CN106158564B - 一种离子源 - Google Patents

一种离子源 Download PDF

Info

Publication number
CN106158564B
CN106158564B CN201610789739.4A CN201610789739A CN106158564B CN 106158564 B CN106158564 B CN 106158564B CN 201610789739 A CN201610789739 A CN 201610789739A CN 106158564 B CN106158564 B CN 106158564B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
ion
bridge
ion beam
averager
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610789739.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106158564A (zh
Inventor
刁克明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Limited By Share Ltd Of Beijing Advanced Ion Beam Technology Research Institute
Original Assignee
Limited By Share Ltd Of Beijing Advanced Ion Beam Technology Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Limited By Share Ltd Of Beijing Advanced Ion Beam Technology Research Institute filed Critical Limited By Share Ltd Of Beijing Advanced Ion Beam Technology Research Institute
Priority to CN201610789739.4A priority Critical patent/CN106158564B/zh
Publication of CN106158564A publication Critical patent/CN106158564A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106158564B publication Critical patent/CN106158564B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path

Abstract

本发明涉及一种离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器用于向离子束发射电子生成中性离子束；所述离子源还包括检测系统和控制系统，其中检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，控制系统用于根据等离子体电位径向分布调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。本发明可以在离子源采用不同的离子束参数时，根据等离子体电位径向分布来动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。

Description

一种离子源
技术领域
本发明涉及离子束技术领域，尤其涉及一种等离子体桥式中和器位置可调的离子源。
背景技术
离子束加工是当代微电子机械系统(MEMS)微纳精密加工的重要工艺之一。离子源是离子束加工系统的核心，它是通过向放电室上游端的主阴极加压，将充入放电室的惰性气体经辉光放电电离成等离子体，经离子光学系统引出带正电的离子束，经过下游端的中和阴极向离子束发射与束电流等量的电子流进行电荷中和，生成高能高速的、可用于微机电加工的中性离子束。
为了避免正电荷在离子束中或离子束轰击工件表面上的积累，消弱空间电荷效应减少束发散，需要中和阴极向离子束喷发电子，随着离子束发射，形成束等离子体而完成正负电荷中和。常用的直热电子发射丝阴极中和器可分为浸没式和外置式两种。其中浸没式阴极中和器的原理是采用直接穿过离子束的钨或铊丝，当加热到2200～2300℃以上温度时向离子源引出的带正电的离子束发射电子，电子电流耦合进入离子束消除静电荷而形成中性等离子体。该浸没式的缺陷是：因浸没在离子束中，直接受束离子的轰击溅射，阴极灯丝很快变细并最终烧断，需要频繁更换；如果在反应气体气氛中使用消耗更快；在离子源超高真空工作环境中，因更换阴极灯丝需要再次获得超高真空，非常费时。而外置式中和器需要加较高的负耦合电压，受束离子与中性原子电荷交换生成的离子轰击溅射较严重，所以这两种热阴极中和器都只有几十小时的工作寿命。
卡夫曼离子源等离子体桥式中和器(PBN)采用腔式空心阴极(Hollow Cathode，HC)，下游端的喷嘴向离子束发射电子，好象在阴极和离子束之间架起了一座运送中和电子的等离子体桥。该等离子体桥式中和器具有以下优点：1)因置于离子束外侧，避免了离子束的直接轰击，连续工作时间长，寿命长达100小时以上，大大提高了离子源的维护周期和使用寿命；2)使用氩气放电，很小的喷口使内部压强高出离子束环境1～2个数量级，极大减轻了反应气体的损害，具有稳定的工作特性；3)克服了浸没式和外置式直热阴极中和器给工件带来的污染，在低能离子束薄膜材料制备和离子束刻蚀中有广泛的应用。
然而，现有等离子体桥式中和器与离子源的离子束之间的相对位置是固定不变的。当离子源的离子束参数发生变化后，等离子体桥式中和器的耦合效果将变差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，针对现有技术中等离子体桥式中和器与离子源的离子束之间相对位置固定的缺陷，提供一种通过检测等离子体电位分布来调整等离子体桥式中和器位置的离子源。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统用于从所述等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器用于向所述离子束发射电子生成中性离子束；所述离子源还包括检测系统和控制系统，所述检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，所述控制系统用于根据所述等离子体电位径向分布调整所述等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。
在根据本发明所述的离子源中，所述等离子体桥式中和器安装在底座上，所述控制系统通过控制所述底座旋转来调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。
在根据本发明所述的离子源中，所述控制系统根据所述等离子体电位径向分布调整所述等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角的操作具体为：所述控制系统逐级调整所述等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角，同时通过检测系统检测当前夹角对应的等离子体电位径向分布，判断该等离子体电位径向分布是否满足预设条件，是则停止夹角调整操作，否则继续夹角调整操作。
在根据本发明所述的离子源中，所述预设条件为所述等离子体电位径向分布的方差低于预设方差值。
在根据本发明所述的离子源中，所述控制系统还在检测等离子体电位径向分布不满足预设条件时，检测当前等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角是否位于20°至90°的范围内，是则继续夹角调整操作，否则停止夹角调整操作。
在根据本发明所述的离子源中，所述控制系统还用于控制所述底座移动以调整所述等离子体桥式中和器与离子束之间的径向距离，以及所述等离子体桥式中和器与离子光学系统的轴向距离。
在根据本发明所述的离子源中，所述控制系统还与等离子体桥式中和器的电源连接，用于根据所述径向距离以及轴向距离调整所述等离子体桥式中和器的耦合电压。
在根据本发明所述的离子源中，所述控制系统通过以下公式设置等离子体桥式中和器的耦合电压V：
其中，Lr为等离子体桥式中和器与离子束之间的径向距离，Ls为等离子体桥式中和器与离子光学系统的轴向距离。
在根据本发明所述的离子源中，所述离子源的口径为15cm，所述等离子体桥式中和器与离子束之间的径向距离为1.5～2.5cm。
在根据本发明所述的离子源中，所述离子源的口径为15cm，所述等离子体桥式中和器与离子光学系统的轴向距离为3～6cm。
本发明的上述技术方案具有如下优点：本发明通过增设检测系统和控制系统，可以根据离子束出射位置的等离子体电位径向分布来调整等离子体桥式中和器与离子束轴线之间的夹角，进而可以在用户设置不同的离子束参数时，动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。
附图说明
图1为根据本发明优选实施例的离子源的结构示意图；
图2为根据本发明优选实施例的离子源中气体电离装置和离子光学系统的具体结构示意图；
图3为根据本发明优选实施例的离子源中等离子体桥式中和器的结构示意图；
图4为根据本发明的离子源在初始角度的等离子体电位径向分布图；
图5为根据本发明的离子源在夹角调整后的等离子体电位径向分布图；
图6为根据本发明的等离子体桥式中和器的空间位置示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，为根据本发明优选实施例的离子源的结构示意图。如图1所示，该实施例提供的离子源包括：气体电离装置1、离子光学系统2和等离子体桥式中和器(PBN)3。
其中，气体电离装置1用于产生等离子体。离子光学系统2用于从等离子体中抽取离子束并加速。等离子体桥式中和器3用于向离子束发射电子生成中性离子束。
请参阅图2，为根据本发明优选实施例的气体电离装置和离子光学系统的具体结构示意图。具体地，该气体电离装置1包括放电室11以及内部的主阴极12、筒形阳极13和电磁线圈14。放电室11可为圆筒形，其上设有气孔15用于通入惰性气体。离子光学系统2包括屏栅21和加速栅22，两者在同一中心线上轴向间隔设置。主阴极12和离子光学系统2分别位于放电室11的轴向两端。筒形阳极13中间的区域构成气体放电区。电磁线圈14位于筒形阳极13外侧，用于产生高频电场。主阴极12在筒形阳极电场的作用下发射电子。进入气体放电区的惰性气体受电子轰击引发放电形成等离子体7。屏栅21用于从等离子体中抽取离子束，并经加速栅22加速。本发明离子源使用的惰性气体可以是氩气、氪气、氙气、氦气或氖气。
请参阅图3，为根据本发明优选实施例的离子源中等离子体桥式中和器的结构示意图。如图3所示，本发明的等离子体桥式中和器3包括：放电室腔体31以置于该放电室腔体31内部的钨丝电子发射极32，该钨丝电子发射极32通过加热电源接入端33连接加热电源，该钨丝电子发射极32还通过偏压电源接入端34连接偏压电源。放电室腔体31上设有气孔35，用于通入惰性气体。放电室腔体31中被偏置的钨丝电子发射极32向室壁发射电子，在腔体内部放电形成等离子体，等离子体中的电子从喷口36被耦合电压抽出进入离子束。即在离子束与阴极喷口之间形成了放电桥，PBN发射的电子通过此桥进入了离子束，中和形成中性离子束。
本发明中离子源还包括检测系统4和控制系统5。其中，检测系统4用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布。检测系统4优选但不限于采用法拉第探头来测量离子源出射位置的等离子体电子温度和电位。该法拉第探头可以在垂直于离子束轴线的平面内进行扫描，以获取距离离子束轴线不同径向距离的等离子体电位，作为等离子体电位径向分布。控制系统5与检测系统4电连接，用于根据检测系统4获得的等离子体电位径向分布来调整等离子体桥式中和器3的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ。
在本发明的优选实施例中，等离子体桥式中和器3可以安装在底座6上，底座6可带动等离子体桥式中和器3转动。因此，控制系统5可以发送旋转指令给底座6，通过控制底座6旋转来调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ。
下面对控制系统5的具体控制方式进行介绍。在本发明的一些实施例中，该控制系统5可以预先内置算法程序，根据当前夹角θ与测得的等离子体电位径向分布，计算出最佳的夹角值。
在本发明的另一些优选实施例中，控制系统5可以逐级调整等离子体桥式中和器3的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ，同时通过检测系统4检测当前夹角对应的等离子体电位径向分布，判断该等离子体电位径向分布是否满足预设条件，是则表明已经达到最佳夹角位置，立即停止夹角调整操作，否则继续夹角调整操作。也就是说，由控制系统5间断式调整底座6的旋转角度，直至达到最佳的等离子体电位径向分布时为止，进而确定等离子体桥式中和器3与离子束的相对位置。在本发明的优选实施例中，该预设条件为等离子体电位径向分布的方差σ低于预设方差值。
下面结合实验结果对上述过程进行说明。以离子源发射口径为15cm为例，即前述筒形阳极13的直径为15cm。等离子体桥式中和器3选用直径和长度都是5cm的内热放电室腔式空心阴极，内置0.25mm钨丝电子发射极31，喷口36直径为1mm，喷口距离子源的加速栅5cm，距束中心8cm，到束边缘约2.5cm。用直径为0.75mm的法拉第探头测量离子束流，并根据厚鞘理论得出离子束中等离子体电子温度和电位，探测位置距加速栅16.5cm。离子源按标准条件800eV，0.6mA/cm2工作。
首先，以θ＝90°为初始角度，控制系统5通过检测系统4得出不同径向位置的等离子体电位如图4所示，包括径向位置为-7.5cm、-5cm、-2.5cm、0cm、2.5cm、5cm和7.5cm。该测量过程中法拉第探头在束中扫描范围为15cm，从束中心两侧各行走7.5cm，每行走2.5cm测出一个数据。该检测系统4位于距离加速栅16.5cm的位置。控制系统5对图4测得的各个径向位置的等离子体电位求方差σ，判断其方差σ高于预设方差值，不满足预设条件，表明未达到最佳夹角位置，需要继续夹角调整操作。因此控制系统5逐级调整等离子体桥式中和器3的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ分别为88°、86°、84°……等。并相应检测其对应的等离子体电位径向分布的方差σ，均高于预设方差值。直至夹角θ＝72°时，测得不同径向位置的等离子体电位如图5所示，该等离子体电位径向分布的方差σ低于预设方差值，表明已达到最佳夹角位置，可以停止夹角调整操作，使离子体桥式中和器3与离子束的位置相对固定。夹角θ的递减值可以由用户根据经验预设。
本发明还通过大量实验与经验总结，得到等离子体桥式中和器3的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ在20°以上时中和效果较好。且该等离子体桥式中和器3在设置时喷口方向最好朝向离子束出射位置，即图1中夹角θ呈锐角。因此在本发明更优选的实施例中，对上述判断流程进一步优化。该控制系统5还在检测等离子体电位径向分布不满足预设条件时，再次检测当前等离子体桥式中和器3的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角θ是否位于20°至90°的范围内，是则继续夹角调整操作，否则停止夹角调整操作。也就是说，该夹角θ只能在20°-90°的范围内进行调整。
综上所述，本发明通过设置检测系统4和控制系统5，可以根据离子束出射位置3的等离子体电位径向分布来调整等离子体桥式中和器3与离子束轴线之间的夹角，进而可以在用户设置不同的离子束能量或者束流密度时，动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。与现有技术的方案相比，本发明离子源的等离子体桥式中和器的配置方案灵活性更好，适应范围更广。
本发明的控制系统5还可用于控制底座6移动以调整等离子体桥式中和器3与离子束之间的径向距离Lr，以及等离子体桥式中和器3与离子光学系统的轴向距离Ls。请参阅图6，为等离子体桥式中和器的空间位置示意图。如图6所示,径向距离Lr为等离子体桥式中和器3的喷口36与加速栅22栅孔区的边缘在离子源径向上的距离。一般而言，从加速栅22射出的离子束轮廓边缘并不是几何线，存在着束流密度向零过渡的边缘区域，如图6中虚线与加速栅22栅孔区的边缘之间的区域。探测发现了这个区域存在着较多高能量离子。从寿命考虑，等离子体桥式中和器3的喷口最佳位置优选位于该边缘区域之外。在图6所示的实施例中，当离子源口径为15cm时，该等离子体桥式中和器3的喷口最佳位置是在径向距离Lr＝1.5～2.5cm的位置。
本发明的控制系统5可以接收用户指令，对前述径向距离Lr和轴向距离Ls进行调整，也可以根据检测到的等离子体电位的径向分布对径向距离Lr和轴向距离Ls进行调整。如前所述，当离子源口径为15cm时，优选将等离子体桥式中和器3的喷口位置调整至径向距离Lr＝1.5～2.5cm，更优选为2cm。等离子体桥式中和器3与离子光学系统的轴向距离调整为3～6cm。按照该位置设计，等离子体桥式中和器3的中和效果最佳，且使用寿命可超过100h。
进一步地，控制系统5还与等离子体桥式中和器3的电源连接，用于根据前述径向距离Lr和轴向距离Ls调整等离子体桥式中和器3的耦合电压V。控制系统5通过以下公式(1)设置等离子体桥式中和器的耦合电压V：
其中，Lr为等离子体桥式中和器3与离子束之间的径向距离，Ls为等离子体桥式中和器3与离子光学系统的轴向距离。
本发明通过实验对前述耦合电压设置效果进行了验证。以口径为15cm离子源作为实验装置，将等离子体桥式中和器3分别安装在图6中位置点A、B和C处，通过前述公式(1)计算出最佳的耦合电压V如表1所示，单位为伏。
表1
Ls＝3cm Ls＝4cm Ls＝5cm Ls＝6cm Ls＝10cm Ls＝20cm
Lr＝1cm 35.69 35.63 35.58 35.54 35.53 36.454
Lr＝2cm 71.39 71.26 71.16 71.09 71.06 72.91
Lr＝3cm 107.09 106.89 106.74 106.63 106.60 109.36
将离子源实验装置中等离子体桥式中和器3的耦合电压设置为表1的计算值，随后检测离子束流，得出不同径向位置的等离子体电子温度和电位，由检测结果可知，通过本发明方法设置的耦合电压可以使得整个离子束中等离子体的电子温度和电位都十分均匀，获得了很好的电荷中和效果。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种离子源，包括：气体电离装置(1)、离子光学系统(2)和等离子体桥式中和器(3)，所述气体电离装置(1)用于产生等离子体，所述离子光学系统(2)用于从所述等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器(3)用于向所述离子束发射电子生成中性离子束；其特征在于：
所述离子源还包括检测系统(4)和控制系统(5)，所述检测系统(4)用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，所述控制系统(5)用于根据所述等离子体电位径向分布调整所述等离子体桥式中和器(3)的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角：所述控制系统(5)逐级调整所述等离子体桥式中和器(3)的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角，同时通过检测系统(4)检测当前夹角对应的等离子体电位径向分布，判断该等离子体电位径向分布是否满足预设条件，是则停止夹角调整操作，否则继续夹角调整操作；
等离子体桥式中和器(3)包括：放电室腔体(31)以及置于该放电室腔体(31)内部的钨丝电子发射极(32)，该钨丝电子发射极(32)通过加热电源接入端(33)连接加热电源，该钨丝电子发射极(32)还通过偏压电源接入端(34)连接偏压电源，放电室腔体(31)上设有气孔(35)，用于通入惰性气体，放电室腔体(31)中被偏置的钨丝电子发射极(32)向室壁发射电子，在腔体内部放电形成等离子体，等离子体中的电子从放电室腔体的喷口(36)被耦合电压抽出进入离子束；
所述等离子体桥式中和器(3)安装在底座(6)上，所述控制系统(5)通过控制所述底座(6)旋转来调整等离子体桥式中和器(3)的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角；
所述控制系统(5)还用于控制所述底座(6)移动以调整所述等离子体桥式中和器(3)与离子束之间的径向距离，以及所述等离子体桥式中和器(3)与离子光学系统(2)的轴向距离；
所述控制系统(5)还与等离子体桥式中和器(3)的电源连接，用于根据所述径向距离以及轴向距离调整所述等离子体桥式中和器(3)的耦合电压；
所述控制系统(5)通过以下公式设置等离子体桥式中和器(3)的耦合电压V：
V = L r × ( 0.0068 L s 2 - 0.1118 L s + 35.97 ) ;
其中，Lr为等离子体桥式中和器(3)与离子束之间的径向距离，Ls为等离子体桥式中和器(3)与离子光学系统的轴向距离。
2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述预设条件为所述等离子体电位径向分布的方差低于预设方差值。
3.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述控制系统(5)还在检测等离子体电位径向分布不满足预设条件时，检测当前等离子体桥式中和器(3)的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角是否位于20°至90°的范围内，是则继续夹角调整操作，否则停止夹角调整操作。
4.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述离子源的口径为15cm，所述等离子体桥式中和器(3)与离子束之间的径向距离为1.5～2.5cm。
5.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述离子源的口径为15cm，所述等离子体桥式中和器(3)与离子光学系统(2)的轴向距离为3～6cm。
CN201610789739.4A 2016-08-31 2016-08-31 一种离子源 Active CN106158564B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610789739.4A CN106158564B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种离子源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610789739.4A CN106158564B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种离子源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106158564A CN106158564A (zh) 2016-11-23
CN106158564B true CN106158564B (zh) 2017-07-18

Family

ID=57344266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610789739.4A Active CN106158564B (zh) 2016-08-31 2016-08-31 一种离子源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106158564B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106835017B (zh) * 2017-02-17 2019-11-05 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 基于氮离子源的离子束反应溅射沉积设备及氮化铝薄膜制备方法
US11183215B1 (en) * 2017-11-20 2021-11-23 Seagate Technology Llc Thin-film crystalline structure with surfaces having selected plane orientations
CN114302548B (zh) * 2021-12-31 2023-07-25 中山市博顿光电科技有限公司 射频电离装置、射频中和器及其控制方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4124437B2 (ja) * 2002-11-20 2008-07-23 株式会社アルバック イオン注入装置およびイオン注入方法
CN1983504B (zh) * 2005-12-14 2010-05-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 离子源及使用所述离子源的模具抛光装置
JP4514157B2 (ja) * 2006-06-12 2010-07-28 国立大学法人京都大学 イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106158564A (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106158564B (zh) 一种离子源
US7564042B2 (en) Ion beam apparatus having plasma sheath controller
CN106683966B (zh) 一种大束径离子源及屏栅
TWI467615B (zh) 離子源與調整離子束均一性的方法
CN107195527B (zh) 一种提高ecr离子源中氢分子离子比例系统及其方法
CN206022304U (zh) 一种离子源
KR20200086622A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 에칭 방법
CN206022305U (zh) 一种大束径离子源及屏栅
US20180130630A1 (en) Ion Milling Apparatus and Ion Milling Method
Bondarenko et al. Simulation of charged and excited particle transport in the low-current discharge in argon-mercury mixture
CN106770411A (zh) 一种二次电子测量装置
JPH06176725A (ja) イオン源
KR101441191B1 (ko) 다중 구역식 플라즈마 플러드 건을 이용한 이온 중화 시스템 및 방법
JP2010118290A (ja) イオンミリング装置
KR102506984B1 (ko) 이온 밀링 장치
US6967334B2 (en) Ion source and ion beam device
Saitou et al. Reduction effect of neutral density on the excitation of turbulent drift waves in a linear magnetized plasma with flow
CN108411273A (zh) 一种用于离子注入设备的辅助加热系统及方法
CN109314025A (zh) 离子源以及离子注入装置
Wu et al. Electron density and temperature of dual-frequency capacitively coupled argon plasma in two-dimensional distribution obtained and studied in experiment
Welzel et al. Spatial and temporal development of the plasma potential in differently configured pulsed magnetron discharges
JP5378723B2 (ja) 電子線照射装置及び被覆電線の製造方法
KR101677005B1 (ko) 전하량 조절이 가능한 플라즈마 공정 장치
CN205368493U (zh) 一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置
Caughman et al. Study of RF breakdown mechanisms relevant to an ICH antenna environment

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant