CN106310391B - 一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，包括钢针本体、CuO材料层和SiO2材料层，CuO材料层和SiO2材料层顺序覆盖在钢针本体除两端之外的针身上。本发明还提供该针身绝缘钢针的制备方法。本发明的针身绝缘钢针能够精准的对穴位不同层次行电刺激针灸技术，精确采集穴位不同解剖层次场电位，有助于明确经络、穴位特异性机制。本发明针身绝缘钢针的制备方法具有简便、易操控、成功率高等特点，制备出的钢针针身绝缘性能良好且稳定，兼具延展性和粘附性好的特点，能够满足精准对穴位不同层次行电刺激针灸技术的需求。

Description

一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针及其制造方法
技术领域
本发明涉及中医针灸学和纳米材料学领域，涉及一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针及其制造方法。
背景技术
针灸技术是中医临床医疗中重要的治疗手段，其针刺技术中最常用的针法为：使用特制的金属针，按一定穴位，刺入患者体内，运用操作手法以达到治病的目的。本专利中所述针灸专指中医学中的针刺技术。
现代生理学研究表明，在针灸治疗中外加刺激必须达到一定的强度，才能引起细胞的兴奋或产生动作电位，即，足够的刺激强度是引起细胞兴奋的基本条件。基于此，现代针灸技术已经发展出多种技术方法以增强针灸效果，如电针法、电火针法、微波针法、穴位激光照射法等，均已获得应用并取得实际疗效。临床中，目前最常用的现代针灸技术为电针法，其依赖电流的作用来兴奋穴位组织。
基于对穴位不同解剖层次进行刺激可产生不同治疗作用，针灸学院士程莘农教授提出了穴位三才(天、人、地)概念，用现代解剖学解释为穴位浅、中、深层，浅层为浅筋膜，中层为肌肉，深层为骨膜和神经层。
但是，由于现有普通针灸用钢针针体均为导体，从而导致在对穴位进行电刺激过程中，电流在未达到既定穴位层次时即出现大量电荷被传输到人体其他部位，进而影响疗效，特别是在需要进行精准神经刺激的针灸技术中(如：蝶腭神经节刺激技术治疗变应性鼻炎、副鼻窦炎；骶神经刺激技术治疗膀胱疼痛综合症、神经源性膀胱、非梗阻性尿潴留、膀胱过度活动症等；醒脑开窍技术治疗卒中----中风)，该问题尤为突出，亟待解决。
同时，在经络穴位基础性研究中，一项重要技术手段是将针灸钢针刺入人体穴位后连接数据线，进而采集穴位不同解剖层次场电位。但因普通针灸刚针针体均为导体，不能精确说明所采集的场电位数据究竟来自那一层穴位组织，因而不能进一步明确解释临床疗效作用机制。
为提高临床疗效，实现精准对穴位不同层次行电刺激针灸技术，精确采集穴位不同解剖层次场电位，明确经络、穴位特异性机制，减少钢针针身部位外导电流成为临床工作及基础研究的迫切需要，故有必要对钢针针体进行改进。
发明内容
本发明的提供一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，包括钢针本体、CuO材料层和SiO2材料层，CuO材料层和SiO2材料层顺序覆盖在钢针本体除两端之外的针身上。
进一步，所述材料层为纳米膜。
进一步，所述的CuO纳米膜的厚度为10～30nm，优选为15-25nm。
进一步，所述的SiO2纳米膜的厚度为20～150nm，优选为30-100nm，还优选为50-90nm。
本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，是以CuO纳米膜作为溅射SiO2纳米膜时的基底物质，一般可使所SiO2纳米膜分布更均匀和稳定，进一步减少钢针针身部位外导电流，从而能够精准的对穴位不同层次行电刺激针灸技术，精确采集穴位不同解剖层次场电位，有助于明确经络、穴位特异性机制。
本发明还提供一种如上所述的针身绝缘钢针的制备方法，采用溅射法在所述钢针本体的针身上形成CuO纳米膜和SiO2纳米膜，
将钢针本体固定于磁控溅射仪中的样品板上，遮蔽钢针本体的两端，将CuO和SiO2靶材分别置于两个靶腔中；
在针身上溅射得到CuO纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.2～1.1Pa(例如0.5Pa)，直流电功率为55～120W(优选100-120W)；
然后，在表面修饰有CuO纳米膜的钢针上溅射制备得到SiO2纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.03～1.0Pa，直流电功率为55～120W(优选80-95W)。
进一步，所述的钢针本体与CuO和SiO2靶材之间的距离为80～550mm，优选100-400nm，例如300nm。
进一步，所述的磁控溅射仪中的主控室的压力为2×10-7～3×10-3Pa，优选为1×10-6～1×10-5Pa。
进一步，所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜及制备SiO2纳米膜时的溅射温度为20～350℃，例如40-100℃。
进一步，所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜时的溅射时间为20～200s，优选40-100s，例如50s或82s。
进一步，所述的磁控溅射仪在制备SiO2纳米膜时的溅射时间为60～600s，优选500-600s，例如550s。
本发明针身绝缘钢针的制备方法具有简便、易操控、成功率高等特点，制备出的钢针针身绝缘性能良好且稳定，兼具延展性和粘附性好的特点，能够满足精准对穴位不同层次行电刺激针灸技术的需求。
附图说明
图1是本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针的示意图；
图2是图1所示的针身绝缘钢针沿A-A方向的截面图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进一步详细说明。但本领域技术人员知晓，本发明并不局限于以下实施例。
如图1、2所示，本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针包括钢针本体1、CuO纳米膜2和SiO2纳米膜3，CuO纳米膜和SiO2纳米膜顺序覆盖在钢针本体除两端之外的针身11上。所述的CuO纳米膜2的厚度为10～30nm，所述的SiO2纳米膜3的厚度为20～150nm。由于CuO和SiO2材料的导电性极差，因此能够用作本发明的绝缘层材料。采用纳米膜能够进一步的提高各材料的分布，能够使得绝缘性能更为稳定。本发明在钢针本体两端未覆盖CuO纳米膜和SiO2纳米膜，从而可以在钢针本体一端12施加外加电流，通过钢针尖端13对穴位不同层次行电刺激。
以下对本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针的制造方法进行说明。
实施例1
将清洁后的钢针本体固定于磁控溅射仪中的样品板上，将CuO和SiO2靶材分别置于磁控溅射仪中的2个靶腔中，钢针本体与CuO和SiO2靶材之间的距离均为300mm，磁控溅射仪中的主控室的压力为1×10-6Pa，对钢针本体两端采用遮蔽处理，使得CuO和SiO2靶材不会溅射到钢针本体两端。首先，在钢针上溅射制备得到CuO纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在氩气保护下，工作压力为0.5Pa，直流电功率为100W，溅射温度为40℃，溅射时间为50s；然后，立即在表面已覆盖CuO纳米膜的钢针上溅射制备得到SiO2纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在氩气保护下，工作压力为1Pa，直流电功率为80W，溅射温度为40℃，溅射时间为550s。
从而最终得到本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，在钢针本体的针身表面覆盖有厚度为10nm的CuO纳米膜，在CuO纳米膜外侧覆盖有厚度为50nm的SiO2纳米膜。
实施例2
将清洗后的钢针固定于磁控溅射仪中的样品板上，将CuO和SiO2靶材分别置于磁控溅射仪中的2个靶腔中，钢针本体与CuO和SiO2靶材之间的距离均为300mm，磁控溅射仪中的主控室的压力为5×10-6Pa，对钢针本体两端采用遮蔽处理，使得CuO和SiO2靶材不会溅射到钢针本体两端。首先，在钢针上溅射制备得到CuO纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在氩气保护下，工作压力为0.5Pa，直流电功率为120W，溅射温度为40℃，溅射时间为82s；然后，立即在表面已覆盖CuO纳米膜的钢针上溅射制备得到SiO2纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在氩气保护下，工作压力为1Pa，直流电功率为95W，溅射温度为40℃，溅射时间为600s。
从而最终得到本发明的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，在钢针本体的针身表面覆盖有厚度为16nm的CuO纳米膜，在CuO纳米膜外侧覆盖有厚度为90nm的SiO2纳米膜。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，包括钢针本体，其特征在于：还包括CuO材料层和SiO2材料层，CuO材料层和SiO2材料层顺序覆盖在钢针本体除两端之外的针身上。
2.如权利要求1所述的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，其特征在于：所述材料层为纳米膜。
3.如权利要求2所述的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，其特征在于：所述的CuO纳米膜的厚度为10～30nm。
4.如权利要求3所述的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，其特征在于：所述的CuO纳米膜的厚度为15-25nm。
5.如权利要求2所述的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，其特征在于：所述的SiO2纳米膜的厚度为20～150nm。
6.如权利要求5所述的用于行电刺激针灸技术的针身绝缘钢针，其特征在于：所述的SiO2纳米膜的厚度为50-90nm。
7.一种如权利要求1～6任一项所述的针身绝缘钢针的制备方法，其特征在于：采用溅射法在所述钢针本体的针身上形成CuO纳米膜和SiO2纳米膜，
将钢针本体固定于磁控溅射仪中的样品板上，遮蔽钢针本体的两端，将CuO和SiO2靶材分别置于两个靶腔中；
在针身上溅射得到CuO纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.2～1.1Pa，直流电功率为55～120W；
然后，在表面修饰有CuO纳米膜的钢针上溅射制备得到SiO2纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.03～1.0Pa，直流电功率为55～120W。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：其中，在针身上溅射得到CuO纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.5Pa，直流电功率为100-120W。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：其中，在表面修饰有CuO纳米膜的钢针上溅射制备得到SiO2纳米膜，磁控溅射仪的工作条件为：在惰性气体保护下，工作压力为0.03～1.0Pa，直流电功率为80-95W。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的钢针本体与CuO和SiO2靶材之间的距离为80～550mm。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述的钢针本体与CuO和SiO2靶材之间的距离为100-400nm。
12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪中的主控室的压力为2×10-7～3×10-3Pa。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪中的主控室的压力为1×10-6～1×10-5Pa。
14.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜及制备SiO2纳米膜时的溅射温度为20～350℃。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜及制备SiO2纳米膜时的溅射温度为40-100℃。
16.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜时的溅射时间为20～200s。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备CuO纳米膜时的溅射时间为40-100s。
18.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备SiO2纳米膜时的溅射时间为60～600s。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射仪在制备SiO2纳米膜时的溅射时间为500-600s。
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