CN106498362A - 在钛合金表面制备减摩抗磨f‑dlc薄膜的方法 - Google Patents

在钛合金表面制备减摩抗磨f‑dlc薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106498362A
CN106498362A CN201611036287.9A CN201611036287A CN106498362A CN 106498362 A CN106498362 A CN 106498362A CN 201611036287 A CN201611036287 A CN 201611036287A CN 106498362 A CN106498362 A CN 106498362A
Authority
CN
China
Prior art keywords
titanium alloy
pieces
dlc films
dlc
reative cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611036287.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106498362B (zh
Inventor
王军军
王林青
黄伟九
马建军
何浩然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing University of Technology
Original Assignee
Chongqing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing University of Technology filed Critical Chongqing University of Technology
Priority to CN201611036287.9A priority Critical patent/CN106498362B/zh
Publication of CN106498362A publication Critical patent/CN106498362A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106498362B publication Critical patent/CN106498362B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种在钛合金表面制备减摩抗磨F‑DLC薄膜的方法，采用平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法(HP‑PECVD)，所述平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法为：在传统等离子体化学气相沉积法的基础上，将现有沉积系统反应室中放置样品的样品盘改进成两块平行的平板，将基体放置在两块平板之间，在两块平板间施加负偏压形成空心阴极效应；具体包括如下步骤：1)预处理；2)溅射清洗；3)沉积Si过渡层；4)沉积F‑DLC薄膜。本发明方法在钛合金表面沉积的F‑DLC薄膜具有减摩抗磨功能，能够提高钛合金在人体环境中的摩擦学性能，解决钛合金作为人工关节由于摩擦磨损所引起的无菌松动并发症等问题。

Description

在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法
技术领域
本发明属于生物医用材料技术领域，涉及一种F-DLC薄膜的制备方法，具体涉及一种在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法。
背景技术
钛及钛合金由于具有比重小、耐腐蚀性强、生物相容性优异等特点，在生物医学领域有着广泛的应用，尤其是用作人工关节、人工牙种植体、骨创伤产品等硬组织替代或修复医疗器械产品材料。与此同时，随着钛及钛合金材料的广泛使用，其并发症也日益显露。其中，无菌松动被认为是最危险、发病率最高的一种。而导致无菌松动的重要因素是人工关节在摩擦磨损过程中产生的磨屑。因此，改善钛合金的摩擦学性能，减少人工关节摩擦磨损，是减少无菌松动并发症发病率的关键。为了改善医用钛合金的摩擦学性能，进一步提高其临床使用性能，可采用表面处理的方法对其进行表面改性。
等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)，在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。
类金刚石(Diamond like carbon films,DLC)薄膜由于具有硬度高、摩擦系数低及生物相容性优异等特点作为耐磨涂层用于金属材料的表面改性已有广泛研究。DLC薄膜是一种介于金刚石与石墨的材料，是一种生物惰性材料。研究表明，在钛合金基体上沉积DLC薄膜，既可保留医用钛合金原有的优良性能，表面又具有DLC薄膜的耐磨损性好、生物相容性优异等特点。但是在医用钛合金表面获得在生物环境中具有减摩抗磨的类金刚石薄膜仍然是一个很大的挑战。
发明内容
本发明的目的是针对以上问题提供一种在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法，该方法在钛合金表面沉积的F-DLC薄膜在生物环境中具有减摩抗磨功能，能够提高医用钛合金在人体环境中的摩擦学性能，解决钛合金作为人工关节等医疗器械在生物体内由于摩擦磨损所引起的无菌松动并发症等问题。
为实现上述目的所采用的技术方案是：一种在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法，采用平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法(HP-PECVD)，所述平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法为：在传统等离子体化学气相沉积法的基础上，将现有沉积系统反应室中放置样品的样品盘改进成两块平行的平板，将基体放置在两块平板之间，在两块平板间施加负偏压形成空心阴极效应；具体包括如下步骤：
1)预处理：对钛合金基体表面进行抛光处理，然后将钛合金基体依次浸入丙酮、酒精溶剂中超声清洗，吹干；
2)溅射清洗：将吹干后的钛合金基体置于HP-PECVD沉积系统反应室中两块平行设置的平板的中间，对反应室进行抽真空，然后通入氩气并保持反应室气压为1.3～2.5Pa，在平板上施加脉冲偏压为-8～-15kV，控制占空比为15～35％，脉冲频率为1200～1500Hz，对反应室内的钛合金基体进行溅射清洗；
3)沉积Si过渡层：溅射清洗结束后，向反应室通入SiH4，控制气体流量为40～60sccm，调节偏压至-1500～-1800V，控制占空比为20～30％，脉冲频率为1200～1500Hz，气压保持恒压1.2-2.0Pa，沉积时间为20～30min，形成硅薄膜过渡层；
4)沉积F-DLC薄膜：硅薄膜过渡层沉积结束后，向反应室通入C2H2、Ar和CF4，控制流量比为3:4～6:1～2，调节偏压至-600～-1000V，控制占空比为20～30％，脉冲频率为1200～1500Hz，保持气压为4～6Pa，沉积时间为30～40min，在钛合金基体表面获得F-DLC薄膜。
在上述技术方案中，所述的两块平行的平板水平平行设置或者竖立平行设置。
所述的钛合金基体为Ti-6Al-4V基体。
F-DLC薄膜为含氟类金刚石(fluorinated diamond like carbon,F-DLC)薄膜。
本发明的有益效果是：利用在现有技术PECVD基础上改进后的HP-PECVD，具有离子注入和等离子密度高的优点，首先在钛合金表面预沉积硅薄膜过渡层，硅薄膜过渡层的加入可以大幅度减低薄膜内应力，提高DLC薄膜与钛合金基体间的结合强度，克服常规DLC薄膜制备技术引起的薄膜内应力高、附着力差等缺点，有效提高薄膜的稳定性。通过控制HP-PECVD制备F-DLC薄膜的工艺参数，使得F-DLC薄膜具有高附着力、高硬度、低应力，并在生理盐水，Hank’s环境中呈现了低摩擦系数，有效提高了钛合金抗磨损性能。采用本发明方法所制备的薄膜具有以下良好的物理化学性能：膜基结合临界载荷达28～36N，薄膜内应力、硬度及杨氏模量分别为-0.30～0.40,16～19,126～140GPa，在生理盐水和Hank’s环境中的摩擦系数分别为0.06～0.08和0.10～0.12，磨损率分别为1.1×10-7～1.5×10-7mm3/Nm和2.6×10-7～3.4×10-7mm3/Nm，有效地提高了钛合金基体的摩擦学性能，解决了钛合金表面高抗磨损性能DLC薄膜的制备难题，在生物医学领域具有极大的应用价值。
附图说明
图1为本发明实施例1所制备的F-DLC薄膜的Raman谱。
图2为本发明实施例2所制备的F-DLC薄膜的XPS C1s谱。
图3为本发明实施例2Ti-6Al-4V及Ti-6Al-4V/F-DLC生理盐水及Hank’s摩擦系数；Ti-6Al-4V/F-DLC为沉积有F-DLC薄膜的Ti-6Al-4V基体。
图4为本发明实施例3Ti-6Al-4V及Ti-6Al-4V/F-DLC生理盐水及Hank’s磨损率；Ti-6Al-4V/F-DLC为沉积有F-DLC薄膜的Ti-6Al-4V基体。
具体实施方式
以下实施例均是采用的平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法(HP-PECVD)，平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法为：在传统等离子体化学气相沉积法的基础上，将现有沉积系统反应室中放置样品的样品盘(一般只有一个样品盘)改进成两块平行的平板，将基体放置在两块平板之间，在两块平板间施加负偏压形成空心阴极效应。两块平行的平板可以水平设置，在上下两块平板之间设置支撑柱支撑上平板。两块平板也可以竖立平行设置，只要能在平板间施加负偏压能形成空心阴极效应即可。
实施例1：
在钛合金Ti-6Al-4V基体表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜，按照如下步骤操作：
1)预处理：将Ti-6Al-4V表面进行抛光处理，使其表面粗糙度降至10nm以下，之后将其依次浸入丙酮、酒精溶剂中进行超声清洗15min以除去合金表面污物，使用氮气吹干备用。
2)溅射清洗：将吹干后的Ti-6Al-4V放入HP-PECVD沉积系统反应室中两块水平平行的平板的中间，对反应室进行抽真空，当反应室气压低于10-4Pa时，通入氩气并保持反应室气压为1.3Pa，在平板上施加脉冲偏压-8kV，控制占空比为15％，脉冲频率为1200Hz，对反应室内的Ti-6Al-4V进行溅射清洗20min。
3)沉积Si过渡层：溅射清洗结束后，向反应室通入SiH4，控制气体流量为40sccm，调节偏压至-1500V，控制占空比为20％，脉冲频率为1500Hz，气压保持恒压1.2Pa，沉积时间为20min，在Ti-6Al-4V表面形成硅薄膜过渡层。
4)沉积F-DLC薄膜：硅过渡层沉积结束后，关闭SiH4，向反应室通入C2H2、Ar和CF4，气体比例控制为3:4:1，调节偏压至-600V，控制占空比为20％，脉冲频率为1500Hz，保持气压为5Pa，沉积时间为30min。
本实施例制备得到的F-DLC薄膜F含量约为2.6at.％，薄膜主要以sp3键位主，具有高附着力、低应力、高硬度、高杨氏模量，其值分别为28N,0.36,18,132GPa。在生理盐水、Hank’s液中呈现低摩擦系数，分别为0.06和0.11,有效提高了钛合金抗磨损性能，磨损率分别为1.1×10-7mm3/Nm和2.8×10-7mm3/Nm。图1为实施例1所制备的F-DLC薄膜的Raman谱。
实施例2：
在钛合金Ti-6Al-4V基体表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜，按照如下步骤操作：
1)预处理：将Ti-6Al-4V表面进行抛光处理，使其表面粗糙度降至10nm以下，之后将其依次浸入丙酮、酒精溶剂中进行超声清洗20min以除去合金表面污物，后使用氮气吹干备用。
2)溅射清洗：将吹干后的Ti-6Al-4V放入HP-PECVD沉积系统反应室中两块水平平行的平板的中间，对反应室进行抽真空，当反应室气压低于10-4Pa时，通入氩气并保持反应室气压为2.0Pa，在平板上施加脉冲偏压-13kV，控制占空比为25％，脉冲频率为1500Hz，对反应室内的Ti-6Al-4V进行溅射清洗30min。
3)沉积Si过渡层：溅射清洗结束后，向反应室通入SiH4，控制气体流量为45sccm，调节偏压至-1800V，控制占空比为30％，脉冲频率为1200Hz，气压保持恒压2.0Pa，沉积时间为22min，在钛合金基体表面形成硅薄膜过渡层。
4)沉积F-DLC薄膜：硅过渡层沉积结束后，关闭SiH4，向反应室通入C2H2、Ar和CF4，气体比例控制为3:5:1.5，调节偏压至-900V，控制占空比为30％，脉冲频率为1400Hz，保持气压为4.0Pa，沉积时间为35min。
本实施例制备得到的F-DLC薄膜F含量约为3.1at.％，薄膜主要以sp3键位主，具有高附着力、低应力、高硬度、高杨氏模量，其值分别为30N,0.35,17,138GPa。在生理盐水、Hank’s液中呈现低摩擦系数，分别为0.07和0.12,有效提高了钛合金抗磨损性能，磨损率分别为1.3×10-7mm3/Nm和3.0×10-7mm3/Nm。图2为实施例2所制备的F-DLC薄膜的XPS C1s谱。图3为实施例2Ti-6Al-4V及Ti-6Al-4V/F-DLC生理盐水及Hank’s摩擦系数；Ti-6Al-4V/F-DLC为沉积有F-DLC薄膜的Ti-6Al-4V基体。
实施例3：
在钛合金Ti-6Al-4V基体表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜，按照如下步骤操作：
1)预处理：将Ti-6Al-4V表面进行抛光处理，使其表面粗糙度降至10nm以下，之后将其依次浸入丙酮、酒精溶剂中进行超声清洗30min以除去合金表面污物，后使用氮气吹干备用。
2)溅射清洗：将吹干后的Ti-6Al-4V放入HP-PECVD沉积系统反应室中两块水平平行的平板的中间，对反应室进行抽真空，当反应室气压低于10-4Pa时，通入氩气并保持反应室气压为2.5Pa，在平板上施加脉冲偏压-15kV，控制占空比为35％，脉冲频率为1500Hz，对反应室内的Ti-6Al-4V进行溅射清洗28min。
3)沉积Si过渡层：溅射清洗结束后，向反应室通入SiH4，控制气体流量为60sccm，调节偏压至-1700V，控制占空比为25％，脉冲频率为1400Hz，气压保持恒压1.6Pa，沉积时间为30min，在钛合金基体表面形成硅薄膜过渡层。
4)沉积F-DLC薄膜：硅过渡层沉积结束后，关闭SiH4，向反应室通入C2H2、Ar和CF4，气体比例控制为3:6:2，调节偏压至-1000V，控制占空比为23％，脉冲频率为1200Hz，保持气压为6.0Pa，沉积时间为40min。
本实施例制备得到的F-DLC薄膜F含量约为3.6at.％，薄膜主要以sp3键位主，具有高附着力、低应力、高硬度、高杨氏模量，其值分别为36N,0.38,16,129GPa。在生理盐水、Hank’s液中呈现低摩擦系数，分别为0.07和0.11,有效提高了钛合金抗磨损性能，磨损率分别为1.4×10-7mm3/Nm和2.9×10-7mm3/Nm。
图4为实施例3Ti-6Al-4V及Ti-6Al-4V/F-DLC生理盐水及Hank’s磨损率；Ti-6Al-4V/F-DLC为沉积有F-DLC薄膜的Ti-6Al-4V基体。

Claims (3)

1.一种在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法，其特征在于，采用平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法，所述平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法为：在传统等离子体化学气相沉积法的基础上，将现有沉积系统反应室中放置样品的样品盘改进成两块平行的平板，将基体放置在两块平板之间，在两块平板间施加负偏压形成空心阴极效应；具体包括如下步骤：
1)预处理：对钛合金基体表面进行抛光处理，然后将钛合金基体依次浸入丙酮、酒精溶剂中超声清洗，吹干；
2)溅射清洗：将吹干后的钛合金基体置于HP-PECVD沉积系统反应室中两块平行设置的平板的中间，对反应室进行抽真空，然后通入氩气并保持反应室气压为1.3～2.5Pa，在平板上施加脉冲偏压为-8～-15kV，控制占空比为15～35％，脉冲频率为1200～1500Hz，对反应室内的钛合金基体进行溅射清洗；
3)沉积Si过渡层：溅射清洗结束后，向反应室通入SiH4，控制气体流量为40～60sccm，调节偏压至-1500～-1800V，控制占空比为20～30％，脉冲频率为1200～1500Hz，气压保持恒压1.2-2.0Pa，沉积时间为20～30min，形成硅薄膜过渡层；
4)沉积F-DLC薄膜：硅薄膜过渡层沉积结束后，向反应室通入C2H2、Ar和CF4，控制流量比为3:4～6:1～2，调节偏压至-600～-1000V，控制占空比为20～30％，脉冲频率为1200～1500Hz，保持气压为4～6Pa，沉积时间为30～40min，在钛合金基体表面获得F-DLC薄膜。
2.根据权利要求1所述的在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法，其特征在于，所述的两块平行的平板水平平行设置或者竖立平行设置。
3.根据权利要求1所述的在钛合金表面制备减摩抗磨F-DLC薄膜的方法，其特征在于，所述的钛合金基体为Ti-6Al-4V基体。
CN201611036287.9A 2016-11-23 2016-11-23 在钛合金表面制备减摩抗磨f-dlc薄膜的方法 Expired - Fee Related CN106498362B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611036287.9A CN106498362B (zh) 2016-11-23 2016-11-23 在钛合金表面制备减摩抗磨f-dlc薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611036287.9A CN106498362B (zh) 2016-11-23 2016-11-23 在钛合金表面制备减摩抗磨f-dlc薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106498362A true CN106498362A (zh) 2017-03-15
CN106498362B CN106498362B (zh) 2019-05-14

Family

ID=58327818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611036287.9A Expired - Fee Related CN106498362B (zh) 2016-11-23 2016-11-23 在钛合金表面制备减摩抗磨f-dlc薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106498362B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108220914A (zh) * 2017-11-06 2018-06-29 山东理工大学 一种轮胎模具内表面dlc涂层的制备方法
CN109402612A (zh) * 2018-11-21 2019-03-01 哈尔滨工业大学 利用自源自偏压空心阴极放电法沉积dlc薄膜的装置及基于该装置沉积dlc薄膜的方法
CN110184564A (zh) * 2019-07-02 2019-08-30 南昌航空大学 镁合金表面低应力、高结合强度Si/DLC厚膜的制备方法
WO2021109815A1 (zh) * 2019-12-04 2021-06-10 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 类金刚石薄膜制备装置和制备方法
CN112941475A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 苏州涂冠镀膜科技有限公司 用于水处理过程的去除浮油的dlc薄膜及制备方法
CN118086901A (zh) * 2024-02-02 2024-05-28 科汇纳米技术（深圳）有限公司 一种应用于太空环境的高性能钛合金涂层及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020098285A1 (en) * 1999-11-30 2002-07-25 Hakovirta Marko J. Method for producing fluorinated diamond-like carbon films
JP2007092108A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Plasma Ion Assist Co Ltd 機能性薄膜の形成方法及び機能性薄膜形成装置
CN101967626A (zh) * 2010-11-24 2011-02-09 中国矿业大学 医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法
CN103160800A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 中国科学院兰州化学物理研究所 在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020098285A1 (en) * 1999-11-30 2002-07-25 Hakovirta Marko J. Method for producing fluorinated diamond-like carbon films
JP2007092108A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Plasma Ion Assist Co Ltd 機能性薄膜の形成方法及び機能性薄膜形成装置
CN101967626A (zh) * 2010-11-24 2011-02-09 中国矿业大学 医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法
CN103160800A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 中国科学院兰州化学物理研究所 在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHAU-CHANG CHOU ET AL.: "Characterization and haemocompatibility of fluorinated DLC and Si interlayer on Ti6Al4V", 《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY》 *
CHAU-CHANG CHOU ET AL.: "Mechanical properties of fluorinated DLC and Si interlayer on a Ti biomedical alloy", 《THIN SOLID FILMS》 *
JUNJUN WANG ET AL.: "Interface Architecture for Superthick Carbon-Based Films toward Low Internal Stress and Ultrahigh Load-Bearing Capacity", 《ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES》 *
杨亦赏等: "Si过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响", 《苏州大学学报(自然科学版)》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108220914A (zh) * 2017-11-06 2018-06-29 山东理工大学 一种轮胎模具内表面dlc涂层的制备方法
CN109402612A (zh) * 2018-11-21 2019-03-01 哈尔滨工业大学 利用自源自偏压空心阴极放电法沉积dlc薄膜的装置及基于该装置沉积dlc薄膜的方法
CN110184564A (zh) * 2019-07-02 2019-08-30 南昌航空大学 镁合金表面低应力、高结合强度Si/DLC厚膜的制备方法
WO2021109815A1 (zh) * 2019-12-04 2021-06-10 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 类金刚石薄膜制备装置和制备方法
CN112941475A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 苏州涂冠镀膜科技有限公司 用于水处理过程的去除浮油的dlc薄膜及制备方法
CN118086901A (zh) * 2024-02-02 2024-05-28 科汇纳米技术（深圳）有限公司 一种应用于太空环境的高性能钛合金涂层及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106498362B (zh) 2019-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106498362A (zh) 在钛合金表面制备减摩抗磨f‑dlc薄膜的方法
CN106835011B (zh) 一种具有类金刚石阵列的结构件及其制备方法
Jones et al. Haemocompatibility of DLC and TiC–TiN interlayers on titanium
CN100412228C (zh) 铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法
Garcıa-Alonso et al. In vitro corrosion behaviour and osteoblast response of thermally oxidised Ti6Al4V alloy
Choy et al. Functionally graded diamond-like carbon coatings on metallic substrates
Narayan Nanostructured diamondlike carbon thin films for medical applications
Bait et al. Influence of substrate bias voltage on the properties of TiO2 deposited by radio-frequency magnetron sputtering on 304L for biomaterials applications
Srinivasan et al. Ion beam deposition of DLC and nitrogen doped DLC thin films for enhanced haemocompatibility on PTFE
Liao et al. Functionalization of pure titanium MAO coatings by surface modifications for biomedical applications
Leng et al. Structure and properties of passivating titanium oxide films fabricated by DC plasma oxidation
Shtansky et al. A new combined approach to metal-ceramic implants with controllable surface topography, chemistry, blind porosity, and wettability
Zhu et al. Preparation and characterization of diamond-like carbon (DLC) film on 316L stainless steel by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD)
CN103920185A (zh) 一种Mo金属掺杂复合类金刚石涂层钛合金人工骨关节及其制备方法
Shanaghi et al. Enhancement of mechanical properties and corrosion resistance of NiTi alloy by carbon plasma immersion ion implantation
WO2014195768A1 (es) Recubrimiento biocompatible tipo multicapa-pelicula delgada como tratamiento superficial de sustratos biomédicos y proceso de fabricación del mismo
Nißen et al. The effect of deposition parameters on structure, mechanical and adhesion properties of aC: H on Ti6Al4V with gradient Ti-aC: H: Ti interlayer
Wei et al. The effect of hydrogen and acetylene mixing ratios on the surface, mechanical and biocompatible properties of diamond-like carbon films
CN111926289A (zh) 一种钽涂层制备方法
Liang et al. Review of major technologies improving surface performances of Ti alloys for implant biomaterials
Kyzioł et al. Deposition, morphology and functional properties of layers based on DLC: Si and DLC: N on polyurethane
Gao et al. Wear, corrosion, and biocompatibility of 316L stainless steel modified by well-adhered Ta coatings
Shim et al. Effects of a titanium dioxide thin film for improving the biocompatibility of diamond-like coated coronary stents
Grenadyorov et al. AISI 316L stainless steel modification by surface alloy and aC: H: SiOx coating synthesis
Bai et al. Microwave plasma oxidation of near-equiatomic NiTi alloy for obtaining low-Ni TiO2 coating

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190514

Termination date: 20191123