CN106329900A - 推挽mos管电压尖峰抑制电路 - Google Patents

推挽mos管电压尖峰抑制电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元，推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽变压器，第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连接，第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，推挽控制单元包括主控芯片，主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。本发明能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好。

Description

推挽MOS管电压尖峰抑制电路
技术领域
本发明涉及逆变器控制领域，特别涉及一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路。
背景技术
现有的推挽电路拓扑开关MOS管在关闭时刻，漏极到源极承受较高的电压值，该电压值由几个部分组成：两个输入电压和漏感尖峰电压，漏感尖峰电压与漏感的大小及输入侧的电流大小有关，当漏感大或者输入电流较大时，漏感尖峰电压很高，此漏感尖峰电压很容易击穿MOS管，导致MOS管损坏，从而造成逆变器整机损坏。然而，变压器不能达到完全耦合，因此漏感不可避免，传统推挽电路拓扑中不能消除因漏感电压尖峰引起的MOS管损伤。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好的推挽MOS管电压尖峰抑制电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元，所述推挽升压功率单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管和推挽变压器，所述第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地，所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，所述第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接，所述第十二MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接地，所述第十二MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的另一输出端连接，所述推挽控制单元输出PWM控制信号，所述PWM控制信号通过所述功率MOS管驱动单元控制所述第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管正常工作，并对输入的直流电进行升压后，通过所述LC谐振单元产生直流高压电，所述LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，所述漏感的一端与所述推挽变压器的次级线圈的一端连接，所述漏感的另一端与所述聚丙烯电容的一端连接，所述辅助电源单元分别与所述推挽控制单元和功率MOS管驱动单元连接、用于供电，所述推挽控制单元包括主控芯片，所述主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述LC谐振单元还包括第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第四电解电容和第一电容，所述聚丙烯电容的另一端分别与所述第五二极管的阴极和第六二极管的阳极连接，所述推挽变压器的次级线圈的另一端分别与所述第三二极管的阳极和第四二极管的阴极连接，所述第三二极管的阴极和第六二极管的阴极均与所述第四电解电容的正极连接，所述第四二极管的阳极、第五二极管的阳极和第四电解电容的负极均接电源地，所述第一电容的一端与所述第四电解电容的正极连接，所述第一电容的另一端接所述电源地。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽升压功率单元还包括第五十五电阻和第二十五电容，所述第五十五电阻的一端与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第五十五电阻的另一端与所述第二十五电容的一端连接，所述第二十五电容的另一端与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽升压功率单元还包括第六电阻、第七电阻、第九电阻、第十电阻、第七十电阻、第七十一电阻、第七十二电阻和第七十三电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第十四MOS管的栅极和第七十三电阻的一端连接，所述第七电阻的一端分别与所述第十二MOS管的栅极和第七十二电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端和第七电阻的另一端均接地，所述第七十二电阻的另一端和第七十三电阻的另一端连接，所述第九电阻的一端分别与所述第十MOS管的栅极和第七十电阻的一端连接，所述第十电阻的一端分别与所述第十一MOS管的栅极和第七十一电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端和第十电阻的另一端均接地，所述第七十电阻的另一端与所述第七十一电阻的另一端连接。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽升压功率单元还包括接线柱、第一熔断器、第一电解电容、第二电解电容和第八二极管，所述接线柱的一端通过所述第一熔断器分别与所述第二电解电容的正极和第一电解电容的正极连接，所述接线柱的另一端、第二电解电容的负极和第一电解电容的负极均接地，所述第八二极管的阴极与所述第一电解电容的正极连接，所述第八二极管的阳极接地，所述第八二极管的阴极与所述推挽变压器的初级线圈的中间抽头连接。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述功率MOS管驱动单元包括第四电阻、第五电阻、第五NPN型三极管和第一PNP型三极管，所述第五NPN型三极管的基极和第一PNP型三极管的基极均与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的一端还与所述第五电阻连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第五NPN型三极管的集电极接+12V电压，所述第五NPN型三极管的发射极和第一PNP型三极管的发射极均与所述第七十电阻的另一端连接，所述第一PNP型三极管的集电极接地。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述功率MOS管驱动单元包括第六电阻、第八电阻、第三NPN型三极管和第二PNP型三极管，所述第三NPN型三极管的基极和第二PNP型三极管的基极均与所述第八电阻的一端连接，所述第八电阻的一端还与所述第六电阻连接，所述第八电阻的另一端接地，所述第三NPN型三极管的集电极接所述+12V电压，所述第三NPN型三极管的发射极和第二PNP型三极管的发射极均与所述第七十二电阻的另一端连接，所述第二PNP型三极管的集电极接地。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽控制单元还包括第四十九电阻和第五十电阻，所述主控芯片的第十一引脚通过所述第五十电阻与所述第七十二电阻的另一端连接，所述主控芯片的第十四引脚通过所述第四十九电阻与所述第七十电阻的另一端连接。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽控制单元还包括第十六电压比较器、第十一二极管、第二十一电容、第六十电阻、第六十一电阻、第六十二电阻、第六十三电阻和第六十四电阻，所述第十六电压比较器的第二引脚与所述第十一二极管的阴极连接，所述第十一二极管的阳极分别与所述第二十一电容的一端、第六十三电阻的一端和第六十四电阻的一端连接，所述第二十一电容的另一端和第六十四电阻的另一端均与所述第十六电压比较器的第四引脚连接，所述第十六电压比较器的第三引脚分别与所述第六十一电阻的一端和第六十二电阻的一端连接，所述第六十二电阻的另一端连接参考电压，所述第十六电压比较器的第一引脚通过所述第六十电阻与所述主控芯片的第八引脚连接，所述主控芯片的第八引脚还连接测试点。
在本发明所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路中，所述推挽控制单元还包括第十七电压比较器、第四二极管、第二十二电容、第二十三电容、第六十五电阻、第六十六电阻、第六十七电阻和第一百四十一电阻，所述第四二极管的阴极与所述第十一二极管的阴极连接，所述第四二极管的阳极分别与所述第六十七电阻的一端和第一百四十一电阻的一端连接，所述第六十七电阻的另一端分别与所述第十七电压比较器的第五引脚和第六十六电阻的一端连接，所述第一百四十一电阻的另一端与所述第二十二电容的一端连接，所述第二十二电容的另一端分别与所述第六十六电阻的另一端和第六十五电阻的一端连接，所述第十七电压比较器的第四引脚与所述第十六电压比较器的第四引脚连接，所述第十七电压比较器的第八引脚与所述第二十三电容连接。
实施本发明的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，具有以下有益效果：由于利用推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元和LC谐振单元，LC谐振单元包括串接的漏感和聚丙烯电容，漏感和聚丙烯电容谐振，实现零电流关闭，由于第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管实现零电流关闭，此时漏感能量可忽略不计，因此漏感能量所引起的电压尖峰几乎为零，从而有效抑制漏感所引起的电压尖峰对MOS管的影响，电压尖峰的消除，可以提高逆变器的整体性能；这样就可以选择低压MOS管，进一步减小损耗，提高整机效率，降低逆变器的整体成本，使得电路EMC效果更好，所以其能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明推挽MOS管电压尖峰抑制电路一个实施例中的结构示意图；
图2为所述实施例中推挽升压功率单元的电路原理图；
图3为所述实施例中LC谐振单元的电路原理图；
图4为所述实施例中功率MOS管驱动单元的电路原理图；
图5为所述实施例中推挽控制单元的电路原理图；
图6为所述实施例中辅助电源单元的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明推挽MOS管电压尖峰抑制电路实施例中，该推挽MOS管电压尖峰抑制电路的结构示意图如图1所示。图1中，该推挽MOS管电压尖峰抑制电路包括推挽控制单元101、功率MOS管驱动单元102、推挽升压功率单元103、LC谐振单元104和辅助电源单元105。图1中，功率MOS管驱动单元102的一端与推挽控制单元101连接，功率MOS管驱动单元102的另一端与推挽升压功率单元103连接，LC谐振单元104与推挽升压功率单元103连接，辅助电源单元105分别与推挽控制单元101和功率MOS管驱动单元102连接、用于供电。
图2为本实施例中推挽升压功率单元的电路原理图。本实施例中，推挽升压功率单元103包括第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十四MOS管Q14和推挽变压器T1，其中，推挽变压器T1为高频变压器，第十MOS管Q10的漏极和第十一MOS管Q11的漏极均与推挽变压器T1的初级线圈的一端连接，第十MOS管Q10的源极和第十一MOS管Q11的源极均接地GND，第十MOS管Q10的栅极和第十一MOS管Q11的栅极均与功率MOS管驱动单元102的一个输出端PWM1连接，第十二MOS管Q12的漏极和第十四MOS管Q14的漏极均与推挽变压器T1的初级线圈的另一端连接，第十二MOS管Q12的源极和第十四MOS管Q14的源极均接地GND，第十二MOS管Q12的栅极和第十四MOS管Q14的栅极均与功率MOS管驱动单元102的另一输出端PWM2连接，推挽控制单元101输出PWM控制信号，该PWM控制信号控制功率MOS管驱动单元102，驱动推挽升压功率单元103实现升压过程，具体就是，功率MOS管驱动单元102在推挽控制单元101的控制下，驱动控制第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12和第十四MOS管Q14正常工作，并对输入的直流电压进行升压后，通过LC谐振单元104产生直流高压电，该直流高压电为380的直流高压电，为后级全桥逆变提供电源输入。也就是说，输入的直流电依次经过推挽升压功率单元103和LC谐振单元104后，最终升压到380VDC。
图3为本实施例中LC谐振单元的电路原理图。LC谐振单元104包括漏感L1和聚丙烯电容CBB，漏感L1的一端与推挽变压器T1的次级线圈的一端连接，漏感L1的另一端与聚丙烯电容CBB的一端连接。LC谐振单元104用于实现漏感L1和聚丙烯电容CBB谐振，谐振输出电流按正弦规律变化，同时谐振频率与推挽开关频率相同；具体是是通过调整推挽变压器T1的漏感L1与串在电路中的聚丙烯电容CBB的谐振频率，使其与推挽驱动频率相协调。也就是说，漏感L1和聚丙烯电容CBB谐振，谐振频率与推挽PWM频率相同，此时推挽变压器T1的输出电流按正弦规律变化，则推挽变压器T1的输入侧电流按正弦规律变化，流经推挽变压器T1的电流按正弦规律变化，第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12和第十四MOS管Q14的关闭时刻设定在电流过零点处，此时漏感存储能量最小，由漏感L1所引起的电压尖峰可忽略不计，第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12和第十四MOS管Q14的电压尖峰最小。
图5为本实施例中推挽控制单元的电路原理图，图5中，该推挽控制单元101包括主控芯片U15，主控芯片U15的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源V1_12V。
由于本发明消除了漏感L1引起的电压尖峰。电压尖峰很容易击穿MOS管，特别当MOS管温度较高时，此时很容易导致MOS管雪崩，从而导致逆变器整机的损坏。电压尖峰的消除可以提高逆变器的整体性能。由于电压尖峰被消除，这样就可以荀泽耐压值较低的MOS管，即低压MOS管，低压MOS管的直流损耗更小，这样就可以进一步减小损耗，提高整机效率，另外，低压MOS管的成本更低，这样就可以降低逆变器的整体成本。电压尖峰引起比较高的电压电流变化率，从而造成EMC更差，电压尖峰的消除使得电路的EMC效果更好。所以本发明能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好。
本实施例中，LC谐振单元104还包括第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第四电解电容E4和第一电容C1，聚丙烯电容CBB的另一端分别与第五二极管D5的阴极和第六二极管D6的阳极连接，推挽变压器T1的次级线圈的另一端分别与第三二极管D3的阳极和第四二极管D4的阴极连接，第三二极管D3的阴极和第六二极管D6的阴极均与第四电解电容E4的正极连接，第四二极管D4的阳极、第五二极管D5的阳极和第四电解电容E4的负极均接电源地GNDS，第一电容C1的一端与第四电解电容E4的正极连接，第一电容C1的另一端接电源地GNDS。
本实施例中，推挽升压功率单元103还包括第五十五电阻R55和第二十五电容C25，第五十五电阻R55的一端与推挽变压器T1的初级线圈的一端连接，第五十五电阻R55的另一端与第二十五电容C25的一端连接，第二十五电容C25的另一端与推挽变压器T1的初级线圈的另一端连接。
本实施例中，该推挽升压功率单元103还包括第六电阻R6、第七电阻R7、第九电阻R9、第十电阻R10、第七十电阻R70、第七十一电阻R71、第七十二电阻R72和第七十三电阻R73，第六电阻R6的一端分别与第十四MOS管Q14的栅极和第七十三电阻R73的一端连接，第七电阻R7的一端分别与第十二MOS管Q12的栅极和第七十二电阻R72的一端连接，第六电阻R6的另一端和第七电阻R7的另一端均接地GND，第七十二电阻R72的另一端和第七十三电阻R73的另一端连接，第九电阻R9的一端分别与第十MOS管Q10的栅极和第七十电阻R70的一端连接，第十电阻R10的一端分别与第十一MOS管Q11的栅极和第七十一电阻R71的一端连接，第九电阻R9的另一端和第十电阻R10的另一端均接地GND，第七十电阻R70的另一端与第七十一电阻R71的另一端连接。
上述第七十电阻R70、第七十一电阻R71、第七十二电阻R72和第七十三电阻R73均为限流电阻，用于进行过流保护。
本实施例中，该推挽升压功率单元103还包括接线柱J1、第一熔断器F1、第一电解电容E1、第二电解电容E2和第八二极管D8，接线柱J1的一端通过第一熔断器F1分别与第二电解电容E2的正极和第一电解电容E1的正极连接，接线柱的另一端、第二电解电容E2的负极和第一电解电容E1的负极均接地GND，第八二极管D8的阴极与第一电解电容E1的正极连接，第八二极管D8的阳极接地，第八二极管D8的阴极与推挽变压器T1的初级线圈的中间抽头连接。上述接线柱J1就是用于方便连接蓄电池与逆变器之间的电源线。
图4为所述实施例中功率MOS管驱动单元的电路原理图，图4中，该功率MOS管驱动单元102包括第四电阻R4、第五电阻R5、第五NPN型三极管N5和第一PNP型三极管P1，其中，第五NPN型三极管N5的基极和第一PNP型三极管P1的基极均与第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的一端还与第五电阻R5连接，第四电阻R4的另一端接地，第五NPN型三极管N5的集电极接+12V电压，第五NPN型三极管N5的发射极和第一PNP型三极管P1的发射极均与第七十电阻R70的另一端连接，第一PNP型三极管P1的集电极接地GND。上述第五电阻R5为限流电阻，用于进行过流保护。
本实施例中，该功率MOS管驱动单元102包括第六电阻R6、第八电阻R8、第三NPN型三极管N3和第二PNP型三极管P2，其中，第三NPN型三极管N3的基极和第二PNP型三极管P2的基极均与第八电阻R8的一端连接，第八电阻R8的一端还与第六电阻R6连接，第八电阻R8的另一端接地，第三NPN型三极管N3的集电极接+12V电压，第三NPN型三极管N3的发射极和第二PNP型三极管P2的发射极均与第七十二电阻R72的另一端连接，第二PNP型三极管P2的集电极接地GND。上述第六电阻为限流电阻，用于进行过流保护。
本实施例中，该推挽控制单元101还包括第四十九电阻R49和第五十电阻R50，其中，主控芯片U15的第十一引脚通过第五十电阻R50与第七十二电阻R72的另一端连接，主控芯片U15的第十四引脚通过第四十九电阻R49与第七十电阻R70的另一端连接。本实施例中，主控芯片U15是SG3525芯片，是该推挽控制单元101的主控芯片，用于输出推挽驱动信号。
本实施例中，推挽控制单元101还包括第十六电压比较器U16A、第十一二极管D11、第二十一电容C21、第六十电阻R60、第六十一电阻R61、第六十二电阻R62、第六十三电阻R63和第六十四电阻R64，其中，第十六电压比较器U16A的第二引脚与第十一二极管D11的阴极连接，第十一二极管D11的阳极分别与第二十一电容C21的一端、第六十三电阻R63的一端和第六十四电阻R64的一端连接，第二十一电容C21的另一端和第六十四电阻R64的另一端均与第十六电压比较器U16A的第四引脚连接，第十六电压比较器U16A的第三引脚分别与第六十一电阻R61的一端和第六十二电阻R62的一端连接，第六十二电阻R62的另一端连接参考电压Vref，第十六电压比较器U16A的第一引脚通过第六十电阻R60与主控芯片U15的第八引脚连接，主控芯片U15的第八引脚还连接测试点TP14。测试点TP14调电路板时所需要测试信号的点。
第十六电压比较器U16A用于过流保护。当前级电流过大时，也就是Push-pull_I端口的电压增大到超过第十六电压比较器U16A的第三引脚的电压时，第十六电压比较器U16A的第一引脚就输出0V电压，从而禁止主控芯片U15输出驱动信号，保护电路。
本实施例中，该推挽控制单元101还包括第十七电压比较器U16B、第四二极管D4、第二十二电容C22、第二十三电容C23、第六十五电阻R65、第六十六电阻R66、第六十七电阻R67和第一百四十一电阻R141，其中，第四二极管D4的阴极与第十一二极管D11的阴极连接，第四二极管D4的阳极分别与第六十七电阻R67的一端和第一百四十一电阻R141的一端连接，第六十七电阻R67的另一端分别与第十七电压比较器U16B的第五引脚和第六十六电阻R66的一端连接，第一百四十一电阻R141的另一端与第二十二电容C22的一端连接，第二十二电容C22的另一端分别与第六十六电阻R66的另一端和第六十五电阻R65的一端连接，第十七电压比较器U16B的第四引脚与第十六电压比较器U16A的第四引脚连接，第十七电压比较器U16B的第八引脚与第二十三电容C23连接。上述第十七电压比较器U16B用于欠压保护。
图6为本实施例中辅助电源单元的电路原理图，图6中，U1是辅助电源的控制芯片，其型号有多种选择，例如可以选择UC3843，用于稳定辅助电源的输出电压。J6是辅助电压模块的开关；U9是电源转换芯片，用于把12V的电源转换成3.3V的电源，给其他电路供电，其型号有多种选择，例如可以选择ACT4070。U10是线性稳压芯片，用于把12V的电源转换成3.3V，给其他电路供电，其型号有多种选择，例如可以选择NCP111-3.3V。U20是线性稳压芯片，用于把12V的电源转换成5.0V，给其他电路供电，其型号有多种选择，例如可以选择NCP111-5.0V。通过该辅助电源单元105的供电，该推挽MOS管电压尖峰抑制电路才可以正常工作。
总之，本发明通过在推挽变压器T1的输出侧串接聚丙烯电容CBB，聚丙烯电容CBB与输出的漏感L1谐振，实现零电流关闭。由于MOS管关闭实现零电流关闭，此时漏感能量可忽略不计，因此漏感能量所引起的电压尖峰几乎为零，从而有效抑制漏感所引起的电压尖峰对MOS管的影响。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元，所述推挽升压功率单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管和推挽变压器，所述第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地，所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，所述第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接，所述第十二MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接地，所述第十二MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的另一输出端连接，所述推挽控制单元输出PWM控制信号，所述PWM控制信号通过所述功率MOS管驱动单元控制所述第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管正常工作，并对输入的直流电进行升压后，通过所述LC谐振单元产生直流高压电，所述LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，所述漏感的一端与所述推挽变压器的次级线圈的一端连接，所述漏感的另一端与所述聚丙烯电容的一端连接，所述辅助电源单元分别与所述推挽控制单元和功率MOS管驱动单元连接、用于供电，所述推挽控制单元包括主控芯片，所述主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。
2.根据权利要求1所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述LC谐振单元还包括第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第四电解电容和第一电容，所述聚丙烯电容的另一端分别与所述第五二极管的阴极和第六二极管的阳极连接，所述推挽变压器的次级线圈的另一端分别与所述第三二极管的阳极和第四二极管的阴极连接，所述第三二极管的阴极和第六二极管的阴极均与所述第四电解电容的正极连接，所述第四二极管的阳极、第五二极管的阳极和第四电解电容的负极均接电源地，所述第一电容的一端与所述第四电解电容的正极连接，所述第一电容的另一端接所述电源地。
3.根据权利要求1或2所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽升压功率单元还包括第五十五电阻和第二十五电容，所述第五十五电阻的一端与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第五十五电阻的另一端与所述第二十五电容的一端连接，所述第二十五电容的另一端与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽升压功率单元还包括第六电阻、第七电阻、第九电阻、第十电阻、第七十电阻、第七十一电阻、第七十二电阻和第七十三电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第十四MOS管的栅极和第七十三电阻的一端连接，所述第七电阻的一端分别与所述第十二MOS管的栅极和第七十二电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端和第七电阻的另一端均接地，所述第七十二电阻的另一端和第七十三电阻的另一端连接，所述第九电阻的一端分别与所述第十MOS管的栅极和第七十电阻的一端连接，所述第十电阻的一端分别与所述第十一MOS管的栅极和第七十一电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端和第十电阻的另一端均接地，所述第七十电阻的另一端与所述第七十一电阻的另一端连接。
5.根据权利要求4所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽升压功率单元还包括接线柱、第一熔断器、第一电解电容、第二电解电容和第八二极管，所述接线柱的一端通过所述第一熔断器分别与所述第二电解电容的正极和第一电解电容的正极连接，所述接线柱的另一端、第二电解电容的负极和第一电解电容的负极均接地，所述第八二极管的阴极与所述第一电解电容的正极连接，所述第八二极管的阳极接地，所述第八二极管的阴极与所述推挽变压器的初级线圈的中间抽头连接。
6.根据权利要求5所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述功率MOS管驱动单元包括第四电阻、第五电阻、第五NPN型三极管和第一PNP型三极管，所述第五NPN型三极管的基极和第一PNP型三极管的基极均与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的一端还与所述第五电阻连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第五NPN型三极管的集电极接+12V电压，所述第五NPN型三极管的发射极和第一PNP型三极管的发射极均与所述第七十电阻的另一端连接，所述第一PNP型三极管的集电极接地。
7.根据权利要求6所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述功率MOS管驱动单元包括第六电阻、第八电阻、第三NPN型三极管和第二PNP型三极管，所述第三NPN型三极管的基极和第二PNP型三极管的基极均与所述第八电阻的一端连接，所述第八电阻的一端还与所述第六电阻连接，所述第八电阻的另一端接地，所述第三NPN型三极管的集电极接所述+12V电压，所述第三NPN型三极管的发射极和第二PNP型三极管的发射极均与所述第七十二电阻的另一端连接，所述第二PNP型三极管的集电极接地。
8.根据权利要求4所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽控制单元还包括第四十九电阻和第五十电阻，所述主控芯片的第十一引脚通过所述第五十电阻与所述第七十二电阻的另一端连接，所述主控芯片的第十四引脚通过所述第四十九电阻与所述第七十电阻的另一端连接。
9.根据权利要求8所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽控制单元还包括第十六电压比较器、第十一二极管、第二十一电容、第六十电阻、第六十一电阻、第六十二电阻、第六十三电阻和第六十四电阻，所述第十六电压比较器的第二引脚与所述第十一二极管的阴极连接，所述第十一二极管的阳极分别与所述第二十一电容的一端、第六十三电阻的一端和第六十四电阻的一端连接，所述第二十一电容的另一端和第六十四电阻的另一端均与所述第十六电压比较器的第四引脚连接，所述第十六电压比较器的第三引脚分别与所述第六十一电阻的一端和第六十二电阻的一端连接，所述第六十二电阻的另一端连接参考电压，所述第十六电压比较器的第一引脚通过所述第六十电阻与所述主控芯片的第八引脚连接，所述主控芯片的第八引脚还连接测试点。
10.根据权利要求9所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽控制单元还包括第十七电压比较器、第四二极管、第二十二电容、第二十三电容、第六十五电阻、第六十六电阻、第六十七电阻和第一百四十一电阻，所述第四二极管的阴极与所述第十一二极管的阴极连接，所述第四二极管的阳极分别与所述第六十七电阻的一端和第一百四十一电阻的一端连接，所述第六十七电阻的另一端分别与所述第十七电压比较器的第五引脚和第六十六电阻的一端连接，所述第一百四十一电阻的另一端与所述第二十二电容的一端连接，所述第二十二电容的另一端分别与所述第六十六电阻的另一端和第六十五电阻的一端连接，所述第十七电压比较器的第四引脚与所述第十六电压比较器的第四引脚连接，所述第十七电压比较器的第八引脚与所述第二十三电容连接。
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