CN106128025A - 谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器,其特征包括:12V直流电源、红外光发射电路、红外信号接收电路、负脉冲形成电路、超低频振荡器、红色发光二极管驱动电路。本发明所述的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器是为了保证播种质量,为广大农户设计的一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器。有了这种闪烁式提醒器可时刻监视种粒在管道中的下落情况。一旦种粒在下落的管道内发生阻塞,闪烁式提醒器能够及时提醒操作人员采取相应措施,杜绝了种粒大面积漏播现象的发生,可有效地提高农作物的播种质量和工作效率。
Description
技术领域
本发明属于电子技术应用领域,是关于一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器。
背景技术
常见的农作物播种方法有:撒播、条播、穴播和精密播种等。所谓条播:是将种籽按照农作物要求的行距、播种深度、播种量播成条状。因为条播有利于农作物在生长期间通风、透光,便于田间施肥、锄草等作业管理,所以条播技术广泛用于小麦、玉米、豆类等农作物的播种。
普通条播机在播种时,由于种粒里混杂有草杆、其他种粒或石子等杂物,很容易造成种粒下落过程中在管道内发生阻塞。因播出的种粒均要覆盖泥土,在播种期间一旦发生种粒阻塞,操作人员很难及时发现种粒漏播现象,何处漏播无从知晓,也很难查找,若不及时进行补救,将会导致农作物缺苗断垄,影响作物产量和收成。
本发明所述的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器是为了保证播种质量,为广大农户设计的一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器。有了这种闪烁式提醒器可时刻监视种粒在管道中的下落情况。一旦种粒在下落的管道内发生阻塞,闪烁式提醒器能够及时提醒操作人员采取相应措施,杜绝了种粒大面积漏播现象的发生,可有效地提高农作物的播种质量和工作效率。
以下详细说明本发明所述的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器在实施过程中所涉及的必要的、关键性技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:本发明所述的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器是为了保证播种质量,为广大农户设计的一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器。有了这种闪烁式提醒器可时刻监视种粒在管道中的下落情况。一旦种粒在下落的管道内发生阻塞,闪烁式提醒器能够及时提醒操作人员采取相应措施,杜绝了种粒大面积漏播现象的发生,可有效地提高农作物的播种质量和工作效率。
电路工作原理:谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器采用红外线光电耦合原理将种粒在管道中下落的情况转换成电信号来控制闪烁式提醒电路。将红外发光二极管D1和红外型光敏三极管VT1面对面的安装在种粒下落管道的中部位置,使红外发光二级管D1发出的红外光正好照射在红外型光敏三极管VT1上。当种粒在管道内下落正常时,红外光便被下落的种粒间断地遮挡,使红外型光敏三极管VT1集电极上产生间断的负脉冲,负脉冲通过电解电容Cl耦合到电解电容C2的正极,使电解电容C2不能被充电,电解电容C2正极上的电压接近零,使NPN型三极管VT2的基极电压恒定在较低电位,所以由1只NPN型三极管VT2和1只PNP型三极管VT3组成频率可调的互补型超低频振荡器电路无法正常工作;此时NPN型三极管VT2、PNP型三极管VT3和增强型N沟道场效应管VT4均处于截止状态,使红色发光二极管LED1~LED4得不到正常的工作电压。
当种粒在管道中发生阻塞时,种粒不再从管道中下落,从而使红外发光二级管D1发出的红外光始终照射在红外型光敏三极管VT1上,使红外型光敏三极管VT1的阻值变小,这样红外型光敏三极管VT1的集电极上始终是一个低电平,因它是一个直流信号,它不能通过电解电容Cl到达电解电容C2正极上,于是电解电容C2便开始充电,使得NPN型三极管VT2的基极得到偏置电压,所以,互补型超低频振荡器电路开始工作,由增强型N沟道场效应管VT4驱动红色发光二极管LED1~LED4闪烁发光,调整电阻R3的阻值可改变闪烁光的频率。
技术特征:谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器,它包括12V直流电源、红外光发射电路、红外信号接收电路、负脉冲形成电路、超低频振荡器、红色发光二极管驱动电路,其特征在于:
红外光发射电路:它由红外发光二极管D1、电阻R1、线性电位器RP1组成,红外发光二极管D1的负极通过电阻R1接电路地GND,红外发光二极管D1的正极接线性电位器RP1的一端,线性电位器RP1的另一端及其活动端接电路正极VCC;
红外信号接收电路:它由线性电位器RP2、电阻R2和红外型光敏三极管VT1组成,红外型光敏三极管VT1的发射极通过电阻R2接电路地GND,红外型光敏三极管VT1的集电极接线性电位器RP2的一端,线性电位器RP2的另一端及其活动端接电路正极VCC;
负脉冲形成电路:它由电解电容C1、电阻R3、电解电容C2组成,电解电容C1的正极接红外型光敏三极管VT1的集电极,电解电容C1的负极与NPN型三极管VT2的基极、电阻R3的一端和电解电容C2的正极相连,电阻R3的另一端接电路正极VCC,电解电容C2的负极接电路地GND;
超低频振荡器:它由肖特基二极管D2、NPN型三极管VT2、PNP型三极管V3和电解电容C3组成,肖特基二极管D2的正极接电解电容C1的负极和电解电容C2的正极,肖特基二极管D2的负极接NPN型三极管VT2的基极,NPN型三极管VT2的集电极接PNP型三极管VT3的基极,PNP型三极管VT3的发射极接电路正极VCC,NPN型三极管VT2的基极接电解电容C3的正极,PNP型三极管VT3的集电极接电解电容C3的负极,NPN型三极管VT2的发射极接电路地GND;
红色发光二极管驱动电路:它由电阻R4、增强型N沟道场效应管VT4和红色发光二极管LED1~LED4组成,PNP型三极管VT3的集电极通过电阻R4接增强型N沟道场效应管VT4的栅极,红色发光二极管LED1~LED4相互串连,红色发光二极管LED1的正极接电路正极VCC,红色发光二极管LED4的负极接增强型N沟道场效应管VT4的漏极,增强型N沟道场效应管VT4的源极接电路地GND;
12V直流电源的正极接电路正极VCC,12V直流电源的负极接电路地GND。
附图说明
附图1是本发明提供的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器一个实施例的电路工作原理图。
具体实施方式
按照附图1所示的谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器电路工作原理图和附图说明,并按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明,以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
元器件的技术参数及其选择要求
D1为红外发光二极管,选用的型号为HG505,其直径为¢5;
D2为肖特基二极管,使用的技术参数为0.5A、20V;
VT1为红外型光敏三极管,采用的型号为PH302;
VT2为NPN型三极管,选用的型号为2SC9013或3DG12,要求β≥100;VT3为PNP型三极管,选用的型号为2SC9015或3DG21,要求β≥110;
VT4为增强型N沟道场效应管,选用的型号为IRFZ22;
RPl、RP2选用WH7-A型线性电位器,其阻值均为3.2KΩ;
电阻全部使用1/8W金属膜电阻,电阻Rl~R2的阻值均为2.2KΩ;电阻R3的阻值为270KΩ;电阻R4阻值为120KΩ;
C1~C2用CD11-10型电解电容,容量分别为2.2μF、22μF;C3为电解电容,使用容量为33μF/16V;
LED1~LED4为红色发光二极管,选用4只¢5超高亮度红色发光二极管。
电路制作要点及电路调试
因谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器的电路结构比较简单,一般情况下只要选用的电子元器件性能完好,并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接,物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后,本发明的电路只需要进行简单调试即可正常工作;
闪烁光频率由电阻R3的阻值决定,超低频振荡器的振荡频率一般控制在1.0~2.5Hz为宜;
增强型N沟道场效应管VT4在导通状态下,增强型N沟道场效应管的源极与漏极之间压降非常小,其压降基本可忽略,故驱动功率很大;若红色发光二极管数量不够,可以按照说明书附图1电路工作原理图上发光二极管的连接关系通过并联方式增加发光二极管的组数,红色发光二极管可增加到4~5组。
本发明的电路元器件布局、电路结构设计、它的外观的形状及尺寸大小等均不是本发明的关键技术,也不是本发明要求保护的技术内容,因不影响本发明具体实施过程,故不在说明书中一一说明。
Claims (1)
1.一种谷物播种机种粒下落阻塞闪烁式提醒器,它包括12V直流电源、红外光发射电路、红外信号接收电路、负脉冲形成电路、超低频振荡器、红色发光二极管驱动电路,其特征在于:
所述的红外光发射电路由红外发光二极管D1、电阻R1、线性电位器RP1组成,红外发光二极管D1的负极通过电阻R1接电路地GND,红外发光二极管D1的正极接线性电位器RP1的一端,线性电位器RP1的另一端及其活动端接电路正极VCC;
所述的红外信号接收电路由线性电位器RP2、电阻R2和红外型光敏三极管VT1组成,红外型光敏三极管VT1的发射极通过电阻R2接电路地GND,红外型光敏三极管VT1的集电极接线性电位器RP2的一端,线性电位器RP2的另一端及其活动端接电路正极VCC;
所述的负脉冲形成电路由电解电容C1、电阻R3、电解电容C2组成,电解电容C1的正极接红外型光敏三极管VT1的集电极,电解电容C1的负极与NPN型三极管VT2的基极、电阻R3的一端和电解电容C2的正极相连,电阻R3的另一端接电路正极VCC,电解电容C2的负极接电路地GND;
所述的超低频振荡器由肖特基二极管D2、NPN型三极管VT2、PNP型三极管V3和电解电容C3组成,肖特基二极管D2的正极接电解电容C1的负极和电解电容C2的正极,肖特基二极管D2的负极接NPN型三极管VT2的基极,NPN型三极管VT2的集电极接PNP型三极管VT3的基极,PNP型三极管VT3的发射极接电路正极VCC,NPN型三极管VT2的基极接电解电容C3的正极,PNP型三极管VT3的集电极接电解电容C3的负极,NPN型三极管VT2的发射极接电路地GND;
所述的红色发光二极管驱动电路由电阻R4、增强型N沟道场效应管VT4和红色发光二极管LED1~LED4组成,PNP型三极管VT3的集电极通过电阻R4接增强型N沟道场效应管VT4的栅极,红色发光二极管LED1~LED4相互串连,红色发光二极管LED1的正极接电路正极VCC,红色发光二极管LED4的负极接增强型N沟道场效应管VT4的漏极,增强型N沟道场效应管VT4的源极接电路地GND;
所述的12V直流电源的正极接电路正极VCC,12V直流电源的负极接电路地GND。
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