CN106169311A - 一种dram晶圆测试中精确捕获失效地址的方法 - Google Patents

Abstract

本发明一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，包括如下步骤，步骤1，针对DRAM晶圆测试流程中的任意功能测试项，给每个功能测试项分配一个变量，变量与功能测试项一一对应；步骤2，根据测试需求，对变量在晶圆测试开始后一次性赋值，控制是否捕获对应测试项的失效地址；步骤3，在执行功能测试项并通过地址失效寄存器AFM记录对应的失效地址后，根据当前测试项以及当前测试项的前一个测试项的变量赋值状况，控制是否读取地址失效寄存器AFM中的累积失效信息，并生成临时文件；步骤4，通过对生成的临时文件之间失效地址信息的比对，剔除掉重复的信息，最终生成当前测试项的失效地址文件。

Description

一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法

技术领域

本发明涉及DRAM晶圆测试，具体为一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法。

背景技术

如图1所示，现有技术中DRAM晶圆测试流程时，主要是从DRAM修复的角度考虑的，即每个功能测试项执行完成后，失效地址不断的累积在失效地址寄存器中，测试完成后，寻找修复方案。由于DRAM在晶圆测试中一项重要的任务是针对失效地址寻找修复方案，因此，作为DRAM的地址失效寄存器(AFM)在每个功能测试项之后是累加的关系，即在测试结束的时候，AFM中的失效地址是所有功能测试项失效地址的总和，每个功能测试项的失效地址信息丢失。这种处理方式使问题定位变得困难，既无法优化测试项提升良率，也无法提供DRAM制造工艺的改进信息。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，在不改变原有的DRAM测试方法的基础上，能针对每个功能测试项进行精确捕获失效地址，即在DRAM晶圆测试结束时，可根据需求得到任意功能测试项的失效地址信息。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，包括如下步骤，

步骤1，针对DRAM晶圆测试流程中的任意功能测试项，给每个功能测试项分配一个变量，变量与功能测试项一一对应；

步骤2，根据测试需求，对变量在晶圆测试开始后一次性赋值，控制是否捕获对应测试项的失效地址；

步骤3，在执行功能测试项并通过地址失效寄存器AFM记录对应的失效地址后，根据当前测试项以及当前测试项的前一个测试项的变量赋值状况，控制是否读取地址失效寄存器AFM中的累积失效信息，并生成临时文件；

步骤4，通过对生成的临时文件之间失效地址信息的比对，剔除掉重复的信息，最终生成当前测试项的失效地址文件。

优选的，所述的变量为数组型变量；DRAM晶圆测试流程中共有N个功能测试项，N为正整数；其对应的数组变量为a[0]、a[1]······a[N]；第i个功能测试项的数组变量为a[i]，i为1到N的任意整数。

进一步，根据测试需求，对功能测试项1到N所对应的数组变量a[1]到a[N]一次性赋值；每个功能测试项的数组型变量a[i]的赋值非0即1，0表明对应测试项不需要抓取失效地址；1表明对应测试项需要抓取失效地址。

再进一步，在晶圆测试开始后，先将数组变量清零，再对数组变量进行一次性赋值，然后将失效地址寄存器AFM清空后，根据功能测试项的数组型变量的赋值判断是否捕获对应测试项的失效地址，再执行该功能测试项。

再进一步，当数组型变量a[i]为0时，功能测试项i不需要抓取失效地址，则执行功能测试项i，地址失效寄存器AFM记录失效地址后，本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。

再进一步，当数组型变量a[i]为1时，功能测试项i需要抓取失效地址；判断该功能测试项前一个功能测试项i-1的数组型变量a[i-1]；当数组型变量a[i-1]为0时，步骤如下：

在执行功能测试项i之前，读取地址失效寄存器AFM的信息，生成临时文件1—i；

在执行功能测试项i后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i；

从临时文件2—i中剔除临时文件1—i中的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。

再进一步，当数组型变量a[i]为1时，功能测试项i需要抓取失效地址；判断该功能测试项前一个功能测试项的数组型变量a[i-1]；当数组型变量a[i-1]为1时，步骤如下：

在执行功能测试项i后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i；

从临时文件2—i中剔除临时文件2—i-1中的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；其中，临时文件2—i-1为在执行功能测试项i-1后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i-1；本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：

本发明在原有的DRAM晶圆测试流程的基础之上，引入了一个新的数组型变量a，该变量与功能测试项一一对应，以达到灵活控制每个功能测试项失效地址抓取的目的。例如第i(i为1到N的任意整数)个功能测试项，有a[i]与之相对应，控制是否捕获该测试项的失效地址。当执行到第i个功能测试项时，通过对a[i]以及a[i-1]状态的判断，来决定是否读取地址失效寄存器AFM中的累积失效信息以及生成临时文件，并对不同站点的临时文件进行比对处理，生成当前功能测试项i的失效地址文件。通过对每个功能测试项的数组变量a的控制，可以精确的捕获该测试项的失效地址信息，从而能够优化功能测试项，更合理的开发测试条件；优化良率；研究DRAM制造工艺的不足，有针对性的对DRAM制造工艺进行调整。

附图说明

图1为现有技术中DRAM晶圆测试流程图。

图2为本发明实例中DRAM测试时精确捕获失效地址的流程图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。

本发明改进之处是对测试流程中的每个功能测试项，分配一个变量，该变量会根据测试需求，在开始晶圆测试时被一次性赋值。通过对该变量进行控制，可进一步控制任意功能测试项失效地址的抓取。

具体的如图2所示，通过判断变量a赋值的判断，控制是否需要生成当前功能测试项的失效地址文件。

开始晶圆测试后，假设有N个功能测试项，那么首先会对数组a[0]、a[1]······a[N]全部清零；之后按照测试需求，对功能测试项1到N所对应的a[1]到a[N]一次性赋值；每个功能测试项的a[i](i为1到N的任意整数)的赋值非0即1；a[i]为0表明该测试项不需要抓取失效地址；a[i]为1表明该测试项需要抓取失效地址。

1、假设执行功能测试项i，当a[i]为0时，表明功能测试项i不需要抓取失效地址，测试流程执行方式和传统DRAM流程相同。即；

1.1执行功能测试项i；

1.2地址失效寄存器AFM累积失效地址；

1.3测试结束判断控制测试流程走向；

2、假设执行功能测试项i，当a[i]为1时，表明功能测试项i需要抓取失效地址，那么会根据该测试项的前一个功能测试项的a[i-1]的状态分为两种情况：

2.1，a[i]为1，a[i-1]为0：

2.1.1在功能测试项i之前会读取地址失效寄存器AFM的信息，生成临时文件1—i；

2.1.2执行功能测试项i；

2.1.3地址失效寄存器AFM累积失效信息

2.1.4读取地址失效寄存器AFM的信息，生成临时文件2—i；

2.1.5通过剔除临时文件2—i中临时文件1—i的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；

2.1.6测试结束判断控制测试流程走向；

2.2，a[i]为1，a[i-1]为1：

2.2.1执行功能测试项i；

2.2.2地址失效寄存器AFM累积失效信息；

2.2.3读取地址失效寄存器AFM的信息，生成临时文件2—i；

2.2.4通过剔除临时文件2—i中临时文件2—i-1的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；

2.2.5测试结束判断控制测试流程走向；

之所以会在a[i]等于1时判断a[i-1]的状态，是从节省测试时间考虑的。测试项i-1和测试项i是相邻的两个测试项，测试项i-1执行后的地址失效寄存器AFM中的信息和测试项i执行前AFM中的信息相同，即临时文件2—i-1和临时文件1-i是相同的，因此没有必要在a[i]等于1且a[i-1]等于1时，执行测试项i前再次读取AFM中的信息。

针对DRAM测试流程中的任意功能测试项，生成该测试项的失效地址文件时，先每个功能测试项分配变量；变量可在晶圆测试开始后一次性赋值；再根据当前测试项以及当前测试项的前一个测试项的变量赋值状况，控制是否读取地址失效寄存器AFM中的累积失效信息，并生成临时文件；最后通过临时文件之间失效地址信息的比对，剔除掉重复的信息，最终生成当前测试项的失效地址信息文件。具体的如下所示。

假设晶圆测试有4个功能测试项，编号分别为1、2、3、4；功能测试项1和2不需要捕获失效地址信息；功能测试项3和4需要捕获失效地址信息。其具体实现方式如下：

1、开始晶圆测试；

2、变量a清零，即a[0]＝0、a[1]＝0、a[2]＝0、a[3]＝0、a[4]＝0；

3、变量a赋值，即a[1]＝0、a[2]＝0、a[3]＝1、a[4]＝1；

4、功能测试项1执行：由于a[1]＝0，功能测试项1执行，地址失效寄存器AFM累积失效信息，无临时文件产生及处理；

5、功能测试项2执行：由于a[2]＝0，功能测试项2执行，地址失效寄存器AFM累积失效信息，无临时文件的产生及处理；

6、功能测试项3执行：测试项3执行前，由于a[3]＝1，a[2]＝0，因此读取AFM中的累积失效信息，生成临时文件1—3；接着执行测试项3，AFM累积该测试项的失效地址；测试项3执行后，a[3]＝1，读取AFM中的累积失效信息，生成临时文件2—3；由于a[2]＝0，因此比对临时文件2—3和临时文件1—3，剔除临时文件2—3中临时文件1—3的重复信息，生成功能测试项3的失效地址信息文件；

7、功能测试项4执行：测试项4执行前，由于a[4]＝1，a[3]＝1，因此不读取AFM信息，无临时文件生成；接着执行测试项4，AFM累积该测试项的失效地址；测试项4执行后，a[4]＝1，读取AFM中的累积失效信息，生成临时文件2—4；由于a[3]＝1，因此比对临时文件2—4和临时文件2—3，剔除临时文件2—4中临时文件2—3的重复信息，生成功能测试项4的失效地址信息文件；

8、测试结束；

9、寻求修复方案。

Claims (7)

1.一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤1，针对DRAM晶圆测试流程中的任意功能测试项，给每个功能测试项分配一个变量，变量与功能测试项一一对应；

步骤2，根据测试需求，对变量在晶圆测试开始后一次性赋值，控制是否捕获对应测试项的失效地址；

步骤3，在执行功能测试项并通过地址失效寄存器AFM记录对应的失效地址后，根据当前测试项以及当前测试项的前一个测试项的变量赋值状况，控制是否读取地址失效寄存器AFM中的累积失效信息，并生成临时文件；

步骤4，通过对生成的临时文件之间失效地址信息的比对，剔除掉重复的信息，最终生成当前测试项的失效地址文件。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，所述的变量为数组型变量；DRAM晶圆测试流程中共有N个功能测试项，N为正整数；其对应的数组变量为a[0]、a[1]······a[N]；第i个功能测试项的数组变量为a[i]，i为1到N的任意整数。

3.根据权利要求2所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，根据测试需求，对功能测试项1到N所对应的数组变量a[1]到a[N]一次性赋值；每个功能测试项的数组型变量a[i]的赋值非0即1，0表明对应测试项不需要抓取失效地址；1表明对应测试项需要抓取失效地址。

4.根据权利要求3所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，在晶圆测试开始后，先将数组变量清零，再对数组变量进行一次性赋值，然后将失效地址寄存器AFM清空后，根据功能测试项的数组型变量的赋值判断是否捕获对应测试项的失效地址，再执行该功能测试项。

5.根据权利要求3所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，当数组型变量a[i]为0时，功能测试项i不需要抓取失效地址，则执行功能测试项i，地址失效寄存器AFM记录失效地址后，本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。

6.根据权利要求5所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，当数组型变量a[i]为1时，功能测试项i需要抓取失效地址；判断该功能测试项前一个功能测试项i-1的数组型变量a[i-1]；当数组型变量a[i-1]为0时，步骤如下：

在执行功能测试项i之前，读取地址失效寄存器AFM的信息，生成临时文件1—i；

在执行功能测试项i后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i；

从临时文件2—i中剔除临时文件1—i中的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。

7.根据权利要求5所述的一种DRAM晶圆测试中精确捕获失效地址的方法，其特征在于，当数组型变量a[i]为1时，功能测试项i需要抓取失效地址；判断该功能测试项前一个功能测试项的数组型变量a[i-1]；当数组型变量a[i-1]为1时，步骤如下：

在执行功能测试项i后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i；

从临时文件2—i中剔除临时文件2—i-1中的失效地址信息，最终生成功能测试项i的失效地址文件；其中，临时文件2—i-1为在执行功能测试项i-1后，地址失效寄存器AFM累积失效信息生产临时文件2—i-1；本次测试结束，判断控制测试流程走向；若全部功能测试完成则寻找修复方案，若没有完成，则循环判断下一个功能测试项的数组型变量。