CN106226672A - GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法 - Google Patents

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法 Download PDF

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Abstract

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据不同冷热冲击次数下的栅泄漏特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值，获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系，从而获得所述待测GaN基HEMT器件的热特性变化关系，利于发现其设计与工艺问题，提高其器件的热可靠性。

Description

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法
技术领域
本发明涉及GaN基HEMT器件可靠性评价技术领域，尤其涉及一种GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法。
背景技术
GaN基HEMT器件作为第三代半导体器件，具有更高频率、更高的工作温度、更高的击穿电压和更高的功率，在高频、高压、高温、大功率器件的军用和民用领域具有广泛的应用前景。
GaN基HEMT器件是利用GaN与AlGaN的异质材料的极化作用，在界面处形成能带弯曲的三角势阱，形成具有很高的饱和电子速率的二维电子气，从而可以作为高频开关器件。而在GaN基HEMT器件的研制中，其热可靠性是其限制其大规模应用的重要原因之一。例如，如果HEMT器件的跨导降低了，栅泄漏电流增加了，则GaN基HEMT器件的栅控能力降低，从而影响其开关特性的可靠性；如果其热阻值变大了，则器件在应用中散热能力会降低，严重降低其GaN基HEMT器件的可靠性。因此，对于GaN基HEMT器件的热可靠性进行有效评价，将有利于发现HEMT器件的潜在失效机理，并反馈到器件的工艺制备过程中，以提高GaN基HEMT器件的性能和可靠性。
发明内容
为检测上述可靠性问题，本发明提供了一种GaN基HEMT器件热可靠性的评价方法，对GaN基HEMT器件的性能和热可靠性进行评价，从而有利于发现GaN基HEMT器件的潜在性失效机理，并反馈到器件设计和制备中，以提升GaN基HEMT器件的性能和热可靠性。
为解决上述问题，本发明采用的技术方案如下：
GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，该方法的GaN基HEMT器件包括GaN基HEMT半导体器件结构和GaN基HEMT器件的封装结构，GaN基HEMT半导体器件结构设置在GaN基HEMT器件的封装结构内，其特征在于：该方法包括如下，
在每次冷热冲击处理后，利用半导体分析仪测试采集待测GaN基HEMT器件的VG-IDS曲线，再利用跨导公式计算出转移特性曲线，根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线的整合，读取待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随冷热冲击次数变化的曲线；
在每次待测GaN基HEMT器件冷热冲击次数处理后利用半导体分析仪，对待测GaN基HEMT器件的栅端加电压，源端接地，采集待测GaN基HEMT器件的栅泄漏电流特性曲线；
根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线的整合，读取栅电压在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线；
采集待测GaN基HEMT器件初始的K系数和在每次冷热冲击处理后的热阻值；利用温箱和电源，采集栅源在某一恒定电流情况下，栅极电压在三个及以上不同环境温度下的值，再拟合栅极电压与温度的变化曲线，其拟合线的斜率即为待测GaN基HEMT器件的K系数；通过初始测得的K系数，利用HEMT热阻仪测试所述待测GaN基HEMT器件的热阻值，采集待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值；
根据采集的所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值，整合获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随冷热冲击次数的变化关系曲线；
待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导的变化曲线、待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流变化特性以及所述待测GaN基HEMT器件的热阻值变化关系，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导是否随着冷热冲击次数的增加而降低；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
根据所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件的热阻值是否随着冷热冲击次数的增加而增大。
若所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的的跨导随着冷热冲击次数的增加而降低，所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数的增加而增大，且所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的增加而增大，则所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的热稳定性较差。
采集所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线包括：
在每次冷热冲击处理后，将待测GaN基HEMT器件与测试电源相连接；测试待测GaN基HEMT器件的栅极电压在一定工作范围内选取，栅极电压为-4V～2V，包括端点值，漏极电压设置在某一恒定的电压值；
设置高低温冷热冲击实验的温度范围，设置一次冷热冲击循环的时间；
根据待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的转移特性曲线，整合所有转移特性曲线，获得待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随冷热冲击次数的变化曲线包括：
根据所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的IDS-VG曲线，利用公式：
g = ∂ I D S ∂ V G
获得待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线；
其中，g表示所述待测GaN基HEMT器件的跨导，IDS表示所述待测GaN基HEMT器件的漏源电流，VG表示所述待测GaN基HEMT器件的栅极电压。
根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线的整合，读取栅电压在某一相同反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线包括：
将所述待测GaN基HEMT器件固定在匹配电路板上，并与测试仪器相连接；
通过所述的测试仪器，将偏压设置为VD＝VS＝0V，栅极电压测试范围为-15V-2V，测试记录所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电特性曲线，整合待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线，读取栅电压在某一相同反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线。
采集所述待测GaN基HEMT器件的初始K系数和在不同冷热冲击次数下的热阻包括：
将待测GaN基HEMT器件连接电源，放置在温箱内，电源设置条件为VD＝VS＝0V，栅极通1mA电流，测试其所述待测GaN基HEMT器件在不同温度下的栅电压；测试记录待测GaN基HEMT器件在不同温度下的栅极电压，通过数据拟合得出所述待测GaN基HEMT器件的K系数。
采集所述待测GaN基HEMT器件的初始K系数和在不同冷热冲击次数下的热阻包括：
将待测GaN基HEMT器件固定在电路板上，与HEMT热阻仪相连，测试条件设置为：测试电流为1mA，输入K系数，加热时间设置为100s，测试记录待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值。
根据待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导、待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流、热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系曲线，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价包括：
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数变化的特性曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导是否随着冷热冲击次数的增加而降低；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
根据所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件的热阻值是否随着冷热冲击次数的增加而增大。
若所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的的跨导随着冷热冲击次数的增加而降低，所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数的增加而增大，且所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的增加而增大，则所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的热稳定性较差。
现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的技术方案，通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的转移特性曲线和栅泄漏电流特性曲线，以及采集所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的跨导峰值随着不同冷热冲击次数的变化关系。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下栅泄漏电流特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的变化。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值，获得所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的变化，从而获得所述待测GaN基HEMT器件的热特性变化关系，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价，利于发现其设计与工艺问题，提高其器件的热可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例所提供的GaN基HEMT器件热可靠性的评价方法的流程图。
图2为本发明实施例所提供的GaN基HEMT器件的结构示意图(a)和一般GaN基HEMT芯片的剖面示意图(b)。
图3为本发明实施例所提供的GaN基HEMT器件热可靠性的评价方法中，所述待测的GaN基HEMT器件的转移特性曲线和栅泄漏电流特性曲线。
图4为本发明实施例所提供的GaN基HEMT器件热可靠性的评价方法中，所述待测的GaN基HEMT器件的K系数拟合曲线。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种GaN基HEMT器件的热可靠性的评价方法，该方法包括：
采集所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数下的转移特性曲线；
根据所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数下的转移特性曲线，整合获得所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随冷热冲击次数增加的变化曲线。
采集所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数下的栅泄漏电流测试曲线；
根据所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数下的栅泄漏电流测试曲线，整合获得所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随冷热冲击次数增加的变化曲线。
采集所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数下的热阻值；
根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值，获得所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随冷热冲击次数增加的变化曲线。
所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导的变化曲线、所述待测GaN基HEMT器件的栅泄漏电流特性以及所述待测GaN基HEMT器件的热阻值的变化关系，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价。
利用本发明实施例所提供的评价方法，可以对所述待测GaN基HEMT器件中的热可靠性进行评价，利于发现其设计与工艺问题，提高其器件的热可靠性。
为使本发明的评价方法更为明显易懂，以下阐述了本发明的具体实施细节。本实施例仅仅是对本发明最佳实施方式的描述，并不对本发明的范围有任何限制。
本发明实施例提供了一种GaN基HEMT器件的热可靠性的评价方法，该方法包括：
步骤1：采集所述待测GaN基HEMT器件在初始的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线、热阻值；
在本发明的一个实施例中，步骤1包括：
步骤101：将所述待测GaN基HEMT器件固定在匹配测试电路板上，再与AgilentB1500A半导体器件分析仪相连接；其所述待测GaN基HEMT器件的栅极电压范围为-4V～2V，包括端点值，漏极电压为8V。
步骤102：根据所述待测GaN基HEMT器件的IDS-VG曲线，利用公式：
g = ∂ I D S ∂ V G
用origin数据拟合的方法，获得所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击次数后的转移特性曲线。其中，g表示所述待测GaN基HEMT器件的跨导，IDS表示所述待测GaN基HEMT器件的漏源电流，VG表示所述待测GaN基HEMT器件的栅极电压。
步骤103：将所述待测GaN基HEMT器件固定在匹配电路板上，并与Agilent B1500A半导体器件分析仪相连接；将偏压设置为VD＝VS＝0V，栅极电压测试范围为-15V-2V，测试记录所述待测GaN基HEMT器件的栅漏电特性曲线。
步骤104：将所述待测GaN基HEMT器件与电源KEITHLEY2430相连，将器件放置在温箱内。在所述待测GaN基HEMT器件的栅极通1mA电流，分别采集在温度40℃、60℃、80℃、100℃下的栅极电压，然后利用origin数据拟合的方法，拟合出所述待测GaN基HEMT器件的K系数。
步骤105：将所述待测GaN基HEMT器件固定在电路板上，与HEMT热阻仪相连。
步骤106：将所述待测GaN基HEMT器件的测试条件设置为：测试电流为1mA，输入K系数，加热时间设置为100s，采集时间设置为100s，测试记录所述待测GaN基HEMT器件的热阻值。
步骤2：对所述待测GaN基HEMT器件进行高低温冷热冲击实验。
在本发明的一个实施例中，步骤2包括：
步骤201：将所述待测GaN基HEMT器件放置在ESPEC冷热冲击试验箱内，实验条件设置为-55℃～125℃，一次冷热冲击循环时间为40分钟。
步骤3：重复步骤一和步骤二，依次采集在每次高低温冷热冲击实验后，所述待测GaN基HEMT器件的转移特性曲线、栅泄漏电流曲线、热阻值。
在本发明的一个实施例中，步骤3包括：
步骤301：重复步骤1和步骤2到所需要的次数，总结数据，整合得出所述待测GaN基HEMT器件的转移特性曲线、栅泄漏电流曲线、热阻值随冷热冲击次数增加的变化关系，在所述待测GaN基HEMT器件的转移特性曲线、栅泄漏电流曲线、热阻值随冷热冲击次数增加的变化关系图中，读取所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导、某一栅极反向电压下的栅泄漏电流、热阻值随冷热冲击次数增加的变化曲线。
步骤4：根据所述待测GaN基HEMT器件的跨导和栅泄漏电流随高低温冷热冲击次数增加的变化、所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随冷热冲击次数增加的变化关系，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价。
在本发明的一个实施例中，步骤4包括：
步骤401：根据所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数变化的特性曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导是否随着冷热冲击次数的增加而降低。
步骤402：根据所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流是否随着冷热冲击次数的增加而增大。
步骤403：根据所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件的热阻值是否随着冷热冲击次数的增加而增大。
如果步骤401-403中，若所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的的跨导随着冷热冲击次数的增加而降低，所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数的增加而增大，且所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的增加而增大，则所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的热稳定性较差。
本发明的评价方法中，采集所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流曲线、热阻值，通过在每次高低温冷热冲击后都采集一次所述待测GaN基HEMT器件的转移特性曲线、栅泄漏电流曲线、热阻值来实现。
本发明的评价方法中，采集所述待测GaN基HEMT器件在某一工作电压下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化曲线，通过整合汇总所有在冷热冲击处理后转移特性曲线在一个图中，选取图中所有曲线与某一恒定横坐标下的值，即读取在某一相同工作条件下跨导，再将这些读取的跨导值与冷热冲击次数作关系图来实现。
本发明的评价方法中，采集所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极方向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化曲线，通过整合汇总所有在冷热冲击处理后栅泄漏电流特性曲线在一个图中，选取图中所有曲线与某一恒定横坐标下的值，即读取在某一相同栅极反向电压下的栅泄漏电流，再将这些读取的栅泄漏电流值与冷热冲击次数作关系图来实现。

Claims (7)

1.GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，该方法的GaN基HEMT器件包括GaN基HEMT半导体器件结构和GaN基HEMT器件的封装结构，GaN基HEMT半导体器件结构设置在GaN基HEMT器件的封装结构内，其特征在于：该方法包括如下，
在每次冷热冲击处理后，利用半导体分析仪测试采集待测GaN基HEMT器件的VG-IDS曲线，再利用跨导公式计算出转移特性曲线，根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线的整合，读取待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导，从而待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随冷热冲击次数变化的曲线；
在每次待测GaN基HEMT器件冷热冲击次数处理后利用半导体分析仪，对待测GaN基HEMT器件的栅端加电压，源端接地，采集待测GaN基HEMT器件的栅泄漏电流特性曲线；
根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线的整合，读取栅电压在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线；
采集待测GaN基HEMT器件初始的K系数和在每次冷热冲击处理后的热阻值；利用温箱和电源，采集栅源在某一恒定电流情况下，栅极电压在三个及以上不同环境温度下的值，再拟合栅极电压与温度的变化曲线，其拟合线的斜率即为待测GaN基HEMT器件的K系数；通过初始测得的K系数，利用HEMT热阻仪测试所述待测GaN基HEMT器件的热阻值，采集待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值；
根据采集的所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值，整合获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随冷热冲击次数的变化关系曲线；
待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导的变化曲线、待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流变化特性以及所述待测GaN基HEMT器件的热阻值变化关系，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导是否随着冷热冲击次数的增加而降低；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
根据所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件的热阻值是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
若所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的的跨导随着冷热冲击次数的增加而降低，所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数的增加而增大，且所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的增加而增大，则所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的热稳定性较差。
2.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：采集所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线包括：
在每次冷热冲击处理后，将待测GaN基HEMT器件与测试电源相连接；测试待测GaN基HEMT器件的栅极电压在一定工作范围内选取，包括端点值，漏极电压设置在某一恒定的电压值；
设置高低温冷热冲击实验的温度范围，设置一次冷热冲击循环的时间。
3.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：根据待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的转移特性曲线，整合所有转移特性曲线，获得待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随冷热冲击次数的变化曲线包括：
根据所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的IDS-VG曲线，利用公式：
g = ∂ I D S ∂ V G
获得待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的转移特性曲线；
其中，g表示所述待测GaN基HEMT器件的跨导，IDS表示所述待测GaN基HEMT器件的漏源电流，VG表示所述待测GaN基HEMT器件的栅极电压。
4.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：根据待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线的整合，读取栅电压在某一相同反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线包括：
将所述待测GaN基HEMT器件固定在匹配电路板上，并与测试仪器相连接；
通过所述的测试仪器，将偏压设置为VD＝VS＝0V，栅极电压测试范围为-15V-2V，测试记录所述待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电特性曲线，整合待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的栅泄漏电流特性曲线，读取栅电压在某一相同反向电压下的栅泄漏电流，从而获得待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流的随冷热冲击次数变化的特性曲线。
5.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：采集所述待测GaN基HEMT器件的初始K系数和在不同冷热冲击次数下的热阻包括：
将待测GaN基HEMT器件连接电源，放置在温箱内，电源设置条件为VD＝VS＝0V，栅极通1mA电流，测试其所述待测GaN基HEMT器件在不同温度下的栅电压；测试记录待测GaN基HEMT器件在不同温度下的栅极电压，通过数据拟合得出所述待测GaN基HEMT器件的K系数。
6.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：采集所述待测GaN基HEMT器件的初始K系数和在不同冷热冲击次数下的热阻包括：
将待测GaN基HEMT器件固定在电路板上，与HEMT热阻仪相连，测试条件设置为：测试电流为1mA，输入K系数，加热时间设置为100s，测试记录待测GaN基HEMT器件在每次冷热冲击处理后的热阻值。
7.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，其特征在于：根据待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导、待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流、热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系曲线，对所述待测GaN基HEMT器件的热可靠性进行评价包括：
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数变化的特性曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导是否随着冷热冲击次数的增加而降低；
根据所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系，判断所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
根据所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化曲线，判断所述待测GaN基HEMT器件的热阻值是否随着冷热冲击次数的增加而增大；
若所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的的跨导随着冷热冲击次数的增加而降低，所述待测GaN基HEMT器件在某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数的增加而增大，且所述待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数的增加而增大，则所述待测GaN基HEMT器件的开关特性的热稳定性较差。
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