CN106299044B - 一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106299044B CN106299044B CN201610846294.9A CN201610846294A CN106299044B CN 106299044 B CN106299044 B CN 106299044B CN 201610846294 A CN201610846294 A CN 201610846294A CN 106299044 B CN106299044 B CN 106299044B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible
- substrate
- film
- transparent
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 37
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 25
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 9
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 claims description 4
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 3
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical class COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical class CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical class ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical class ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- RMSGQZDGSZOJMU-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-2-phenylbenzene Chemical group CCCCC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 RMSGQZDGSZOJMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDQRQJVPEFGVRK-UHFFFAOYSA-N 2,1,3-benzothiadiazole Chemical class C1=CC=CC2=NSN=C21 PDQRQJVPEFGVRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YLIAWYPQYFNYRS-UHFFFAOYSA-N C#C.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 Chemical group C#C.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 YLIAWYPQYFNYRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004481 Ta2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006266 Vinyl film Polymers 0.000 description 1
- 229910003090 WSe2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical class ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical class C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N tellanylideneantimony Chemical compound [Te]=[Sb] DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Te] PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法，包括包括柔性透明导电衬底、位于所述柔性透明导电衬底上方的第一柔性透明绝缘衬底、位于第一柔性透明绝缘衬底上方的第二柔性透明绝缘衬底；所述第一柔性透明绝缘衬底上分布有若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽，所述第二柔性透明绝缘衬底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置，使第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底无缝拼接。本发明的印刷用柔性衬底，不仅解决了打印像素点的纵向边缘不整齐，以及每个像素点封装难度大、要求抽真空条件高的问题，同时有效减弱因光散射造成电流效率低于实际电流效率的影响等问题。
Description
技术领域
本发明涉及柔性印刷显示技术领域，尤其涉及一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
在QLED和OLED显示工艺开发过程中的印刷显示由于其应用领域广、制备成本低等优点在未来的柔性显示领域中备受人们的关注与青睐。
目前柔性显示面板技术较为成熟的技术是基于TFT(场效应晶体管)的柔性显示，然而这些技术都是利用真空蒸镀技术来完成的，成本较高，距离实现真正的大面积可弯折仍然需要很多技术问题需要突破。然而针对QLED和OLED的柔性印刷显示技术的开发主要集中在印刷模板的制备和相应印刷材料的开发，基于现有技术制备得到的印刷模板都是带有阵列的条形沟槽衬底，通过油墨打印技术在条形沟槽内打印等间距的像素点，此类模板的每一个沟槽的印刷点只能控制印刷器件像素点的横向边缘整齐度，但其纵向边缘的整齐度会因打印的油墨容易出现咖啡环，进而会导致纵向边缘不整齐，也会影响整个像素点的面积，同时也会造成整个柔性显示面板的效果。利用此印刷模板制备得到的显示面板其沟槽内存在空白区域，因此在对整个显示面板进行封装时要求抽真空的条件较高，封装难度较大；另外，利用此衬底制备得到的无论是QLED还是OLED器件由于其发光层是平整的，然而相应的电流效率会因光散射而造成出光损失，从而造成测试的器件电流效率低于实际的电流效率。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有技术中打印像素点的纵向边缘不整齐、柔性显示面板进行封装时要求抽真空条件高以及因光散射造成电流效率低于实际电流效率影响的问题。
本发明的技术方案如下：
一种印刷用柔性衬底，其中，包括柔性透明导电衬底、位于所述柔性透明导电衬底上方的第一柔性透明绝缘衬底、位于第一柔性透明绝缘衬底上方的第二柔性透明绝缘衬底；所述第一柔性透明绝缘衬底上分布有若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽，所述第二柔性透明绝缘衬底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置，使第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底无缝拼接。
所述的印刷用柔性衬底，其中，所述第一柔性透明绝缘衬底和第二柔性透明绝缘衬底均为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜或聚乙烯醇膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚苯乙烯膜、聚氯乙烯膜、聚α-甲基苯乙烯树脂膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚碳酸亚丙酯膜、天然橡胶膜、丁腈橡胶膜、硅膜、碳化硅膜、硫化砷膜、二氧化硅膜、丁基橡胶膜、异戊二烯橡胶膜、酚醛树脂膜、丁苯橡胶膜、低密度聚乙烯膜、线性低密度聚乙烯膜中的一种或多种。
所述的印刷用柔性衬底，其中，所述柔性透明导电衬底为石墨烯、金属薄片、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、硒化铋纳米薄片、碲化铋纳米薄片，碲化锑纳米薄片中的一种或多种。
所述的印刷用柔性衬底，其中，所述第一凹槽为半球状凹槽，所述第二凹槽为圆柱状凹槽。
所述的印刷用柔性衬底，其中，所述半球状凹槽内填满有透明电极材料。
一种印刷用柔性衬底的制备方法，其中，包括步骤：
A1、先在第一柔性透明绝缘衬底上生长柔性透明导电衬底，然后对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽；同时，在第二柔性透明绝缘衬底上直接进行刻蚀，得到若干第二凹槽，其中所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置；
A2、将第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底按照第一凹槽和第二凹槽的位置进行无缝拼接，制备得到印刷用柔性衬底；然后对所述印刷用柔性衬底进行压印处理，完成制备。
所述印刷用柔性衬底的制备方法，其中，所述步骤A1中，先对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干圆柱状的第一凹槽；然后进行压印处理，得到末端为半球状的第一凹槽。
所述印刷用柔性衬底的制备方法，其中，在所述步骤A1中，通过真空蒸镀的手段对第一凹槽蒸镀一层透明电极材料。
一种量子点发光二级管的制备方法，其中，包括步骤：
A、在如上任一所述的印刷用柔性衬底上制备空穴传输层；
B、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
C、然后在量子点发光层上制备电子传输层；
D、最后在电子传输层上蒸镀阴极层，然后进行封装，得到量子点发光二极管。
一种量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管自下而上依次包括阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极层，其中所述阳极层采用如上任一所述的印刷用柔性衬底。
有益效果：本发明利用柔性透明导电衬底和柔性透明绝缘衬底制备得到的具有阵列柱状凹槽结构的印刷用柔性衬底，不仅可以解决打印像素点的纵向边缘不整齐，以及每个像素点封装难度大、要求抽真空条件高的问题。利用此衬底制备得到的QLED器件发光层是平整的，从而有效减弱因光散射造成电流效率低于实际电流效率的影响等问题，进而提高了QLED器件的效率。
附图说明
图1为本发明一种印刷用柔性衬底制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明一种量子点发光二极管制备方法较佳实施例的流程图。
图3为本发明实施例中一种印刷用柔性衬底制备方法的流程图。
图4为图3中部件3的放大图。
图5为本发明实施例中量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的一种印刷用柔性衬底，其包括柔性透明导电衬底、位于所述柔性透明导电衬底上方的第一柔性透明绝缘衬底、位于第一柔性透明绝缘衬底上方的第二柔性透明绝缘衬底；所述第一柔性透明绝缘衬底上分布有若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽，所述第二柔性透明绝缘衬底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置，使第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底无缝拼接。
本发明所述第一柔性透明绝缘衬底和第二柔性透明绝缘衬底可以为但不限于聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜或聚乙烯醇膜、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）膜、聚苯乙烯膜（PS）、聚氯乙烯膜、聚α- 甲基苯乙烯树脂膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚碳酸亚丙酯膜、天然橡胶（NR）膜、丁腈橡胶（NBR）膜、硅（Si）膜、碳化硅膜（SiC）、硫化砷膜（As2S3）、二氧化硅膜（SiO2） 、丁基橡胶膜 （IIR）、异戊二烯橡胶膜（IR）、酚醛树脂膜（PF）、丁苯橡胶膜（SBR）、低密度聚乙烯膜（LDPE）、线性低密度聚乙烯膜（LLDPE）中的一种或多种。所述柔性透明导电衬底可以为但不限于石墨烯、金属薄片、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯(PC)、 聚酰亚胺(PI)、硒化铋（Bi2Se3）纳米薄片，碲化铋（Bi2Te3）纳米薄片，碲化锑（Sb2Te3）纳米薄片中的一种或多种。
本发明所述柔性透明导电衬底可以采用真空沉积、液相生长、外延生长等方法与第一柔性透明绝缘衬底形成具有明显分层结构的柔性透明衬底。其中，所述柔性透明衬底的下层为导电部分，上层为绝缘部分，所述柔性透明衬底的导电部分相对较薄。
本发明所述半球状凹槽内填满有透明电极材料。这种透明电极材料因是半球状结构，能够有效的减弱光从透明电极材料出光因反射造成的光损失，从而提高出光效率。所述透明电极材料可以为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌中的一种或两种。
本发明提供一种印刷用柔性衬底的制备方法较佳实施例，如图1所示，包括步骤：
S1、先在第一柔性透明绝缘衬底上生长柔性透明导电衬底，然后对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽；同时，在第二柔性透明绝缘衬底上直接进行刻蚀，得到若干第二凹槽，其中所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置；
具体地，对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀(如离子束刻蚀)，得到若干圆柱状的深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽。该圆柱状的第一凹槽厚度大于第一柔性透明绝缘衬底厚度，圆柱状的第一凹槽厚度小于整个柔性透明衬底的厚度。然后对所述圆柱状的第一凹槽进行压印处理，得到末端为半球状的第一凹槽。本发明在进行压印处理时，所利用的压印工具的末端是凸起的半球状。
进一步地，本发明还通过真空蒸镀的手段对所述末端为半球状的第一凹槽蒸镀一层透明电极材料填满半球状部分，这种透明电极材料因是半球状结构，能够有效的减弱光从透明电极材料出光因反射造成的光损失，从而提高出光效率。所述透明电极材料可以为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌中的一种或两种。
S2、将第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底按照第一凹槽和第二凹槽的位置进行无缝拼接，制备得到印刷用柔性衬底；然后对所述印刷用柔性衬底进行压印处理，完成制备。
上述步骤S2中，将带有阵列半球状电极材料的第一柔性透明绝缘衬底与利用离子束刻蚀得到的具有阵列圆柱状凹槽结构的第二柔性透明绝缘衬底进行无缝拼接，制备得到印刷用柔性衬底，然后对拼接后得到的印刷用柔性衬底进行压印处理，以保证上述两种衬底拼接完整，最后利用印刷用柔性衬底进行后续的QLED或OLED的制备。所述印刷用柔性衬底的功能是作为QLED或OLED器件的电极。
本发明利用柔性透明导电衬底和柔性透明绝缘衬底制备得到的具有阵列柱状凹槽的印刷用柔性衬底，不仅可以解决打印像素点的纵向边缘不整齐，以及每个像素点封装难度大，要求抽真空条件高的问题，同时也可以减弱因光散射造成电流效率低于实际电流效率的影响等问题。
本发明利用印刷用柔性衬底进行后续的QLED的制备。在制备QLED之前，本发明预先配制QLED各个功能层墨水。QLED各个功能层墨水所采用的溶剂包括但不限于氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1,4- 二氧杂环己烷、1,2 二氯乙烷、1,1,1- 三氯乙烷、1,1,2,2- 四氯乙烷、四氢萘、萘烷中的一种或多种。下面对QLED的制备方法进行详细说明。
本发明提供一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例，如图2所示，包括步骤：
S100、在如上任一所述的印刷用柔性衬底上制备空穴传输层；
上述步骤中，所述空穴传输层的材料可以为但不限于氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化铬、氧化钒、p型氮化镓、MoS2、WS2、WSe2、MoSe2、自聚乙撑二氧噻吩- 聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'- 双（苯基）联苯胺]、聚[（9,9- 二辛基芴-2,7-二基）- 共-（4,4'-（N-（4-仲丁基苯基）二苯胺）]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9- 二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3] 噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9- 咔唑)联苯、4,4',4''-三( 咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'- 联苯-4,4'-二胺、N,N'-双-（1-萘基）-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺组成中的至少两种。
S200、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
上述步骤中，所述量子点发光层的材料包括二元相、三元相和四元相量子点，其中二元相量子点可以为但不限于CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS，三元相量子点可以为但不限于ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X，四元相量子点可以为但不限于ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS。
S300、然后在量子点发光层上制备电子传输层；
上述步骤中，所述电子传输层的材料可以为但不限于ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3。
S400、最后在电子传输层上蒸镀阴极层，然后进行封装，得到发光二极管。
上述步骤中，利用喷涂的方法喷涂UV胶进行封装。封装过程使用的UV胶包括但不限于环氧树脂、硅胶、环氧、丙烯酸、氰基丙烯酸中的一种。
本发明还提供一种量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管自下而上依次包括如上任一所述的印刷用柔性衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极层。
本发明印刷用柔性衬底不仅能够应用于QLED的制备，还可应用于OLED的制备。在制备OLED之前，本发明预先配制OLED各个功能层墨水。OLED各个功能层墨水所采用的溶剂包括但不限于氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1,4- 二氧杂环己烷、1,2 二氯乙烷、1,1,1- 三氯乙烷、1,1,2,2- 四氯乙烷、四氢萘、萘烷中的一种或多种。
与上述QLED各功能层不同的是，本发明的OLED采用有机小分子发光层取代QLED中的量子点发光层。本发明OLED中的有机小分子发光层的材料包括聚苯类及其衍生物、聚对亚苯（PPP）及其衍生物类、聚噻吩（PAT）及其衍生物、聚吡咯（PAP）及其衍生物、聚吡啶（PPY）及其衍生物、聚苯乙炔类及其衍生物、聚对苯乙炔（PPV）及其衍生物、聚噻吩乙炔（PTV）、聚萘乙炔（PNV）及其衍生物、聚吡啶乙炔（PPYV）及其衍生物类等不限于此。OLED中的阴极层的材料为Al、LiF/Al、Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ag、Ca/Ag、BaF2、BaF2/Al、BaF2/Ag、BaF2/Ca/Al、BaF2/Ca、Ag、Mg、CsF/Al、CsCO3/Al等 组成中的一种或多种。与上述QLED的制备方法类似，本发明OLED的详细制备方法在此不再进行赘述。
下面通过一实施例对本发明的一种印刷用柔性衬底的制备方法及印刷用柔性衬底的应用进行详细说明。
本实施例中利用柔性透明碳化硅衬底通过外延技术生长石墨烯，与碳化硅衬底通过离子束与压印技术、蒸镀技术制备所需要的印刷用柔性衬底。结合图3所示，其制备过程如下：
1、碳化硅（SiC）衬底的制备如下：
采用Si(111)衬底，其电阻率10欧姆每厘米，厚度380µm。在放入真空室前，Si衬底经过了一系列的化学方法处理。具体步骤如下：
1）、使用分析纯的甲苯、四氯化碳、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗3min。
2）、在浓硫酸和双氧水混合液内浸泡5min。
3）、在4%的HF溶液浸泡以刻蚀掉表面的原生氧化层。
4）、用去离子水冲洗数次并用高纯氮气吹干后，迅速放入到真空室。
在生长SiC之前，Si衬底先于300℃退火一小时去除吸附的水蒸气和其它气体，然后Si衬底温度升高到630℃，生长Si缓冲层。用这种方法可以获得有序、清洁的Si衬底表面。
5）、在Si衬底温度为720℃时碳（C）化30min。
6）、将Si衬底温度升高至1100℃，共同蒸发Si和C，生长SiC衬底，图3中1为SiC衬底，生长时间100min，SiC衬底厚度约10-500nm（优选地400nm）。
2、碳化硅（SiC）衬底上外延生长石墨烯的制备如下：
碳化硅衬底放入真空前，进行清洗：
1）、使用分析纯的四氯化碳、丙酮、乙醇、去离子水超声多次清洗，将表面吸附的有机物去除。
2）、用浓硫酸和双氧水混合液（体积比1:1）浸泡5min 后并用去离子水冲洗，去除表面的氧化物、金属和有机杂质。
3）、用5%的氢氟酸溶液刻蚀表面3min，去除表面的氧化层最后用去离子水冲洗数次。
4）、用高纯氮气吹干，迅速放入真空室。
5）、碳化硅衬底温度升高到300℃去除表面的水蒸气。
6）、保持碳化硅衬底750℃下蒸Si （Si束流0.3nm/min），沉积时间约5min。
7）、停止蒸Si后升高温度到1300℃，并保持退火时间为10min，然后自然降温到室温，得到厚度为400nm的石墨烯层，图3中2为石墨烯层。
3、具有阵列圆柱状凹槽结构的柔性透明衬底(图3中3为阵列圆柱状凹槽结构的柔性透明衬底，图4为阵列圆柱状凹槽结构的柔性透明衬底的放大图)的制备如下：
1) 、将制备得到的具有石墨烯层的SiC衬底进行清洗过后，对SiC层进行离子束刻蚀（具体的刻蚀参数依据不同的设备而定），加工出具有阵列圆柱状直径在400nm的凹槽结构，凹槽的深度大于SiC的厚度，小于整个含有石墨烯与SiC衬底的厚度。
2）将刻蚀后的衬底进行一系列清洗后用高纯氮气吹干，迅速放入真空室内，然后采用200℃退火处理去除凹槽内的水蒸气。
4、利用压印工具(压印工具的末端是凸起的半球状)对阵列圆柱状凹槽进行压印，得到具有阵列半球状凹槽结构的柔性透明衬底4，并通过真空蒸镀ITO填满半球状凹槽。
1）、对上述3中具有阵列圆柱状凹槽的柔性透明衬底进行压印，所采用的压印工具是末端带有凸起的半球状，其半球的直径与圆柱状的直径一致，在一定的条件下利用这种压印工具对阵列圆柱状的凹槽进行压印，得到的半球状凹槽部分是在柔性石墨烯层当中。
2）、将压印后的衬底进行一系列的清洗后用高纯氮气吹干，迅速放入真空室内，在一定的实验条件下进行真空蒸镀氧化铟锡（ITO）直到ITO填满整个半球凹槽以及碳化硅（SiC）内的柱状凹槽停止蒸镀，然后取出。
5. 具有阵列圆柱状凹槽的绝缘衬底膜进行无缝拼接：
1）、对步骤1中得到的同样碳化硅柔性透明衬底采用相同的刻蚀条件（与步骤3的刻蚀条件一样）进行刻蚀，得到的柔性透明衬底同样具有阵列圆柱状凹槽结构，如图3中5所示，其中圆柱状凹槽的直径和体积和步骤3得到的完全一致。
2）、将带有阵列圆柱状凹槽结构的碳化硅柔性透明衬底进行对称拼接，保证底部的ITO与圆柱状的孔相对应，得到拼接后的柔性透明衬底，如图3中6所示。对拼接后的柔性透明衬底6利用平整的压印模具以一定的力进行压印，制备得到印刷用柔性衬底7。压印处理一方面保证两种柔性透明衬底接触紧密，另一方面也赶走因拼接不紧密所引起的空气成分在柔性衬底里。
6、发光二级管的制备方法进行详细描述：
1）、制备发光二极管功能层的油墨：PEDOT:PSS空穴传输层油墨、CdSe/ZnS红色量子点发光层油墨、ZnO纳米颗粒电子传输层油墨。
2）、利用喷墨打印机先打印PEDOT:PSS空穴传输层油墨，然后采用150℃退火30min，彻底去除油墨内的溶剂和水蒸气，在打印CdSe/ZnS红色量子点发光层油墨，采用阶梯化温度进行退火处理80℃、100℃、120℃、150℃、180℃分别退火 10min。最后再打印ZnO纳米颗粒电子传输层油墨，采用150℃退火30min。
3）、利用真空沉积的方法蒸镀Al电极作为QLED的阴极，同时也是整个柔性面板的阴极。最后利用喷涂的方法它对整个柔性面板喷涂环氧树脂UV胶进行封装，制备得到所述发光二极管。图5为本发明实施例发光二极管的结构示意图，如图5所示，本发明发光二极管从下而上依次包括印刷用柔性衬底8，空穴传输层9、量子点发光层10、电子传输层11以及阴极层12。
综上所述，本发明提供的一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法利用柔性透明导电衬底和柔性绝缘衬底制备得到的具有阵列柱状凹槽结构的印刷用柔性衬底不仅可以解决打印像素点的纵向边缘不整齐以及每个像素点封装难度大要求抽真空条件高的问题，同时也可以减弱因光散射造成电流效率低于实际电流效率的影响等问题。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种印刷用柔性衬底，其特征在于，包括柔性透明导电衬底、位于所述柔性透明导电衬底上方的第一柔性透明绝缘衬底、位于第一柔性透明绝缘衬底上方的第二柔性透明绝缘衬底；所述第一柔性透明绝缘衬底上分布有若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽，所述第二柔性透明绝缘衬底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置，使第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底无缝拼接；
所述第一凹槽的末端为半球状凹槽，所述半球状凹槽位于所述柔性透明导电衬底中；所述第二凹槽为圆柱状凹槽。
2.根据权利要求1所述的印刷用柔性衬底，其特征在于，所述第一柔性透明绝缘衬底和第二柔性透明绝缘衬底均为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜或聚乙烯醇膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚苯乙烯膜、聚氯乙烯膜、聚α-甲基苯乙烯树脂膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚碳酸亚丙酯膜、天然橡胶膜、丁腈橡胶膜、硅膜、碳化硅膜、硫化砷膜、二氧化硅膜、丁基橡胶膜、异戊二烯橡胶膜、酚醛树脂膜、丁苯橡胶膜、低密度聚乙烯膜、线性低密度聚乙烯膜中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的印刷用柔性衬底，其特征在于，所述柔性透明导电衬底为石墨烯、金属薄片、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、硒化铋纳米薄片、碲化铋纳米薄片，碲化锑纳米薄片中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的印刷用柔性衬底，其特征在于，所述第一凹槽内填满有透明电极材料。
5.一种印刷用柔性衬底的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A1、先在第一柔性透明绝缘衬底上生长柔性透明导电衬底，然后对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽；同时，在第二柔性透明绝缘衬底上直接进行刻蚀，得到若干第二凹槽，其中所述第一凹槽与所述第二凹槽上下对应设置；
所述第一凹槽的末端为半球状凹槽，所述半球状凹槽位于所述柔性透明导电衬底中；所述第二凹槽为圆柱状凹槽；A2、将第一柔性透明绝缘衬底与第二柔性透明绝缘衬底按照第一凹槽和第二凹槽的位置进行无缝拼接，制备得到印刷用柔性衬底；然后对所述印刷用柔性衬底进行压印处理，完成制备。
6.根据权利要求5所述印刷用柔性衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤A1中，所述对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干深入到所述柔性透明导电衬底中的第一凹槽的步骤具体包括：先对第一柔性透明绝缘衬底进行刻蚀，得到若干深入到所述柔性透明导电衬底中的圆柱状凹槽；然后对所述深入到所述柔性透明导电衬底中的圆柱状凹槽进行压印处理，得到末端为半球状的第一凹槽。
7.根据权利要求5所述印刷用柔性衬底的制备方法，其特征在于，在所述步骤A1中，通过真空蒸镀的手段对第一凹槽蒸镀一层透明电极材料。
8.一种量子点发光二级管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在如权利要求1~4任一所述的印刷用柔性衬底上制备空穴传输层；
B、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
C、然后在量子点发光层上制备电子传输层；
D、最后在电子传输层上蒸镀阴极层，然后进行封装，得到量子点发光二极管。
9.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管自下而上依次包括权利要求1~4任一所述的印刷用柔性衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610846294.9A CN106299044B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610846294.9A CN106299044B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106299044A CN106299044A (zh) | 2017-01-04 |
| CN106299044B true CN106299044B (zh) | 2019-01-29 |
Family
ID=57711879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610846294.9A Active CN106299044B (zh) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106299044B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109166881B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-09-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1591840A (zh) * | 2003-06-12 | 2005-03-09 | 三星电子株式会社 | 柔性衬底及其制造方法以及半导体封装 |
| JP2010165478A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Hitachi Cable Ltd | フレキシブルフラットケーブル及びフレキシブルプリント基板 |
| CN103887261A (zh) * | 2014-03-03 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器及其制备方法 |
| KR20140093549A (ko) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드가 실장된 연성 기판 |
| CN104600207A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-05-06 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 透明电极及其制备方法与应用 |
| TWM527104U (zh) * | 2015-06-08 | 2016-08-11 | 御智管理顧問有限公司 | 顯示層結構及顯示模組 |
-
2016
- 2016-09-23 CN CN201610846294.9A patent/CN106299044B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1591840A (zh) * | 2003-06-12 | 2005-03-09 | 三星电子株式会社 | 柔性衬底及其制造方法以及半导体封装 |
| JP2010165478A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Hitachi Cable Ltd | フレキシブルフラットケーブル及びフレキシブルプリント基板 |
| KR20140093549A (ko) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드가 실장된 연성 기판 |
| CN103887261A (zh) * | 2014-03-03 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器及其制备方法 |
| CN104600207A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-05-06 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 透明电极及其制备方法与应用 |
| TWM527104U (zh) * | 2015-06-08 | 2016-08-11 | 御智管理顧問有限公司 | 顯示層結構及顯示模組 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106299044A (zh) | 2017-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106159090B (zh) | 一种柔性衬底、显示器件及制备方法 | |
| US9437842B2 (en) | Light-emitting transistors with improved performance | |
| Wu et al. | Efficient organic blue‐light‐emitting devices with double confinement on terfluorenes with ambipolar carrier transport properties | |
| US20060152147A1 (en) | Electroluminescent device and method for preparing the same | |
| CN104425549A (zh) | 有机电致发光设备及其制造方法 | |
| KR101144588B1 (ko) | 그라핀 시트를 포함하는 가요성 투명 전도층을 구비하는 유기 전자 소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN105552185A (zh) | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 | |
| EP3734678A1 (en) | Perovskite film layer, device and manufacturing method for effectively improving efficiency of light-emitting device | |
| CN107195782A (zh) | 薄膜晶体管制作方法、阵列基板制作方法及显示装置 | |
| JP2008218952A (ja) | オリゴフルオレン化合物を用いた有機発光素子及びインク組成物並びに表示装置 | |
| US10374159B2 (en) | Optoelectronics integration by transfer process | |
| JP2007067291A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子および機能デバイス | |
| TW201038123A (en) | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof | |
| CN105374937A (zh) | 一种钙钛矿mis结构电致发光器件及其制备方法 | |
| CN106299044B (zh) | 一种印刷用柔性衬底、量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN108461640B (zh) | 晶态有机电致发光二极管及其应用 | |
| CN104157705B (zh) | 一种阻隔膜层、具其的光电器件及光电器件的制作方法 | |
| Wang et al. | Electroluminescence from perovskite LEDs with the structure of Ag/Spiro-OMeTAD/CH3NH3PbI3/TiO2/FTO | |
| KR100805270B1 (ko) | 유기투명전극을 적용한 플렉시블 유기 발광 소자, 이를이용한 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| CN105304830A (zh) | 量子点发光场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN110416420B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
| KR102467691B1 (ko) | 양자점 발광 소자, 그 제조 방법 및 양자점 발광 소자를 포함하는 디스플레이 소자 | |
| Jeong et al. | Precise pixel patterning of small molecule organic light-emitting devices by spin casting | |
| JP4589346B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 | |
| CN109994650B (zh) | 一种薄膜及其制备方法、应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Cheng Luling Inventor after: Yang Yixing Inventor before: Lu Lingcheng Inventor before: Yang Yixing |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information |