CN106227284B - 一种新型的rfid线性稳压电路 - Google Patents

一种新型的rfid线性稳压电路 Download PDF

Info

Publication number
CN106227284B
CN106227284B CN201610764853.1A CN201610764853A CN106227284B CN 106227284 B CN106227284 B CN 106227284B CN 201610764853 A CN201610764853 A CN 201610764853A CN 106227284 B CN106227284 B CN 106227284B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor
oxide
metal
drain electrode
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610764853.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106227284A (zh
Inventor
王崎权
陆明格
黄克来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIHAI YUNXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
BEIHAI YUNXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIHAI YUNXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical BEIHAI YUNXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610764853.1A priority Critical patent/CN106227284B/zh
Publication of CN106227284A publication Critical patent/CN106227284A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106227284B publication Critical patent/CN106227284B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/561—Voltage to current converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接；本发明通过电流源电路得到一个稳定的net1的电压，并通过反馈电路与电流镜像电路控制net2的电压大小，从而控制PMOS驱动管MP5的导通能力，通过较少的器件得到了相对稳定的输出电压VDD，电路布局简单，减小了布局面积，节约了成本。

Description

一种新型的RFID线性稳压电路
技术领域
本发明涉及一种射频电路技术领域，尤其是一种新型的RFID线性稳压电路。
背景技术
在低频无源RFID芯片的电路设计中，数字电路工作的电源从天线端获得，天线的信号是类正弦波交流信号，得到数字电路工作的直流电压就要经过滤波，限压，稳压得到一个相对稳定的直流电压，经过滤波稳压得到一个比较高的，抖动比较厉害的直流电压，不适合数字电路工作，因此需要稳压器来进行降压稳压得到一个稳定电压，由于无源RFID的特性，不适合做DC-DC电路。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种新型的RFID线性稳压电路。
本发明的技术方案为：一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接。
所述电流源电路包括电流源I0、MOS管MP0、MOS管MN0和滤波电容C0，所述MOS管MP0的源极与电流源I0连接，所述MOS管MP0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN0的漏极连接，所述MOS管MN0的源极接地gnd，所述MOS管MN0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MP0的漏极连接，所述MOS管MP0的栅极与MOS管MN0的栅极连接，所述滤波电容C0的一端接地gnd，所述滤波电容C0的另一端与MOS管MP0的源极连接并与电流源I0连接。
所述反馈电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2，所述MOS管MP1的源极与输出电压VDD连接，所述MOS管MP1的栅极与MOS管MP0的源极连接，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的源极连接，所述MOS管MP2的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN2的漏极连接，所述MOS管MN2的漏极与栅极连接在一起并与MOS管MP2的漏极连接，所述MOS管MN2的源极接地gnd。
所述电流镜像电路包括MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MN3以及电阻R0，所述MOS管MN3的栅极与MOS管MN2的栅极连接，所述MOS管MN3的源极接地gnd，所述MOS管MN3的漏极与MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP3的源极与电源HV连接，所述MOS管MP3的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN3的漏极连接，MOS管MP3的栅极与MOS管MP4的栅极连接，所述MOS管MP4的源极接电源HV，所述MOS管MP4的漏极与电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地gnd。
所述PMOS驱动管MP5的源极与电源HV连接，所述PMOS驱动管MP5的栅极与MOS管MP4的漏极连接并经电阻R0接地gnd，所述PMOS驱动管MP5的漏极与输出电压VDD连接。
由于所述MOS管MN0工作在饱和区，调制MOS管MP0使MOS管MP0也工作在饱和区，根据MOS管在饱和区工作的电流电压特性，在所述稳定电流源I0的驱动下得到net1的电压是稳定的，net1的电压的大小由电流源I0以及MOS管MP0、MOS管MN0共同决定，所述滤波电容C0具有滤波作用，通过滤波电容C0过滤掉由于电流源I0抖动而产生的毛刺电压，
输入电压HV从地gnd的电平开始缓慢上升，由于电阻R0的作用，开始时 net2信号线的电压为地GND的电平，所述PMOS驱动管MP5导通，得到一个随着HV变化而变化的输出电压VDD，随着所述输出电压VDD的升高，所述MOS管MP1也导通，MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2组成的回路形成电流通路，所述MOS管MN3镜像所述MOS管MN2的电流，所述MN3和所述MOS管MP3形成的通路的电流大小与所述MOS管MN2的电流大小成比例关系，电流大小比例关系为MOS管MN2的宽长比与MOS管MN3的宽长比的比例，所述MP4和MP3组成一个电流镜像电路，所述MP4和所述电阻R0形成的通路的电流大小与所述MOS管MP3的电流大小成比例关系，他们的电流大小比例关系为所述MOS管MP3的宽长比与MOS管MP4的宽长比的比例，可知，电阻R0的电流大小与MOS管MP1的电流大小成比例关系，随着输出电压VDD的增加，所述MOS管MP1的电流也变大，所述电阻R0的电流也变大，net2的电压也变大，同时 net2的电压增大会影响PMOS驱动管MP5的导通能力，随着net2的电压增大，所述PMOS驱动管MP5的导通变小，输出电压VDD变小，根据MOS管的电流电压特性，所述输出电压VDD和net1的电压的电压差与所述MOS管MP1的宽长比决定所述MOS管MP1的电流大小。由于net1的电压是稳定的，随着输出电压VDD变小，所述MOS管MP0的电流也随着变小，从而电阻R0的电流也会变小，net2的电压也变小；由于net2电压变小，所述MP5管的导通能力也会变增大，输出电压VDD变大，因此，所述输出电压VDD经过反馈的作用，得到了一个相对稳定的电压，输出电压VDD由所述MOS管MP1、所述MOS管MN2、所述MOS管MN3、所述MOS管MP3、所述MOS管MP4以及电阻R0、net1的电压共同决定。
本发明的有益效果为：通过电流源电路得到一个稳定的net1的电压，并通过反馈电路与电流镜像电路控制net2的电压大小，从而控制PMOS驱动管MP5的导通能力，通过较少的器件得到了相对稳定的输出电压VDD，电路布局简单，减小了布局面积，节约了成本。
附图说明
图1为本发明新型的电路图；
图2为本发明输出电压VDD随电源HV变化的示意图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明：
如图1、图2所示，一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接；
所述电流源电路包括电流源I0、MOS管MP0、MOS管MN0和滤波电容C0，所述MOS管MP0的源极与电流源I0连接，所述MOS管MP0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN0的漏极连接，所述MOS管MN0的源极接地gnd，所述MOS管MN0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MP0的漏极连接，所述MOS管MP0的栅极与MOS管MN0的栅极连接，所述滤波电容C0的一端接地gnd，所述滤波电容C0的另一端与MOS管MP0的源极连接并与电流源I0连接，通过电流源电路得到稳定的net1的电压。
所述反馈电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2，所述MOS管MP1的源极与输出电压VDD连接，所述MOS管MP1的栅极与MOS管MP0的源极连接，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的源极连接，所述MOS管MP2的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN2的漏极连接，所述MOS管MN2的漏极与栅极连接在一起并与MOS管MP2的漏极连接，所述MOS管MN2的源极接地gnd。
所述电流镜像电路包括MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MN3以及电阻R0，所述MOS管MN3的栅极与MOS管MN2的栅极连接，所述MOS管MN3的源极接地gnd，所述MOS管MN3的漏极与MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP3的源极与电源HV连接，所述MOS管MP3的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN3的漏极连接，MOS管MP3的栅极与MOS管MP4的栅极连接，所述MOS管MP4的源极接电源HV，所述MOS管MP4的漏极与电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地gnd。
所述PMOS驱动管MP5的源极与电源HV连接，所述PMOS驱动管MP5的栅极与MOS管MP4的漏极连接并经电阻R0接地gnd，所述PMOS驱动管MP5的漏极与输出电压VDD连接。
由于所述MOS管MN0工作在饱和区，调制MOS管MP0使MOS管MP0也工作在饱和区，根据MOS管在饱和区工作的电流电压特性，在所述稳定电流源I0的驱动下得到net1的电压是稳定的，net1的电压的大小由电流源I0以及MOS管MP0、MOS管MN0共同决定，所述滤波电容C0具有滤波作用，通过滤波电容C0过滤掉由于电流源I0抖动而产生的毛刺电压，
输入电压HV从地gnd的电平开始缓慢上升，由于电阻R0的作用，开始时 net2信号线的电压为地GND的电平，所述PMOS驱动管MP5导通，得到一个随着HV变化而变化的输出电压VDD，随着所述输出电压VDD的升高，所述MOS管MP1也导通，MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2组成的回路形成电流通路，所述MOS管MN3镜像所述MOS管MN2的电流，所述MN3和所述MOS管MP3形成的通路的电流大小与所述MOS管MN2的电流大小成比例关系，电流大小比例关系为MOS管MN2的宽长比与MOS管MN3的宽长比的比例，所述MP4和MP3组成一个电流镜像电路，所述MP4和所述电阻R0形成的通路的电流大小与所述MOS管MP3的电流大小成比例关系，他们的电流大小比例关系为所述MOS管MP3的宽长比与MOS管MP4的宽长比的比例，可知，电阻R0的电流大小与MOS管MP1的电流大小成比例关系，随着输出电压VDD的增加，所述MOS管MP1的电流也变大，所述电阻R0的电流也变大，net2的电压也变大，同时 net2的电压增大会影响PMOS驱动管MP5的导通能力，随着net2的电压增大，所述PMOS驱动管MP5的导通变小，输出电压VDD变小，根据MOS管的电流电压特性，所述输出电压VDD和net1的电压的电压差与所述MOS管MP1的宽长比决定所述MOS管MP1的电流大小。由于net1的电压是稳定的，随着输出电压VDD变小，所述MOS管MP0的电流也随着变小，从而电阻R0的电流也会变小，net2的电压也变小；由于net2的电压变小，所述MP5管的导通能力也会变增大，输出电压VDD变大，因此，所述输出电压VDD经过反馈的作用，得到了一个相对稳定的电压，输出电压VDD由所述MOS管MP1、所述MOS管MN2、所述MOS管MN3、所述MOS管MP3、所述MOS管MP4以及电阻R0、net1的电压共同决定。
上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理和最佳实施例，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (4)

1.一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接，
所述电流源电路包括电流源I0、MOS管MP0、MOS管MN0和滤波电容C0，所述MOS管MP0的源极与电流源I0连接，所述MOS管MP0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN0的漏极连接，所述MOS管MN0的源极接地gnd，所述MOS管MN0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MP0的漏极连接，所述MOS管MP0的栅极与MOS管MN0的栅极连接，所述滤波电容C0的一端接地gnd，所述滤波电容C0的另一端与MOS管MP0的源极连接并与电流源I0连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：所述反馈电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2，所述MOS管MP1的源极与输出电压VDD连接，所述MOS管MP1的栅极与MOS管MP0的源极连接，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的源极连接，所述MOS管MP2的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN2的漏极连接，所述MOS管MN2的漏极与栅极连接在一起并与MOS管MP2的漏极连接，所述MOS管MN2的源极接地gnd。
3.根据权利要求1所述的一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：所述电流镜像电路包括MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MN3以及电阻R0，所述MOS管MN3的栅极与MOS管MN2的栅极连接，所述MOS管MN3的源极接地gnd，所述MOS管MN3的漏极与MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP3的源极与电源HV连接，所述MOS管MP3的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN3的漏极连接，MOS管MP3的栅极与MOS管MP4的栅极连接，所述MOS管MP4的源极接电源HV，所述MOS管MP4的漏极与电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地gnd。
4.根据权利要求1所述的一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：所述PMOS驱动管MP5的源极与电源HV连接，所述PMOS驱动管MP5的栅极与MOS管MP4的漏极连接并经电阻R0接地gnd，所述PMOS驱动管MP5的漏极与输出电压VDD连接。
CN201610764853.1A 2016-08-31 2016-08-31 一种新型的rfid线性稳压电路 Expired - Fee Related CN106227284B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610764853.1A CN106227284B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种新型的rfid线性稳压电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610764853.1A CN106227284B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种新型的rfid线性稳压电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106227284A CN106227284A (zh) 2016-12-14
CN106227284B true CN106227284B (zh) 2018-03-16

Family

ID=58072104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610764853.1A Expired - Fee Related CN106227284B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种新型的rfid线性稳压电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106227284B (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4906093B2 (ja) * 2006-12-27 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101676003B1 (ko) * 2010-06-09 2016-11-14 삼성전자주식회사 무선주파수인식 태그 및 그것의 신호 수신 방법
CN103792979B (zh) * 2012-11-02 2016-08-03 上海华虹集成电路有限责任公司 射频识别中的串联稳压电路
CN204481558U (zh) * 2014-10-22 2015-07-15 深圳市华士精成科技有限公司 一种设备管理电子标签电源模块
CN104573792B (zh) * 2014-12-17 2017-08-04 北海市蕴芯电子科技有限公司 一种低频半双工无源射频卡的泻电自反馈电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN106227284A (zh) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206258757U (zh) 电压调节器
CN105934818B (zh) 用于驱动高侧功率晶体管的集成高侧栅极驱动器结构和电路
CN103941798B (zh) 低压差线性稳压器
CN105075082B (zh) 栅极驱动电路
CN106575865A (zh) 电压调节器的短路保护
CN104571251B (zh) 基准电压产生装置
CN108933574A (zh) 功率放大电路
CN110391788A (zh) 功率放大器的控制电路
CN107528553A (zh) 一种GaN功放管偏置保护电路
CN105005349B (zh) 过电流保护电路、半导体装置以及稳压器
CN104793678A (zh) 稳压器
CN208351364U (zh) 一种线性稳压电路
CN109388170A (zh) 电压调节器
Valente et al. A high-power CMOS class-D amplifier for inductive-link medical transmitters
CN107241018A (zh) 一种宽电压输入转低电压大功率输出电路及方法
CN103944522B (zh) 功率放大器
CN102624344A (zh) 一种功率放大装置
CN105843317A (zh) 低通滤波电路和电源装置
CN106774599A (zh) 一种高电源抑制比的电压调节器电路
CN107632658A (zh) 高电源抑制比的低压差线性稳压器
CN105700606B (zh) 电源模块及其输出电压调节方法
CN106227284B (zh) 一种新型的rfid线性稳压电路
CN109756212A (zh) 驱动控制电路和具有驱动控制电路和晶体管器件的电路
CN106647912A (zh) 基于负载的动态频率补偿方法及装置
CN105811892B (zh) 一种移动终端的双供应偏置电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180316

Termination date: 20180831

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee