CN106449344A - 一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法 - Google Patents

一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元、小通气孔、大通气孔、螺丝孔、定位销和凹槽，所述定位销位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元顶部边缘位置设有凹槽；所述大通气孔和螺丝孔均匀分布在承片单元周围，以所述承片单元圆心为几何中心呈菱形均匀分布有小通气孔；冷却气体通过小通气孔进入承片单元与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却；位于中心位置的承片单元多设一个小通气孔增强冷却效果，保证整盘衬底刻蚀的一致性；本发明生产的4吋LED图形化衬底片间尺寸差异小于2％，片内尺寸差异小于1.5％。

Description

一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法
技术领域
本发明涉及LED衬底制造领域，特别地，涉及一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法。
背景技术
目前LED蓝宝石衬底图形化的方式主要有干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀具有良好的各向异性、高刻蚀选择比及易于控制等优点而被广泛用于图形化蓝宝石衬底PSS(Patterned Sapphire Substrate)制造领域；干法刻蚀的主要设备是ICP刻蚀机，它在工作中需要使用特定的托盘以承载蓝宝石衬底；托盘分为上托盘和下托盘，通过螺母将上下托盘藕联并固定蓝宝石衬底，通过密封组件形成独立的导热冷却空间。
在实际的生产过程中，由于托盘结构设计不合理，制程中出现盘面散热性差、衬底受热不均匀的问题；在干法刻蚀中，下托盘中心与边缘位置等离子强度差异较大，整盘衬底品质一致性受影响，尤其是生产4吋图形化蓝宝石衬底时，存在严重的外圈单片衬底一致性、整盘衬底一致性差的问题。
中国专利201210574758.7公开了一种化学气相沉淀设备及其托盘，所述托盘包括衬底承载面和多个限位件，所述多个限位件相互间隔设置于所述衬底承载面上的位置，所述限位件在平行所述衬底承载面的平面的第一截面上呈多边形或呈具有向内弯曲的边的多边形，所述多边形的角为圆角。
发明内容
本发明目的在于提供一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，以解决整盘衬底一致性差的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，以解决整盘衬底一致性差的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，包括承片单元、小通气孔、大通气孔、螺丝孔、定位销和凹槽，所述定位销位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元凸起均匀分布于下托盘表面，且所述承片单元顶部边缘位置设有凹槽。
所述大通气孔和螺丝孔均匀分布在承片单元周围，所述承片单元均匀分布有小通气孔，位于下托盘中心位置承片单元比位于边缘位置承片单元多设有1个小通气孔，位于下托盘边缘位置承片单元的小通气孔数量为4个、5个、6个、7个或8个。
优选的，所述小通气孔以承片单元圆心为几何中心呈正多边形分布于承片单元。
优选的，位于下托盘边缘位置承片单元的小通气孔数量为5个或6个。
优选的，所述大通气孔与小通气孔半径比例为1.5～2.0：1。
优选的，所述大通气孔与小通气孔半径比例为1.53～1.7：1。
优选的，所述大通气孔与小通气孔半径比例为1.72～1.9：1。
优选的，所述大通气孔半径为1.5～2.0mm。
优选的，所述大通气孔半径为1.6～1.85mm。
另一方面，本发明提供了一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的方法，包括以下步骤：
ICP作业时，托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为10～40℃，ICP功率为1000～1700W，射频功率为200～600W,刻蚀气体流量为50～110sccm。
优选的，工作腔基座温度为20～30℃，ICP功率为1300～1500W，射频功率为300～500W，刻蚀气体流量为70～90sccm。
本发明具有以下有益效果：
本发明的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元、小通气孔、大通气孔、螺丝孔、定位销和凹槽，所述定位销位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元顶部边缘位置设有凹槽。
所述大通气孔和螺丝孔均匀分布在承片单元周围，以所述承片单元圆心为中心均匀分布有小通气孔；位于下托盘中心位置承片单元比位于下托盘边缘位置承片单元多设有1个小通气孔。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元的凹槽位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为10～40℃，ICP功率为1000～1700W，射频功率为200～600W,刻蚀气体流量为50～110sccm。等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体通过下托盘的大通气孔进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；与此同时，冷却气体通过承片单元的小通气孔进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。
承片单元的小通气孔可以保证衬底各个部位冷却量一致，从而使衬底各部位温度一致，温度是影响衬底刻蚀速度的关键因素，温度越低刻蚀速度越快；下托盘的中心位置和边缘位置相比，等离子强度差异大，位于中心位置的承片单元多设一个通气孔，使得下托盘中心和边缘位置温度产生差异，平衡等离子强度差异给一致性带来的影响，从而保证整盘衬底刻蚀的一致性；本发明生产的4吋图形化衬底片间尺寸差异小于2％，单片衬底片内尺寸差异小于1.5％。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明优选实施例的下托盘俯视图；
图2是本发明优选实施例的A部俯视图；
图3是本发明优选实施例的A部截面图。
图中：1、承片单元，2、小通气孔，3、大通气孔，4、螺丝孔，5、定位销，6、凹槽。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
实施例1
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈正四边形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正四边形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔半径比例为1.5：1，大通气孔半径为1.5mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为10℃，ICP功率为1700W，射频功率为300W,刻蚀气体流量为70sccm。
等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体(一般为氦气)通过下托盘的大通气孔3进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；冷却气体通过承片单元1的小通气孔2进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。
承片单元1的小通气孔2可以保证衬底各个部位冷却量一致，从而使衬底各部位温度一致，温度是影响衬底刻蚀速度的关键因素，温度越低刻蚀速度越快；下托盘的中心位置和边缘位置相比，等离子强度差异大，位于中心位置的承片单元1多设一个通气孔，使得下托盘中心和边缘位置温度产生差异，平衡等离子强度差异给一致性带来的影响，从而保证整盘衬底刻蚀的一致性。
实施例2
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈正五边形均匀分布有5个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有6个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余5个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正五边形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.6：1，大通气孔半径为2mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为15℃，ICP功率为1600W，射频功率为200W,刻蚀气体流量为60sccm。
实施例3
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈正六边形均匀分布有6个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有7个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余6个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正六边形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.53：1，大通气孔半径为1.6mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为20℃，ICP功率为1500W，射频功率为400W,刻蚀气体流量为50sccm。
实施例4
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈正七边形形均匀分布有7个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有8个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余7个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正七边形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.7：1，大通气孔半径为1.8mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为25℃，ICP功率为1400W，射频功率为500W,刻蚀气体流量为80sccm。
实施例5
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心正八边形均匀分布有8个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有9个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余8个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正八边形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.72：1，大通气孔半径为1.85mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为30℃，ICP功率为1300W，射频功率为600W,刻蚀气体流量为90sccm。
实施例6
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.8：1，大通气孔半径为1.7mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为35℃，ICP功率为1200W，射频功率为350W,刻蚀气体流量为100sccm。
实施例7
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.85：1，大通气孔半径为1.75mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为40℃，ICP功率为1100W，射频功率为450W,刻蚀气体流量为110sccm。
实施例8
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.9：1，大通气孔半径为1.5mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为23℃，ICP功率为1000W，射频功率为550W,刻蚀气体流量为95sccm。
实施例9
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.95：1，大通气孔半径为1.65mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为36℃，ICP功率为1050W，射频功率为550W,刻蚀气体流量为85sccm。
实施例10
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为2：1，大通气孔半径为1.9mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为30℃，ICP功率为1250W，射频功率为550W,刻蚀气体流量为75sccm。
对比实施例1
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.2：1，大通气孔半径为2.3mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体(一般为氦气)通过下托盘的大通气孔3进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；冷却气体通过承片单元1的小通气孔2进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。工作腔基座温度为45℃，ICP功率为1800W，射频功率为600W,刻蚀气体流量为110sccm。
对比实施例2
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布有4个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有5个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余4个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈菱形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为2.3：1，大通气孔半径为1.3mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体(一般为氦气)通过下托盘的大通气孔3进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；冷却气体通过承片单元1的小通气孔2进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。工作腔基座温度为8℃，ICP功率为900W，射频功率为250W,刻蚀气体流量为110sccm。
对比实施例3
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述承片单元1圆心为几何中心正三角形均匀分布有3个小通气孔2；位于下托盘中心位置承片单元1设有4个小通气孔2，该承片单元中心设有1个小通气孔2，其余3个小通气孔2以该承片单元1圆心为几何中心呈正三角形均匀分布；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.5：1，大通气孔半径为1.5mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体(一般为氦气)通过下托盘的大通气孔3进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；冷却气体通过承片单元1的小通气孔2进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。工作腔基座温度为42℃，ICP功率为900W，射频功率为250W,刻蚀气体流量为110sccm。
对比实施例4
参见图1、图2和图3，一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元1、小通气孔2、大通气孔3、螺丝孔4、定位销5和凹槽6，所述定位销5位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元1凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元1顶部边缘位置设有凹槽6。
所述大通气孔3和螺丝孔4均匀分布在承片单元1周围，以所述小通气孔2位于承片单元1中心位置；所述大通气孔3与小通气孔2半径比例为1.5：1，大通气孔半径为1.5mm。
ICP刻蚀机作业时，先给承片单元1的凹槽6位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔4用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接。等离子气体对衬底上表面刻蚀时，冷却气体(一般为氦气)通过下托盘的大通气孔3进入上托盘和下托盘之间的密闭空间，将上托盘的热量传导至下托盘；冷却气体通过承片单元1的小通气孔2进入下托盘与衬底之间的密闭空间，对衬底进行冷却。工作腔基座温度为9℃，ICP功率为900W，射频功率为280W,刻蚀气体流量为110sccm。
对比实施例5
一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，包括承片单元、螺丝孔、定位销和凹槽，所述定位销位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元凸起均匀分布于下托盘表面，且承片单元顶部边缘位置设有凹槽。
螺丝孔均匀分布在承片单元周围，承片单元和下托盘无通气孔。ICP刻蚀机作业时，给承片单元的凹槽位置装上密封环，然后将衬底放置在密封环上，通过定位销定位，通过螺丝孔用螺丝将ICP上托盘和下托盘固定连接，等离子气体对衬底上表面进行刻蚀。
各实施例及对比实施例衬底片间尺寸差和单片衬底片内尺寸差检测结果如下：
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，包括承片单元(1)、小通气孔(2)、大通气孔(3)、螺丝孔(4)、定位销(5)和凹槽(6)，所述定位销(5)位于下托盘直径方向相对两侧；所述承片单元(1)凸起均匀分布于下托盘表面，且所述承片单元(1)顶部边缘位置设有凹槽(6)；
所述大通气孔(3)和螺丝孔(4)均匀分布在承片单元(1)周围，所述承片单元(1)均匀分布有小通气孔(2)，位于下托盘中心位置承片单元(1)比位于边缘位置承片单元(1)多设有1个小通气孔(2)；位于下托盘边缘位置承片单元(1)的小通气孔(2)数量为4个、5个、6个、7个或8个。
2.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述小通气孔(2)以承片单元(1)圆心为几何中心呈正多边形分布于承片单元(1)。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，位于下托盘边缘位置承片单元(1)的小通气孔(2)数量为5个或6个。
4.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述大通气孔(3)与小通气孔(2)半径比例为1.5～2.0：1。
5.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述大通气孔(3)与小通气孔(2)半径比例为1.53～1.7：1。
6.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述大通气孔(3)与小通气孔(2)半径比例为1.72～1.9：1。
7.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述大通气孔(3)半径为1.5～2.0mm。
8.根据权利要求1所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘，其特征在于，所述大通气孔(3)半径为1.6～1.85mm。
9.一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
ICP作业时，托盘传送至工作腔，工作腔基座温度为10～40℃，ICP功率为1000～1700W，射频功率为200～600W,刻蚀气体流量为50～110sccm。
10.根据权利要求9所述的一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的方法，其特征在于，工作腔基座温度为20～30℃，ICP功率为1300～1500W，射频功率为300～500W，刻蚀气体流量为70～90sccm。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109078813A (zh) * 2018-08-09 2018-12-25 锐捷光电科技（江苏）有限公司 一种凹形光阻涂布的制作过程
CN111653509A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法
CN113046828A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 山东大学 一种用于生长多种尺寸衬底可灵活测温的运动装置及方法
CN114361309A (zh) * 2021-12-31 2022-04-15 安徽光智科技有限公司 四吋pss衬底产量的提升方案
CN117423599A (zh) * 2023-11-03 2024-01-19 扬州中科半导体照明有限公司 一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6079355A (en) * 1997-02-11 2000-06-27 United Microelectronics Corp. Alignment aid for an electrode plate assembly
CN1848368A (zh) * 2005-12-02 2006-10-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
CN101499407A (zh) * 2008-02-02 2009-08-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
CN103898478A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种化学气相沉积设备及其托盘
CN104332436A (zh) * 2014-11-20 2015-02-04 靖江先锋半导体科技有限公司 一种刻蚀机内部的水冷卡盘结构
CN105185735A (zh) * 2015-08-13 2015-12-23 浙江东晶博蓝特光电有限公司 一种用于干法刻蚀led图形化蓝宝石衬底的托盘

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6079355A (en) * 1997-02-11 2000-06-27 United Microelectronics Corp. Alignment aid for an electrode plate assembly
CN1848368A (zh) * 2005-12-02 2006-10-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
CN101499407A (zh) * 2008-02-02 2009-08-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
CN103898478A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种化学气相沉积设备及其托盘
CN104332436A (zh) * 2014-11-20 2015-02-04 靖江先锋半导体科技有限公司 一种刻蚀机内部的水冷卡盘结构
CN105185735A (zh) * 2015-08-13 2015-12-23 浙江东晶博蓝特光电有限公司 一种用于干法刻蚀led图形化蓝宝石衬底的托盘

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109078813A (zh) * 2018-08-09 2018-12-25 锐捷光电科技（江苏）有限公司 一种凹形光阻涂布的制作过程
CN109078813B (zh) * 2018-08-09 2021-08-13 锐捷光电科技（江苏）有限公司 一种凹形光阻涂布的制作过程
CN111653509A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法
CN111653509B (zh) * 2020-05-27 2023-07-21 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法
CN113046828A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 山东大学 一种用于生长多种尺寸衬底可灵活测温的运动装置及方法
CN114361309A (zh) * 2021-12-31 2022-04-15 安徽光智科技有限公司 四吋pss衬底产量的提升方案
CN114361309B (zh) * 2021-12-31 2024-03-05 安徽光智科技有限公司 四吋pss衬底产量的提升方案
CN117423599A (zh) * 2023-11-03 2024-01-19 扬州中科半导体照明有限公司 一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构
CN117423599B (zh) * 2023-11-03 2024-03-22 扬州中科半导体照明有限公司 一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构

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