CN106209004A - 基于体型微加工工艺的频率片制备方法 - Google Patents

基于体型微加工工艺的频率片制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,包括以下步骤,将频率片原料置入第一清洗液中,清洗20~30分钟;然后置入酒精中浸泡1~2分钟;再置入第二清洗液中,清洗40~50分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,60~70℃下干燥1~1.5小时,得到表面成膜的频率片原料;在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后去除光刻胶与膜,得到频率片。本发明简化了现有工艺,取消尺寸切割、磨砣、化砣,降低了频率片的加工成本30%;产品的流动性提高,加工周期缩短了1/3;产品良率超过99.5%。

Description

基于体型微加工工艺的频率片制备方法
技术领域
本发明涉及频率片技术领域,尤其涉及一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法。
背景技术
随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对各步工艺制作结果的影响日益突出,对各步工艺的要求也随之越来越严格,如对生产频率片中的形状精度要求就越来越高。
现有工艺的对水晶频率片的加工,主要是前道采用机械加工,后道采用化学加工的方法完成,其太过繁琐,一般需要经过:片研磨→尺寸切割→砣研磨→化砣→倒边→频率调整等多个工艺。 现有加工工艺太过繁琐,一般要经过六道以上工序及较多的辅助工作,每道工序都会产生的不良和人工费,造成成本居高不下。现有技术中存在的技术问题有2点:①工序多,产品流动性差②工序多,使用机械多,所需作业者多,导致成本消减困难。现代工艺的发展对水晶频率片的要求也日增夜涨,但现有的工艺太过繁琐,需要经过研磨、尺寸切割、砣研磨、化砣、倒边、腐蚀。在加工过程中稍有不慎就会造成不良产生。因此需要研发新的频率片制备方法,简化了原来的工艺,取消尺寸切割、磨砣、化砣等工艺,降低了频率片的加工成本,提高产品的流动性。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,包括以下步骤:
(1)将频率片原料置入第一清洗液中,清洗20~30分钟;然后置入酒精中浸泡1~2分钟;再置入第二清洗液中,清洗40~50分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;
所述第一清洗液由萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水组成;所述第二清洗液由氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水组成;
所述萘酚化合物的化学结构式为:
(2)在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,60~70℃下干燥1~1.5小时,得到表面成膜的频率片原料;所述乳液由丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺聚合得到;
(3)在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后去除光刻胶与膜,得到频率片;所述光刻胶组合物由三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮组成。
本发明中,步骤(1)中,频率片原料置入第一清洗液中,于50~60℃清洗20~30分钟;置入第二清洗液中,于80~90℃清洗40~50分钟。
本发明中,步骤(1)中,第一清洗液中,萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水的质量比为6﹕2﹕1﹕2﹕11﹕5﹕100;第二清洗液中,氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水的质量比为3﹕7﹕1﹕5﹕18﹕100。在第一清洗与第二清洗之间设计酒精过滤清洗,一方面去除不同性质的清洗剂成分,以免互相反应干扰清洗效果,另外酒精尤其对微生物有较好的抑制作用,与第二清洗液配合,有效去除微生物或者细菌。
本发明中,步骤(2)中,表面成膜的频率片原料中,膜的厚度为40~60纳米。
本发明中,步骤(2)中,将丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺和水混合,并充分搅拌;然后滴加质量浓度为10%过硫酸铵水溶液;于85℃反应4小时,制得乳液。
本发明中,丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺、水、过硫酸铵水溶液的质量比为15﹕10﹕12﹕14﹕5﹕6﹕100﹕2。频率片与光刻胶的粘合程度是光刻效果的关键影响因素,同时由于频率片的特殊用途,不能一味提高光刻胶的粘接性,否则一旦有光刻胶残留,则导致大面积频率片报废,这也是阻碍现有技术采用该工艺制备频率片的最大原因;本发明通过乳液成膜的设计,不但提高了光刻胶与频率片基材的粘接效果,保证光刻效果,而且膜的去除极为容易,毫无残留,取得了意想不到的技术效果。
本发明中,步骤(3)中,整理液为氢氟酸和氟化铵的混合水溶液;所述整理夜中,氢氟酸和氟化铵的质量总浓度为40%~50%。
本发明中,步骤(3)中,三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮的质量比为8﹕10﹕12﹕4﹕9﹕14﹕2﹕100。光刻胶粘度适中,适于在膜表面涂覆,流平性极好,关键是本发明的光刻胶粘接性稍弱,但是与膜之间的界面效应好,在膜的帮助下可以提高其与频率片的粘接效果,同时去除容易无残留。
本发明中,步骤(3)中,在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶,于80℃干燥3分钟后,再覆盖菲林膜片。
本发明中,步骤(3)中,利用丙酮与四氢呋喃的混合液去除光刻胶与膜。光刻胶本身的粘接性较弱,但是很容易去除,通过膜提高光刻胶与频率片的粘接力,保证光刻效果,同时利用容易可以轻易去除光刻胶与膜,避免有机物残留。
本发明的清洗液去垢性质强,在清洗过程中润湿、乳化、分散和洗涤作用明显,不会对频率片表面有损伤,同时还具有杀菌作用,可以阻止细菌增殖、促使蛋白变性,起到杀菌效果,而且溶解脂类等有机物、降低残留物质的粘度,提高清洗效果;既能去除频率片表面的油污与微生物,又不会发生化学反应,特别是不会对频率片表面产生损伤,从而提高了清洗良率。另外,在洁净的频率片表面,通过配伍合适组成的光刻胶,得到了光刻效果好、易清洗的效果,利用光刻在原料片上刻蚀出频率片的最终尺寸。采用新工艺,简化了现有工艺,取消尺寸切割、磨砣、化砣等工艺,降低了频率片的加工成本30%左右;产品的流动性提高,加工周期缩短了1/3。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述:
实施例一
一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,包括以下步骤:
(1)将频率片原料置入第一清洗液中,于60℃清洗20分钟;然后置入酒精中浸泡2分钟;再置入第二清洗液中,于80℃清洗40分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;
所述第一清洗液由质量比为6﹕2﹕1﹕2﹕11﹕5﹕100的萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水组成;所述第二清洗液由质量比为3﹕7﹕1﹕5﹕18﹕100的氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水组成;
所述萘酚化合物的化学结构式为:
(2)在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,60℃下干燥1小时,得到表面成膜的频率片原料,膜的厚度为60纳米;将丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺和水混合,并充分搅拌;然后滴加质量浓度为10%过硫酸铵水溶液;于85℃反应4小时,制得乳液;丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺、水、过硫酸铵水溶液的质量比15﹕10﹕12﹕14﹕5﹕6﹕100﹕2;
(3)在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,于80℃干燥3分钟后,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后利用丙酮与四氢呋喃的混合液去除光刻胶与膜,得到频率片;所述光刻胶组合物由质量比为8﹕10﹕12﹕4﹕9﹕14﹕2﹕100的三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮组成;整理液为氢氟酸和氟化铵的混合水溶液,氢氟酸和氟化铵的质量总浓度为40%。
实施例二
一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,包括以下步骤:
(1)将频率片原料置入第一清洗液中,于50℃清洗30分钟;然后置入酒精中浸泡1分钟;再置入第二清洗液中,于90℃清洗50分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;
所述第一清洗液由质量比为6﹕2﹕1﹕2﹕11﹕5﹕100的萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水组成;所述第二清洗液由质量比为3﹕7﹕1﹕5﹕18﹕100的氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水组成;
所述萘酚化合物的化学结构式为:
(2)在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,70℃下干燥1.5小时,得到表面成膜的频率片原料,膜的厚度为40纳米;将丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺和水混合,并充分搅拌;然后滴加质量浓度为10%过硫酸铵水溶液;于85℃反应4小时,制得乳液;丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺、水、过硫酸铵水溶液的质量比15﹕10﹕12﹕14﹕5﹕6﹕100﹕2;
(3)在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,于80℃干燥3分钟后,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后利用丙酮与四氢呋喃的混合液去除光刻胶与膜,得到频率片;所述光刻胶组合物由质量比为8﹕10﹕12﹕4﹕9﹕14﹕2﹕100的三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮组成;整理液为氢氟酸和氟化铵的混合水溶液,氢氟酸和氟化铵的质量总浓度为40%~50%。
实施例三
一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,包括以下步骤:
(1)将频率片原料置入第一清洗液中,于60℃清洗30分钟;然后置入酒精中浸泡1分钟;再置入第二清洗液中,于80℃清洗40分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;
所述第一清洗液由质量比为6﹕2﹕1﹕2﹕11﹕5﹕100的萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水组成;所述第二清洗液由质量比为3﹕7﹕1﹕5﹕18﹕100的氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水组成;
所述萘酚化合物的化学结构式为:
(2)在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,70℃下干燥1小时,得到表面成膜的频率片原料,膜的厚度为50纳米;将丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺和水混合,并充分搅拌;然后滴加质量浓度为10%过硫酸铵水溶液;于85℃反应4小时,制得乳液;丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺、水、过硫酸铵水溶液的质量比15﹕10﹕12﹕14﹕5﹕6﹕100﹕2;
(3)在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,于80℃干燥3分钟后,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后利用丙酮与四氢呋喃的混合液去除光刻胶与膜,得到频率片;所述光刻胶组合物由质量比为8﹕10﹕12﹕4﹕9﹕14﹕2﹕100的三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮组成;整理液为氢氟酸和氟化铵的混合水溶液,氢氟酸和氟化铵的质量总浓度为40%~50%。
本发明在原料片上涂上正胶和反胶,利用光刻的原理在原料片上刻蚀出频率片的最终尺寸,简化了现有工艺,取消尺寸切割、磨砣、化砣等工艺,降低了频率片的加工成本30%左右;产品的流动性提高,加工周期缩短了1/3;产品良率超过99.5%。

Claims (10)

1.一种基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将频率片原料置入第一清洗液中,清洗20~30分钟;然后置入酒精中浸泡1~2分钟;再置入第二清洗液中,清洗40~50分钟;最后置入用水冲洗,得到清洗后的频率片原料;
所述第一清洗液由萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水组成;所述第二清洗液由氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水组成;
所述萘酚化合物的化学结构式为:
(2)在清洗后的频率片原料表面涂覆乳液,60~70℃下干燥1~1.5小时,得到表面成膜的频率片原料;所述乳液由丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺聚合得到;
(3)在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶组合物,再覆盖菲林膜片,于360mJ/cm2固化45秒;接着撤去菲林膜片后用整理液浸泡80秒,得到带有光刻胶的频率片;最后去除光刻胶与膜,得到频率片;所述光刻胶组合物由三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮组成。
2.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(1)中,频率片原料置入第一清洗液中,于50~60℃清洗20~30分钟;置入第二清洗液中,于80~90℃清洗40~50分钟。
3.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(1)中,第一清洗液中,萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、氢氧化钾、十二水磷酸氢二钠、水的质量比为6﹕2﹕1﹕2﹕11﹕5﹕100;第二清洗液中,氢溴酸、聚丙烯酸钠、高锰酸钾、2-巯基苯并噻唑、聚乙二醇辛基苯基醚、水的质量比为3﹕7﹕1﹕5﹕18﹕100。
4.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(2)中,表面成膜的频率片原料中,膜的厚度为40~60纳米。
5.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(2)中,将丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺和水混合,并充分搅拌;然后滴加质量浓度为10%过硫酸铵水溶液;于85℃反应4小时,制得乳液。
6.根据权利要求5所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:丙烯酸丁酯、丙烯酸、N-羟甲基丙烯酰胺、丙二醇嵌段聚醚、己二酸二(3,4-环氧基-6-甲基环己基甲酸)、N,N-二甲基乙二胺、水、过硫酸铵水溶液的质量比15﹕10﹕12﹕14﹕5﹕6﹕100﹕2。
7.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(3)中,整理液为氢氟酸和氟化铵的混合水溶液;所述整理夜中,氢氟酸和氟化铵的质量总浓度为40%~50%。
8.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(3)中,三缩水甘油基三聚异氰酸酯、2-羟乙基甲基丙稀酸磷酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸、八乙烯基八硅倍半氧烷、聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯、2,4,6-三甲氧基苯甲缩醛季戊四醇碳酸酯、安息香二甲醚、丁酮的质量比为8﹕10﹕12﹕4﹕9﹕14﹕2﹕100。
9.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(3)中,在表面成膜的频率片原料表面涂覆光刻胶,于80℃干燥3分钟后,再覆盖菲林膜片。
10.根据权利要求1所述基于体型微加工工艺的频率片制备方法,其特征在于:步骤(3)中,利用丙酮与四氢呋喃的混合液去除光刻胶与膜。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5925205A (en) * 1996-06-04 1999-07-20 Robert Bosch Gmbh Method for manufacturing a nozzle plate
JP2008252826A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 圧電振動片の製造方法
CN102315830A (zh) * 2011-04-25 2012-01-11 浙江大学 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
CN103663361A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 哈尔滨理工大学 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5925205A (en) * 1996-06-04 1999-07-20 Robert Bosch Gmbh Method for manufacturing a nozzle plate
JP2008252826A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 圧電振動片の製造方法
CN102315830A (zh) * 2011-04-25 2012-01-11 浙江大学 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
CN103663361A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 哈尔滨理工大学 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法

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