CN106557099A - Mch的温度检测控制电路及温度检测控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种MCH的温度检测控制电路及温度检测控制装置，电路包括：PMOS管分别与逻辑控制单元、电源引脚和第一参考电阻连接，第一参考电阻与采样电源引脚连接；第一、第二参考电阻与第一比较器连接，电源引脚与上拉电阻连接，上拉电阻和第一、第二比较器与电压采样引脚连接，第二、第三参考电阻与第二比较器连接，第三参考电阻与参考电压引脚连接；第一、第二比较器通过与门电路与逻辑控制单元连接；采样电源引脚通过滑动变阻器与MCH连接，MCH与参考电压引脚连接，滑动变阻器的滑动端与电压采样引脚连接；逻辑控制单元向控制引脚发送加热控制信号，控制MCH通电加热。本发明解决了现有技术容易出现MCH高温失控的问题。

Description

MCH的温度检测控制电路及温度检测控制装置

技术领域

本发明涉及一种MCH的温度检测控制电路及温度检测控制装置。

背景技术

MCH(Metal Ceramics Heater，金属陶瓷发热体)是指将金属钨或者是钼锰浆料印刷在陶瓷流延坯体上，经过热压叠层，然后在1600℃氢气氛保护下，陶瓷和金属共同烧结而成的陶瓷发热体，具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性能良好、热补偿速度快等优点，而且不含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚等有害物质，符合欧盟RoHS(关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令)等环保要求。

MCH在通电工作时，温度能够在30秒钟内上升到800℃，同时，MCH还具有在工作时无噪音、不含有害物质的优点，在工作时放射对人体有益的红外线，是一种符合环保的新型电热元件。基于MCH的优异性能，它被广泛应用于医疗器械、机械以及电子工业领域，例如美容美发等器具的发热芯，比如发夹、卷发器、电吹风、干发机，以及电烙铁、煮水器、蒸汽机、医疗器械等。

在目前主流的MCH控温应用中，主要采用的方法是在交流信号的负半周进行温度检测，然后根据检测结果在交流电信号的正半周通过导通单向可控硅的方式对MCH进行加热。

图1为现有技术的MCH的温度检测控制电路的电路结构示意图，现有技术的MCH温度检测的原理是根据MCH的电阻值与MCH的温度成近似线性正比关系，也就是说当MCH温度升高的时候，MCH电阻值也会相应的增大。

在图1的电路中，包括逻辑控制单元1、PMOS管2、比较器3、电源引脚VDD、采样电源引脚VB、电压采样引脚PTC、参考电压引脚REF、控制引脚GATE以及接地引脚GND。其中，所述PMOS管2的栅极与所述逻辑控制单元1电连接，所述PMOS管2的源极与所述电源引脚VDD电连接，所述PMOS管2的漏极和第一参考电阻R_ref1的一端共同与所述采样电源引脚VB电连接，所述电源引脚VDD还与电源电连接，其中虚线框内可视为芯片内部；

所述第一参考电阻R_ref1的另一端与第二参考电阻R_ref2的一端共同与所述比较器3的正输入端电连接，所述第二参考电阻R_ref2的另一端则与所述参考电压引脚REF电连接；所述采样电源引脚VB则依次通过第一分压电阻R_A、滑动变阻器R_B、第二分压电阻R_C与MCH电连接，所述MCH还和所述参考电压引脚REF以及所述接地引脚GND共同接地，所述滑动变阻器R_B的滑动端还与所述电压采样引脚PTC电连接，所述电压采样引脚PTC还与所述比较器3的负输入端电连接，所述比较器3的输出端则与所述逻辑控制单元1的输入端电连接，所述逻辑控制单元1的输出端则与所述控制引脚GATE电连接。

在图1的电路中，所述逻辑控制单元1会向所述PMOS管2发送采样窗口控制信号，在交流信号的负半周的某一时刻，采样窗口控制信号会输出一段时间的低电平信号，进而导通PMOS管2，所述采样电源引脚VB会输出一个与所述电源引脚VDD的电压几乎一致的供电电压，从而在所述第一分压电阻R_A、所述滑动变阻器R_B、所述第二分压电阻R_C以及所述MCH组成的电阻链中产生分压信号。芯片通过电压采样引脚PTC，采样分压信号V_sense输入到所述比较器3的负输入端，所述比较器3的正输入端输入的则是由第一参考电阻R_ref1和第二参考电阻R_ref2分压得到的参考电压V_ref。所述比较器3根据输入的信号，输出Normal_Result信号，获得MCH的电阻值信息，进而获得MCH的温度信息。

由于MCH的电阻值与MCH的温度成近似线性正比关系，当温度升高时，MCH的阻值会变大，V_sense的采样电压信号也逐渐上升，当V_sense<V_ref时，MCH的温度低于设定温度，则通过芯片的控制引脚GATE输出加热控制信号，导通交流信号的正半周，对MCH进行加热；当V_sense≥V_ref时，达到设定温度，芯片的控制引脚GATE端口不输出加热控制信号，进而不会导通交流信号的正半周，温度就会因为低于环境温度，通过自然散热的方式，逐渐降低温度，从而达到一个平衡温度，也就是目标温度。

在图1的电路中，由于芯片内部的参考电压V_ref是固定不变的，所以第一分压电阻R_A、滑动变阻器R_B、第二分压电阻R_C和MCH组成的电阻链中，由于滑动变阻器的阻值是可调的，作用是通过调整滑动变阻器的滑片的位置，进而调整MCH的阻值在电阻链中的作用，达到控制MCH的目标温度的目的。在这个电路中，滑动变阻器的滑片越靠近MCH，MCH的平衡温度(即目标温度)越高。

但在图1所示的电路结构中，当电路板焊接不良或者滑动变阻器的接触点老化时，与采样温度有关的采样电源引脚VB、电压采样引脚PTC和参考电压引脚REF都有可能出现断开状态；而且目前的电路板的加工和工作过程中，各种复杂和恶劣环境都有，在大量使用的情况下，难免会出现采样电源引脚VB、电压采样引脚PTC和参考电压引脚REF损坏的情况。芯片的引脚一般都有两个分别到电源引脚VDD和接地引脚GND的反接保护二极管，所谓反接就是芯片引脚到接地引脚GND之间的二极管，正极接接地引脚GND，负极接芯片引脚；芯片引脚到电源引脚VDD之间的二极管，正极接芯片引脚，负极接电源引脚VDD。在芯片出现引脚损坏时，一般有三种情况：与电源引脚VDD短路，与接地引脚GND短路，与电源引脚VDD和接地引脚GND都短路。针对上述三个引脚在焊接不良和引脚损坏以及滑动变阻器的接触点老化这三种情况下，对MCH的温度控制情况作出如下分析：

焊接不良：

采样电源引脚VB：

当采样电源引脚VB出现焊接不良时，由于在采样窗口中，采样电源引脚VB不会输出一个与电源引脚VDD电压几乎一致的供电电压，电压采样引脚PTC采样的V_sense信号为零电平，而芯片内部提供的参考电压V_ref的电阻链供电正常，因此，此时采样电压V_sense始终小于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，控制引脚GATE则始终输出加热控制信号，导通交流信号的正半周，对MCH进行加热，就会出现非常危险的高温失控情况。

电压采样引脚PTC：

当电压采样引脚PTC出现焊接不良时，采样电压V_sense会处于不定状态，而芯片内部提供的参考电压V_ref的电阻链供电正常，在某些特定的情况下，采样电压V_sense会始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，控制引脚GATE则始终输出加热控制信号，导通交流信号的正半周，对MCH进行加热，就会出现非常危险的高温失控情况。

参考电压引脚REF：

当参考电压引脚REF出现焊接不良时，采样电压V_sense信号正常，但参考电压V_ref会始终被上拉到电源引脚VDD的电压值，采样电压V_sense会始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，控制引脚GATE则始终输出加热控制信号，导通交流信号的正半周，对MCH进行加热，就会出现非常危险的高温失控情况。

引脚损坏：

采样电源引脚VB：

当采样电源引脚VB与电源引脚VDD短路时，由于采样电源引脚VB的作用本来就是提供电源的，短路到电源引脚VDD，采样电路可能正常采样，不会出现高温失控的情况；

当采样电源引脚VB与接地引脚GND短路时，芯片内外的电阻链在采样时都没有电源供电，所以采样电压V_sense和参考电压V_ref的信号都会被下拉电阻拉到地，芯片得到的信息是MCH已经达到目标温度，不会加热MCH，不会出现高温失控的情况。同时由于电路中PMOS管的驱动能力比较强，在采样窗口控制信号低电平有效时，PMOS管导通，相当于电源引脚VDD与接地引脚GND直接短路，电源引脚VDD的电压低于上电复位的门限，芯片就会进入循环上电复位的状态，但这种非正常工作的模式，不会输出加热控制信号，也不会出现高温失控的危险情况。

当采样电源引脚VB与电源引脚VDD、接地引脚GND都短路时，电路中的电源和地短路，整个电路不工作，不会出现高温失控的危险情况。

电压采样引脚PTC：

当电压采样引脚PTC与电源引脚VDD短路时，采样电压V_sense始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH已达到目标温度，不会加热MCH，不会出现高温失控的危险情况。

当电压采样引脚PTC与接地引脚GND短路时，采样电压V_sense始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH始终未达到目标温度，会持续加热MCH，会出现高温失控的危险情况。

当电压采样引脚PTC与电源引脚VDD、接地引脚GND都短路时，电路中的电源和地短路，整个电路不工作，不会出现高温失控的危险情况。

参考电压引脚REF：

当参考电压引脚REF与电源引脚VDD短路时，由于参考电压引脚REF外围与接地引脚GND电连接，焊接正常时，电源引脚VDD会通过参考电压引脚RFE与接地引脚GND电连接，整个电路不工作，不会出现高温失控的情况；焊接不正常时，采样电压V_sense正常，但是参考电压V_ref上拉到电源引脚VDD，芯片得到的信息是MCH始终未达到目标温度，会持续加热MCH，会出现高温失控的危险情况。

当参考电压引脚REF与接地引脚GND短路时，由于参考电压引脚REF外围与接地引脚GND电连接，无论焊接是否正常，整个电路采样控温都会正常，不会出现高温失控的危险情况。

当参考电压引脚REF与电源引脚VDD、接地引脚GND都短路时，电路中的电源和地短路，整个电路不工作，不会出现高温失控的危险情况。

滑动变阻器的接触点老化：

当滑动变阻器的接触点老化时，与电压采样引脚PTC焊接不良是一样的情况，采样电压V_sense信号会处于不定状态，而芯片内部提供参考电压V_ref的电阻链供电正常，在某些特定的请下，采样电压V_sense会始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，控制引脚GATE始终输出加热控制信号，导通交流信号的正半周，对MCH加热，也会有高温失控的情况发生。

因此，在现有技术的MCH的温度检测控制中，会由于焊接不良、引脚损坏、滑动变阻器接触点老化等原因造成一直对MCH加热，造成高温失控的情况发生。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中MCH的温度检测控制中，会由于焊接不良、引脚损坏、滑动变阻器接触点老化等原因造成一直对MCH加热，造成高温失控的情况发生的缺陷，提供一种MCH的温度检测控制电路及温度检测控制装置。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

本发明提供了一种MCH的温度检测控制电路，其特点在于，包括逻辑控制单元、PMOS管(N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的金属氧化物半导体场效应晶体管)、第一比较器、第二比较器、与门电路、电源引脚、采样电源引脚、电压采样引脚、参考电压引脚及控制引脚；

所述PMOS管的栅极与所述逻辑控制单元电连接，所述PMOS管的源极与所述电源引脚电连接，所述PMOS管的漏极和第一参考电阻的一端共同与所述采样电源引脚电连接；

所述第一参考电阻的另一端和第二参考电阻的一端共同与所述第一比较器的第一输入端电连接，所述电源引脚还与上拉电阻的一端电连接，所述上拉电阻的另一端和所述第一比较器的第二输入端以及所述第二比较器的第一输入端共同与所述电压采样引脚电连接，所述第二参考电阻的另一端和第三参考电阻的一端共同与所述第二比较器的第二输入端电连接，所述第三参考电阻的另一端与所述参考电压引脚电连接；

所述第一比较器的输出端及所述第二比较器的输出端分别与所述与门电路的输入端电连接，所述与门电路的输出端与所述逻辑控制单元的输入端电连接，所述逻辑控制单元的输出端与所述控制引脚电连接；

所述电源引脚还与电源电连接，所述采样电源引脚还与滑动变阻器的一定端电连接，所述滑动变阻器的另一定端与MCH的一端电连接，所述MCH的另一端与所述参考电压引脚电连接，所述滑动变阻器的滑动端与所述电压采样引脚电连接；

所述逻辑控制单元用于向所述PMOS管发送采样窗口控制信号，并向所述控制引脚发送加热控制信号，所述加热控制信号用于控制所述MCH的通电加热。

较佳地，所述采样电源引脚还通过第一分压电阻与所述滑动变阻器的一定端电连接，所述滑动变阻器的另一定端还通过第二分压电阻与所述MCH的一端电连接。

较佳地，所述检测控制电路还包括接地引脚，所述MCH的另一端和所述参考电压引脚以及所述接地引脚还共同接地。

较佳地，所述第一比较器及所述第二比较器均为电压比较器，所述第一比较器的第一输入端及所述第二比较器的第一输入端均为正输入端，所述第一比较器的第二输入端及所述第二比较器的第二输入端均为负输入端。

较佳地，所述逻辑控制单元用于在所述与门电路输出为高电平时向所述控制引脚发送加热控制信号。

较佳地，所述窗口采样控制信号为一固定时间段的低电平信号，所述PMOS管用于在接收到所述窗口采样控制信号时导通。

本发明的目的在于还提供了一种MCH的温度检测控制装置，其特点在于，其包括上述的MCH的温度检测控制电路。

本发明的积极进步效果在于：本发明通过增加了上拉电阻、比较器以及与门电路，从而解决了现有技术容易出现MCH高温失控的问题，有效防止MCH出现高温失控的情况。

附图说明

图1为现有技术的MCH的温度检测控制电路的电路结构示意图。

图2为本发明的较佳实施例的MCH的温度检测控制电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

如图2所示，本发明的MCH的温度检测电路包括逻辑控制单元11、PMOS管12、第一比较器13、第二比较器14、与门电路15、电源引脚VDD、采样电源引脚VB、电压采样引脚PTC、参考电压引脚REF、控制引脚GATE以及接地引脚GND；

其中，所述PMOS管12的栅极与所述逻辑控制单元11电连接，所述PMOS管12的源极与所述电源引脚VDD电连接，所述PMOS管12的漏极和第一参考电阻R_ref1的一端共同与所述电压采样引脚PTC电连接；

所述第一参考电阻R_ref1的另一端和所述第二参考电阻R_ref2的一端共同与所述第一比较器13的正输入端电连接，所述电源引脚VDD还与上拉电阻R_pullup的一端电连接，所述上拉电阻R_pullup的另一端和所述第一比较器13的负输入端以及所述第二比较器14的正输入端共同与所述电压采样引脚PTC电连接，所述第二参考电阻R_ref2的另一端和第三参考电阻R_ref3的一端共同与所述第二比较器14的负输入端电连接，所述第三参考电阻R_ref3的另一端与所述参考电压引脚REF电连接；

所述第一比较器13的输出端与所述第二比较器14的输出端分别与所述与门电路15的两个输入端电连接，所述与门电路15的输出端与所述逻辑控制单元11的输入端电连接，所述逻辑控制单元11的输出端与所述控制引脚GATE电连接；

所述电源引脚VDD还与电源电连接，所述采样电源引脚VB还通过第一分压电阻R_A与滑动变阻器R_B的一定端电连接，所述滑动变阻器R_B的另一定端还通过第二分压电阻R_C与MCH的一端电连接，所述MCH的另一端与所述参考电压引脚REF电连接，所述滑动变阻器R_B的滑动段与所述电压采样引脚PTC电连接；

所述MCH的另一端和所述参考电压引脚REF以及所述接地引脚GND还共同接地。

所述逻辑控制单元11则用于向所述PMOS管12发送采样窗口控制信号，其中在交流信号的负半周，所述采样窗口控制信号为一固定时间段的低电平信号，所述PMOS管12在接收到所述采样窗口控制信号时导通；

其中，交流信号是用于对MCH进行通电加热的，具体地，所述逻辑控制单元11连接的所述控制引脚GATE会接在可控硅的控制端，在检测到MCH未达到目标温度时，在交流信号的负半周到正半周的过零点，输出触发信号，将交流信号的正半周信号通过可控硅导通到MCH，加热MCH；当MCH已达到目标温度时，则不会输出触发信号。

所述第一比较器13用于比较参考电压V_ref与采样电压V_sense的大小，并在参考电压V_ref大于采样电压V_sense时输出高电平，在参考电压V_ref小于采样电压V_sense时输出低电平；

所述第二比较器14用于比较采样电压V_sense与保护电压V_protect的大小，并在采样电压V_sense大于保护电压V_protect时输出高电平，在采样电压V_sense小于保护电压V_protect时输出低电平；

所述与门电路15则在所述第一比较器13和所述第二比较器14均输出高电平时才输出高电平，此时满足的条件是参考电压V_ref大于采样电压V_sense，且采样电压V_sense大于保护电压V_protect，其余情况所述与门电路15均输出低电平。

而所述逻辑控制单元11在所述与门电路15输出为高电平时才向所述控制引脚GATE发送加热控制信号，进而通过所述加热控制信号控制交流信号的正半周导通，从而控制MCH的通电加热。

在本实施例的MCH的温度检测控制电路中，与现有技术相比，增加了上拉电阻R_pullup、第三参考电阻R_ref3、第二比较器14以及与门电路15。

其中上拉电阻R_pullup的作用是当电压采样引脚PTC处于端口状态时，将采样电压V_sense的信号拉到电源引脚VDD的电压值，保持采样电压V_sense大于参考电压V_ref的状态，芯片得到的信息是MCH已达到目标温度，从而不会对MCH加热，不会出现高温失控的危险情况；而且上拉电阻R_pullup的取值比第一分压电阻R_A、滑动变阻器的阻值、第二分压电阻R_C以及MCH的阻值取值大两个数量级以上，所以对采样结果几乎没有任何影响。

具体地，所述上拉电阻R_pullup的取值范围优选为100KΩ-500KΩ，而第一参考电阻R_ref1、第二参考电阻R_ref2、第三参考电阻R_ref3的取值均在KΩ数量级，其中第一参考电阻R_ref1、第二参考电阻R_ref2、第三参考电阻R_ref3存在如下优选取值关系：

R_ref1＝R_ref2+R_ref3；

R_ref3＝(R_ref1+R_ref2+R_ref3)/5；

第一分压电阻R_A、滑动变阻器R_B、第二分压电阻R_C是设定MCH目标温度的电阻，其取值与MCH的电阻值R_MCH有关，基于第一参考电阻R_ref1、第二参考电阻R_ref2、第三参考电阻R_ref3存在上述优选取值关系，假设滑动变阻器R_B的电阻值以滑动段为分界点，与第一分压电阻R_A连接的电阻部分的电阻值为R_B1，与第二分压电阻R_C连接的电阻部分的电阻值为R_B2，在达到目标温度时，存在如下的优选取值关系：

R_A+R_B1＝R_B2+R_C+R_MCH；

目前市场上常用的MCH的电阻值取值一般在几十欧姆到一百多欧姆，由此可知第一分压电阻R_A、滑动变阻器R_B、第二分压电阻R_C的电阻值取值范围也是几十欧姆到一百多欧姆。

第三参考电阻R_ref3，在参考电压V_ref的电压值下面再增加一档参考电压档位，即所述保护电压V_protect；所述第二比较器14是将采样电压V_sense与保护电压V_protect作比较，所述与门电路15是将所述第一比较器13获得的MCH温度信息与第二比较器14获得的保护结果结合起来，也就是保证所述采样电压V_sense的电压需要处于所述参考电压V_ref和所述保护电压V_protect之间。原理是MCH从环境温度往上加热，在环境温度条件下MCH本身存在一个阻值，在外围设置温度并反映到电压采样引脚PTC采样的采样电压V_sense是从一定电压范围往上升的，数值不会太低，这里设置一个保护电压V_protect，当采样电压V_sense低于保护电压V_protect时，可以认为整个电路已经处于不正常状态，如果检测到采样电压V_sense低于参考电压V_ref，也不会对MCH进行加热。但为了保证整个电路在极低环境温度下可以正常开始工作，所述保护电压V_protect的取值低于MCH处于极低环境温度时采样电压V_sense的电阻分压。

基于上述第一参考电阻R_ref1、第二参考电阻R_ref2、第三参考电阻R_ref3存在如上优选取值关系，可以知道在电压采样期间参考电压V_ref、保护电压V_protect以及采样电压V_sense之间存在如下的优选取值关系：

V_ref＝(V_VB-V_REF)/2；

V_protect＝(V_VB-V_REF)/5；

V_sense＝(R_B1+R_C+R_MCH)*(V_VB-V_REF)/(R_A+R_B+R_C+R_MCH)；其中V_VB表示采样电源引脚VB处的电压值，V_REF表示参考电压引脚REF处的电压值。

在达到目标温度时，V_sense＝V_ref。

其中，图2中虚线内部的各电子元器件可认为置于同一个芯片中。

下面就针对采用图1所示的现有技术的MCH的温度检测控制电路时出现或有可能出现的MCH高温失控的危险情况，分析应用如图2所示的本发明的MCH的温度检测控制电路，能否避免MCH高温失控的危险情况。

焊接不良：

采样电源引脚VB：

当采样电源引脚VB出现焊接不良时，由于在采样窗口中，采样电源引脚VB不会输出一个与电源引脚VDD电压几乎一致的供电电压，虽然设有上拉电阻R_pullup，但上拉电阻R_pullup的取值比第一分压电阻R_A、滑动变阻器的阻值、第二分压电阻R_C以及MCH的阻值取值大两个数量级以上，所以上拉电阻R_pullup要远远弱于滑动变阻器R_B、第二分压电阻R_C以及MCH的阻值的下拉能力，在电压采样引脚采样的采样电压V_sense信号几乎为零电平，而参考电压的电阻链供电正常，因此，采样电压V_sense始终小于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，但此时采样电压V_sense同样始终小于保护电压V_protect，芯片进入保护状态，所述与门电路15的输出为低电平，进而不会对MCH加热，不会出现高温失控的危险情况。

电压采样引脚PTC：

当电压采样引脚PTC出现焊接不良时，由于在本发明的电路中电压采样引脚PTC设有上拉电阻R_pullup，在外部无下拉的情况下，采样电压V_sense会上拉到电源引脚VDD，即上拉到电源电压值，所以采样电压V_sense始终大于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH已达到目标温度，进而不会加热MCH，不会出现高温失控的危险情况；

参考电压引脚REF：

当参考电压引脚RFE出现焊接不良时，采样电压V_sense信号正常，但是参考电压V_ref会始终被上拉到电源引脚VDD的电压值，采样电压V_sense会始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，但是保护电压V_protect也会始终被拉到电源引脚VDD的电压值，所以采样电压V_sense始终小于保护电压V_protect，芯片进入保护状态，所述与门电路15的输出为低电平，进而不会对MCH加热，不会出现高温失控的危险情况。

引脚损坏：

电压采样引脚PTC：

当采样电压引脚PTC损坏时，同时出现的是采样电压引脚PTC与接地引脚GND短路，采样电压V_sense会始终低于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH未达到目标温度，但同时采样电压V_sense始终小于保护电压V_protect，芯片进入保护状态，所述与门电路15的输出为低电平，进而不会对MCH加热，不会出现高温失控的危险情况。

参考电压引脚REF：

当参考电压引脚REF损坏时，会出现参考电压引脚REF与接地引脚GND短路，同时参考电压引脚REF出现焊接不良，采样电压V_sense的电压正常，但是参考电压V_ref上拉到电源引脚VDD的电阻值，芯片得到的信息是MCH始终未达到目标温度，但保护电压V_protect也会始终被拉到电源引脚VDD的电阻值，采样电压V_sense始终小于保护电压V_protect，芯片进入保护状态，所述与门电路15的输出为低电平，进而不会对MCH加热，不会出现高温失控的危险情况。

滑动变阻器的接触点老化：

当滑动变阻器的接触点老化时，与电压采样引脚PTC焊接不良是一样的情况，在本实施例的电路中电压采样引脚PTC设有上拉电阻R_pullup，在外部无下拉的情况下，采样电压V_sense会上拉到电源引脚VDD，即上拉到电源电压值，所以采样电压V_sense始终大于参考电压V_ref，芯片得到的信息是MCH已达到目标温度，进而不会加热MCH，不会出现高温失控的危险情况。

综上所述，可知本发明的MCH的温度检测控制电路能够有效防止MCH出现高温失控的危险情况，相对于现有技术的温度检测控制电路作出了很大的改进，也相应地解决了现有电路存在的技术问题。

本发明还提供了一种包括本实施例的MCH的温度检测控制电路的MCH的温度检测控制装置。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种MCH的温度检测控制电路，其特征在于，包括逻辑控制单元、PMOS管、第一比较器、第二比较器、与门电路、电源引脚、采样电源引脚、电压采样引脚、参考电压引脚及控制引脚；

所述PMOS管的栅极与所述逻辑控制单元电连接，所述PMOS管的源极与所述电源引脚电连接，所述PMOS管的漏极和第一参考电阻的一端共同与所述采样电源引脚电连接；

所述第一参考电阻的另一端和第二参考电阻的一端共同与所述第一比较器的第一输入端电连接，所述电源引脚还与上拉电阻的一端电连接，所述上拉电阻的另一端和所述第一比较器的第二输入端以及所述第二比较器的第一输入端共同与所述电压采样引脚电连接，所述第二参考电阻的另一端和第三参考电阻的一端共同与所述第二比较器的第二输入端电连接，所述第三参考电阻的另一端与所述参考电压引脚电连接；

所述第一比较器的输出端及所述第二比较器的输出端分别与所述与门电路的输入端电连接，所述与门电路的输出端与所述逻辑控制单元的输入端电连接，所述逻辑控制单元的输出端与所述控制引脚电连接；

所述电源引脚还与电源电连接，所述采样电源引脚还与滑动变阻器的一定端电连接，所述滑动变阻器的另一定端与MCH的一端电连接，所述MCH的另一端与所述参考电压引脚电连接，所述滑动变阻器的滑动端与所述电压采样引脚电连接；

所述逻辑控制单元用于向所述PMOS管发送采样窗口控制信号，并向所述控制引脚发送加热控制信号，所述加热控制信号用于控制所述MCH的通电加热。

2.如权利要求1所述的MCH的温度检测控制电路，其特征在于，所述采样电源引脚还通过第一分压电阻与所述滑动变阻器的一定端电连接，所述滑动变阻器的另一定端还通过第二分压电阻与所述MCH的一端电连接。

3.如权利要求1所述的MCH的温度检测控制电路，其特征在于，所述检测控制电路还包括接地引脚，所述MCH的另一端和所述参考电压引脚以及所述接地引脚还共同接地。

4.如权利要求1所述的MCH的温度检测控制电路，其特征在于，所述第一比较器及所述第二比较器均为电压比较器，所述第一比较器的第一输入端及所述第二比较器的第一输入端均为正输入端，所述第一比较器的第二输入端及所述第二比较器的第二输入端均为负输入端。

5.如权利要求4所述的MCH的温度检测控制电路，其特征在于，所述逻辑控制单元用于在所述与门电路输出为高电平时向所述控制引脚发送加热控制信号。

6.如权利要求1所述的MCH的温度检测控制电路，其特征在于，所述窗口采样控制信号为一固定时间段的低电平信号，所述PMOS管用于在接收到所述窗口采样控制信号时导通。

7.一种MCH的温度检测控制装置，其特征在于，其包括如权利要求1-6中任意一项所述的MCH的温度检测控制电路。