CN106502010A - 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板及显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。薄膜晶体管阵列基板包括：至少两像素单元行以及至少两像素单元列，至少两像素单元行沿第一方向以阵列的形式排列，像素单元行包括至少两像素单元；至少两像素单元列沿第二方向以阵列的形式排列，像素单元列包括至少两像素单元；像素单元包括：一主干电极、至少四连接电极和至少四条状电极阵列，主干电极将像素单元划分为至少四像素分区；条状电极阵列设置在像素分区内，条状电极阵列包括至少两条状电极；连接电极设置在像素分区内，连接电极与位于像素分区内的至少两条状电极相连，连接电极用于提高像素单元的穿透率。本发明能提高像素单元的穿透率。

Description

薄膜晶体管阵列基板及显示面板
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
【背景技术】
传统的薄膜晶体管阵列基板中的像素单元内设置有像素电极。该像素电极包括条状电极和主干电极。
所述条状电极设置于所述主干电极所划分的像素分区中。所述条状电极用于在所述像素分区中形成均匀的电场作用力，否则所述电场作用力会聚集于所述像素分区中的局部区域，此时像素电极便无法使得所述电场作用力均匀遍布于所述像素单元中。
在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
因此，由于所述像素分区中两所述条状电极之间具有间隙，该间隙会削弱所述像素单元的电场作用力，从而使得所述像素单元的穿透率较低。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板，其能提高像素单元的穿透率。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：至少两像素单元行，至少两所述像素单元行沿第一方向以阵列的形式排列，所述像素单元行包括至少两像素单元，所述像素单元行中的至少两所述像素单元沿第二方向以阵列的形式排列；至少两像素单元列，至少两所述像素单元列沿所述第二方向以阵列的形式排列，所述像素单元列包括至少两所述像素单元，所述像素单元列中的至少两所述像素单元沿所述第一方向以阵列的形式排列；其中，所述像素单元包括：一主干电极，所述主干电极将所述像素单元划分为至少四像素分区；至少四条状电极阵列，所述条状电极阵列设置在所述像素分区内，所述条状电极阵列包括至少两条状电极；至少四连接电极，所述连接电极设置在所述像素分区内，所述连接电极与位于所述像素分区内的至少两所述条状电极相连，所述连接电极用于提高所述像素单元的穿透率。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，在所述像素分区内，所述连接电极的长度方向与所述条状电极的长度方向的夹角处于1度至89度的范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述连接电极的长度方向与所述第一方向平行。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述连接电极的长度方向与所述第二方向平行。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同；或者位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直；或者位于同一所述像素单元行中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直。
一种显示面板，所述显示面板包括：彩膜基板；液晶层；薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：至少两像素单元行，至少两所述像素单元行沿第一方向以阵列的形式排列，所述像素单元行包括至少两像素单元，所述像素单元行中的至少两所述像素单元沿第二方向以阵列的形式排列；至少两像素单元列，至少两所述像素单元列沿所述第二方向以阵列的形式排列，所述像素单元列包括至少两所述像素单元，所述像素单元列中的至少两所述像素单元沿所述第一方向以阵列的形式排列；其中，所述像素单元包括：一主干电极，所述主干电极将所述像素单元划分为至少四像素分区；至少四条状电极阵列，所述条状电极阵列设置在所述像素分区内，所述条状电极阵列包括至少两条状电极；至少四连接电极，所述连接电极设置在所述像素分区内，所述连接电极与位于所述像素分区内的至少两所述条状电极相连，所述连接电极用于提高所述像素单元的穿透率。
在上述显示面板中，在所述像素分区内，所述连接电极的长度方向与所述条状电极的长度方向的夹角处于1度至89度的范围内。
在上述显示面板中，所述连接电极的长度方向与所述第一方向平行。
在上述显示面板中，所述连接电极的长度方向与所述第二方向平行。
在上述显示面板中，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同；或者位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直；或者位于同一所述像素单元行中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直。
相对现有技术，由于本发明的连接电极增加了所述像素电极在所述像素单元中所占据的总面积，因此可以增加所述像素电极施加给所述液晶层中的液晶分子的电场作用力，从而可以使得所述像素单元的开口率不变的情况下，提高所述像素单元的穿透率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的像素单元的第一实施例的示意图；
图2为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的像素单元的第二实施例的示意图；
图3至图5为本发明的薄膜晶体管阵列基板中像素单元的三种排列方式的示意图；
图6为在第一视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图；
图7为在第一视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图；
图8为在第二视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图；
图9为在第二视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图；
图10为在第三视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图；
图11为在第三视角下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明的显示面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示面板)等。
本发明的显示面板的第一实施例包括彩膜基板、液晶层和薄膜晶体管阵列基板，所述液晶层设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间。
参考图1、图3至图5，图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的像素单元101的第一实施例的示意图，图3至图5为本发明的薄膜晶体管阵列基板中像素单元101的三种排列方式的示意图。
所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两扫描线301、至少两数据线302、至少两像素单元行、至少两像素单元列。
至少两所述像素单元行沿第一方向103以阵列的形式排列，所述像素单元行包括至少两像素单元101，所述像素单元行中的至少两所述像素单元101沿第二方向102以阵列的形式排列。所述第一方向103为与所述数据线302平行的方向，所述第二方向102为与所述扫描线301平行的方向。
至少两所述像素单元列沿所述第二方向102以阵列的形式排列，所述像素单元列包括至少两所述像素单元101，所述像素单元列中的至少两所述像素单元101沿所述第一方向103以阵列的形式排列。
所述扫描线301和所述数据线302均与所述像素单元101连接。其中，所述像素单元101包括一主干电极1011、至少四条状电极1012阵列和至少四连接电极1013。
所述主干电极1011将所述像素单元101划分为至少四像素分区。所述条状电极1012阵列设置在所述像素分区内，所述条状电极1012阵列包括至少两条状电极1012。所述连接电极1013设置在所述像素分区内，所述连接电极1013与位于所述像素分区内的至少两所述条状电极1012相连，所述连接电极1013用于提高所述像素单元101的穿透率。具体地，所述连接电极1013用于增加所述像素电极在所述像素单元101中所占据的总面积，以增加所述像素电极施加给所述液晶层中的液晶分子的电场作用力，从而提高所述像素单元101的穿透率。
所述连接电极1013还用于降低所述像素分区内任意两所述条状电极1012之间的电场干扰。
在本实施例的薄膜晶体管阵列基板中，在所述像素分区内，所述连接电极1013的长度方向与所述条状电极1012的长度方向的夹角处于1度至89度的范围内。例如，所述夹角为1度、5度、9度、13度、17度、21度、25度、29度、33度、37度、41度、45度、49度、53度、57度、61度、65度、69度、73度、77度、81度、85度、89度。优选地，所述夹角为45度。
所述像素单元101的四所述像素分区中的所述连接电极1013的长度方向均相同。
在本实施例的薄膜晶体管阵列基板中，所述连接电极1013的长度方向与所述第二方向102平行。
在本实施例的薄膜晶体管阵列基板中，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的任意两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向相同。
或者，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向垂直。
或者，位于同一所述像素单元行中的相邻两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向垂直，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元101的所述连接电极1013的长度方向垂直。
图2为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的像素单元101的第二实施例的示意图。本发明的显示面板的第二实施例与上述第一实施例相似，不同之处在于：
所述连接电极1013的长度方向与所述第一方向103平行。
参考图6，图6为在第一视角(Theta0°，Phi0°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图。其中，Theta0°是指所述第一视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的法线的夹角为0°，Phi0°是指所述第一视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的长边方向或短边方向的夹角为0°。
从图6可以看出，在所述第一视角下，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.2540，相对传统的像素单元的穿透率0.2485，提升比例为2.2％。同样在所述第一视角下，本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.2540，相对传统的像素单元的穿透率0.2485，提升比例为2.2％。
参考图7，图7为在第一视角(Theta0°，Phi0°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图。从图7可以看出，在所述第一视角下，并且在施加至所述像素电极的电压为5伏(V)至14伏的范围内的情况下，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率702和本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率703均比传统的像素单元的穿透率701高。
参考图8，图8为在第二视角(Theta60°，Phi0°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图。其中，Theta60°是指所述第二视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的法线的夹角为60°，Phi0°是指所述第二视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的长边方向或短边方向的夹角为0°。
从图8可以看出，在所述第二视角下，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.1900，相对传统的像素单元的穿透率0.1856，提升比例为2.37％。同样在所述第二视角下，本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.1972，相对传统的像素单元的穿透率0.1856，提升比例为6.25％。
参考图9，图9为在第二视角(Theta60°，Phi0°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的所述像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图。从图9可以看出，在所述第二视角下，并且在施加至所述像素电极的电压为5伏至14伏的范围内的情况下，本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率703比本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率702高，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率702比传统的像素单元的穿透率701高。
参考图10，图10为在第三视角(Theta60°，Phi90°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的模拟效果及穿透率对比的示意图。其中，Theta60°是指所述第三视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的法线的夹角为60°，Phi90°是指所述第三视角所对应的视线与所述薄膜晶体管阵列基板的长边方向或短边方向的夹角为90°。
从图10可以看出，在所述第三视角下，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.1972，相对传统的像素单元的穿透率0.1856，提升比例为6.25％。同样在所述第三视角下，本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率为0.1900，相对传统的像素单元的穿透率0.1856，提升比例为2.37％。
参考图11，图11为在第三视角(Theta60°，Phi90°)下关于本发明的薄膜晶体管阵列基板的像素单元101的第一实施例、第二实施例与传统的像素单元的穿透率与电压关系的示意图。从图11可以看出，在所述第三视角下，并且在施加至所述像素电极的电压为5伏至14伏的范围内的情况下，本发明的第一实施例中的所述像素单元101的穿透率702比本发明的第二实施例中的所述像素单元101的穿透率703高，本发明的第二实施例中的像素单元101的穿透率703比传统的像素单元的穿透率701高。
本发明的显示面板的第三实施例与上述第一实施例或第二实施例相似，不同之处在于：
所述像素单元101中在所述第一方向103和所述第二方向102上相邻的两所述像素分区中的所述连接电极1013的长度方向垂直。
通过上述技术方案，由于连接电极1013增加了所述像素电极在所述像素单元101中所占据的总面积，因此可以增加所述像素电极施加给所述液晶层中的液晶分子的电场作用力，从而可以使得所述像素单元101的开口率不变的情况下，提高所述像素单元101的穿透率。此外，本发明还有利于改善所述显示面板在大视角下出现的色偏问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
至少两像素单元行，至少两所述像素单元行沿第一方向以阵列的形式排列，所述像素单元行包括至少两像素单元，所述像素单元行中的至少两所述像素单元沿第二方向以阵列的形式排列；
至少两像素单元列，至少两所述像素单元列沿所述第二方向以阵列的形式排列，所述像素单元列包括至少两所述像素单元，所述像素单元列中的至少两所述像素单元沿所述第一方向以阵列的形式排列；
其中，所述像素单元包括：
一主干电极，所述主干电极将所述像素单元划分为至少四像素分区；
至少四条状电极阵列，所述条状电极阵列设置在所述像素分区内，所述条状电极阵列包括至少两条状电极；
至少四连接电极，所述连接电极设置在所述像素分区内，所述连接电极与位于所述像素分区内的至少两所述条状电极相连，所述连接电极用于提高所述像素单元的穿透率。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在所述像素分区内，所述连接电极的长度方向与所述条状电极的长度方向的夹角处于1度至89度的范围内。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述连接电极的长度方向与所述第一方向平行。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述连接电极的长度方向与所述第二方向平行。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同；或者
位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直；或者
位于同一所述像素单元行中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直。
6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
彩膜基板；
液晶层；
薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
至少两像素单元行，至少两所述像素单元行沿第一方向以阵列的形式排列，所述像素单元行包括至少两像素单元，所述像素单元行中的至少两所述像素单元沿第二方向以阵列的形式排列；
至少两像素单元列，至少两所述像素单元列沿所述第二方向以阵列的形式排列，所述像素单元列包括至少两所述像素单元，所述像素单元列中的至少两所述像素单元沿所述第一方向以阵列的形式排列；
其中，所述像素单元包括：
一主干电极，所述主干电极将所述像素单元划分为至少四像素分区；
至少四条状电极阵列，所述条状电极阵列设置在所述像素分区内，所述条状电极阵列包括至少两条状电极；
至少四连接电极，所述连接电极设置在所述像素分区内，所述连接电极与位于所述像素分区内的至少两所述条状电极相连，所述连接电极用于提高所述像素单元的穿透率。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在所述像素分区内，所述连接电极的长度方向与所述条状电极的长度方向的夹角处于1度至89度的范围内。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述连接电极的长度方向与所述第一方向平行。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述连接电极的长度方向与所述第二方向平行。
10.根据权利要求7至9中任意一项所述的显示面板，其特征在于，位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同；或者
位于同一所述像素单元行中的任意两所述像素单元的所述连接电极的长度方向相同，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直；或者
位于同一所述像素单元行中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直，位于同一所述像素单元列中的相邻两所述像素单元的所述连接电极的长度方向垂直。
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