CN106326138A - 闪存及闪存内部数据的存取控制方法 - Google Patents

闪存及闪存内部数据的存取控制方法 Download PDF

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Abstract

在本发明公开的闪存中,存储器本体存储第一数据及第一数据的第一地址,数据组单元存储第二数据,地址表单元存储第二数据在存储器本体的第二地址。控制模块判断访问地址是匹配第一地址还是第二地址,若访问地址匹配第一地址,控制模块根据存储器存取控制逻辑读取第一数据。若访问地址匹配第二地址,控制模块直接读取第二数据。上述闪存中,对于第二数据,控制模块能够快速读取,不仅使嵌入式系统读取闪存数据的速度得到提升,同时,还能减少外部系统和存储器本体的直接交互,减少数据中转次数和过程长度,减少数据传输的出错概率。本发明还公开一种内存内部数据的存取控制方法。

Description

闪存及闪存内部数据的存取控制方法
技术领域
本发明涉及数据存取领域,更具体而言,涉及一种闪存及一种闪存内部数据的存取控制方法。
背景技术
嵌入式系统的内部闪存的存取速度和存取空间利用率往往限制了嵌入式系统的性能和效率,高效的闪存数据存取控制方法能够大幅提高系统程序运行和数据处理的效率指标。当前嵌入式系统中闪存的数据存取控制方法普遍统一,即依据闪存存储器本身的存取时序特性,设计相应的存储器存取时序控制逻辑,进行一般的存取读写操作;该数据存取时序尽量设计为存储器要求的时序时间花费的最小值,以提高存储器访问效率。或者,在相对存取速度较低的闪存存储器外部增加缓存逻辑,使一次闪存数据的存取操作能存取多笔数据,使得该笔数据之后的多笔存取操作仅借助缓存快速实现,已达到提高闪存存取效率的目的。
但是,上述闪存数据的存取控制方式,具有一定的不足之处:其中当前控制方式的效率依赖于闪存存储器本体的时序控制特性,最快访问速度也必须满足存储器本身的最小访问时间要求;同时,使用缓存方式来提高系统的存取速度,需要额外的数据缓存控制算法和额外的缓存存储空间,而且缓存控制算法的不当反而会有存取效率降低的可能。进一步地,上述控制方法在一定程度上限制了闪存存储器存储空间的有效利用,并没有根据闪存数据的存储特性高效地利用闪存存储空间。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明需要提供一种闪存及一种闪存内部数据的存取控制方法。
一种闪存,包括存储器本体、地址表单元、数据组单元及控制模块,该存储器本体用于存储第一数据及该第一数据的第一地址,该数据组单元用于存储第二数据,该地址表单元存储该第二数据在该存储器本体的第二地址;
该控制模块用于判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,该控制模块用于根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据。若该访问地址匹配该第二地址,该控制模块用于直接读取该第二数据。
上述闪存中,对于第二数据,控制模块能够快速读取,不仅使嵌入式系统读取闪存数据的速度得到提升,同时,还能减少外部系统和存储器本体的直接交互,减少数据中转次数和过程长度,减少数据传输的出错概率。
在一个实施方式中,该控制模块包括地址判断单元及数据导出控制单元,该地址判断单元用于接收该访问地址及判断该访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址。该数据导出控制单元用于直接读取该第二数据及根据该存储器存取控制逻辑读取该第一数据。
在一个实施方式中,该存储器本体用于存储第三数据及该第三数据的第三地址,该第三地址为该第二地址的镜像地址,该第三数据是该存储器本体释放该第二数据后的存储空间所存储的数据。该控制模块用于判断该访问地址是否匹配该第三地址。若是,该控制模块用于根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。
在一个实施方式中,该第二数据的数量大于该第一数据的数量,及大于该第三数据的数量。
在一个实施方式中,该第二数据为数据值出现次数最多的数据。
一种闪存内部数据的存取控制方法,该内存包括存储器本体、地址表单元、数据组单元及控制模块,该存储器本体用于存储第一数据及该第一数据的第一地址,该数据组单元用于存储第二数据,该地址表单元存储该第二数据在该存储器本体的第二地址。该闪存内部数据的存取控制方法包括以下步骤:
S1:该控制模块判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,进入步骤S2,若该访问地址匹配该第二地址,进入步骤S3;
S2:该控制模块根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
S3:该控制模块直接读取该第二数据。
上述控制方法中,对于第二数据,控制模块能够快速读取,不仅使嵌入式系统读取闪存数据的速度得到提升,同时,还能减少外部系统和存储器本体的直接交互,减少数据中转次数和过程长度,减少数据传输的出错概率。
在一个实施方式中,该控制模块包括地址判断单元及数据导出控制单元,步骤S1包括:该地址判断单元接收该访问地址及判断该访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址;
步骤S2包括:该数据导出控制单元根据该存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
步骤S3包括:该数据导出控制单元直接读取该第二数据。
在一个实施方式中,该存储器本体用于存储第三数据及该第三数据的第三地址,该第三地址为该第二地址的镜像地址,该第三数据是该存储器本体释放该第二数据后的存储空间所存储的数据。
步骤S1包括:该控制模块判断该访问地址是否匹配该第三地址,若该访问地址匹配该第三地址,进入步骤S4;
S4:该控制模块根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。
在一个实施方式中,该第二数据的数量大于该第一数据的数量,及大于该第三数据的数量。
在一个实施方式中,该第二数据为数据值出现次数最多的数据。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明较佳实施方式的内存的模块示意图;及
图2是本发明较佳实施方式的内存内部数据的存取控制方法的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语″第一″、″第二″仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有″第一″、″第二″的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,″多个″的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语″安装″、″相连″、″连接″应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设定进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设定之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参图1,本发明较佳实施方式的闪存100包括存储器本体102、地址表单元104、数据组单元106及控制模块108。
该存储器本体102用于存储第一数据及该第一数据的第一地址,该数据组单元106用于存储第二数据,该地址表单元104存储该第二数据在该存储器本体102的第二地址。
具体地,对于基于嵌入式系统的内部闪存数据存取和地址访问特性的分析,闪存的存储器本体102的内部数据每8位组成一个字节(Byte),该字节对应嵌入式系统内部的一个访问地址。对于8位的数据存取,其数据值范围为0~255,共256个数值,即该256个数值构成256Bytes的存储空间。故当闪存100的存储空间大于256Bytes时,其内部存取的8位数据中,必有相同的数据。而目前嵌入式系统的闪存100的存储空间远远大于256Bytes,故在该情况下,存储器本体102每一个地址对应的存储空间中必然存在着许多相同的数据(一般来说,存储空间大小为8Kbytes、16Kbytes、32KBytes或1MBytes等等)。
当存储至存储器本体102中的软件程序确定后,其中的二进制数据也随之确定。根据上述特性,外部控制器(如单片机)则将存储器本体102中所有存在的Byte数据进行比较判断,将Byte数据进行统计,得出存储至存储器本体102中的Byte数据相同的数据值及所对应的数量,并将该相同数据值数量最多的Byte数据存储在数据组单元106。同时对于该Byte数据所对应的存取地址进行记录,并存储在地址表单元104。此时,本实施方式的内存100建立了一个对应关系,即地址表单元104中的一个存取地址对应的存储器本体102中的Byte数据均相同,并且等于该存取地址对应的数据组单元106中的数据值。
例如,当外部系统发出对地址表单元104中的任意一个存取地址进行读取访问时,控制模块108将立即把数据组单元106中的数据值发送至外部系统,控制模块108并不需要通过存储器存取控制逻辑读取数据而是直接读取数据组单元106,控制模块108以较快速度得到所需要读取的数据。
因此,第二数据可为数据值出现次数最多的数据,第一数据为其它数据。
该控制模块108用于判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,该控制模块108用于根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据。若该访问地址匹配该第二地址,该控制模块108用于直接读取该第二数据。
具体地,该控制模块108包括地址判断单元110及数据导出控制单元112,该地址判断单元110用于接收访问地址及判断该访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址。该数据导出控制单元112用于直接读取该第二数据及根据该存储器存取控制逻辑读取该第一数据。
由上可知,由于本实施方式中,第二数据是数据值数量最多的数据,比第一数据的数量要多,读取第二数据的发生概率大于读取第一数据的发生概论。也就是说,相同数据越多,直接读取越有可能发生,读取效率越会相对提高。
进一步地,该存储器本体102用于存储第三数据及该第三数据的第三地址,该第三地址为该第二地址的镜像地址,该第三数据是该存储器本体102释放该第二数据后的存储空间所存储的数据。该控制模块108用于判断该访问地址是否匹配该第三地址。若是,该数据导出控制单元112用于根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。第二数据的数量大于第三数据的数量。
具体地,第三地址为第二地址的镜像地址,镜像地址由第二地址与镜像偏移量的地址组成。由于地址表单元104中的一个存取地址所对应的数据均相同,并且这些数据(第二数据)已经保存至数据组单元106中。故此时,存储器本体102的实际存储空间均可被释放用于其它数据(第三数据)的保存,有效提供了存储器的可用空间。
同时,由于这些实际的存储空间对应的存取地址已经被包含在地址表单元104中,故需要使用镜像地址才能访问到这些实际的闪存存储空间。故,本实施方式的存储器本体102包括与实际存储地址空间相匹配的镜像地址空间,当外部系统需要对这些释放后的存取空间进行操作时,例如从存储器本体102读取第三数据或将第三数据存储在存储器本体中,发出第三地址(即实际地址+镜像偏移量的地址)命令即可完成存取操作。如此,可使得闪存存储空间得以有效的利用,扩大了闪存的可用空间。
例如,对于如图1所示的内存中,存储器本体102的存储空间大小远远大于256Bytes,存储器本体102由8位数据的数据单位组成,即Byte格式。每一个本体地址对应存储空间的一个Byte,对于本体地址对应的数据存储在数据组单元106来说,该本体地址为第二地址;对于本体地址对应的数据存储在存储器本体102来说,该本体地址为第一地址。同时,由于地址表单元104存储第二地址,故需要利用镜像地址对释放的存储空间进行相应操作,每一个镜像地址也对应存储空间的一个Byte,镜像地址=本体地址+镜像偏移量的地址。
当所需存储的软件程序确定后,相应的存至内存中的二进制代码随之确定。此时外部控制器(如单片机)可分析其中存储的二进制数据,以8位数据为一组数据单位,即Byte,统计存储器本体102中所有Byte,得出出现数据值最多的几种数据(例如3种数据:0x28、0xa1和0x0f),并将这3种数据存储在数据组单元106中,其分别为数据1(例如0x28)、数据2(例如0xa1)和数据3(例如0x0f)。同时,外部控制器在内存的地址表单元104中存储3组地址表,分别为地址表1、地址表2和地址表3;地址表1保存存储器本体102的存取地址空间中数据1出现的地址,地址表2保存存储器本体102的存取地址空间中数据2出现的地址,地址表3保存存储器本体102的存取地址空间中数据3出现的地址。至此,完成数据统计。
当外部系统发出访问地址需要读取内存中与访问地址对应的数据时,地址判断单元110接收到该访问地址,并做出判断:
1.当访问地址匹配第一地址时,数据导出控制单元112根据存储器存取控制逻辑进行读取操作,如通过正常的存储器存取时序进行读取操作,将访问地址进行译码,生成相应的存储器控制命令,调出存储至存储器本体102中的相应地址对应的数据并送出。访问时间满足存储器本体102的操作时间要求;
2.当访问地址匹配第二地址中的地址表1的地址时,地址判断单元110将立即发出第一直接数据导出控制信号到数据组单元106,数据导出控制单元112立即送出数据1至外部系统,此过程不经过任何存储器控制流程,大幅节省数据读取时间;
3.当访问地址匹配第二地址的地址表2的地址时,地址判断单元110将立即发出第二直接数据导出控制信号到数据组单元106,数据导出控制单元112立即送出数据2至外部系统,此过程不经过任何存储器控制流程,大幅节省数据读取时间;
4.当访问地址匹配第二地址的地址表3中的地址时,地址判断单元110将立即发出第三直接数据导出控制信号到数据组单元106,数据导出控制单元112立即送出数据3至外部系统,此过程不经过任何存储器控制流程,大幅节省数据读取时间;
上述2至4共3种情况的发生概率取决于数据1、数据2和数据3占整个存储器本体102存储空间多少的比例,相同数据越多,直接读取越有可能发生,读取效率越会相比提高。
因此,当内存运作时,数据1、数据2和数据3的读取完全通过地址表单元104和数据组单元106完成;故存储器本体102中实际存储数据1、数据2和数据3的存储空间(即地址表1、地址表2和地址表3中保存的所有地址组成的空间)均可被释放用于其它数据(包括功能指令)的存储。
访问这些存储空间时需要另外的地址指向,即镜像地址(第三地址),外部系统发出的访问地址匹配镜像地址时,数据导出控制单元112根据存储器存取控制逻辑,将访问地址译码自动指向原先实际本体地址指向的存储空间,并可完成存取操作。如此,能够扩大了内存的可用空间,将用于地址表单元104的地址表1、地址表2和地址表3的地址所对应的存储空间进行再次数据存取,提高内存100的空间利用率。
例如当存储器本体102的本地地址为0x1、0x7和0xf的存储空间中数据相同,并为数据1。此时的本体地址为第二地址;
1.存储器本体102的0x1、0x7和0xf的存储空间将被释放,其数据已经保存在数据组单元106的数据1中,并用于直接读取操作;
2.镜像地址偏移量如为0xF000,则当前本体地址为0x1、0x7和0xf的存储空间,镜像地址分别为:0xF001、0xF007和0xF00f;
3.若利用本体地址0x1的存储空间,用于存储新数据A(第三数据),则外部控制器发出写命令至地址0xF001,即实现新数据A在本体地址0x1的存储;同时若要读取本体地址0x1的数据A,外部控制器发出读命令至地址0xF001,即实现新对本体地址0x1的数据A读取;
4.若利用本体地址0x7的存储空间,用于存储新数据B,则外部控制器发出写命令至地址0xF007,即实现新数据B在本体地址0x7的存储;同时若要读取本体地址0x7的数据B,外部控制器发出读命令至地址0xF007,即实现新对本体地址0x7的数据B读取;
5.对于0xf的存储空间操作可参以上说明。
因此,这样能扩大了内存的可用空间,将用于地址表单元104的地址表1、地址表2和地址表3的地址所对应的存储空间进行再次数据存取,提高内存的空间利用率。
综上所述,上述闪存100中,对于第二数据,控制模块108能够直接读取,不仅使嵌入式系统读取闪存数据的速度得到提升,同时,还能减少外部系统和存储器本体102的直接交互,减少数据中转次数和过程长度,减少数据传输的出错概率。
进一步地,由于内存100利用镜像地址来存储更多数据,因此这样能够使得闪存100存储空间得以有效的利用,扩大了闪存的可用空间。
请参图2,本发明较佳实施方式提供一种闪存内部数据的存取控制方法。本实施方式的内存内部数据的存取控制方法可由以上实施方式的内存100实现。
该闪存内部数据的存取控制方法包括以下步骤:
S1:该控制模块108判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,进入步骤S2,若该访问地址匹配该第二地址,进入步骤S3;
S2:该控制模块108根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
S3:该控制模块108直接读取该第二数据。
在步骤S1中,本实施方式中,控制模块108包括地址判断单元110及数据导出控制单元112。当外部系统发送访问地址时,地址判断单元110接收访问地址并判断访问地址是匹配第一地址还是第二地址。
在步骤S2中,当访问地址匹配第一地址时,数据导出控制单元112根据存储器存取控制逻辑进行读取操作,如通过正常的存储器存取时序进行读取操作,将访问地址进行译码,生成相应的存储器控制命令,调出存储至存储器本体102中的相应地址对应的数据并送出。访问时间满足存储器本体102的操作时间要求。
在步骤S3中,当访问地址匹配第二地址时,地址判断单元110将立即发出直接数据导出控制信号到数据组单元106,数据导出控制单元112立即送出第二地址对应的数据至外部系统,此过程不经过任何存储器控制流程,大幅节省数据读取时间。
进一步地,步骤S1包括:该控制模块108判断该访问地址是否匹配第三地址,若该访问地址匹配该第三地址,进入步骤S4;
S4:该控制模块108根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。
具体地,第三地址为第二地址的镜像地址,镜像地址由第二地址与镜像偏移量的地址组成。由于地址表单元104中的一个存取地址所对应的数据均相同,并且这些数据(第二数据)已经保存至数据组单元106中,故此时,存储器本体102的实际闪存存储空间均可被释放用于其它数据(第三数据)的保存,有效提供了存储器的可用空间。同时,由于这些实际的存储空间对应的存取地址已经被包含在地址表单元104中,故需要使用镜像地址才能访问到这些实际的闪存存储空间。本实施方式的存储器本体102包括与实际存储地址空间相匹配的镜像地址空间,当外部系统需要对这些释放后的存储器存取空间进行操作时,例如从存储器本体102读取第三数据或将第三数据存储在存储器本体中,发出第三地址(即实际地址+镜像偏移量的地址)命令即可完成访问操作。如此,可使得闪存的存储空间得以有效的利用,扩大了闪存的可用空间。
本实施方式的内存内部数据的存取控制方法未展开的其它部分,可参考以上实施方式的内存100相关部分的说明,在此不再详细展开。
综上所述,上述闪存内部数据的存取控制方法中,对于第二数据,控制模块108能够直接读取,不仅使嵌入式系统读取闪存数据的速度得到提升,同时,还能减少外部系统和存储器本体的直接交互,减少数据中转次数和过程长度,减少数据传输的出错概率。
进一步地,由于该控制方法利用镜像地址来存储更多数据,因此这样能够使得闪存的存储空间得以有效的利用,扩大了闪存的可用空间。
在本说明书的描述中,参考术语″一个实施方式″、″一些实施方式″、″示意性实施方式″、″示例″、″具体示例″、或″一些示例″等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
此外,术语″第一″、″第二″仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有″第一″、″第二″的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,″多个″的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤,例如,可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表,可以具体实现在任何计算机可读介质中,以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用,或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言,″计算机可读介质″可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下:具有一个或多个布线的电连接部(电子装置),便携式计算机盘盒(磁装置),随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器),光纤装置,以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外,计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质,因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描,接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序,然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解,本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,该程序在执行时,包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种闪存,其特征在于,包括存储器本体、地址表单元、数据组单元及控制模块,该存储器本体用于存储第一数据及该第一数据的第一地址,该数据组单元用于存储第二数据,该地址表单元存储该第二数据在该存储器本体的第二地址;
该控制模块用于判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,该控制模块用于根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
若该访问地址匹配该第二地址,该控制模块用于直接读取该第二数据。
2.如权利要求1所述的闪存,其特征在于,该控制模块包括地址判断单元及数据导出控制单元,该地址判断单元用于接收该访问地址及判断该访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址;
该数据导出控制单元用于直接读取该第二数据及根据该存储器存取控制逻辑读取该第一数据。
3.如权利要求1所述的闪存,其特征在于,该存储器本体用于存储第三数据及该第三数据的第三地址,该第三地址为该第二地址的镜像地址,该第三数据是该存储器本体释放该第二数据后的存储空间所存储的数据;
该控制模块用于判断该访问地址是否匹配该第三地址;
若是,该控制模块用于根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。
4.如权利要求3所述的闪存,其特征在于,该第二数据的数量大于该第一数据的数量,及大于该第三数据的数量。
5.如权利要求4所述的闪存,其特征在于,该第二数据为数据值出现次数最多的数据。
6.一种闪存内部数据的存取控制方法,该内存包括存储器本体、地址表单元、数据组单元及控制模块,该存储器本体用于存储第一数据及该第一数据的第一地址,该数据组单元用于存储第二数据,该地址表单元存储该第二数据在该存储器本体的第二地址,其特征在于,该闪存内部数据的存取控制方法包括以下步骤:
S1:该控制模块判断访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址,若该访问地址匹配该第一地址,进入步骤S2,若该访问地址匹配该第二地址,进入步骤S3;
S2:该控制模块根据存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
S3:该控制模块直接读取该第二数据。
7.如权利要求6所述的闪存内部数据的存取控制方法,其特征在于,该控制模块包括地址判断单元及数据导出控制单元;
步骤S1包括:该地址判断单元接收该访问地址及判断该访问地址是匹配该第一地址还是该第二地址;
步骤S2包括:该数据导出控制单元根据该存储器存取控制逻辑读取该第一数据;
步骤S3包括:该数据导出控制单元直接读取该第二数据。
8.如权利要求6所述的闪存内部数据的存取控制方法,其特征在于,该存储器本体用于存储第三数据及该第三数据的第三地址,该第三地址为该第二地址的镜像地址,该第三数据是该存储器本体释放该第二数据后的存储空间所存储的数据;
步骤S1包括:该控制模块判断该访问地址是否匹配该第三地址,若该访问地址匹配该第三地址,进入步骤S4;
S4:该控制模块根据该存储器存取控制逻辑存储或读取该第三数据。
9.如权利要求8所述的闪存内部数据的存取控制方法,其特征在于,该第二数据的数量大于该第一数据的数量,及大于该第三数据的数量。
10.如权利要求9所述的闪存内部数据的存取控制方法,其特征在于,该第二数据为数据值出现次数最多的数据。
CN201510386762.4A 2015-07-03 2015-07-03 闪存及闪存内部数据的存取控制方法 Active CN106326138B (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109144907A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 北京忆芯科技有限公司 实现快速读取的方法及介质接口控制器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394715B1 (en) * 2006-01-11 2008-07-01 Mediatek Inc. Memory system comprising memories with different capacities and storing and reading method thereof
CN101251794A (zh) * 2008-03-05 2008-08-27 钰创科技股份有限公司 记载的内存数据读取系统及其方法
CN101354641A (zh) * 2008-08-20 2009-01-28 炬力集成电路设计有限公司 一种外部存储器的访问控制方法及访问控制装置
CN101828172A (zh) * 2007-10-17 2010-09-08 美光科技公司 串行接口nand
CN103403667A (zh) * 2012-12-19 2013-11-20 华为技术有限公司 数据处理方法和设备
CN103905479A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 联想(北京)有限公司 一种数据上传的方法、信息处理的方法及电子设备
JP2014203381A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 Necカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 記憶装置とその制御方法、および、プログラム
CN104142892A (zh) * 2013-05-09 2014-11-12 华为技术有限公司 一种数据读写方法、装置及系统
CN104956313A (zh) * 2013-01-29 2015-09-30 马维尔国际贸易有限公司 用于基于数据分类将数据存储至固态存储设备的方法和装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394715B1 (en) * 2006-01-11 2008-07-01 Mediatek Inc. Memory system comprising memories with different capacities and storing and reading method thereof
CN101828172A (zh) * 2007-10-17 2010-09-08 美光科技公司 串行接口nand
CN101251794A (zh) * 2008-03-05 2008-08-27 钰创科技股份有限公司 记载的内存数据读取系统及其方法
CN101354641A (zh) * 2008-08-20 2009-01-28 炬力集成电路设计有限公司 一种外部存储器的访问控制方法及访问控制装置
CN103403667A (zh) * 2012-12-19 2013-11-20 华为技术有限公司 数据处理方法和设备
CN103905479A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 联想(北京)有限公司 一种数据上传的方法、信息处理的方法及电子设备
CN104956313A (zh) * 2013-01-29 2015-09-30 马维尔国际贸易有限公司 用于基于数据分类将数据存储至固态存储设备的方法和装置
JP2014203381A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 Necカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 記憶装置とその制御方法、および、プログラム
CN104142892A (zh) * 2013-05-09 2014-11-12 华为技术有限公司 一种数据读写方法、装置及系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109144907A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 北京忆芯科技有限公司 实现快速读取的方法及介质接口控制器
CN109144907B (zh) * 2017-06-27 2021-08-10 北京忆芯科技有限公司 实现快速读取的方法及介质接口控制器

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