CN106238907A - Led晶圆片的激光加工方法 - Google Patents

Led晶圆片的激光加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106238907A
CN106238907A CN201610702497.0A CN201610702497A CN106238907A CN 106238907 A CN106238907 A CN 106238907A CN 201610702497 A CN201610702497 A CN 201610702497A CN 106238907 A CN106238907 A CN 106238907A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pulse
laser
led wafer
laser processing
train
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610702497.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王焱华
庄昌辉
马国东
曾威
朱炜
尹建刚
高云峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd
Original Assignee
Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd filed Critical Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd
Priority to CN201610702497.0A priority Critical patent/CN106238907A/zh
Publication of CN106238907A publication Critical patent/CN106238907A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED晶圆片的激光加工方法，本加工方法采用脉冲激光器，脉冲激光器以脉冲串或者脉冲包络输出激光，每一个脉冲串或者每一个脉冲包络包括多个子脉冲，每个脉冲串或者每个脉冲包络之间的时间间隔为固定的；所述激光加工方法在LED晶圆片上形成的聚焦焦点为圆形。本发明激光切割LED晶圆片的脉冲串或者脉冲包络输出激光，有效降低了切割LED晶圆片所用的激光的峰值功率，减少了激光对LED晶圆片发光区的影响，提高了LED晶圆片的电性参数良率，如正向电压Vf,反向电流Ir,亮度等；本发明实施提供的LED晶圆片激光加工方法在LED晶圆激光切割行业有广泛的应用空间。

Description

LED晶圆片的激光加工方法
技术领域
本发明属于激光加工领域，尤其涉及一种LED晶圆片的激光加工方法。
背景技术
在LED晶圆片等半导体采用激光微细精密加工行业中，一般使用蓝宝石作为衬底材料，在蓝宝石衬底上沉积发光区，发光区的厚度一般只有3至6um，蓝宝石的厚度一般是80-150um。目前一般用激光来加工LED晶圆片，将其分离成单个小的芯粒，激光加工一般从晶圆片的蓝宝石面入射到一定的深度。对于一定厚度的LED晶圆片，激光加工的参数对加工的品质有直接影响。
激光加工的参数包括激光器参数，如脉冲宽度，波长，偏振态，峰值功率等；此外，激光加工参数还包括外光路系统，如光斑大小，扩束系统，聚焦系统参数等。激光加工LED晶圆片的技术在不断发展和进步，激光加工设备的成本也在不断降低，同时LED终端客户对单个芯粒的品质要求逐步提高，LED单个芯粒的品质包括外观良率和电性良率，外观参数包括直线度，崩边量，大小边，双晶率等，电性良率参数包括发光波长，正向电压Vf，反向电流Ir，发光亮度等参数。
对于LED晶圆行业，蓝宝石由于其具有和GaN等具有良好的晶格匹配度，以经批量使用，蓝宝石的硬度很高，激光在切割分离的过程中，对激光的峰值功率要求很高，目前在LED晶圆片一般采用皮秒至飞秒脉冲宽的的超快激光，同时采用高NA值的聚焦镜来实现蓝宝石衬底的精密切割。
皮秒固体激光器由于其稳定性好，被应用于切割LED晶圆中的蓝宝石衬底，近年来，随着皮秒光纤激光器的发展，其低成本，高性价比，维护方便等优势使其也逐步应用LED晶圆片激光切割行业。随着客户对LED晶圆片的切割品质的要求逐步提高，芯粒的电性能，如正向电压Vf，反向电流Ir等参数等，这些参数对激光加工的峰值功率很敏感。
对于脉冲激光的峰值功率，计算方法一般是这样的：峰值功率Ppeak＝所用的单点能量E/脉冲宽度t，其中单点能量E＝所用的平均功率Paverage/重复频率F,对于一定大小的单点能量，脉冲宽度越大，峰值功率越低。但是如果脉冲宽度过大也会导致峰值功率太低从而无法在蓝宝石内部形成爆炸点，同时切割蓝宝石使其产生裂纹需要一定的单点能量，使蓝宝石在切割后产生一定的热量和应力导致其裂开。对于蓝宝石衬底，使其参数裂纹所需要的峰值功率一般是50kW～1MW。在激光切割蓝宝石衬底过程中，需要选择合适的峰值功率使其切割达到最佳效果。
在目前的激光切割工艺中，一般采用单脉冲皮秒激光器，经过反复实验发现，由于单脉冲激光器的峰值功率很高，会影响LED晶圆片的激光切割后的电性良率，如正向电压Vf，反向电流Ir，亮度等参数，为了保证LED晶圆激光加工更加良好的加工品质，有必要产生更加优良的激光加工方法。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种LED晶圆的激光加工方法，解决现有的单脉冲激光加工方法在LED晶圆片激光切割中存在的电性良率低的问题。
本发明提供一种激光加工方法，本加工方法采用脉冲激光器，脉冲激光器以脉冲串或者脉冲包络输出激光，每一个脉冲串或者每一个脉冲包络包括多个子脉冲，每个脉冲串或者每个脉冲包络之间的时间间隔为固定的。
优选地，每个脉冲串或者每个脉冲包络的相邻子脉冲之间的时间间隔也是固定的。
优选地，每个脉冲串或者每个脉冲包络的相邻子脉冲之间的时间间隔等于1/激光器的种子源频率。
优选地，每个脉冲串或者每个脉冲包络包括2-12个子脉冲。
优选地，所述子脉冲采用声光调控的方式或者电光调控的方式来控制脉冲强度。
优选地，所述子脉冲的强度逐渐减弱。
优选地，所述子脉冲的强度逐渐增强。
优选地，所述子脉冲的强度先增强后减弱。
本发明还提供一种LED晶圆片的激光加工方法，所述激光加工方法在LED晶圆片上形成的聚焦焦点为圆形。
本发明激光切割LED晶圆片的脉冲串或者脉冲包络输出激光，有效降低了切割LED晶圆片所用的激光的峰值功率，减少了激光对LED晶圆片发光区的影响，提高了LED晶圆片的电性参数良率，如正向电压Vf,反向电流Ir,亮度等；本发明实施提供的LED晶圆片激光加工方法在LED晶圆激光切割行业有广泛的应用空间。
附图说明
图1是本发明提供的激光器脉冲串方式输出和现有单脉冲输出对比示意图；
图2是本发明提供的激光器脉冲输出方式示意图；
图3是本发明和现有的激光器脉冲输出不同形式示意图；
图4是本发明的激光加工LED晶圆片示意图；
图5是现有单脉冲激光器切割LED晶圆片断面图；
图6是本发明实施的脉冲串方式输出的激光器切割LED晶圆片断面图。
具体实施方式
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的描述。
图1所示为现有和本发明激光器脉冲输出的对比示意图，如图1(a)所示为现有脉冲激光器输出方式，在时间轴t上有周期性排列的单个脉冲输出，每个脉冲具有一定的强度I，相邻输出脉冲之间的时间间隔t1为一固定值，并且t1＝1/激光输出频率，比如激光输出频率为50kHz，t1＝1/50kHz＝20us。图1(b)所示为本发明实施提供一种激光加工方法，本加工方法采用脉冲激光器，脉冲激光器以脉冲串方式、或者突发子脉冲方式、或者突发模式(burst mode)脉冲输出方式输出激光，其中，突发子脉冲方式和突发模式(burst mode)脉冲输出方式统筹为脉冲包络方式。
每一个脉冲串或者每一个脉冲包络包括多个子脉冲，每个脉冲串或者每个脉冲包络之间的时间间隔t2是固定的。
如图2所示，每个脉冲串或者每个脉冲包络的相邻子脉冲之间的时间间隔t3也是固定的，t3的值的范围根据激光器的种子源的频率来确定，t3＝1/种子源频率，如种子源频率为50MHz，则t3＝20ns，如种子源频率为40MHz，则t3＝25ns。每个脉冲串或者每个脉冲包络包括n个子脉冲，n的数值为2～12。
图3所示为本发明实施的所述脉冲包络内部子脉冲的强度分布，图3列举脉冲包络内有6个子脉冲，这6个子脉冲的强度分布有三种方式，采用声光调控的方式或者电光调控的方式来控制脉冲强度的分布，如图3(d)所示，6个子脉冲的强度逐渐减弱，如图3(e)所示，6个子脉冲的强度逐渐增强，如图3(f)所示，6个子脉冲的强度先增强后减弱。
图4所示为本发明实施提供的激光加工LED晶圆片的方法，激光束1经过聚焦镜2后在LED晶圆片4内部形成聚焦点3，LED晶圆片4底面设有发光区，在发光区上周期性排列多个正电极20和多个负电极21。
激光束1在LELD晶圆片4内部形成的聚焦焦点和所述电极20,21具有一定的距离，以避免激光对发光区的性能的影响。
本发明的有益之处通过对比图5和图6来阐述，如图5所示，目前传统的单脉冲激光器在LED晶圆片4内部形成聚焦焦点3，以一定的速度移动LED晶圆片4、使LED晶圆片4内部形成改质层5，所述改质层5由一系列点间距均匀的焦点3组成，由于改质层5的形成，在LED晶圆片4的上下两个表面由于应力产生裂纹最终裂开LED晶圆片4，使其分离成单个芯粒。单脉冲激光器形成的改质成宽度为d1，如图5所示，聚焦焦点3形成的影响区域为一个近似椭圆的形状。
如图6所示为本发明运用脉冲串输出的激光器所形成的聚焦焦点3’，在LED晶圆片4内部形成改质层5’，改质层5’的宽度为d2，所述聚焦焦点3’形成的影响区域为一个近似的圆形。
通过大量实验对比，发现对于相同的LED晶圆片，采用完全相同的外光路系统和聚焦系统，相同的切割速度，切割深度，激光频率等，仅改变激光脉冲的输出方式，使LED晶圆片切割分离，使用的激光加工功率有明显差别，对于本发明实施提供的脉冲串方式输出的激光器，切割功率明显减小，断面的改质层宽度明显减小。
由于切割功率的减小，可以明显减小激光对LED晶圆片发光区的电极的影响，减小对LED晶圆片电性能的影响。
表1对比了一组数据：
表1
针对相同的LED晶圆片，仅改变激光脉冲的输出方式，激光加工的功率有明显差别。对于单脉冲激光器，在切割深度为40um，切割速度为600mm/s，激光器频率为50kHz，使晶圆片裂开所需的功率为0.45w，在LED晶圆片的断面形成的改质层宽度值为25um。
相比之下，对于脉冲串方式输出的激光器，如脉冲串内子脉冲个数为6个，相邻子脉冲时间间隔t3＝20ns，在切割深度为40um，切割速度为600mm/s，激光频率为50kHz，使晶圆片裂开所需的功率为0.25w，在LED晶圆片断面形成的改质层宽度值为10um。
由此可知，使用脉冲串方式激光器切割LED晶圆片，单个脉冲包络的能量E＝0.25w/50kHz＝5uj，每个字脉冲的能量Ei＝5uj/6＝0.83uj。对于单脉冲输出方式的激光器，单点能量E＝0.45w/50kHz＝9uj。例如单脉冲激光器的脉冲宽度和脉冲串激光器的子脉冲宽度均为15ps，那么脉冲串激光器的子脉冲的峰值功率Ppeak＝0.83uj/15ps＝56kw，对于单脉冲激光器，峰值功率Ppeak＝9uj/15ps＝600kw。
通过上述对比可知，在切割相同的LED晶圆片，达到将其切割分离的目的，本发明实施提供的脉冲串方式输出的激光器，其切割工艺参数来看，无论是从单点能量和峰值功率上来说，只有单脉冲激光器的1/10左右，如此低的单点能量和峰值功率可以大大减小激光对LED晶圆片的电性能的影响。
本发明提供了一种LED晶圆片的激光加工方法，通过运用一种脉冲串输出方式输出的脉冲激光器，降低切割所用的峰值功率，减少对LED晶圆发光区电极的影响，改良LED晶圆片激光切割后的电性良率，本发明实施提供的LED晶圆片激光加工方法在LED晶圆激光切割行业有广泛的应用空间。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种激光加工方法，其特征在于：本加工方法采用脉冲激光器，脉冲激光器以脉冲串或者脉冲包络输出激光，每一个脉冲串或者每一个脉冲包络包括多个子脉冲，每个脉冲串或者每个脉冲包络之间的时间间隔为固定的。
2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：每个脉冲串或者每个脉冲包络的相邻子脉冲之间的时间间隔也是固定的。
3.根据权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：每个脉冲串或者每个脉冲包络的相邻子脉冲之间的时间间隔等于1/激光器的种子源频率。
4.根据权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：每个脉冲串或者每个脉冲包络包括2-12个子脉冲。
5.根据权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：所述子脉冲采用声光调控的方式或者电光调控的方式来控制脉冲强度。
6.根据权利要求5所述的激光加工方法，其特征在于：所述子脉冲的强度逐渐减弱。
7.根据权利要求5所述的激光加工方法，其特征在于：所述子脉冲的强度逐渐增强。
8.根据权利要求5所述的激光加工方法，其特征在于：所述子脉冲的强度先增强后减弱。
9.一种LED晶圆片的激光加工方法，其特征在于：本加工方法采用权利要求1-8任一所述激光加工方法在LED晶圆片上形成的聚焦焦点为圆形。
CN201610702497.0A 2016-08-22 2016-08-22 Led晶圆片的激光加工方法 Pending CN106238907A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610702497.0A CN106238907A (zh) 2016-08-22 2016-08-22 Led晶圆片的激光加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610702497.0A CN106238907A (zh) 2016-08-22 2016-08-22 Led晶圆片的激光加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106238907A true CN106238907A (zh) 2016-12-21

Family

ID=57596319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610702497.0A Pending CN106238907A (zh) 2016-08-22 2016-08-22 Led晶圆片的激光加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106238907A (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108788451A (zh) * 2018-09-10 2018-11-13 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快激光透明材料的加工方法及装置
CN108788452A (zh) * 2018-09-10 2018-11-13 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快紫外激光透明材料的加工方法及装置
CN108907478A (zh) * 2018-08-15 2018-11-30 东莞市盛雄激光设备有限公司 一种激光切割装置和方法
CN108941891A (zh) * 2018-08-31 2018-12-07 中国科学院力学研究所 基于光纤激光脉冲串的轧辊表面高粗糙度毛化加工方法
CN108941893A (zh) * 2018-09-10 2018-12-07 杭州银湖激光科技有限公司 一种非平滑表面玻璃的激光加工方法及装置
CN109079317A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 杭州银湖激光科技有限公司 一种透明材料的加工方法及装置
CN109079348A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快绿光激光透明材料的加工方法及装置
CN110039205A (zh) * 2019-04-30 2019-07-23 大族激光科技产业集团股份有限公司 Led晶圆片的加工方法
CN113210879A (zh) * 2020-01-17 2021-08-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 屏幕倒角加工方法
EP3718148A4 (en) * 2017-11-29 2021-09-08 Nichia Corporation METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2395960A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-19 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulsewidths
US20040134896A1 (en) * 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based method and system for memory link processing with picosecond lasers
CN104625433A (zh) * 2014-12-31 2015-05-20 武汉华工激光工程有限责任公司 一种用于切割led灯丝透明材料支架的方法
US20150165562A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
CN104797373A (zh) * 2012-11-26 2015-07-22 维亚机械株式会社 激光加工装置和激光加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040134896A1 (en) * 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based method and system for memory link processing with picosecond lasers
CA2395960A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-19 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for processing a memory link with a burst of laser pulses having ultrashort pulsewidths
CN104797373A (zh) * 2012-11-26 2015-07-22 维亚机械株式会社 激光加工装置和激光加工方法
US20150165562A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
CN104625433A (zh) * 2014-12-31 2015-05-20 武汉华工激光工程有限责任公司 一种用于切割led灯丝透明材料支架的方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3718148A4 (en) * 2017-11-29 2021-09-08 Nichia Corporation METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT
CN108907478A (zh) * 2018-08-15 2018-11-30 东莞市盛雄激光设备有限公司 一种激光切割装置和方法
CN108941891A (zh) * 2018-08-31 2018-12-07 中国科学院力学研究所 基于光纤激光脉冲串的轧辊表面高粗糙度毛化加工方法
CN108941891B (zh) * 2018-08-31 2020-05-22 中国科学院力学研究所 基于光纤激光脉冲串的轧辊表面高粗糙度毛化加工方法
CN108788451A (zh) * 2018-09-10 2018-11-13 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快激光透明材料的加工方法及装置
CN108788452A (zh) * 2018-09-10 2018-11-13 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快紫外激光透明材料的加工方法及装置
CN108941893A (zh) * 2018-09-10 2018-12-07 杭州银湖激光科技有限公司 一种非平滑表面玻璃的激光加工方法及装置
CN109079317A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 杭州银湖激光科技有限公司 一种透明材料的加工方法及装置
CN109079348A (zh) * 2018-09-10 2018-12-25 杭州银湖激光科技有限公司 一种超快绿光激光透明材料的加工方法及装置
CN110039205A (zh) * 2019-04-30 2019-07-23 大族激光科技产业集团股份有限公司 Led晶圆片的加工方法
CN110039205B (zh) * 2019-04-30 2021-07-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 Led晶圆片的加工方法
CN113210879A (zh) * 2020-01-17 2021-08-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 屏幕倒角加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106238907A (zh) Led晶圆片的激光加工方法
TWI584906B (zh) 使用藉由猝發超快雷射脈衝成絲在透明材料中非燒蝕、光聲加壓切削之方法及裝置
JP6321843B2 (ja) 透明ワークを分離する方法
CN109676269B (zh) 一种led晶圆片的激光预分割方法及装置
CN102596482B (zh) 使用具有有益的脉冲波形的激光脉冲群在薄膜材料中划线的方法及装置
CN102317030B (zh) 激光加工装置以及激光加工方法
RU2674916C2 (ru) Способ лазерной обработки для разделения или скрайбирования подложки путем формирования клиновидных поврежденных структур
TW201524651A (zh) 使用超快雷射與光束光學元件的透明材料切割
KR101210653B1 (ko) 전기장을 이용한 레이저 가공장치 및 가공방법
CN105948519B (zh) 一种熔石英激光损伤的无热残余应力修复方法
CN104334312A (zh) 使一工件中具有延伸深度虚饰的激光切割
CN110039205A (zh) Led晶圆片的加工方法
US20130256286A1 (en) Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
CN109277692B (zh) 聚二甲基硅氧烷表面微纳结构飞秒激光双脉冲调控方法
CN106216856A (zh) 双焦点激光加工系统及其加工方法
CN107848067A (zh) 用倾斜激光射束在供体基底的边缘区域中引导裂纹的方法
KR20110137031A (ko) 펨토초 펄스 레이저의 시간에 따른 광강도 조절을 통한 절단방법
CN105228790B (zh) 用于借助于激光辐射剥除脆硬材料的方法
CN108500477A (zh) Led晶圆片的切割方法及切割装置
CN110605483A (zh) 一种led晶圆片的激光切割装置
US20230071407A1 (en) Method for cutting a glass element and cutting system
CN102837369B (zh) 一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法
CN209664573U (zh) 一种激光冲孔装置
CN115663569B (zh) 利用激光辐照增强钙钛矿微晶随机激光发射特性的方法
CN107570894A (zh) 基板的加工方法以及基板的加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161221

RJ01 Rejection of invention patent application after publication