CN106450923A - 一种抗电弧强电插接端子及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种抗电弧强电插接端子，包括基材、设置在基材上的端子，还包括设置在端子上的防护结构，所述防护结构为位于端子与基材连接部的绝缘层，绝缘层完全覆盖端子所在基材表面；所述绝缘层的厚度为1.5mm‑2.5mm；所述绝缘层材质为硅胶。本发明的强电插接端子的基材在经过低温等离子体处理后涂覆RTV硅胶作为绝缘层，增加了绝缘层与端子的基材之间的密着性和粘结强度，延长了绝缘层和强电插接端子的使用寿命，强电插接端子的基材表面全部覆盖RTV硅胶，强电插接端子间不会因为相互导通而产生连续电弧，产生的零星电弧也不会引燃基材、电器件本身和周围部件，增加了强电插接端子的抗电弧和防火性能。
Description
技术领域
本发明涉及电器件强电端子技术领域，具体涉及一种抗电弧强电插接端子。
背景技术
日常生活中，电器件强电插接端子传导电流至电器，由于电器使用环境不同，电器的电器件需在潮湿、高温和高压等环境下正常工作，电器件强电插接端子在这种环境下容易发生放电、起火等事故。强电插接端子之间由于水分和温度的影响容易产生电弧和火花，产生的电弧和火花容易引燃端子周围的部件，造成突发性安全问题。现有技术中在端子上会套设一个保护套，保护套是一种附加套件，其与端子的密着性不佳，水分仍有可能由其间隙渗入，从而仍然会产生安全事故。同时，附加的保护套需要另行制作，增加了成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗电弧强电插接端子及其制作方法，该抗电弧强电插接端子上设有的绝缘层与端子紧密附着，并覆盖端子之间的基材表面，阻止高温、高湿等极端情况下强电端子间产生电弧、火花等引燃基材或周围部件，确保电器件和电器的安全性。本发明制作抗电弧强电插接端子时，将强电插接端子基材经过等离子体处理后，提高了绝缘层和基材的接合强度以及可靠性。
为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：
一种抗电弧强电插接端子，包括基材、设置在基材上的端子，还包括设置在端子上的防护结构，所述防护结构为位于端子与基材连接部的绝缘层，绝缘层完全覆盖端子所在基材表面；所述绝缘层的厚度为1.5mm-2.5mm；所述绝缘层材质为硅胶。
进一步的，所述绝缘层材质为RTV硅胶。
一种抗电弧强电插接端子的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1，用低温等离子体将强电插接端子的端子与基材的连接部以及基材表面进行改性处理，改性处理时间为50秒-70秒；
步骤S2，改性处理完成后将硅胶涂覆在端子与基材的连接部以及基材表面，涂覆的硅胶厚度为1.5mm-2.5mm；
步骤S3，硅胶涂覆完成后，将强电插接端子固化24小时，固化时的温度为18度-23度。
进一步的，所述改性处理时间为60秒。
进一步的，所述绝缘层材质为RTV硅胶。
由以上技术方案可知，本发明通过在强电插接端子上涂覆RTV硅胶（室温硫化型硅橡胶），将端子与基材连接部的端子部分与基材表面绝缘，将电弧产生的路径封闭，能够使电器件在高温、高湿等恶劣环境工作时，阻止强电插接端子产生电弧和火花，避免发生放电、起火等事故。强电插接端子的基材表面全部覆盖RTV硅胶，强电插接端子间不会因为相互导通而产生连续电弧，产生的零星电弧也不会引燃基材、电器件本身和周围部件，增加了强电插接端子的抗电弧和防火性能。本发明的抗电弧强电插接端子的基材在经过低温等离子体改性处理后涂覆RTV硅胶作为绝缘层，增加了绝缘层与端子的基材之间的密着性和粘结强度，延长了绝缘层和强电插接端子的使用寿命，同时，使用带有该强电插接端子的电器件时无需另行制作保护套就可以防止危险发生，节省了成本。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是图1的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明：
如图1-图2所示的一种抗电弧强电插接端子，包括基材1、设置在基材上的端子2和设置在端子2上的防护结构，防护结构为设置在端子2上且位于端子2与基材1的连接部的绝缘层3，绝缘层3完全覆盖端子2所在基材1的表面。由于硅胶化学性质稳定、耐高温且吸附能力很强，绝缘层3的材质为硅胶。
绝缘层3的厚度为1.5mm-2.5mm，绝缘层3的厚度在不影响端子使用，能够防止电弧击穿绝缘层3而导致绝缘层3损耗。绝缘层3材质为RTV硅胶。将RTV硅胶涂覆在端子2与基材1的连接部，完全包裹端子2的根部，并覆盖端子2所在基材1的表面。RTV硅胶具有良好电绝缘和抗电弧性能，耐老化、防潮，有良好的粘接性能，适用于-60℃~200℃工作温度。当电器件在高温、高压或潮湿的环境中工作时，强电插接端子涂覆RTV硅胶作为绝缘层3，端子2涂覆绝缘层3的部分与高温高压或潮湿环境隔绝，端子2之间相互隔绝；绝缘层3将电弧产生路径阻断，端子2之间不会因为高温高压潮湿环境下相互导通而产生连续电弧；RTV硅胶的绝缘层3将端子2所在基材1的表面全部覆盖，端子2产生的零星电弧也不会引燃基材，进而不会引燃电器件以及周围部件。本发明在使用时增加了本身的安全性能同时增加了电器件和其所安装的电器的安全性。
以下接合具体实施例对本发明抗电弧强电插接端子的制作方法作进一步说明。
低温等离子体是继固态、液态、气态之后的物质第四态，当外加电压达到气体的着火电压时，气体分子被击穿，产生包括电子、各种离子、原子和自由基在内的混合体。流经冷弧等离子体射流枪的空气气流可以产生包括大量的氧原子在内的氧基活性物质，氧基等离子体照射材料表面，可以使附着于材料表面上的有机污染物C元素的分子分离，并变成二氧化碳后被清除；同时可以提高接触性能，从而可以提高接合强度和可靠性。
将在端子2表面直接涂覆RTV硅胶作为绝缘层3作为本发明方法的对比实施例，涂覆厚度为1.5mm-2.5mm，然后在常温下固化24小时，常温为18度-23度。固化完成后，用剥离强度测量仪器测出RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度为1.6N/mm。
实施例1
一种抗电弧强电插接端子的制作方法，该方法包括以下步骤：
步骤S1，用低温等离子体将端子2与基材1的连接部以及基材1表面进行改性处理，改性处理时间为60秒。
步骤S2，改性处理完成后将RTV硅胶涂覆在端子2与基材1的连接部以及基材1表面，涂覆的RTV硅胶厚度为2mm；涂覆时需均匀密实，避免出现虚涂、气泡等缺陷。
步骤S3，硅胶涂覆完成后，强电插接端子在18度-23度的温度下固化24小时。
强电插接端子在固化后用剥离强度测量仪器测出RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度为3.5N/mm。由此可知，将端子2与基材1的连接部以及基材1表面经过50秒的低温等离子体的改性处理后，RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度提高了约2.1倍。剥离强度提高后，RTV硅胶在基材1上不易脱落，电弧不易击穿RTV硅胶绝缘层，延长了强电插接端子的使用寿命，避免发生放电、起火等事故。
实施例2
一种抗电弧强电插接端子的制作方法，该方法包括以下步骤：
步骤S1，用低温等离子体将端子2与基材1的连接部以及基材1表面进行改性处理，改性处理时间为50秒。
步骤S2，改性处理完成后将RTV硅胶涂覆在端子2与基材1的连接部以及基材1表面，涂覆的RTV硅胶厚度为1.5mm；涂覆时需均匀密实，避免出现虚涂、气泡等缺陷。
步骤S3，硅胶涂覆完成后，强电插接端子在18度-23度的温度下固化24小时。
强电插接端子在固化后用剥离强度测量仪器测出RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度为3N/mm。由此可知，将端子2与基材1的连接部以及基材1表面经过50秒的低温等离子体的改性处理后，RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度提高了约1.8倍。
实施例3
一种抗电弧强电插接端子的制作方法，该方法包括以下步骤：
步骤S1，用低温等离子体将端子2与基材1的连接部以及基材1表面进行改性处理，改性处理时间为70秒。
步骤S2，改性处理完成后将RTV硅胶涂覆在端子2与基材1的连接部以及基材1表面，涂覆的RTV硅胶厚度为2.5mm；涂覆时需均匀密实，避免出现虚涂、气泡等缺陷。
步骤S3，硅胶涂覆完成后，强电插接端子在18度-23度的温度下固化24小时。
强电插接端子在固化后用剥离强度测量仪器测出RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度为3.51N/mm。由此可知，将端子2与基材1的连接部以及基材1表面经过50秒的低温等离子体的改性处理后，RTV硅胶与端子2的根部的90°剥离强度以及RTV硅胶与基材1的90°剥离强度提高了约2.1倍。
以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (5)
1.一种抗电弧强电插接端子，包括基材、设置在基材上的端子，其特征在于：还包括设置在端子上的防护结构，所述防护结构为位于端子与基材连接部的绝缘层，绝缘层完全覆盖端子所在基材表面；所述绝缘层的厚度为1.5mm-2.5mm；所述绝缘层材质为硅胶。
2.如权利要求1所述的一种抗电弧强电插接端子，其特征在于：所述绝缘层材质为RTV硅胶。
3.如权利要求1或2所述的一种抗电弧强电插接端子的制作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤S1，用低温等离子体将强电插接端子的端子与基材的连接部以及基材表面进行改性处理，改性处理时间为50秒-70秒；
步骤S2，改性处理完成后将硅胶涂覆在端子与基材的连接部以及基材表面，涂覆的硅胶厚度为1.5mm-2.5mm；
步骤S3，硅胶涂覆完成后，将强电插接端子固化24小时，固化时的温度为18度-23度。
4.如权利要求3所述的一种抗电弧强电插接端子的制作方法，其特征在于：所述改性处理时间为60秒。
5.如权利要求3或4所述的一种抗电弧强电插接端子，其特征在于：所述绝缘层材质为RTV硅胶。
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