CN106450044A - Oled器件的制作方法及oled器件 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 23
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
- B32B37/1284—Application of adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
本发明提供一种OLED器件的制作方法及OLED器件，该方法包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。本发明具有提高生产效率，提高产品良率的有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种OLED器件的制作方法及OLED器件。
背景技术
OLED显示器具有亮度高、响应快、能耗低、可弯曲等许多优点，被广泛认可为下一代显示技术的焦点。OLED与TFT-LCD相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄、柔性和透明显示器件。
制备透明OLED显示器需要解决透明电极的问题，透明电极材料既要求有较高的导电性，还要有较高的透过率。目前使用的透明电极材料主要是ITO，由于蒸镀的有机薄膜较薄，而ITO通常采用物理气相沉淀法溅射制备，溅射的功率过高会对有机发光层造成破坏，溅射的功率太低则成膜时间太长，降低了生产效率。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED器件的制作方法及OLED器件。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：
在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；
在空穴传输层上形成第一电子胶层；
在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；
在空穴注入层上形成第二电子胶层；
将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接的步骤包括：
在真空条件下将第一基板以及第二基板进行正对压合，从而使得第一电子胶层与第二电子胶层贴合并粘结。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层的步骤包括：
在第一基板上设置TFT阵列层；
在TFT阵列层上设置阴极电极层；
在阴极电极层上设置电子传输层；
在电子传输层上设置发光层；
在发光层上设置空穴传输层。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层的步骤包括：
在第二基板上设置阻挡层；
在阻挡层上设置阳极电极层；
在阳极电极层上设置空穴注入层。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴传输层上形成第一电子胶层。
在本发明实施例所述的OLED器件的制作方法中，所述在空穴注入层上形成第二电子胶层的步骤包括：
采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴注入层上形成第二电子胶层。
本发明还提供了一种OLED器件，包括：
第一基板以及依次设置于所述第一基板上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及第一电子胶层；
第二基板以及依次设置于所述第二基板上的阻挡层、阳极电极层以及空穴注入层；
所述第一电子胶层以及第二电子胶层贴合并粘结。
在本发明实施例所述的OLED器件中，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。
在本发明实施例所述的OLED器件中，所述阳极电极层以及阴极电极层均采用氧化铟锡。
由上可知，本发明实施例中采用在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接；从而实现该OLED器件的制成，由于在本实施例中，采用将该OLED器件分成两部分来分别制作，然后用电子胶层来粘结，具有加快生成效率的有益效果，并且，由于生产过程中，该阳极电极层与该发光层是分开制作的，可以避免物理气相沉淀形成该阳极电极层时溅射对该发光层的破坏，提高了产品良率。
附图说明
图1是本发明一优选实施例中的OLED器件的制作方法流程图。
图2是本发明图1所示实施例中的OLED器件的局部结构示意图。
图3是本发明图1所示实施例中的OLED器件的另一局部结构示意图。
图4是本发明一优选实施例中的OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的模块是以相同标号表示。
请参照图1，该OLED器件的制作方法，包括以下步骤：
S101、在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；
S102、在空穴传输层上形成第一电子胶层；
S103、在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；
S104、在空穴注入层上形成第二电子胶层；
S105、将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。
下面对该OLED器件的制作方法的各个步骤进行详细说明。其中，该步骤S101执行完再执行步骤S102，该步骤S103执行完再执行步骤S104，而该步骤S101与步骤S103可以同步执行，也可以以任意先后顺序执行。
参照图2，在该步骤S101中，其包括以下子步骤：
S1011、在第一基板上设置TFT阵列层；在该步骤中，该第一基板11可以为柔性基板，TFT阵列层12包括多个薄膜晶体管。
S1012、在TFT阵列层上设置阴极电极层；在该步骤中，采用物理气象沉淀法在该TFT阵列层12上沉淀形成阴极电极层13，其中该阴极电极层13采用透明材料，例如，采用N型氧化物半导体-氧化铟锡ITO。
S1013、在阴极电极层13上设置电子传输层14；在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该阴极电极层13上形成电子传输层14。
S1014、在电子传输层上设置发光层；在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该电子传输层14上形成发光层15。该发光层15为有机发光层。
S1015、在发光层上设置空穴传输层。在该步骤中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该发光层15上形成空穴传输层16。
在该步骤S102中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该空穴传输层16上形成第一电子胶层17。其中，该第一电子胶层17具有高透明和高载流子迁移率的性能，该第一电子胶层17可以采用山梨醇。
参照图3，在该步骤S103中，其包括以下子步骤：
S1031、在第二基板上设置阻挡层；在该步骤中，该第二基板22可以为柔性基板。该阻挡层21为水氧阻隔性能较好的无机材料沉积形成，例如可以为SiNx、SiO2等。
S1032、在阻挡层上设置阳极电极层；在该步骤中，采用物理气象沉淀法在该阻挡层21上沉淀形成阳极电极层20，其中该阳极电极层20采用透明材料，例如，采用N型氧化物半导体-氧化铟锡ITO。
S1033、在阳极电极层上设置空穴注入层。在该步骤中，可以通过通过蒸镀、旋涂等方式来形成空穴注入层19。
在该步骤S104中，可以通过蒸镀、旋涂等方式，在该空穴注入层上形成第二电子胶层。其中，该第二电子胶层18具有高透明和高载流子迁移率的性能，该第二电子胶层18可以采用山梨醇。
在该步骤S105中，具体实施时，在真空条件下将第一基板11以及第二基板18进行正对压合，从而使得第一电子胶层17与第二电子胶层18贴合并粘结；然后使用高于第一电子胶层17以及第二电子胶层18熔点的温度进行烘烤1～5min，冷却后即可完成该OLED器件的制作。
由上可知，本发明实施例中采用在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接；从而实现该OLED器件的制成，由于在本实施例中，采用将该OLED器件分成两部分来分别制作，然后用电子胶层来粘结，具有加快生成效率的有益效果，并且，由于生产过程中，该阳极电极层与该发光层是分开制作的，可以避免物理气相沉淀形成该阳极电极层时溅射对该发光层的破坏，提高了产品良率。
请参照图4，图4是本发明一优选实施例中的OLED器件的结构图，该OLED器件包括：第一基板11、TFT阵列层12、阴极电极层13、电子传输层14、发光层15、空穴传输层16、第一电子胶层17、以及第二基板22。
其中，该TFT阵列层12、阴极电极层13、电子传输层14、发光层15、空穴传输层16以及第一电子胶层17依次设置该第一基板上11。
具体地，该TFT阵列12层沉积于该第一基板11上；该阴极电极层13采用物理气相沉淀形成于该TFT阵列层12上；电子传输层14采用旋涂或蒸镀的方式形成在阴极电极层13上；发光层15为有机发光层，其采用旋涂或蒸镀的方式形成在电子传输层16上；空穴传输层16采用旋涂或蒸镀的方式形成发光层15上。
其中，该阻挡层21、阳极电极层20、空穴注入层19、第二电子胶层18依次设置于该第二基板22上。
第一电子胶层17以及第二电子胶层18贴合并粘结。该第一电子胶层17以及第二电子胶层18均采用山梨醇。该阳极电极层20以及阴极电极层13均采用氧化铟锡。
由上可知，本发明实施例中，该阳极电极层与该发光层是分开制作的，可以避免物理气相沉淀形成该阳极电极层时溅射对该发光层的破坏，提高了产品良率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；
在空穴传输层上形成第一电子胶层；
在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；
在空穴注入层上形成第二电子胶层；
将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接的步骤包括：
在真空条件下将第一基板以及第二基板进行正对压合，从而使得第一电子胶层与第二电子胶层贴合并粘结。
3.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，所述在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层的步骤包括：
在第一基板上设置TFT阵列层；
在TFT阵列层上设置阴极电极层；
在阴极电极层上设置电子传输层；
在电子传输层上设置发光层；
在发光层上设置空穴传输层。
4.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层的步骤包括：
在第二基板上设置阻挡层；
在阻挡层上设置阳极电极层；
在阳极电极层上设置空穴注入层。
5.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。
6.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在空穴传输层上形成第一电子胶层的步骤包括：
采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴传输层上形成第一电子胶层。
7.根据权利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述在空穴注入层上形成第二电子胶层的步骤包括：
采用蒸镀或旋涂的工艺，在空穴注入层上形成第二电子胶层。
8.一种OLED器件，其特征在于，包括：
第一基板以及依次设置于所述第一基板上的TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及第一电子胶层；
第二基板以及依次设置于所述第二基板上的阻挡层、阳极电极层以及空穴注入层；
所述第一电子胶层以及第二电子胶层贴合并粘结。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述第一电子胶层以及第二电子胶层均采用山梨醇。
10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极电极层以及阴极电极层均采用氧化铟锡。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611069709.2A CN106450044B (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
| US15/329,490 US20180342678A1 (en) | 2016-11-28 | 2016-12-29 | Oled device manufacture method and oled device |
| PCT/CN2016/112944 WO2018094815A1 (zh) | 2016-11-28 | 2016-12-29 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611069709.2A CN106450044B (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106450044A true CN106450044A (zh) | 2017-02-22 |
| CN106450044B CN106450044B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=58219309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611069709.2A Active CN106450044B (zh) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | Oled器件的制作方法及oled器件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180342678A1 (zh) |
| CN (1) | CN106450044B (zh) |
| WO (1) | WO2018094815A1 (zh) |
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- 2016-11-28 CN CN201611069709.2A patent/CN106450044B/zh active Active
- 2016-12-29 WO PCT/CN2016/112944 patent/WO2018094815A1/zh active Application Filing
- 2016-12-29 US US15/329,490 patent/US20180342678A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180342678A1 (en) | 2018-11-29 |
| WO2018094815A1 (zh) | 2018-05-31 |
| CN106450044B (zh) | 2019-02-12 |
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