CN106245006A - 一种工艺处理方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种工艺处理方法及装置，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该方法包括：确定待镀膜的石墨舟的标识；在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；根据所述特气流量参数和镀膜时间参数镀膜。在使用石墨舟对硅片进行镀膜操作时，可以根据石墨舟的已使用次数确定特气流量参数和镀膜时间参数，使用次数不同的石墨舟采用不同的特气流量和镀膜时间。即使石墨舟中石墨舟片的表面光滑度降低，也不会影响硅片的镀膜效果，硅片形成的膜的厚度一致，折射率一致，硅片的镀膜效果更统一。

Description

一种工艺处理方法及装置

技术领域

本发明涉及太阳能设备制造领域，具体而言，涉及工艺处理方法及装置。

背景技术

在太阳能硅片的生产加工中会使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺进行镀膜，其作用是提高硅片对太阳能的转化率。在该工序会使用到石墨舟，把硅片放到石墨舟中，经过一定的条件产生化学反应，在硅片表面镀上一层膜。

在使用化学气体镀膜时，每次使用的气体的流量和镀膜时间是固定不变的。但石墨舟作为太阳能电池片镀减反射膜时的载体，随着使用次数的增加，在石墨舟中的石墨舟片的表面会逐渐沉积一层氮化硅薄膜，使石墨舟片表面的光滑度降低，影响硅片的镀膜效果，降低硅片镀膜的统一度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种工艺处理方法，可以根据石墨舟的已使用次数采用不同的特气流量和镀膜时间，使硅片镀膜的效果统一。

本发明提供的技术方案如下：

一种工艺处理方法，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该方法包括：

确定待镀膜的石墨舟的标识；

在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；

在进行镀膜工艺时根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；

根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；

根据确定的特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

优选地，该方法还包括：

在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。

优选地，当从所述镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数时，该方法还包括：

停止镀膜工艺。

优选地，在根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数的步骤之后，该方法还包括：

当根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，停止镀膜工艺。

优选地，所述镀膜系统中所述已使用次数与所述标识一一对应。

本发明还提供了一种工艺处理装置，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该装置包括：

标识确定单元，用于确定待镀膜的石墨舟的标识；

设定单元，用于在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；

使用次数确定单元，用于在进行镀膜工艺时根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；

镀膜参数确定单元，用于根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；

镀膜操作单元，用于根据确定的特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

优选地，所述使用次数确定单元在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。

优选地，当从所述镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数时，所述镀膜操作单元还用于停止镀膜工艺。

优选地，在所述使用次数确定单元根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数，且根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，所述镀膜操作单元还用于停止镀膜工艺。

优选地，所述镀膜系统中所述已使用次数与所述标识一一对应。

使用本发明中的工艺处理方法，在使用石墨舟对硅片进行镀膜操作时，可以根据石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数，使用次数不同的石墨舟在镀膜时，采用不同的特气流量和镀膜时间。使得即使石墨舟中石墨舟片的表面光滑度降低，也不会影响硅片的镀膜效果，使得镀膜中硅片形成的膜的厚度一致，折射率保持一致，保证硅片的镀膜效果更统一。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的一种工艺处理方法的流程示意图。

图2为本发明实施例提供的另一种工艺处理方法的流程示意图。

图3为本发明实施例提供的另一种工艺处理方法的流程示意图。

图4为本发明实施例提供的一种工艺处理装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本申请实施例提供了一种工艺处理方法，如图1所示，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该方法包括：

步骤101，确定待镀膜的石墨舟的标识。

步骤102，在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数。

在晶硅太阳能电池片的制备技术中，通常采用PECVD工艺镀膜。在镀膜工艺中，将经过制绒、扩散、刻蚀工艺的硅片，通过背对背地方式将硅片插入石墨舟中，然后使用小推车将石墨舟运输至镀膜设备的上料口，进行PECVD镀膜工艺。

在镀膜过程中，影响硅片镀膜效果的主要由特气流量和镀膜时间影响，特气流量的不同和镀膜时间的长短会造成不同的镀膜效果。现有技术中，在使用石墨舟进行镀膜工艺时，无论石墨舟已经被使用了多少次，在进行镀膜时都是使用固定的特气流量和固定的镀膜时间。镀膜过程中使用的硅烷气体一部分被硅片吸收，同时也有一部分被石墨舟吸收，已使用次数不同的石墨舟对于硅烷气体的吸收程度不同，就会造成硅片的形成的镀膜的不同。

石墨舟在镀膜工艺中，随着使用次数的增加，石墨舟上石墨舟片的表面会由于镀膜工艺逐步沉积氮化硅薄膜，沉积形成的氮化硅薄膜会使石墨舟片表面的光滑度降低。并且使用次数越多，石墨舟片表面的光滑度会越低，光滑度降低后的石墨舟如果继续使用，采用固定的特气流量和固定的镀膜时间形成硅片上的镀膜的厚度就会出现较大的差异，硅片的颜色和折射率也会因此出现较大差异，进而对太阳能的转化效率出现较大的差异，影响硅片的后续使用。

在本申请中，可以预先给石墨舟设定标识，可以是数字编号或其他形式的标识。该标识作为每个石墨舟的身份信息，并且在镀膜系统中，可以根据石墨舟的标识预先存储石墨舟的已使用次数。在使用石墨舟进行镀膜操作前，如果石墨舟没有被使用过，则该石墨舟的已使用次数为零。如果使用过n次，则已使用次数即为n。在本申请实例中，石墨舟进行一次镀膜即为使用一次。

步骤103，根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数。

在本申请实施例中，由于预先设定了石墨舟的标识，并根据石墨舟的标识预先存储了石墨舟的已使用次数。在进行镀膜操作时，就可以根据待使用的石墨舟的标识确定该石墨舟的已使用次数。

步骤104，根据所述石墨舟的已使用次数确定特气流量参数和镀膜时间参数。

在获取到石墨舟的已使用次数后，就可以根据该已使用次数确定镀膜工艺中需要使用的特气流量和镀膜时间。由于在镀膜工艺中，不仅镀膜时间会影响镀膜质量，镀膜使用的硅烷气体的流量大小也会影响镀膜的质量。

在本申请实施例中，可以预先根据石墨舟的已使用次数确定不同的已使用次数对应的特气流量参数和镀膜时间参数。具体的已使用次数与特气流量参数、镀膜时间参数的数值，可以根据实际情况确定，本申请并不限定这些参数的具体数值。

步骤105，根据确定的特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

在确定了特气流量参数和镀膜时间参数，即可开始镀膜工艺。例如，在现有技术中，无论镀膜工艺中的石墨舟使用了多少次，硅烷流量参数都为760sccm，且镀膜时间参数都为430s。而使用本申请的工艺处理方法，如果石墨舟的已使用次数为0，在使用时，硅烷流量参数可以为820sccm，镀膜时间参数为430s。如果石墨舟的已使用次数为1，在使用时，硅烷流量参数可以为816sccm，镀膜时间参数为426s。与没有使用过的石墨舟相比，两个参数都进行了一定程度的减小。这样就可以保证两次镀膜中，硅片上的镀膜是一致的。而现有技术中，不改变相应参数的镀膜方法，会使硅片上的镀膜出现差异。

进一步的，如图2所示，该方法还包括：

步骤106，在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。

在根据石墨舟的已使用次数确定了镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数，并进行镀膜工艺后，即可结束镀膜工艺。但由于该工艺中对石墨舟使用了一次，需要将该石墨舟的已使用次数增加一次，并存储记录，以便后续继续使用该石墨舟时，使石墨舟的已使用次数正确。

此外，当从镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数数据时，该方法还包括停止镀膜工艺。由于镀膜系统中针对某一石墨舟存储了相关的已使用次数数据，并且该数据与石墨舟的标识是一一对应的。如果在镀膜系统中没有查询到相应的数据，则表明该石墨舟没有在该镀膜系统中记录，此时如果没有查询到相关已使用次数数据，则后续的镀膜工艺中就无法进行特气流量参数和镀膜时间参数的确定，也就不能进行正常的镀膜。所以，在没有查找到与所述标识对应的已使用次数数据时，停止镀膜工艺。

如图3所示，根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数的步骤之后，该方法还包括：

步骤107，当根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，停止镀膜工艺。

一个石墨舟在一个清洗周期中的使用次数是有限的，在对石墨舟进行了一次清洗后，则该石墨舟的已使用次数就可以清零，或者一个没有被使用过的石墨舟，其已使用次数也为零。但一个石墨舟在一个清洗周期中的使用次数是有限的，以保证镀膜工艺中硅片镀膜的质量。一般情况下，在一个清洗周期中一个石墨舟可以进行100次镀膜工艺，当达到了100次或超过100次后，就需要进行清洗或更换。

在本申请实施例中，当确定石墨舟的已使用次数达到了预设次数阈值，就不能进行镀膜工艺，即停止镀膜工艺。该预设次数阈值可以根据实际情况确定，本申请并不限定其具体数值。此时可以对镀膜系统中的石墨舟进行清零。

综上所述，使用本发明中的工艺处理方法，在使用石墨舟对硅片进行镀膜操作时，可以根据石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数，使用次数不同的石墨舟在镀膜时，采用不同的特气流量和镀膜时间。使得即使石墨舟中石墨舟片的表面光滑度降低，也不会影响硅片的镀膜效果，使得镀膜中硅片形成的膜的厚度一致，折射率保持一致，保证硅片的镀膜效果更统一。

本申请实施例还提供了一种工艺处理装置200，如图4所示，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该装置包括：标识确定单元201，用于确定待镀膜的石墨舟的标识；设定单元202，用于在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；使用次数确定单元203，用于在进行镀膜工艺时根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；镀膜参数确定单元204，用于根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；以及镀膜操作单元205，用于根据确定的特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

所述使用次数确定单元203在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。当从所述镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数时，所述镀膜操作单元205还用于停止镀膜工艺。在所述使用次数确定单元203根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数，且根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，所述镀膜操作单元203还用于停止镀膜工艺。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种工艺处理方法，其特征在于，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该方法包括：

确定待镀膜的石墨舟的标识；

在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；

在进行镀膜工艺时根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；

根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；

根据所述特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

2.根据权利要求1所述的工艺处理方法，其特征在于，该方法还包括：

在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。

3.根据权利要求2所述的工艺处理方法，其特征在于，当从所述镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数时，该方法还包括：

停止镀膜工艺。

4.根据权利要求1所述的工艺处理方法，其特征在于，在根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数的步骤之后，该方法还包括：

当根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，停止镀膜工艺。

5.根据权利要求1所述的工艺处理方法，其特征在于，所述镀膜系统中所述已使用次数与所述标识一一对应。

6.一种工艺处理装置，其特征在于，应用于使用石墨舟对硅片进行镀膜的镀膜系统，该装置包括：

标识确定单元，用于确定待镀膜的石墨舟的标识；

设定单元，用于在所述镀膜系统中根据所述石墨舟的标识预先设定所有石墨舟的已使用次数；

使用次数确定单元，用于在进行镀膜工艺时根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数；

镀膜参数确定单元，用于根据所述石墨舟的已使用次数确定镀膜工艺中的特气流量参数和镀膜时间参数；

镀膜操作单元，用于根据确定的特气流量参数和镀膜时间参数进行镀膜。

7.根据权利要求6所述的工艺处理装置，其特征在于，所述使用次数确定单元在镀膜完成后，所述石墨舟的已使用次数增加一次。

8.根据权利要求6所述的工艺处理装置，其特征在于，当从所述镀膜系统中无法查找到与所述标识对应的已使用次数时，所述镀膜操作单元还用于停止镀膜工艺。

9.根据权利要求6所述的工艺处理装置，其特征在于，在所述使用次数确定单元根据所述标识确定所述石墨舟的已使用次数，且根据所述标识确定所述已使用次数大于或等于预设次数阈值时，所述镀膜操作单元还用于停止镀膜工艺。

10.根据权利要求6所述的工艺处理装置，其特征在于，所述镀膜系统中所述已使用次数与所述标识一一对应。