CN106370941A - 一种带电绝缘子周围电场检测电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种带电绝缘子周围电场检测电路，包括电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、运算放大器U1，电容C1的一端接电场信号AD_IN，电容C1的另一端接电阻R1的一端，电容C1起到对初始信号滤波的作用；电阻R1的另一端分别接运算放大器U1的第2脚、电阻R2的一端，电阻R2的另一端分别接运算放大器U1的第1脚、电容C2的一端，电容C2的另一端接输出信号AD_TEST，电阻R1和电阻R2用于调节电路采集放大倍数,电容C2起到二次滤波的作用；电阻R3的一端、电阻R4的一端分别接运算放大器U1的第3脚，电阻R3的另一端分别接3.3V电压、运算放大器U1的第4脚，电阻R4的另一端接SGND，电阻R3和电阻R4为运算放大器U1提供1/2的偏置电压信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种带电绝缘子周围电场检测电路，属于信号采集技术领域。
背景技术
复合绝缘子以其优异的防污闪性能在全国范围为得到广泛使用，但在运行过程中如何检测其性能状况是国内乃至世界范围的难题，这个问题甚至影响到了复合绝缘子大量推广使用的技术政策。目前大多供电局采用的是目测方法检测，这种方法不能保证检测出复合绝缘子内部的缺陷。随着合成绝缘子挂网运行周期越来越长，不可避免的会发生合成绝缘子劣化事故。伴随着合成绝缘子的劣化，有部分运行中的合成绝缘子有脆断、击穿的趋势。采用目测对合成绝缘子进行带电检测，并不能找到隐藏在硅橡胶下面的、玻璃纤维芯棒内部的缺陷。用电场法对复合绝缘子进行带电检测很有必要。
长期以来的试验结果证明，复合绝缘子的导通性缺陷及其局部的绝缘劣化可以通过沿绝缘子串轴向分布的场强变化而灵敏的反应出来。因此，有必要提出一种采用高灵敏度的电场传感器和场强分布测量分析等多项技术来可以有效的发现复合绝缘子的绝缘劣化现象，填补复合绝缘子劣化在线检测技术的空白。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有技术存在的缺陷，提出一种带电绝缘子周围电场检测电路。
本发明采用如下技术方案：一种带电绝缘子周围电场检测电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、运算放大器U1，所述电容C1的一端接电场信号AD_IN，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端分别接所述运算放大器U1的第2脚、所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端分别接所述运算放大器U1的第1脚、所述电容C2的一端，所述电容C2的另一端接输出信号AD_TEST；所述电阻R3的一端、所述电阻R4的一端分别接所述运算放大器U1的第3脚，所述电阻R3的另一端分别接3.3V电压、所述运算放大器U1的第4脚，所述电阻R4的另一端接SGND，所述运算放大器U1的第11脚接SGND。
本发明所达到的有益效果：（1）本发明针对绝缘子周围的电场信号比较微弱，不足以被检测仪CPU直接识别，通过对绝缘子周围的电场信号进行滤波、放大，再滤波处理，能够将输入信号AD_IN1设定到CPU能够识别的电压范围；本发明与现有的信号输入电压比较器相对比，电路信号处理精度高，滤波效果好，误差小，检测精度高。
附图说明
图1是本发明的电路连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
图1是本发明的电路连接示意图。本发明提出一种带电绝缘子周围电场检测电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、运算放大器U1，电容C1的一端接电场信号AD_IN，电容C1的另一端接电阻R1的一端，电容C1起到对初始信号滤波的作用；电阻R1的另一端分别接运算放大器U1的第2脚、电阻R2的一端，电阻R2的另一端分别接运算放大器U1的第1脚、电容C2的一端，电容C2的另一端接输出信号AD_TEST，电阻R1和电阻R2用于调节电路采集放大倍数,电容C2起到二次滤波的作用；电阻R3的一端、电阻R4的一端分别接运算放大器U1的第3脚，电阻R3的另一端分别接3.3V电压、运算放大器U1的第4脚，电阻R4的另一端接SGND，运算放大器U1的第11脚接SGND，电阻R3和电阻R4为运算放大器U1提供1/2的偏置电压信号。
本发明的工作原理：电场信号AD_IN1输入，通过电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和运算放大器U1进行放大，再经过电容C2进行滤波处理，剔除毛刺，得到较平滑的交流电压信号AD_TEST，再通过增加电阻对信号进行抬升变换，将信号的振幅范围控制在3.3V以内，再送至CPU进行处理。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种带电绝缘子周围电场检测电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、运算放大器U1，所述电容C1的一端接电场信号AD_IN，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端分别接所述运算放大器U1的第2脚、所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端分别接所述运算放大器U1的第1脚、所述电容C2的一端，所述电容C2的另一端接输出信号AD_TEST；所述电阻R3的一端、所述电阻R4的一端分别接所述运算放大器U1的第3脚，所述电阻R3的另一端分别接3.3V电压、所述运算放大器U1的第4脚，所述电阻R4的另一端接SGND，所述运算放大器U1的第11脚接SGND。
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