CN207410011U - 一种控制电路和充电线 - Google Patents

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黄昌松
陈林锋
贾勇
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Abstract

本实用新型实施例公开了一种控制电路和充电线,用以解决异常发热,引起故障的问题。控制电路包括温度检测模块、驱动模块串联支路和开关器件,开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开;驱动模块串联支路中包括驱动模块,驱动模块串联支路与VBUS线路和GND线路连接;温度检测模块与驱动模块连接,将检测到的温度的信息发送给驱动模块;驱动模块与开关器件连接,在确定温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开。由于当驱动模块确定温度的信息大于信息阈值时,控制开关器件断开,充电回路则被断开,从而可以切断电源,避免异常发热,引起故障的问题。

Description

一种控制电路和充电线
技术领域
本实用新型涉及充电线技术领域,特别涉及一种控制电路和充电线。
背景技术
随着终端设备功能越来越强大,耗电量也越来越快,则终端设备电池容量不断增加,大电流快速充电的需求越来越明显。随着大电流充电的普及,终端行业中充电线的接口处微短路而造成发热故障的频率也越来越多。
图1为终端设备充电时的设备连接示意图,充电连接器包括充电线和两个插头,一个插头连接适配器,另一个插头插入终端设备的充电插口中,适配器的电源插头获取常规电力插座的电力,将其转换成预定电压的直流电,该预定电压适用于经由常规充电连接器对终端设备进行充电。
在充电时,可能会出现以下情况引起异常发热:a、在充电连接器的插头中的电源弹片或接地弹片,与终端设备的充电插口中的电源弹片或接地弹片之间引入了导电异物,相当于在充电连接器的插头中的弹片与移动终端的充电插口中的对应弹片之间额外引入一个电阻,使充电连接器与移动终端的对应弹片间的接触阻抗变大,引起异常发热。b、充电连接器的插头中的电源弹片与接地弹片之间引入导电异物,造成充电连接器的电源弹片与接地弹片的短路,引起异常发热。
目前在终端行业中,针对上述异常发热故障的问题的解决方案包括:
1、终端设备通过检测自身与充电线连接器连接处的温度,即终端设备充电插口处的温度,或充电连接器的插头处的温度,来判断是否出现发热情况,当连接处温度超过设定阈值时,终端设备控制充电电流减小,或者控制直接关闭充电功能,从而实现对充电连接器和终端设备的保护。
2、在充电电连接器的插头中设置正温度系数电阻(Positive TemperatureCoefficient,PTC),当充电连接器的电源弹片和接地弹片发生短路导致温度升高时,或终端设备与充电线连接器连接处的温度升高时,PTC电阻值变大,从而使流过充电连接器上的电流变小,起到保护充电连接器以及终端设备的作用。
但是,上述第1种方案只能解决由于充电连接器的弹片与终端设备的对应弹片之间引入导电异物,接触阻抗变大引起的发热问题,不能完全解决充电连接器的电源弹片和接地弹片的短路引起发热的问题,当充电连接器的插头上附着有导电灰尘或者液体时,只要没有与电源断开,即使不给终端设备充电,插头处也是会发热,甚至烧毁。
第2种方案在插头中设置PTC,虽然电流减小了,但是因为上述情况a和情况b中导电异物的存在,即使较小的电流也会使充电连接器的插头发热,甚至烧毁。
所以,上述解决方案并不能完全避免异常发热,引起故障的问题。
实用新型内容
本实用新型实施例公开了一种控制电路和充电线,用以解决现有技术中异常发热,引起故障的问题。
为达到上述目的,本实用新型实施例公开了一种控制电路,所述控制电路包括:温度检测模块、驱动模块串联支路和开关器件,其中,所述开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开;
所述驱动模块串联支路中包括驱动模块,所述驱动模块串联支路用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;
所述温度检测模块与所述驱动模块连接,用于将检测到的温度的信息发送给驱动模块;
所述驱动模块与所述开关器件连接,所述驱动模块在确定接收到的温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开。
进一步地,所述温度检测模块包括:
微型热电偶探头或温度传感器。
进一步地,所述温度检测模块还包括:处理模块;
所述处理模块用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;
所述处理模块与所述微型热电偶探头或所述温度传感器连接;
所述处理模块与所述驱动模块连接,用于对所述微型热电偶探头或温度传感器检测到的温度的信息进行处理,并将处理后的温度的信息发送给所述驱动模块。
进一步地,所述温度检测模块包括:
温敏电阻和第一电阻;
所述温敏电阻和所述第一电阻组成串联支路,所述串联支路的一端用于与所述VBUS线路连接,另一端用于与所述GND线路连接;
所述温敏电阻和所述第一电阻的串接点与所述驱动模块连接。
进一步地,所述控制电路还包括:第一稳压模块;
所述第一稳压模块位于所述串联支路中,且所述第一稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接。
进一步地,所述驱动模块串联支路中还包括:第二稳压模块;
所述第二稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接。
进一步地,所述驱动模块包括:第二电阻、比较器和三极管;
所述第二电阻的一端与所述比较器的正相输入端连接,另一端与所述温度检测模块连接;
所述比较器的反相输入端连接电源端;
所述比较器的输出端与所述三极管的基极连接;
所述比较器的正相电源输入端用于与所述VBUS线路连接,负相电源输入端用于与所述GND线路连接;
所述三极管的集电极与所述开关器件连接;
当所述三极管为NPN型三极管时,所述NPN型三极管的发射极用于与所述GND线路连接;
当所述三极管为PNP型三极管时,所述PNP型三极管的发射极用于与所述VBUS线路连接。
进一步地,所述开关器件包括MOS管。
进一步地,所述控制电路还包括:
电容;
所述电容的一端与所述MOS管的栅极连接,另一端与所述MOS管的源极连接。
本发明实施例公开了一种充电线,所述充电线包括VBUS线路和GND线路,所述充电线还包括权上述任一项所述的控制电路,其中,所述控制电路中的开关器件用于控制所述VBUS线路和所述GND线路构成的充电回路的断开。
本实用新型实施例提供了一种控制电路和充电线,所述控制电路包括温度检测模块、驱动模块串联支路和开关器件,其中,所述开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开;所述驱动模块串联支路中包括驱动模块,所述驱动模块串联支路用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;所述温度检测模块与所述驱动模块连接,用于将检测到的温度的信息发送给驱动模块;所述驱动模块与所述开关器件连接,所述驱动模块在确定接收到的温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开。由于在本实用新型实施例中,控制电路中的开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开,当驱动模块确定温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开,从而可以切断电源,避免了异常发热,引起故障的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种终端设备充电时的设备连接示意图;
图2为本实用新型实施例1提供的一种控制电路结构示意图;
图3为本实用新型实施例2提供的一种控制电路结构示意图;
图4为本实用新型实施例3提供的一种控制电路结构示意图;
图5为本实用新型实施例5提供的一种控制电路结构示意图;
图6为本实用新型实施例6提供的一种控制电路结构示意图。
具体实施方式
为了避免异常发热,引起故障,本实用新型提供了一种控制电路和充电线。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1:
图2为本实用新型实施例1提供的一种控制电路,所述控制电路包括:温度检测模块13、驱动模块串联支路和开关器件15,其中,所述开关器件15用于控制充电线中的VBUS线路11和GND线路12构成的充电回路的断开,具体地,所述开关器件15设置在所述VBUS线路11或所述GND线路12上,图1中设置在VBUS线路11上;
所述驱动模块串联支路中包括驱动模块14,所述驱动模块串联支路用于与所述VBUS线路11和所述GND线路12连接;
所述温度检测模块13与所述驱动模块14连接,用于将检测到的温度的信息发送给驱动模块14;
所述驱动模块14与所述开关器件15连接,所述驱动模块14在确定接收到的温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件15断开。
在本实用新型实施例中,充电线中包括VBUS线路和GND线路,用于构成充电回路。控制电路中设置有温度检测模块,用于检测温度的信息,温度的信息可以是温度值,可以是电压值,可以是电流值,可以是其他能够表示温度的信息值。
控制电路中还设置有驱动模块串联支路,该驱动模块串联支路中包括驱动模块,驱动模块串联支路用于与该VBUS线路和该GND线路连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,驱动模块一端与温度检测模块连接,另一端与开关器件连接,开关器件可以控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开与闭合。
驱动模块中预先设定有温度的信息阈值,即保存有温度的信息阈值,温度检测模块在检测到温度的信息后,发送给驱动模块。驱动模块在接收到温度检测模块发送的温度的信息后,根据自身保存的温度的信息阈值,判断是否控制开关器件断开,具体的,判断接收到的温度的信息是否大于预先保存的温度的信息阈值,如果是,则说明此时充电温度过高,则控制开关器件断开,此时VBUS线路和GND线路构成的充电回路断开,以切断电源,如果否,则说明此时的充电温度不会引起故障,则保持开关器件闭合,此时VBUS线路和GND线路构成的充电回路闭合。开关器件可以是与非门、或非门、三极管等。
驱动模块可以是单片机,驱动模块中保存的温度的信息阈值与温度检测模块检测到的温度的信息相对应,如果温度的信息为温度值,则温度的信息阈值为温度阈值;如果温度的信息为电压值,则温度的信息阈值为电压阈值;如果温度的信息为电流值,则温度的信息阈值为电流阈值。
驱动模块还可以是比较电路等等,则对应的温度检测模块检测到的温度的信息为电压值,通过电压值的比较控制开关器件的断开与闭合。
由于在本实用新型实施例中,控制电路中的开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开,当驱动模块确定温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开,从而可以切断电源,避免了异常发热,引起故障的问题。
实施例2:
在上述实施例的基础上,在本实用新型实施例中,所述温度检测模块包括:
微型热电偶探头或温度传感器。
在本实用新型实施例中,如果温度检测模块为微型热电偶探头,该温度检测模块无需获取供电电压也能进行检测工作,如果温度检测模块为温度传感器,温度传感器可以用于与充电线中的VBUS线路和GND线路连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,也可以不与VBUS线路和GND线路连接,直接从驱动模块中获取供电电压。
在实际应用中,控制电路中的温度检测模块可以设置多个,每个温度检测模块可以设置在控制电路的不同位置上,每个温度检测模块均与驱动模块连接,当其中任意一个温度检测模块检测的温度的信息大于预设的温度的信息阈值时,驱动模块就会控制开关器件断开,达到了更准确、快速的切断电源的效果。
所述温度检测模块还包括:处理模块;
所述处理模块用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;
所述处理模块与所述微型热电偶探头或所述温度传感器连接;
所述处理模块还与所述驱动模块连接,用于对所述微型热电偶探头或温度传感器检测到的温度的信息进行处理,并将处理后的温度的信息发送给所述驱动模块。
在本实用新型实施例中,温度检测模块还包括处理模块,处理模块用于与该VBUS线路和该GND线路连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作。
当温度检测模块包括温度传感器和处理模块时,处理模块一端与温度传感器连接,另一端与驱动模块连接,用于对温度传感器检测到的温度的信息进行处理,并将处理后的温度的信息发送给驱动模块。在对温度的信息进行处理时,如果温度的信息为电压值或电流值,可以是根据自身保存的电压值与温度值的对应关系或电流值与温度值的对应关系,将电压值或电流值转换为对应的温度值,也可以是对电压值或电流值进行滤除干扰的处理。处理模块将电流值或电压值转换为对应的温度值的过程属于现有技术,在本实用新型实施例中不进行赘述。处理模块电压值或电流值进行滤除干扰的过程属于现有技术,在本实用新型实施例中不进行赘述。
当温度检测模块13包括微型热电偶探头131和处理模块132时,控制电路中的连接结构如图3所示,微型热电偶探头131与处理模块132连接,用于将检测到的温度的信息发送给处理模块132,处理模块132用于与VBUS线路11和GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作。处理模块132与驱动模块14连接,用于将处理后的温度的信息发送给驱动模块14。驱动模块14用于与VBUS线路11和GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,驱动模块14分别与处理模块132和开关器件15连接,用于在接收到处理模块132处理过的温度的信息后,将该温度的信息与自身保存的温度的信息阈值进行比较,控制是否断开开关器件15,其中,开关器件15设置在VBUS线路11上。处理模块对微型热电偶探头检测到的温度的信息进行处理的过程,与上述对温度传感器检测的温度的信息进行处理的过程相同,在此不再赘述。
实施例3:
在上述各实施例的基础上,在本实用新型实施例中,所述温度检测模块包括:
温敏电阻和第一电阻;
所述温敏电阻和所述第一电阻组成串联支路,所述串联支路的一端用于与所述VBUS线路连接,另一端用于与所述GND线路连接;
所述温敏电阻和所述第一电阻的串接点与所述驱动模块连接。
在本实用新型实施例中,温度检测模块包括温敏电阻和第一电阻,第一电阻为固定阻值的电阻,温敏电阻可以是负温度系数(Negative Temperature Coefficient,NTC)电阻,也可以是PTC电阻,该温敏电阻和该第一电阻组成串联支路,串联支路的一端用于与该VBUS线路连接,另一端用于与该GND线路连接。具体的,可以是温度检测模块包括温敏电阻和第一电阻,温敏电阻和第一电阻串联,温敏电阻中的未与该第一电阻连接一端用于与VBUS线路连接,第一电阻中的未与温敏电阻连接的一端用于与GND线路连接;还可以是温敏电阻和第一电阻串联,温敏电阻中的未与该第一电阻连接的为一端与第一电阻中的未与GND线路连接,温敏电阻连接的一端用于与VBUS线路连接。
温敏电阻和第一电阻的串接点与驱动模块连接,驱动模块与设置在VBUS线路或GND线路上的开关器件连接。驱动模块获取第一电阻与温敏电阻的串接点处的电压值作为温度的信息,将获取到的电压值与自身保存的电压值阈值进行比较,根据比较结果控制开关器件的断开与闭合。
为了使温度检测模块检测到的温度的信息更加准确,在本实用新型实施例中,所述控制电路还包括:第一稳压模块;
所述第一稳压模块位于所述串联支路中,且所述第一稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接。
第一稳压模块,用于稳定VBUS线路和GND线路为温度电阻和第一电阻提供的供电电压,使检测的温度的信息更加准确,从而使驱动模块更加准确、快速的控制开关器件的断开与闭合,避免故障的发生。
具体的连接结构,可以是温敏电阻的一端与第一电阻连接,另一端用于与GND线路连接,第一电阻的一端与温敏电阻连接,另一端与第一稳压模块连接,第一稳压模块的一端与第一电阻连接,另一端用于与VBUS线路连接;还可以是,第一电阻的一端与温敏电阻连接,另一端用于与GND线路连接,温敏电阻的一端与第一电阻连接,另一端与第一稳压模块连接,第一稳压模块的一端与温敏电阻连接,另一端用于与VBUS线路连接。
如图4为本实用新型实施例3提供的一种控制电路结构示意图,温度检测模块13中包括:处理模块132、第一电阻133和温敏电阻134,温敏电阻134的一端与第一电阻133连接,另一端与GND线路12连接,第一电阻133的一端与温敏电阻134连接,另一端与第一稳压模块16连接,第一稳压模块16的一端与第一电阻133连接,另一端与VBUS线路11连接。第一电阻133与温敏电阻134的串接点与处理模块132连接,处理模块132获取该串接点处的电压值作为温度的信息。
处理模块132用于与VBUS线路11和GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,处理模块132与驱动模块14连接,用于将处理后的温度的信息即对电压值处理后,发送给驱动模块14。驱动模块14用于与VBUS线路11和GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,驱动模块14用于与处理模块132和开关器件15连接,用于在接收到处理模块132处理后的温度的信息后,将该温度的信息与自身保存的温度的信息阈值进行比较,控制是否断开开关器件15,其中,开关器件15设置在VBUS线路11上。
实施例4:
为了使驱动模块更加准确的进行开关器件的控制,在上述各实施例的基础上,在实用新型实施例中,所述驱动模块串联支路中还包括:第二稳压模块;
所述第二稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接,一端与驱动模块连接,该第二稳压模块用于稳定VBUS线路和GND线路为驱动模块提供的供电电压,从而使驱动模块更加准确、快速的控制开关器件的断开与闭合,避免故障的发生。
实施例5:
在上述实施例各实施例的基础上,在本实用新型实施例中,所述驱动模块包括:第二电阻、比较器和三极管;
所述第二电阻的一端与所述比较器的正相输入端连接,另一端与所述温度检测模块连接;
所述比较器的反相输入端连接电源端;
所述比较器的输出端与所述三极管的基极连接;
所述比较器的正相电源输入端用于与所述VBUS线路连接,负相电源输入端用于与所述GND线路连接;
所述三极管的集电极与所述开关器件连接;
当所述三极管为NPN型三极管时,所述NPN型三极管的发射极用于与所述GND线路连接;
当所述三极管为PNP型三极管时,所述PNP型三极管的发射极用于与所述VBUS线路连接。
在本实用新型实施例中,驱动模块中包括第二电阻、比较器和三极管,第二电阻为固定阻值的电阻,第二电阻与第一电阻的阻值可以相同,也可以不同,比较器可以进行电压值的比较,三极管可以是NPN型三极管,也可以是PNP型三极管。
比较器的正相电源输入端用于与VBUS线路连接,负相电源输入端用于与GND线路连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作。
驱动模块通过第二电阻与温度检测模块连接,具体的,如果温度检测模块中包括处理模块,则第二电阻与处理模块连接;如果不包括处理模块,第二电阻与第一电阻与温敏电阻的串接点连接,或与温度传感器连接,或与微型热电偶探头连接。
比较器的正相输入端与第二电阻连接,通过第二电阻上的分压值获取温度检测模块检测到的温度的信息即检测到的电压值;比较器的反相输入端连接电源端,获取固定的电压值,该固定的电压值即为电压值阈值,将第二电阻上的分压值与电压值阈值进行比较,控制开关器件的断开与闭合。
根据三极管中电流的流向以及三级管的工原理,比较器的输出端与三极管的基极连接,三极管的集电极与开关器件连接,NPN型三极管的发射极用于与GND线路连接,PNP型三极管的发射极用于与VBUS线路连接。比较器根据比较结果输出高电平或低电平,即大电流和小电流,控制三极管的导通与不导通,从而控制开关器件的断开与闭合,开关器件可以是与非门,或非门等。在实际的电路部署时,根据上述各实施例描述的内容,具体可行的实施方案有多种,只要符合当温度检测模块检测到的温度的信息大于预设的温度的信息阈值时,控制开关器件断开,否则,控制开关器件闭合即可。
在本实用新型实施例中,开关器件可以包括MOS管,MOS管分为NMOS管和PMOS管,不同类型的三级管对应不同类型的MOS管。
在本实用新型实施例中,充电时的温度值不同,温度检测模块检测的温度的信息不同,驱动模块中的第二电阻上的分压值就会不同,驱动模块中的比较器将第二电阻上的分压值与电压值阈值进行比较,根据比较结果输出高电平或低电平,即大电流和小电流,控制三极管的导通与不导通,从而控制MOS管的断开与闭合。
根据三极管与MOS管的工作原理,三极管与MOS管的对应关系具体的为:
当三极管为PNP型三极管时,开关器件包括NMOS管。
所述NMOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极连接;
所述NMOS管的源极和漏极按照电流的流向依次设置在GND线路上。
当三极管为NPN型三极管时,开关器件包括:PMOS管和第三电阻;
所述PMOS管的栅极与所述NPN型三极管的集电极连接;
所述PMOS管的源极和漏极按照电流的流向依次设置在VBUS线路上;
所述第三电阻的一端与所述PMOS管的源极连接,另一端与所述PMOS管的栅极连接。
图5为本实用新型实施例提供的一种控制电路结构示意图,温度检测模块13包括NTC型温敏电阻134和第一电阻133,驱动模块14包括第二电阻141、比较器142,PNP型三极管143,开关器件包括NMOS管151。第一电阻133的一端与NTC型温敏电阻134连接,另一端用于与GND线路12连接,NTC型温敏电阻134的一端与第一电阻133连接,另一端用于与VBUS线路11连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作。
NTC型温敏电阻134和第一电阻133的串接点与驱动模块14连接,具体的与驱动模块14中的第二电阻141连接,当温度升高时,NTC型温敏电阻134上的阻值减小,该串接点处的电压值增大,第二电阻141上的分压值增大。
比较器142的正相电源输入端用于与VBUS线路11连接,负相电源输入端用于与GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作;比较器142的正相输入端(+)与第二电阻141连接,反相输入端(-)获取电压值阈值V,比较器142将第二电阻141上的分压值与电压值阈值V进行比较,当第二电阻141上的分压值增大到,大于电压值阈值V时,比较器控制PNP型三极管143不导通,则与PNP型三极管143连接的NMOS管151的栅极(G)与源极(S)的电压值相同,则NMOS管151处于断开状态,停止充电。
反之当温度值降低时,第二电阻141上的分压值升高到,大于预先保存的温度阈值V时,比较器142控制PNP型三极管143导通,则与PNP型三极管143连接的NMOS管151的栅极(G)的电压大于源极(S)的电压,则NMOS管处于闭合状态,正常充电。
实施例6:
为了避免开关器件反复的断开与闭合,在上述各实施例的基础上,当开关器件包括MOS管时,在本实用新型实施例中,所述控制电路还包括:
电容;
所述电容的一端与所述MOS管的栅极连接,另一端与所述MOS管的源极连接。
图6为本实用新型实施例提供的一种控制电路结构示意图,温度检测模块13包括PTC型温敏电阻134和第一电阻133,驱动模块14包括,第二电阻141、比较器142,NPN型三极管144,开关器件包括PMOS管152和第三电阻153。
第一电阻133的一端与PTC型温敏电阻134连接,另一端用于与GND线路12连接,PTC型温敏电阻134的一端与第一电阻133连接,另一端用于与VBUS线路11连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作。PTC型温敏电阻134和第一电阻133的串接点驱动模块14连接,具体的与驱动模块14中的第二电阻141连接,当温度升高时,PTC型温敏电阻134上的阻值增大,该串接点处的电压值减小,第二电阻141上的分压值减小。
比较器142的正相电源输入端用于与VBUS线路11连接,负相电源输入端用于与GND线路12连接,用于在VBUS线路和GND线路提供的供电电压下进行工作,比较器142的正相输入端(+)与第二电阻连接,反相输入端(-)获取电压值阈值V,比较器142将第二电阻上的分压值与电压值阈值V进行比较,当第二电阻141上的分压值减小到小于电压值阈值V时,比较器142控制NPN型三极管144不导通,则与NPN型三极管144连接的PMOS管152的栅极(G)与源极(S)的电压值相同,则NMOS管处于断开状态,停止充电。
反之当温度值降低时,第二电阻141上的分压值升高到大与预先保存的温度阈值V时,比较器142控制NPN型三极管144导通,由于第三电阻的153的分压,与NPN型三极管144连接的PMOS管152的栅极(G)的电压小于源极(S)的电压,则PMOS管152处于闭合状态,正常充电。
电容17的一端与PMOS管152的栅极连接,另一端与PMOS管152的源极连接,电容17用于调节响应时间,电容值越大,响应越慢,电容值越小,响应越小。
实施例7:
本发明实施例提供了一种充电线,所述充电线包括VBUS线路和GND线路,该充电线还包括上述任一实施例中的控制电路,上述任一实施例中的控制电路中的开关器件用于控制所述VBUS线路和所述GND线路构成的充电回路的断开与闭合。
上述任一实施例中的控制电路可以为集成电路(Integrated Circui,IC),该集成电路可以集成在IC芯片中。
本实用新型实施例提供了一种控制电路和充电线,所述控制电路包括温度检测模块、驱动模块串联支路和开关器件,其中,所述开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开;所述驱动模块串联支路中包括驱动模块,所述驱动模块串联支路用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;所述温度检测模块与所述驱动模块连接,用于将检测到的温度的信息发送给驱动模块;所述驱动模块与所述开关器件连接,所述驱动模块在确定接收到的温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开。由于在本实用新型实施例中,控制电路中的开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开,当驱动模块确定温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开,从而可以切断电源,避免了异常发热,引起故障的问题。
尽管已描述了本申请的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种控制电路,其特征在于,所述控制电路包括:温度检测模块、驱动模块串联支路和开关器件,其中,所述开关器件用于控制充电线中的VBUS线路和GND线路构成的充电回路的断开;
所述驱动模块串联支路中包括驱动模块,所述驱动模块串联支路用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;
所述温度检测模块与所述驱动模块连接,用于将检测到的温度的信息发送给驱动模块;
所述驱动模块与所述开关器件连接,所述驱动模块在确定接收到的温度的信息大于预先设定的温度的信息阈值时,控制开关器件断开。
2.如权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述温度检测模块包括:
微型热电偶探头或温度传感器。
3.如权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述温度检测模块还包括:处理模块;
所述处理模块用于与所述VBUS线路和所述GND线路连接;
所述处理模块与所述微型热电偶探头或所述温度传感器连接;
所述处理模块与所述驱动模块连接,用于对所述微型热电偶探头或温度传感器检测到的温度的信息进行处理,并将处理后的温度的信息发送给所述驱动模块。
4.如权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述温度检测模块包括:
温敏电阻和第一电阻;
所述温敏电阻和所述第一电阻组成串联支路,所述串联支路的一端用于与所述VBUS线路连接,另一端用于与所述GND线路连接;
所述温敏电阻和所述第一电阻的串接点与所述驱动模块连接。
5.如权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括:第一稳压模块;
所述第一稳压模块位于所述串联支路中,且所述第一稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接。
6.如权利要求1-5任一项所述的控制电路,其特征在于,所述驱动模块串联支路中还包括:第二稳压模块;
所述第二稳压模块的一端用于与所述VBUS线路连接。
7.如权利要求1-4任一项所述的控制电路,其特征在于,所述驱动模块包括:第二电阻、比较器和三极管;
所述第二电阻的一端与所述比较器的正相输入端连接,另一端与所述温度检测模块连接;
所述比较器的反相输入端连接电源端;
所述比较器的输出端与所述三极管的基极连接;
所述比较器的正相电源输入端用于与所述VBUS线路连接,负相电源输入端用于与所述GND线路连接;
所述三极管的集电极与所述开关器件连接;
当所述三极管为NPN型三极管时,所述NPN型三极管的发射极用于与所述GND线路连接;
当所述三极管为PNP型三极管时,所述PNP型三极管的发射极用于与所述VBUS线路连接。
8.如权利要求7所述的控制电路,其特征在于,所述开关器件包括MOS管。
9.如权利要求8所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括:
电容;
所述电容的一端与所述MOS管的栅极连接,另一端与所述MOS管的源极连接。
10.一种充电线,所述充电线包括VBUS线路和GND线路,其特征在于,所述充电线还包括权利要求1-9任一项所述的控制电路,其中,所述控制电路中的开关器件用于控制所述VBUS线路和所述GND线路构成的充电回路的断开。
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