash需要ECC以确保数据完整性。ECC能在硬件或软件中执行。在编程操作期间，ECC单元根据扇区中存储的数据来计算错误纠正代码，然后错误纠正代码被分别写入到各自的空闲区。当数据被读出时，ECC代码也被读出，运用反操作可以核查读出的数据是否正确。
不同NAND Flash存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据NAND Flash容量大小，不同NAND Flash存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8MB的NANDFlash存储器，页大小常为512B、块大小为8KB，块内页面数为16。而2MB的NAND Flash存储器的页大小为256B、块大小为4KB，块内页面数也是16。(1B＝8bit,1KB＝1024B,1MB＝1024KB)。NAND Flash存储器由多个块串行排列组成。NAND Flash是顺序读取的设备，他仅用8b(bit)的I/O端口就可以存取数据。NAND Flash在读和擦写文件、特别是连续的大文件时，速度相当快。
NAND Flash的擦除操作是以块为单位的，NAND Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短。
本申请实施例通过对NAND Flash的擦写次数及数据保存时间关系进行监控，提供一种存储内容动态刷新的机制及方案，来实现NAND Flash上存储的数据长期稳定保存的方法。
具体的，通过实时监控NAND Flash各块的擦写使用情况，并建立擦写次数、擦写时间、数据保存时间等关联算法及备份方案，确保各个存储块数据的保存时间在即将超时之前实现自动触发刷新与备份，并找到空闲块中保存时间最长的存储块来存储刷新内容，兼顾均衡磨损机制，使得这些数据的保存时间能够得到延长，保证数据保存的安全性。
如图3所述，本申请实施例提供一种数据的存储方法，应用于存储装置中，所述存储装置包括至少一个闪存(Flash Memory)芯片，所述闪存芯片包括多个存储块，该存储方法包括如下步骤：
301、存储装置读取闪存的存储块上的数据擦写记录信息，获取存储块存储的数据的保存时间。
具体的，存储装置可以通过启动后台监控程序，定时遍历所有存储有效数据的block，监测各个block的擦写记录信息，根据擦写记录信息获取各个block存储的数据的保存时间，另外，也可获取各个block的擦写次数。
擦写记录信息以擦写记录标签(TAG)的形式存储在各个block的首个有效页中，具体的擦写记录标签结构可以参考图6，该擦写记录TAG包括：数据最后一次写入时间和已擦写次数等信息。
后台监控程序根据擦写记录TAG中的最后一次写入时间以及系统当前时间计算各个block存储的数据的保存时间。
302、判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值。
303、若所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值，则将所述存储块存储的数据迁移到未存储数据的空闲存储块上。
具体的，存储装置获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，根据待处理的block的数据的保存时间、该block的已擦写次数和{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断该block存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值。若判断该block存储的数据的保存时间已经超出保存时间阈值。则将该block存储的数据迁移到未存储数据的block上。
在实际的应用过程中，数据保存时间阈值可以设置为芯片厂家默认的数据最长保存时间(在特定温度与擦写次数下)的90％。
具体数据迁移过程如图4所示，包括如下步骤。
401、确定数据迁移目的存储块。
具体的，在待处理的block(便于说明，可以标记为block S)对应的分区中查询出一个空闲的且已擦写次数(erase count)较小的block(便于说明，可以标记为block T)。一种优化的设计中，可以将擦写次数最小的block确定为数据迁移的目的block。
对于已擦写次数丢失的block，该block已擦写次数可以默认为用该分区所有存储块的已擦写次数的平均值。
一种优化的设计中，可以将查询空闲的block的查询范围限定为block空闲列表和待擦除列表的blocks中，以减少查询范围，提升查询效率。也即，空闲的block可以为未存储数据的block或者已存储数据正等待数据擦除的block。
402、检查block T数据是否擦除，如果没有则将block T数据擦除。
403、将block S中有效数据读入内存，并计算32位循环冗余校验码CRC32。
404、将计算的CRC32填充到block T的TAG page，该page页为存储块的首个有效页，然后将内存中的有效数据写入block T的数据页(date page)中。
405、将block S置入擦除列表中。
可选的，本实施例还可以进一步在数据迁移过程中，发生断电时的数据处理方法，具体考虑如下：
如果在步骤403之前掉电，都没有负面影响。
如果在步骤404中拷贝数据时掉电，则只是导致拷贝失败，不会影响原数据，拷贝失败的数据在重启后初始化过程中，会检查出来，直接忽略该数据，并且将该block T回收重用。
如果在步骤405中断电，刷新已经完成，直接使用刷新后的数据，block S直接放入擦除列表即可。
可选的，本方法实施例还可以设置后台监控程序的频率及优先级：基于上述表格中的数据的保存时间，且确保不影响产品的性能及用户体验，该监控后台程序可以以小时为单位启动检测间隔，例如每6小时检测一次。该监测后台进程的级别可设置为低，这样不会阻塞主功能的性能，同时也能满足监测刷新功能。
需要注意的是，要实现数据迁移过程，该待处理的block对应的分区中需要保留一个有效block预留给刷新操作程序使用，用于将数据写入到目的块中。
需要注意的是，在实现本申请实例例方案之前，还需要设置{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表以及擦写记录TAG，设置方法，包括如下步骤：
(1)首先根据NAND Flash厂家提供的{数据保存时间-擦写次数-工作温度关系}数据，建立起相应的{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表数。如某NAND Flash在通常75℃工作温度下的对应关系表如图5所示。
(2)为了记录每个block完整的擦写信息，定义每个block的擦写记录TAG的数据结构(TAG Structure)如图6所示，该数据结构包括：逻辑号码(magic number)、擦写次数(erase count)、数据写入时间(write time)、复制标签(copy flag)、序列号(sequencenumber)等标签。
(3)划分NAND Flash中各block的存储区域，把上面定义的数据结构信息记录起来：将每个block的第一个有效page保留作为擦写记录TAG使用，剩下pages用于存储实际数据。同时为避免由于第一个page异常导致数据丢失，将block最后一个page用作第一个page的备份。这样就定义第一个和最后一个page为TAG page，其余的为DATA page，那么每个block＝2个TAG page+n个DATA page，如图7所示：
(4)TAG信息刷新:每次当待迁移数据的block要擦除刷新时，先把该block的擦写记录信息读取出来保存在内存中，然后再对该block做擦除操作，在将该block的数据写入数据迁移目的block中时，先将内存中的擦写记录信息读取出来用来更新目的块的擦写记录信息，然后再将待迁移数据block中的有效数据写入目的block的DATA pages中。
在一种可选的设计中，可以将目的块更新后的擦写记录信息备份至目的块中最后一个有效页中，防止擦写记录信息丢失。
需要注意的是，本申请中所用的存储装置不仅仅限于存储服务器，也可以是其他包含存储功能的设备，如数字机顶盒、智能电视、智能手机、平板电脑可穿戴产品等其他智能设备。
下面对使用本申请方案对NAND Flash的影响作进一步的分析和说明。
对Flash的寿命影响分析：
数据刷新将进一步增加NAND Flash本身的擦写次数，从而降低NAND Flash本身的寿命。如图5的数据分析，即使在擦写极限情况30000次时，其刷新周期为1天，并且数据刷新的频率是随产品的使用时间逐步增加的。上述刷新操作本身触发的次数在NAND Flash的整个生命周期内并不多，基本不会影响NAND Flash本身的寿命，但该措施可以增强NANDFlash上现有数据的稳定保存。
系统性能影响分析：
该刷新操作是在后台完成，处理优先级低且每隔6小时以上检测一次，并不影响用户主功能的性能及体验。
刷新冲突处理：
如果后台进程在刷新某个block时，此时如果上层应用擦写该block，则此时直接中断刷新操作。因为用户层擦写该block也相当于刷新该数据。同时要刷新相应的擦写记录TAG段数据。
资源消耗分析：
刷新一个block，耗时大概30ms左右；需要同步消耗1个block的NAND Flash资源，以及1个block size(128K/256K)的RAM资源,但内存使用后就可以释放；每个block需要保留2个TAG page作为内部使用，总体来说资源消耗很少。
本申请实施例的数据存储方法，通过监测各个存储块的保存时间，在保存时间达到保存时间阈值时，将数据迁移到空闲块，确保了NAND Flash上存储数据的长期稳定保存，对资源消耗较少，对系统性能影响很小。
下面结合附图8对本申请实施例的存储装置进行说明，如图8所示，本申请实例中的存储装置800包括：至少一片闪存芯片801，该闪存芯片包括多个存储块用于存储数据，还包括：读取单元802、判断单元803以及写入单元804，其中读取单元802，用于读取存储块的擦写记录信息，获取存储块存储的数据的保存时间；判断单元803，用于判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值；写入单元804，用于在所述判断单元803确定所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值时，将所述存储块中存储的数据迁移到空闲存储块中。
在具体实现方案中，所述读取单元读取的所述存储块的擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间和当前时间，所述读取单元具体根据所述数据最后一次写入时间和系统当前时间计算所述数据的保存时间。
在具体实现方案中，所述判断模块判断存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，包括：所述判断模块先从本地获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，然后根据所述读取模块计算的所述数据的保存时间、所述存储块的已擦写次数和所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值。
在具体实现方案中，所述写入单元将所述存储块中存储的数据写入到的空闲存储块中，包括：查询空闲存储块，获取所述空闲存储块的擦写次数，将擦写次数最小的存储块确定为数据迁移目的块，将所述数据转存至所述目的块中。
该方案中的存储装置，通过定时监控闪存存储块中的擦写记录信息，获取各个数据块的数据保存时间，通过保存时间与擦写次数对应关系表判断数据块的数据的保存时间是否达到保存时间阈值，在数据保存时间超时之前，启动数据刷新和迁移，延长数据的保存时间，保证了数据存储的安全性。
本申请如图9所示提供另外一种存储装置。该存储装置包含一个或多个端口901，与收发器(transceiver)903相耦合。收发器903可以是发射器，接收器或其组合，从其他网络节点通过端口904发送或接收数据包。处理器901耦合到收发器903，用于处理数据包。处理器901可包含一个或多个多核处理器和/或存储器902。处理器901可以是一个通用处理器，专用集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)，或数字信号处理器(DSP)。
存储器902可为非瞬时性的存储介质，与处理器901相耦合，用于保存不同类型的数据。存储器902可包含只读存储器(read only memory，ROM),随机存取存储器(randomaccess memory，RAM)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是磁盘存储器。存储器902可用于保存存储装置或相关方法的指令。NAND Flash 905与处理器相耦合，用户保存数据。
可以理解，通过编程或装载可执行指令到该存储装置的处理器901，缓存和长期存储中的至少一个中。
另一个实施例中，存储器902，存储计算机可执行程序代码,其中所述程序代码包括指令，当所述处理器901执行所述指令时，所述指令使所述存储装置执行以下操作：
读取NAND Flash的待处理的存储块的擦写记录信息，根据擦写记录信息获取该待处理的存储块存储的数据的保存时间；判断待处理的存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，若超出保存时间阈值，则将该待处理的存储块存储的数据迁移到空闲存储块上。
以上作为存储装置包含的处理器所执行操作的具体实现方式可以参照存储方法中的存储装置的执行的步骤和功能，本申请实施例不再赘述。
下面结合图10对本申请一实施例的闪存芯片进行说明，如图10所示，闪存芯片包括至少一片芯片1，芯片1包含多个面(plane),每个面包含多个块(block),每个块包括多个页(page)。该多个块的任一块的首个有效页(page 0)存储有擦写记录TAG，所述擦写记录TAG包括：该块的已擦写次数和数据最后一次写入时间。另外，该闪存芯片还可以存储有{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，该{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表用于表示存储块的已擦写次数与数据最长保存时间之间的对应关系。该对应关系表可以存储在该闪存芯片的任一存储块中。
该闪存芯片通过擦写记录标签完整的记录每个存储块数据的写入时间和擦写次数，便于存储装置在刷新过程中，根据该擦写记录标签获取各个存储块的数据保存时间，并在数据保存时间超时之前将数据迁移到空闲存储块，提升数据的保存时间和保证数据的安全性。
在一种可选的设计中，可以将每个存储块的擦写记录TAG备份至该存储块的最后一个有效页中，防止擦写记录信息丢失。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口、装置或单元的间接耦合或通信连接，也可以是电的，机械的或其它的形式连接。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本申请实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

Claims (15)

1.一种数据的存储方法，应用于存储装置中，所述存储装置包括至少一片闪存(FlashMemory)芯片，所述闪存芯片包括多个存储块(block)，其特征在于，所述存储方法包括：
读取存储块的擦写记录信息，获取存储块存储的数据的保存时间；
判断所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值时，将所述存储块存储的数据迁移到空闲存储块上。
2.如权利要求1所述的存储方法，其特征在于，所述擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间，所述获取存储块存储的数据的保存时间，包括：
获取系统当前时间，根据所述数据最后一次写入时间和系统当前时间计算所述数据的保存时间。
3.如权利要求1或2所述的存储方法，其特征在于，所述判断存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值，包括：
获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，根据计算的所述数据的保存时间、所述存储块的已擦写次数和所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值。
4.如权利要求1-3任一项所述的存储方法，其特征在于，所述将存储块存储的数据迁移到空闲存储块上，包括：
查询空闲存储块，获取所述空闲存储块的擦写次数，将擦写次数最小的空闲存储块确定为数据迁移目的块，将所述数据转存至所述目的块中。
5.如权利要求4所述的存储方法，其特征在于，所述将数据转存至所述目的块中，包括：
将所述存储块中的有效数据写入到所述目的块的数据页中(date page)中。
6.如权利要求4-5所述的存储方法，其特征在于，还包括：
更新所述目的块中的擦写记录信息。
7.如权利要求1-6任一项所述的存储方法，其特征在于，所述擦写记录信息存储在每个存储块的首个有效页(page)中。
8.一种存储装置，包括至少一片闪存(Flash Memory)芯片，所述闪存芯片包括多个存储块(block)，其特征在于，所述存储装置还包括：
读取单元，用于读取存储块的擦写记录信息，获取存储块存储的数据的保存时间；
判断单元，用于判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值；
写入单元，用于在所述判断单元确定所述存储块存储的数据的保存时间超出保存时间阈值时，将所述存储块中存储的数据迁移到空闲存储块中。
9.如权利要求8所述的存储装置，其特征在于，所述读取单元读取的所述存储块的擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间和当前时间；
所述读取单元根据所述数据最后一次写入时间和系统当前时间计算所述数据的保存时间。
10.如权利要求8或9所述的存储装置，其特征在于，所述判断模块判断存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值，包括：
所述判断模块获取{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，根据所述读取模块计算的所述数据的保存时间、所述存储块的已擦写次数和所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表判断所述存储块存储的数据的保存时间是否超出保存时间阈值。
11.如权利要求8-10任一项所述的存储装置，其特征在于，所述写入单元将所述存储块中存储的数据写入到的空闲存储块中，包括：
查询空闲存储块，获取所述空闲存储块的擦写次数，将擦写次数最小的存储块确定为数据迁移目的块，将所述数据转存至所述目的块中。
12.如权利要求11所述的存储装置，其特征在于，所述写入单元将所述数据转存至所述目的块中，包括：
所述写入单元将所述存储块中的有效数据写入到所述目的块的数据页中(date page)中。
13.一种闪存芯片，包括多个存储块(block)，每个存储块包含多个页(page)，其特征在于，所述存储块的首个有效页(page)存储有擦写记录信息，所述擦写记录信息包括：所述存储块的已擦写次数和数据最后一次写入时间。
14.如权利要求13所述的闪存芯片，其特征在于，所述存储块中的最后一个有效页也存储有所述擦写记录信息。
15.如权利要求13或14所述的闪存芯片，其特征在于，所述闪存芯片还存储有{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表，所述{擦写次数-数据保存时间阈值}对应关系表用于表示存储块的已擦写次数与数据最长保存时间之间的对应关系。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107480012A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘的数据恢复方法及数据恢复系统
CN107577440A (zh) * 2017-10-11 2018-01-12 深圳佰维存储科技股份有限公司 提高存储器寿命的方法
CN107743101A (zh) * 2017-09-26 2018-02-27 杭州迪普科技股份有限公司 一种数据的转发方法及装置
CN107832012A (zh) * 2017-11-03 2018-03-23 重庆大学 一种在线挖掘闪存制程差异现象优化刷新的方法
CN109032505A (zh) * 2018-06-26 2018-12-18 深圳忆联信息系统有限公司 带时效的数据读写方法、装置、计算机设备及存储介质
CN109582240A (zh) * 2018-12-03 2019-04-05 郑州云海信息技术有限公司 一种数据移动方法及其相关设备
CN109685190A (zh) * 2018-12-28 2019-04-26 江苏恒宝智能系统技术有限公司 一种ic卡掉电保护方法及装置
CN110347335A (zh) * 2019-07-30 2019-10-18 河南文正电子数据处理有限公司 一种固态硬盘数据存储方法、装置
CN110673789A (zh) * 2019-09-05 2020-01-10 苏州浪潮智能科技有限公司 固态硬盘的元数据存储管理方法、装置、设备及存储介质
WO2020015385A1 (zh) * 2018-07-20 2020-01-23 中兴通讯股份有限公司 面向非易失性内存的磨损均衡及访问方法、设备和存储介质
CN110888596A (zh) * 2019-06-25 2020-03-17 北京华虹集成电路设计有限责任公司 一种Flash存储区域的文件擦写方法及装置
CN110955392A (zh) * 2019-12-03 2020-04-03 山东华芯半导体有限公司 一种ssd中在线监测数据存储时间的方法
CN111273864A (zh) * 2020-01-17 2020-06-12 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 一种减少nand flash擦写次数的方法及系统
CN111427510A (zh) * 2019-01-10 2020-07-17 西部数据技术公司 用于后台管理操作的优化调度的数据存储系统和方法
CN111475425A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 慧荣科技股份有限公司 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置
CN111625187A (zh) * 2020-05-15 2020-09-04 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN111813339A (zh) * 2020-07-03 2020-10-23 深圳市国微电子有限公司 闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质
CN111880732A (zh) * 2020-07-18 2020-11-03 Oppo广东移动通信有限公司 一种闪存数据刷新方法及装置
WO2020224646A1 (zh) * 2019-05-08 2020-11-12 华为技术有限公司 一种存储设备的磨损均衡方法、装置及相关设备
CN112416811A (zh) * 2020-11-18 2021-02-26 深圳市硅格半导体有限公司 基于数据关联度的垃圾回收方法、闪存及装置
CN112764683A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
CN112804031A (zh) * 2021-04-01 2021-05-14 广州征安电子科技有限公司 一种可进行错误数据纠正的数据传输远程终端系统
CN113157486A (zh) * 2021-05-26 2021-07-23 中国科学院微电子研究所 一种存储器的纠错方法及装置
CN114115706A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 慧荣科技股份有限公司 记忆装置、快闪存储器控制器及其存取方法
CN114327279A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 湖南国科微电子股份有限公司 一种迁移数据的方法及装置
JP2022112978A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 株式会社大一商会 遊技機
CN116149545A (zh) * 2022-12-01 2023-05-23 浙江大学 一种基于存储类内存的损耗均衡方法
WO2023169142A1 (zh) * 2022-03-07 2023-09-14 华为技术有限公司 一种存储装置及相关数据分区管理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101373634A (zh) * 2007-08-20 2009-02-25 隆智半导体公司 Cmos兼容非易失性存储器单元结构、操作和阵列配置
CN102819468A (zh) * 2011-11-30 2012-12-12 凯迈（洛阳）环测有限公司 一种基于flash的小型数据备份及查询方法
US20140351504A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Fujitsu Limited Apparatus and method for transferring data between storages having different access speeds
CN104778127A (zh) * 2015-03-25 2015-07-15 合肥格易集成电路有限公司 一种nand flash写数据的方法和装置
CN105204958A (zh) * 2015-10-19 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101373634A (zh) * 2007-08-20 2009-02-25 隆智半导体公司 Cmos兼容非易失性存储器单元结构、操作和阵列配置
CN102819468A (zh) * 2011-11-30 2012-12-12 凯迈（洛阳）环测有限公司 一种基于flash的小型数据备份及查询方法
US20140351504A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Fujitsu Limited Apparatus and method for transferring data between storages having different access speeds
CN104778127A (zh) * 2015-03-25 2015-07-15 合肥格易集成电路有限公司 一种nand flash写数据的方法和装置
CN105204958A (zh) * 2015-10-19 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107480012A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘的数据恢复方法及数据恢复系统
CN107743101A (zh) * 2017-09-26 2018-02-27 杭州迪普科技股份有限公司 一种数据的转发方法及装置
CN107577440B (zh) * 2017-10-11 2021-02-09 深圳佰维存储科技股份有限公司 提高存储器寿命的方法
CN107577440A (zh) * 2017-10-11 2018-01-12 深圳佰维存储科技股份有限公司 提高存储器寿命的方法
CN107832012A (zh) * 2017-11-03 2018-03-23 重庆大学 一种在线挖掘闪存制程差异现象优化刷新的方法
CN109032505A (zh) * 2018-06-26 2018-12-18 深圳忆联信息系统有限公司 带时效的数据读写方法、装置、计算机设备及存储介质
WO2020015385A1 (zh) * 2018-07-20 2020-01-23 中兴通讯股份有限公司 面向非易失性内存的磨损均衡及访问方法、设备和存储介质
CN109582240B (zh) * 2018-12-03 2022-02-18 郑州云海信息技术有限公司 一种数据移动方法及其相关设备
CN109582240A (zh) * 2018-12-03 2019-04-05 郑州云海信息技术有限公司 一种数据移动方法及其相关设备
CN109685190B (zh) * 2018-12-28 2022-04-12 江苏恒宝智能系统技术有限公司 一种ic卡掉电保护方法及装置
CN109685190A (zh) * 2018-12-28 2019-04-26 江苏恒宝智能系统技术有限公司 一种ic卡掉电保护方法及装置
CN111427510A (zh) * 2019-01-10 2020-07-17 西部数据技术公司 用于后台管理操作的优化调度的数据存储系统和方法
CN111427510B (zh) * 2019-01-10 2023-10-24 西部数据技术公司 用于后台管理操作的优化调度的数据存储系统和方法
CN111475425B (zh) * 2019-01-24 2022-10-14 慧荣科技股份有限公司 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置
US11409650B2 (en) 2019-01-24 2022-08-09 Silicon Motion, Inc. Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device
CN111475425A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 慧荣科技股份有限公司 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置
US11630768B2 (en) 2019-01-24 2023-04-18 Silicon Motion, Inc. Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device
WO2020224646A1 (zh) * 2019-05-08 2020-11-12 华为技术有限公司 一种存储设备的磨损均衡方法、装置及相关设备
CN110888596A (zh) * 2019-06-25 2020-03-17 北京华虹集成电路设计有限责任公司 一种Flash存储区域的文件擦写方法及装置
CN110347335A (zh) * 2019-07-30 2019-10-18 河南文正电子数据处理有限公司 一种固态硬盘数据存储方法、装置
CN110347335B (zh) * 2019-07-30 2022-12-13 河南文正电子数据处理有限公司 一种固态硬盘数据存储方法、装置
CN110673789B (zh) * 2019-09-05 2023-01-10 苏州浪潮智能科技有限公司 固态硬盘的元数据存储管理方法、装置、设备及存储介质
CN110673789A (zh) * 2019-09-05 2020-01-10 苏州浪潮智能科技有限公司 固态硬盘的元数据存储管理方法、装置、设备及存储介质
CN110955392A (zh) * 2019-12-03 2020-04-03 山东华芯半导体有限公司 一种ssd中在线监测数据存储时间的方法
CN111273864A (zh) * 2020-01-17 2020-06-12 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 一种减少nand flash擦写次数的方法及系统
CN111273864B (zh) * 2020-01-17 2023-08-08 山东浪潮科学研究院有限公司 一种减少nand flash擦写次数的方法及系统
CN111625187B (zh) * 2020-05-15 2023-09-29 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN111625187A (zh) * 2020-05-15 2020-09-04 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器及其控制方法与存储系统
CN111813339A (zh) * 2020-07-03 2020-10-23 深圳市国微电子有限公司 闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质
CN111813339B (zh) * 2020-07-03 2023-08-15 深圳市国微电子有限公司 闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质
CN111880732A (zh) * 2020-07-18 2020-11-03 Oppo广东移动通信有限公司 一种闪存数据刷新方法及装置
CN114115706A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 慧荣科技股份有限公司 记忆装置、快闪存储器控制器及其存取方法
CN112416811B (zh) * 2020-11-18 2024-02-27 深圳市硅格半导体有限公司 基于数据关联度的垃圾回收方法、闪存及装置
CN112416811A (zh) * 2020-11-18 2021-02-26 深圳市硅格半导体有限公司 基于数据关联度的垃圾回收方法、闪存及装置
CN112764683B (zh) * 2021-01-22 2023-01-10 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
JP2022112978A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 株式会社大一商会 遊技機
CN112764683A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 苏州浪潮智能科技有限公司 存储块管理信息同步记录方法、系统、终端及存储介质
CN112804031B (zh) * 2021-04-01 2021-06-22 广州征安电子科技有限公司 一种可进行错误数据纠正的数据传输远程终端系统
CN112804031A (zh) * 2021-04-01 2021-05-14 广州征安电子科技有限公司 一种可进行错误数据纠正的数据传输远程终端系统
CN113157486A (zh) * 2021-05-26 2021-07-23 中国科学院微电子研究所 一种存储器的纠错方法及装置
CN114327279A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 湖南国科微电子股份有限公司 一种迁移数据的方法及装置
WO2023169142A1 (zh) * 2022-03-07 2023-09-14 华为技术有限公司 一种存储装置及相关数据分区管理方法
CN116149545A (zh) * 2022-12-01 2023-05-23 浙江大学 一种基于存储类内存的损耗均衡方法
CN116149545B (zh) * 2022-12-01 2024-06-11 浙江大学 一种基于存储类内存的损耗均衡方法

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