CN106208777A - 一种基于过压保护电路的逆变系统 - Google Patents

一种基于过压保护电路的逆变系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，极性电容C2，极性电容C19，极性电容C18，电阻R14，比较放大电路，电压检测电路，压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成。本发明能提高逆变后的电压的耐压性和动态范围，并且能将逆变后的电压电流的中间零点偏移控制在0.5nA以内，从而确保了本发明输出的交流电压的稳定性；并且本发明还能降低逆变时电压电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输出电流的异常波动，从而提高了本发明的负载能力，即本发明的负载能力为额定负载的80‑95％。

Description

一种基于过压保护电路的逆变系统
技术领域
本发明涉及电子领域，具体的说，是一种基于过压保护电路的逆变系统。
背景技术
逆变系统是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220V，50Hz正弦波)。逆变系统广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱，录像机、按摩器、风扇、照明等。随着科技的发展，上述的电子产品也在不断的发展，因此对逆变系统输出电压的稳定性和负载能力的要求也越来越高。然而，现有的逆变系统逆变后输出的交流电压不稳定；并且现有的逆变系统还存在的负载能力差的问题，即现有的逆变系统仅为额定负载的40-60％，不能满足人们的要求。
因此，提供一种既能输出稳定的电压，又能提高负载能力的逆变系统是当务之急。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的现有的逆变系输出的电压不稳定，负载能力差的缺陷，提供的一种基于过压保护电路的逆变系统。
本发明通过以下技术方案来实现：一种基于过压保护电路的逆变系统，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接的二极管D1，一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接、另一端与逆变芯片U的REF管脚相连接的电阻R3，负极与逆变芯片U的DT管脚相连接、正极与逆变芯片U的REF管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接、负极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的极性电容C2，正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、负极接地的极性电容C19，N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、P极与极性电容C19的负极相连接的稳压二极管D13，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极经电感L2后与极性电容C19的负极相连接的极性电容C18，负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接、正极与逆变芯片U的C2管脚相连接的极性电容C17，一端与逆变芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R14，分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接的比较放大电路，分别与比较放大电路和逆变芯片U相连接的电压检测电路，分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接的压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成；所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成输出端。
进一步的，所述过压保护电路由场效应管MOS2，三极管VT9，三极管VT10，正极经电阻R20后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C20，P极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R29和电阻R31后与三极管VT9的基极相连接的二极管D14，正极与三极管VT9的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C21，N极与三极管VT10的发射极相连接后接地、P极经电阻R33后与极性电容C21的负极相连接的二极管D16，N极与三极管VT9的基极相连接、P极经电阻R34后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D15，一端与极性电容C21的负极相连接、另一端与二极管D15的P极相连接的可调电阻R32，正极经电阻R30后与场效应管MOS2的漏极相连接、负极接地的极性电容C22，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极与二极管D15的P极相连接的极性电容C23，P极与场效应管MOS2的漏极相连接、N极经电阻R35后与三极管VT10的集电极相连接的稳压二极管D17，以及一端与稳压二极管D17的N极相连接、另一端与三极管VT10的基极相连接的热敏电阻RT组成；所述三极管VT9的发射极接地；所述场效应管MOS2的源极还与压控振荡电路相连接；所述稳压二极管D17的N极与极性电容C18的负极相连接。
所述比较放大电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，N极与极性电容C2的正极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D2，负极经电阻R5后与三极管VT3的基极相连接、正极与三极管VT2的基极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R6后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D3，正极与逆变芯片U的-IN2管脚相连接、负极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C5，N极与逆变芯片U的PWM管脚相连接、P极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接的二极管D5，负极与三极管VT3的发射极相连接、正极与二极管D5的P极相连接的极性电容C6，正极经电阻R8后与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C7，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，以及一端与二极管D5的P极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接后接地的电阻R9组成；所述三极管VT3的基极还与二极管D1的N极相连接；所述二极管D1的P极和N极共同形成输入端；所述三极管VT4的发射极与电压检测电路相连接、其基极与逆变芯片U的-IN1管脚相连接。
所述电压检测电路由三极管VT5，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极接地的极性电容C8，P极与极性电容C8的负极相连接、N极经电阻R10后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接的二极管D6，P极经电阻R11后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D7，正极与逆变芯片U的CT管脚相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的极性电容C9，一端与逆变芯片U的RT管脚相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R12，正极与三极管VT5的发射极相连接、负极经电阻R13后与二极管D7的N极相连接的极性电容C10，以及负极与极性电容C10的负极相连接、正极经电阻R20后与逆变芯片U的E2管脚相连接的极性电容C11组成；所述二极管D6的比较与三极管VT5的集电极相连接；所述极性电容C9的正极还与逆变芯片U的RT管脚相连接；所述极性电容C10的负极还与压控振荡电路相连接。
所述压控振荡电路由三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，场效应管MOS1，P极与三极管VT7的基极相连接、N极与逆变芯片U的E1管脚相连接的二极管D8，正极经电阻R21后与场效应管MOS1的漏极相连接、负极与三极管VT7的基极相连接的极性电容C16，正极与三极管VT7的集电极相连接、负极经电阻R19后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C15，负极经电阻R17后与三极管VT8的基极相连接、正极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C12，P极经电阻R15后与三极管VT6的发射极相连接、N极与三极管VT8的基极相连接的二极管D9，负极与三极管VT8的集电极相连接、正极经电阻R25后与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的极性电容C14，P极经电阻R23后与三极管VT7的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的同名端相连接的稳压二极管D12，正极经电阻R18后与极性电容C14的正极相连接、负极经电阻R16后与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C13，N极与场效应管MOS1的源极相连接、P极经电阻R22后与极性电容C13的正极相连接的二极管D11，以及P极与三极管VT8的发射极相连接后接地、N极与极性电容C13的负极相连接的二极管D10组成；所述极性电容C16的正极还与逆变芯片U的C1管脚相连接；所述三极管VT7的基极还与三极管VT6的集电极相连接；所述极性电容C15的负极还与三极管VT8的基极相连接；所述二极管D9的N极还与场效应管MOS2的源极相连接、其P极则与极性电容C10的负极相连接。
为了本发明的实际使用效果，所述逆变芯片U则优先采用TL494集成芯片来实现。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明能提高逆变后的电压的耐压性和动态范围，并且能将逆变后的电压电流的中间零点偏移控制在0.5nA以内，从而确保了本发明输出的交流电压的稳定性；并且本发明还能降低逆变时电压电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输出电流的异常波动，从而提高了本发明的负载能力，即本发明的负载能力为额定负载的80-95％。
(2)本发明能对输出电压的瞬间高电压进行消除或抑制，从而确保了本发明的输出电压的稳定性。
(3)本发明的逆变芯片U采用TL494集成芯片来实现，并且该芯片与外部电路相结合，能提高本发明输出的交流电压的稳定性，有效的提高本发明的负载能力。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的过压保护电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本发明主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R14，电阻R24，极性电容C1，极性电容C2，极性电容C3，极性电容C17，极性电容C18，极性电容C19，二极管D1，稳压二极管D13，电感L1，电感L2，过压保护电路，比较放大电路，电压检测电路，以及压控振荡电路组成。
连接时，极性电容C1的正极与三极管VT1的基极相连接，其负极则接地。二极管D1的P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接，其N极则经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接。电阻R3的一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接，其另一端则与逆变芯片U的REF管脚相连接。极性电容C3的负极与逆变芯片U的DT管脚相连接，其正极则与逆变芯片U的REF管脚相连接。
其中，极性电容C2的正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接，其负极则经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接。极性电容C19的正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接，其负极则接地。稳压二极管D13的N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接，其P极则与极性电容C19的负极相连接。极性电容C18的正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接，其负极则经电感L2后与极性电容C19的负极相连接。
同时，极性电容C17的负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接，其正极则与逆变芯片U的C2管脚相连接。电阻R14的一端与逆变芯片U的GND管脚相连接，其另一端则接地。比较放大电路分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接。电压检测电路分别与比较放大电路和逆变芯片U相连接。压控振荡电路分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接。过压保护电路串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间。
所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成逆变系统的输出端并与负载相连接；所述二极管D1的P极和N极共同形成逆变系统的输入端。为了本发明的实际使用效果，所述逆变芯片U则优先采用TL494集成芯片来实现。
进一步地，所述比较放大电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，极性电容C4，极性电容C5，极性电容C6，极性电容C7，二极管D2，二极管D3，二极管D4，以及二极管D5组成。
连接时，二极管D2的N极与极性电容C2的正极相连接，其P极则与三极管VT2的基极相连接。极性电容C4的负极经电阻R5后与三极管VT3的基极相连接，其正极则与三极管VT2的基极相连接。二极管D3的P极与三极管VT3的集电极相连接，其N极则经电阻R6后与三极管VT2的发射极相连接。极性电容C5的正极与逆变芯片U的-IN2管脚相连接，其负极则与三极管VT3的发射极相连接。
同时，二极管D5的N极与逆变芯片U的PWM管脚相连接，其P极则经电阻R7后与二极管D3的N极相连接。极性电容C6的负极与三极管VT3的发射极相连接，其正极则与二极管D5的P极相连接。极性电容C7的正极经电阻R8后与三极管VT2的集电极相连接，其负极则与三极管VT4的集电极相连接。二极管D4的P极与三极管VT2的集电极相连接，其N极则与三极管VT4的集电极相连接。电阻R9的一端与二极管D5的P极相连接，其另一端则与三极管VT4的集电极相连接后接地。
所述三极管VT3的基极还与二极管D1的N极相连接；所述二极管D1的P极和N极共同形成输入端；所述三极管VT4的发射极与电压检测电路相连接、其基极与逆变芯片U的-IN1管脚相连接。
更进一步地，所述电压检测电路由三极管VT5，电阻R10，电阻R11，可调电阻R12，电阻R13，电阻R20，极性电容C8，极性电容C9，极性电容C10，极性电容C11，二极管D6，以及二极管D7组成。
连接时，极性电容C8的正极与三极管VT4的发射极相连接，其负极则接地。二极管D6的P极与极性电容C8的负极相连接，其N极则经电阻R10后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接。二极管D7的P极经电阻R11后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接，其N极则与三极管VT5的发射极相连接。极性电容C9的正极与逆变芯片U的CT管脚相连接，其负极则与三极管VT5的基极相连接。
同时，可调电阻R12的一端与逆变芯片U的RT管脚相连接，其另一端则与三极管VT5的发射极相连接。极性电容C10的正极与三极管VT5的发射极相连接，其负极则经电阻R13后与二极管D7的N极相连接。极性电容C11的负极与极性电容C10的负极相连接，其正极则经电阻R20后与逆变芯片U的E2管脚相连接。
所述二极管D6的比较与三极管VT5的集电极相连接；所述极性电容C9的正极还与逆变芯片U的RT管脚相连接；所述极性电容C10的负极还与压控振荡电路相连接。
再进一步地，所述压控振荡电路由三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，场效应管MOS1，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R25，极性电容C12，极性电容C13，极性电容C14，极性电容C15，极性电容C6，二极管D8，二极管D9，二极管D10，二极管D11，以及稳压二极管D12组成。
连接时，二极管D8的P极与三极管VT7的基极相连接，其N极则与逆变芯片U的E1管脚相连接。极性电容C16的正极经电阻R21后与场效应管MOS1的漏极相连接，其负极则与三极管VT7的基极相连接。极性电容C15的正极与三极管VT7的集电极相连接，其负极则经电阻R19后与场效应管MOS1的栅极相连接。极性电容C12的负极经电阻R17后与三极管VT8的基极相连接，其正极与三极管VT6的基极相连接。
其中，二极管D9的P极经电阻R15后与三极管VT6的发射极相连接，其N极则与三极管VT8的基极相连接。极性电容C14的负极与三极管VT8的集电极相连接，其正极则经电阻R25后与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接。稳压二极管D12的P极经电阻R23后与三极管VT7的发射极相连接，其N极则与变压器T原边电感线圈的同名端相连接。
同时，极性电容C13的正极经电阻R18后与极性电容C14的正极相连接，其负极则经电阻R16后与三极管VT8的发射极相连接。二极管D11的N极与场效应管MOS1的源极相连接，其P极经则电阻R22后与极性电容C13的正极相连接。二极管D10的P极与三极管VT8的发射极相连接后接地，其N极则与极性电容C13的负极相连接。
所述极性电容C16的正极还与逆变芯片U的C1管脚相连接；所述三极管VT7的基极还与三极管VT6的集电极相连接；所述极性电容C15的负极还与三极管VT8的基极相连接；所述二极管D9的N极还与场效应管MOS2的源极相连接、其P极则与极性电容C10的负极相连接。
如图2所示，所述过压保护电路由场效应管MOS2，三极管VT9，三极管VT10，电阻R26，电阻R27，电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，可调电阻R32，电阻R33，电阻R34，电阻R35，极性电容C20，极性电容C21，极性电容C22，极性电容C23，二极管D14，二极管D15，二极管D16，稳压二极管D17，以及热敏电阻RT组成。
连接时，极性电容C20的正极经电阻R20后与场效应管MOS2的源极相连接，负极经电阻R27后与三极管VT9的发射极相连接。二极管D14的P极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接，N极则顺次经电阻R29和电阻R31后与三极管VT9的基极相连接。极性电容C21的正极与三极管VT9的基极相连接，负极则经电阻R28后与三极管VT9的发射极相连接。
其中，二极管D16的N极与三极管VT10的发射极相连接后接地，P极经电阻R33后与极性电容C21的负极相连接。二极管D15的N极与三极管VT9的基极相连接，P极经电阻R34后与三极管VT10的集电极相连接。可调电阻R32的一端与极性电容C21的负极相连接，另一端与二极管D15的P极相连接。极性电容C22的正极经电阻R30后与场效应管MOS2的漏极相连接，负极接地。
同时，极性电容C23的正极与场效应管MOS2的漏极相连接，负极与二极管D15的P极相连接。稳压二极管D17P极与场效应管MOS2的漏极相连接，N极经电阻R35后与三极管VT10的集电极相连接。热敏电阻RT的一端与稳压二极管D17的N极相连接，另一端与三极管VT10的基极相连接。所述三极管VT9的发射极接地；所述场效应管MOS2的源极还与压控振荡电路相连接；所述稳压二极管D17的N极与极性电容C18的负极相连接。
运行时，本发明能提高逆变后的电压的耐压性和动态范围，并且能将逆变后的电压电流的中间零点偏移控制在0.5nA以内，从而确保了本发明输出的交流电压的稳定性；并且本发明还能降低逆变时电压电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输出电流的异常波动，从而提高了本发明的负载能力，即本发明的负载能力为额定负载的80-95％。
同时，本发明能对输出电压的瞬间高电压进行消除或抑制，从而确保了本发明的输出电压的稳定性。本发明的逆变芯片U采用TL494集成芯片来实现，并且该芯片与外部电路相结合，能提高本发明输出的交流电压的稳定性，有效的提高本发明的负载能力。
按照上述实施例，即可很好的实现本发明。

Claims (6)

1.一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接的二极管D1，一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接、另一端与逆变芯片U的REF管脚相连接的电阻R3，负极与逆变芯片U的DT管脚相连接、正极与逆变芯片U的REF管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接、负极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的极性电容C2，正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、负极接地的极性电容C19，N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、P极与极性电容C19的负极相连接的稳压二极管D13，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极经电感L2后与极性电容C19的负极相连接的极性电容C18，负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接、正极与逆变芯片U的C2管脚相连接的极性电容C17，一端与逆变芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R14，分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接的比较放大电路，分别与比较放大电路和逆变芯片U相连接的电压检测电路，分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接的压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成；所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成输出端。
2.根据权利要求1所述的一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，所述过压保护电路由场效应管MOS2，三极管VT9，三极管VT10，正极经电阻R20后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C20，P极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R29和电阻R31后与三极管VT9的基极相连接的二极管D14，正极与三极管VT9的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C21，N极与三极管VT10的发射极相连接后接地、P极经电阻R33后与极性电容C21的负极相连接的二极管D16，N极与三极管VT9的基极相连接、P极经电阻R34后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D15，一端与极性电容C21的负极相连接、另一端与二极管D15的P极相连接的可调电阻R32，正极经电阻R30后与场效应管MOS2的漏极相连接、负极接地的极性电容C22，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极与二极管D15的P极相连接的极性电容C23，P极与场效应管MOS2的漏极相连接、N极经电阻R35后与三极管VT10的集电极相连接的稳压二极管D17，以及一端与稳压二极管D17的N极相连接、另一端与三极管VT10的基极相连接的热敏电阻RT组成；所述三极管VT9的发射极接地；所述场效应管MOS2的源极还与压控振荡电路相连接；所述稳压二极管D17的N极与极性电容C18的负极相连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，所述比较放大电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，N极与极性电容C2的正极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D2，负极经电阻R5后与三极管VT3的基极相连接、正极与三极管VT2的基极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R6后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D3，正极与逆变芯片U的-IN2管脚相连接、负极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C5，N极与逆变芯片U的PWM管脚相连接、P极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接的二极管D5，负极与三极管VT3的发射极相连接、正极与二极管D5的P极相连接的极性电容C6，正极经电阻R8后与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C7，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，以及一端与二极管D5的P极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接后接地的电阻R9组成；所述三极管VT3的基极还与二极管D1的N极相连接；所述二极管D1的P极和N极共同形成输入端；所述三极管VT4的发射极与电压检测电路相连接、其基极与逆变芯片U的-IN1管脚相连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，所述电压检测电路由三极管VT5，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极接地的极性电容C8，P极与极性电容C8的负极相连接、N极经电阻R10后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接的二极管D6，P极经电阻R11后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D7，正极与逆变芯片U的CT管脚相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的极性电容C9，一端与逆变芯片U的RT管脚相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R12，正极与三极管VT5的发射极相连接、负极经电阻R13后与二极管D7的N极相连接的极性电容C10，以及负极与极性电容C10的负极相连接、正极经电阻R20后与逆变芯片U的E2管脚相连接的极性电容C11组成；所述二极管D6的比较与三极管VT5的集电极相连接；所述极性电容C9的正极还与逆变芯片U的RT管脚相连接；所述极性电容C10的负极还与压控振荡电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，所述压控振荡电路由三极管VT6，三极管VT7，三极管VT8，场效应管MOS1，P极与三极管VT7的基极相连接、N极与逆变芯片U的E1管脚相连接的二极管D8，正极经电阻R21后与场效应管MOS1的漏极相连接、负极与三极管VT7的基极相连接的极性电容C16，正极与三极管VT7的集电极相连接、负极经电阻R19后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C15，负极经电阻R17后与三极管VT8的基极相连接、正极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C12，P极经电阻R15后与三极管VT6的发射极相连接、N极与三极管VT8的基极相连接的二极管D9，负极与三极管VT8的集电极相连接、正极经电阻R25后与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的极性电容C14，P极经电阻R23后与三极管VT7的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的同名端相连接的稳压二极管D12，正极经电阻R18后与极性电容C14的正极相连接、负极经电阻R16后与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C13，N极与场效应管MOS1的源极相连接、P极经电阻R22后与极性电容C13的正极相连接的二极管D11，以及P极与三极管VT8的发射极相连接后接地、N极与极性电容C13的负极相连接的二极管D10组成；所述极性电容C16的正极还与逆变芯片U的C1管脚相连接；所述三极管VT7的基极还与三极管VT6的集电极相连接；所述极性电容C15的负极还与三极管VT8的基极相连接；所述二极管D9的N极还与场效应管MOS2的源极相连接、其P极则与极性电容C10的负极相连接。
6.根据权利要求5所述的一种基于过压保护电路的逆变系统，其特征在于，所述逆变芯片U为TL494集成芯片。
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