CN106104815A - 用于背接触式太阳能电池的不连续发射极和基极岛 - Google Patents

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Abstract

本文提供了具有包括多个发射极岛的不连续发射极的背接触式太阳能电池。所述背接触式太阳能电池包括具有本底基极掺杂的半导体层，并且所述半导体层具有接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面。具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂的发射极层定位在所述半导体层背面上。沟槽隔离图案将所述发射极层和所述半导体层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区。接触所述半导体层的至少一个基极岛区定位在所述半导体层背面上的所述不连续发射极区的每一个内。

Description

用于背接触式太阳能电池的不连续发射极和基极岛
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年1月13日提交的美国临时专利申请61/926,852的权益，该临时专利申请以引用的方式整体并入本文中。
发明领域
本公开大体上涉及太阳能光伏(PV)电池领域，并且更确切地说，涉及背接触式太阳能电池。
背景
因为光伏太阳能电池技术被越来越大规模地采用作为发电解决方案，所以需要与太阳能电池效率、金属化件、材料消耗以及制作相关的制作和效率改进。一般来说，太阳能电池接触式结构包括接触导电金属化件的发射极和基极扩散区–例如经由相对重磷区域和重硼区域分别连接基极和发射极接触区域中的硅的金属化件。
制造成本因素和转换效率因素驱使太阳能电池吸收体厚度越来越薄且面积越来越大，因此增加机械脆性、效率并且使得以这些薄吸收体为基础的太阳能电池的加工和处理复杂化-与晶体硅吸收体有关的脆性效果尤其增加。
发明概要
因此，需要提供增强的太阳能电池性能的改进的背接触式太阳能电池结构和制作工艺。根据所公开的主题，提供具有包括多个发射极岛的不连续发射极的背接触式太阳能电池，所述背接触式太阳能电池可基本上消除或减少与之前开发的背接触式太阳能电池相关联的缺点和缺陷。
根据所公开的主题的一个方面，提供具有包括多个发射极岛的不连续发射极的背接触式太阳能电池。所述背接触式太阳能电池包括具有本底基极掺杂的半导体层，并且所述半导体层具有接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面。具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂的发射极层定位在所述半导体层背面上。沟槽隔离图案将所述发射极层和所述半导体层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区。接触所述半导体层的至少一个基极岛区定位在所述半导体层背面上的所述不连续发射极区的每一个内。
在另一实施方案中，背接触式太阳能电池包括具有本底基极掺杂的半导体层，并且所述半导体层具有接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面。具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂的发射极层定位在所述半导体层背面上。掺杂的基极界限图案将发射极层和半导体层分割成半导体层背面上的多个不连续发射极区。接触所述半导体层的至少一个基极岛区定位在所述半导体层背面上的所述不连续发射极区的每一个内。
根据本文所提供的描述，所公开的主题的这些方面和其它方面以及额外新颖特征将明显。本概要的意图并非是对要求保护的主题的全面描述，而是提供所述主题的一些功能性的简短概述。在研究以下附图和详细描述之后，本文所提供的其它系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员而言将变得明显。意图在于，包括在该描述内的所有所述额外系统、方法、特征和优点在任何权利要求的范围内。
附图简述
根据结合附图进行时的以下阐明的详细描述，所公开的主题的特征、性质和优点可变得更加明显，在所述附图中相同的参考编号指示相同的特征，并且其中：
图1A是不连续发射极太阳能电池的代表性平面示意图，所述太阳能电池具有由沟槽隔离边界隔离开的正方形发射极岛；
图1B是不连续发射极太阳能电池的代表性平面示意图，所述太阳能电池具有由掺杂的基极分割边界界定的正方形发射极岛；
图2A和图2B是底板上的单片半导体衬底的示意性横截面图，示出发射极岛沟槽隔离或分割区的形成；
图3A和图3B是单片半导体衬底的示意性横截面图，示出发射极岛掺杂的基极分割边界的形成；
图4和图5是高级横截面装置图，示出不连续发射极太阳能电池的单个发射极岛的放大且选择性简化视图；
图6A至图8B示出具有形成发射极岛I11至I44的4x 4正方形发射极岛阵列的每一电池；
图9A至图12B示出具有形成发射极岛I1至I4的4个三角形发射极岛的每一电池；并且
图13是示出具有多个不连续三角形发射极岛的太阳能电池的示意图。
详述
以下描述没有限制性意义，而是用于描述本公开的一般原理的目的。应参考权利要求确定本公开的范围。本公开的示例性实施方案在附图中说明，相同的编号用于指代各种附图的相同且对应的部分。
并且，虽然参考诸如背接触式背结(BCBJ)硅太阳能电池等特定实施方案和组件描述了本公开，但是本领域技术人员可在无需过多实验的情况下将本文所讨论的原理应用于其它太阳能电池结构太阳能电池半导体材料(诸如GaAs、III-V族化合物材料)、制作工艺(诸如各种沉积、接触开口以及扩散方法和材料)以及吸收体/钝化/金属化材料和形成、技术领域和/或实施方案。
不连续发射极背接触式太阳能电池可整合到现有太阳能电池制作工艺流程中，尤其是叉指型背接触式(IBC)背结太阳能电池制作工艺流程。确切地说，所提供的不连续发射极太阳能电池可全部或部分利用在以下专利申请中找到的制作工艺和结构：于2014年11月6日公布的美国公布No.20140326295、于2014年12月18日公布的美国公布No.2014/0370650、于2014年10月30日公布的美国公布No.20140318611和于2013年9月5日公布的美国公布No.20130228221，所述美国公布全部以引用的方式整体并入本文中。
可在包括不连续发射极的单个起始半导体衬底上以单片形式制造具有包括多个发射极岛的不连续发射极的太阳能电池(即，由公共起始衬底或诸如发射极层的衬底和电池加工层制成)。可使用单个起始半导体衬底以单片形式制作每一背接触式太阳能电池，所述半导体衬底例如156mm x 156mm或更大的准正方形或正方形晶体硅晶片或替代几何晶片形状，包括但不限于圆形、矩形或其它多边形形状。使用晶体半导体吸收体(例如，硅)的叉指型背接触式(IBC)不连续发射极光伏(PV)太阳能电池结构实施方案可提供改进的且相对较高的转换效率，例如在一些情况下，PV电池效率在20％至25％的范围内且模块效率高于18％。太阳能电池结构可包括附接底板的半导体(例如，晶体Si)结构，或者在一些实施方案中形成为无附接的底板的太阳能电池。
具有多个以单片形式分割的发射极岛的不连续发射极太阳能电池的额外优点包括：当使用沟槽隔离边界来创建沟槽分割的发射极岛时对以单片形式制作的太阳能电池的电压按比例放大以及对电流按比例缩小能力；对于诸如集成遮荫管理和电池级MPPT电力采集最大化等应用，可容易地与高性能/低成本功率电子设备集成；可利用两层金属化件(例如，诸如图5中所示出的M1层和M2层)容易地与附接底板的背接触式太阳能电池集成；使用薄半导体吸收体层和柔性底板的组合提供增强的电池柔性(隔离沟槽可减少电池破碎)和减轻的重量。
本申请提供背接触式太阳能电池及其制作方法，所述背接触式太阳能电池具有包括多个不连续发射极区(发射极“岛”)的不连续发射极。每一发射极岛可使用pn结(例如，n型硅衬底中p+掺杂的发射极结)形成。任选地，每一发射极岛可形成为包括较少重掺杂(例如，p+)场发射极和较多重掺杂金属化件接触区的选择性发射极。不连续发射极区/岛可形成为多个(即，至少两个)发射极岛，其中每一发射极岛使用边界/界限与其周围岛分割开。在两个实施方案中，可通过以下方式形成岛分割界限：穿过附接至底板的整个半导体吸收体层形成的隔离沟槽(诸如上面所提到的于2014年11月6日公布的美国公布No.20140326295和于12月18日公布的美国公布No.2014/0370650中所详细描述，并且所述美国公布二者以引用的方式整体并入本文中)；或者围绕发射极岛(例如，具有p型掺杂的每一发射极岛内的发射极结)中的每一个的闭环掺杂的基极边界(例如，利用n型基极掺杂)。因此，太阳能电池结构包括多个发射极岛，所述多个发射极岛可如下彼此分离：(i)围绕且包围发射极(例如，p+掺杂的发射极)岛的闭环周向基极(例如，n型)轮缘界限；(ii)附接底板的单片沟槽隔离界限；或者(iii)(i)和(ii)的组合。
太阳能电池上的发射极岛的数量可以是至少两个，以及至多视需要尽可能多(例如，N x N个，其中N为整数或至多几十个或甚至几百个发射极岛)。另外，太阳能电池衬底内的发射极岛可具有一致或可变区域，并且可具有以下几何形状中的任何一个或组合，所述几何形状包括正方形、矩形、三角形、六边形、多边形或其它几何形状。
在(形成太阳能电池的不连续发射极区的多个发射极岛中的)每一发射极岛内，存在具有与发射极掺杂极性相对的掺杂极性的多个基极岛(即，基极扩散区)(例如，每一p型发射极岛内的多个n型基极岛)。换句话说，每一发射极岛(例如，利用n型半导体电池衬底中的硼掺杂形成的p型发射极结)包括且包围多个基极岛(例如，n型半导体电池衬底中掺杂有磷的n型基极区)。这些基极岛可使用诸如图案化掺杂剂沉积和退火等已知太阳能电池基极扩散区形成方法形成。
基极岛可具有一致或可变区域，并且可形成为多个矩形叉指型指状物、圆形、正方形、矩形、三角形、六边形、其它多边形形状或其它几何形状(例如，椭圆形)或以上的组合。与较轻本底基极掺杂(例如，n型本底基极掺杂)相比，每一发射极岛内的多个基极岛中的每一个可具有较重掺杂的表面区(例如，n+掺杂区)。
因此，包括多个发射极岛的每一太阳能电池可视作多个子电池，其中每一子电池对应于一个发射极岛。制作优点包括但不限于：较小区域子电池粒度下的并行电气测量结果和电气参数提取；以及有助于增强的并行工艺控制能力以提高整体制造工艺一致性和电池参数分布的紧密化，从而产生提高的制造良率和效率块数量的减少。
图1A是不连续发射极太阳能电池(被示出呈正方形具有正方形发射极岛)的代表性平面示意图，所述太阳能电池具有由分割边界隔离开的16个一致大小(相同大小)的正方形发射极岛或子电池(N x N＝4x 4＝16个发射极岛)。该示意图示出由分割边界24分割开的多个发射极岛(被示出为4x 4＝16个岛)。图1A是由电池周向界限或边缘区22界定的4x 4一致太阳能电池20的俯视图或平面视图的示意图，所述太阳能电池具有边长L，并且包括十六个(16)一致的正方形发射极区，所述发射极区由原始连续式衬底形成并且被识别为电池背面上附接至连续式底板(底板和太阳能电池背面未图示)的I11至I44。每一发射极岛或发射极区域由被示出为沟槽隔离边界或发射极岛分割边界24的内部周向界限(例如隔离沟槽，所述隔离沟槽穿透电池半导体衬底厚度且具有大致上小于岛侧尺寸的沟槽宽度，其中沟槽宽度不超过几百微米，且在一些情况下小于或等于约100μm，例如在几微米至约100μm的范围内)界定。电池周向界限或边缘区22具有总周向长度4L；然而，包括所有发射极岛的周向尺寸的总电池边缘界限长度包括电池周向界限22(也称作电池外周长)和沟槽隔离边界24。可通过太阳能电池边缘区的适当钝化以及经由将发射极结区与边缘区隔离/分离来减轻边缘引起的损失(因此在无太阳能电池效率损失的情况下为更大的边缘面积分数提供容限)。
图2A和图2B分别是发射极岛沟槽隔离区或分割区形成之前底板上的单片半导体衬底的示意性横截面图以及发射极岛沟槽隔离区或分割区形成之后底板上的单片不连续发射极太阳能电池的示意性横截面图。图2B示出发射极分割沟槽形成至底板以界定与图1A的电池相一致的不连续发射极岛之后附接底板的太阳能电池的简化横截面视图。图2B示出图1A的电池沿图1A的视图轴线A且具有一致大小的正方形发射极岛(N x N＝4x4＝16个岛)的示意性横截面视图。
图2A包括半导体衬底32和发射极层34，其具有宽度(半导体层厚度)W且附接至底板36(例如，电气绝缘的连续式底板层，例如薄柔性半固化片)。图2B是不连续发射极太阳能电池的横截面图，被示出为沿图1A的电池的A轴线的横截面图。如图所示，图2B包括发射极岛I11、I21、I31和I41，各自具有沟槽分割的发射极岛，所述发射极岛具有层宽度(厚度)W且附接至底板36。发射极岛被内部周向分割界限、发射极岛沟槽分割边界40物理和电气隔离。发射极岛I11、I21、I31和I41由图2A中示出的与半导体衬底32和发射极层34相同的连续式半导体衬底以单片形式形成。图2B的电池可由图2A的半导体/底板结构形成，做法是通过开槽穿过半导体层至附接的底板(其中沟槽分割的发射极区由连续式底板支撑)来以所需的发射极岛形状(例如，正方形)形成内部周向分割界限。用以形成发射极岛的半导体衬底沟槽分割不会对连续式底板片进行分割，因此使得发射极岛保持由连续式底板层或底板片支撑并且附接至所述连续式底板层或底板片。可通过例如脉冲激光烧蚀或切割、机械锯切割、超声波切割、等离子切割、喷水切割或另一合适的工艺执行穿过最初连续式半导体衬底厚度的沟槽分割形成工艺。底板结构可包括底板支撑片与图案化金属化结构的组合，其中底板支撑片为半导体层提供机械支撑并且为产生的不连续发射极电池(使用柔性底板片的柔性太阳能电池，或使用刚性底板片的刚性太阳能电池，或使用半柔性底板片的半柔性太阳能电池)提供结构完整性。术语“底板”可指代连续式底板支撑片和图案化金属化结构的组合，或者可指代附接至半导体衬底背面并且对电池半导体衬底区和整体图案化太阳能电池金属化结构二者进行支撑的底板支撑片(例如，电气绝缘的薄半固化片)。
在另一实施方案中，发射极分割边界可使用掺杂的基极分割边界形成。图1B是不连续发射极太阳能电池(被示出呈正方形具有正方形发射极岛)的代表性平面示意图，所述太阳能电池具有由掺杂的基极分割边界30界定的16个一致大小(相同大小)的正方形发射极岛或子电池(N x N＝4x4＝16个发射极岛)。图1B是由电池周向界限或边缘区26界定的4x4一致太阳能电池28的背面视图的示意图，所述太阳能电池具有边长L，并且包括十六个(16)一致的正方形发射极区，所述发射极区由原始连续式衬底形成并且被识别为电池背面上附接至连续式底板(底板和太阳能电池背面未图示)的I11至I44。每一发射极岛或发射极区由内部掺杂的基极分割周向界限30界定。图3A和图3B分别是发射极岛掺杂的基极分割边界形成之前单片半导体衬底的示意性横截面图以及发射极岛掺杂的基极分割边界形成之后单片不连续发射极太阳能电池的示意性横截面图。这些掺杂的基极分割界限可使用诸如图案化掺杂剂沉积和退火等已知太阳能电池基极扩散区形成方法形成。
图3A包括半导体衬底42和发射极层44，其具有宽度(半导体层厚度)W。图3B是与图1B的电池一致的不连续发射极太阳能电池的横截面图，并且被示出为沿图1B的电池的A轴线的横截面图。如图所示，图3B包括发射极岛I11、I21、I31和I41，各自具有掺杂的基极分割的发射极岛，所述发射极岛具有层宽度(厚度)W。换句话说，内部掺杂的基极闭环分割界限、掺杂的基极分割边界46界定不连续发射极岛。发射极岛I11、I21、I31和I41由图3A中示出的与半导体衬底42和发射极层44相同的连续式半导体衬底以单片形式形成。图3B的电池可由图3A的半导体结构形成，做法是通过在发射极层至半导体层中形成掺杂的基极区来以所需的发射极岛形状(例如，正方形)形成内部周向分割界限。在一些情况下，发射极岛的掺杂的基极分割在对发射极岛进行分割的同时不会对半导体衬底进行分割，并且因此被示出图3B中不具有支撑底板。掺杂的基极分割边界可通过例如太阳能电池基极掺杂扩散工艺穿过最初连续式发射极层形成。
所公开的不连续发射极背接触式太阳能电池的关键优点在于，其可在电池加工期间以单片形式制作且容易整合至现有太阳能电池制作工艺流程中，尤其是叉指型背接触式(IBC)背结太阳能电池制作工艺流程。可使用半导体背面上的图案化钝化介电层(即，定位在发射极层上)来降低表面复合损失。图案化钝化介电层中的接触孔可提供通道以用于使发射极层和基极岛区与基极和发射极金属化件(例如，如本文所描述的M1或第一层金属层)接触。图4是高级横截面装置图，示出与叉指型背接触式(IBC)太阳能电池实施方案相一致的太阳能电池制作步骤之后不连续发射极太阳能电池的单个发射极岛的放大且选择性简化视图。叉指型M1接触式金属化件52例如经由钝化介电层(未图示)接触半导体吸收体(例如，硅)50的背面上的基极(例如，基极岛)和发射极区(例如，发射极层)。电池正面钝化/防反射涂覆(ARC)层54提供增强的太阳能电池优点。详细的掺杂的发射极区和基极区、可选前表面场(FSF)区和/或可选后表面场(BSF)区、用于M1金属化件的触点未图示。图5是高级横截面装置图，示出不连续发射极太阳能电池的单个发射极岛的放大且选择性简化视图，所述不连续发射极太阳能电池与图4的电池一致且进一步包括电气绝缘且连续的底板层54和接触叉指型M1接触式金属化件52的基极和发射极金属化件的叉指型M2金属化件56。虽然未图示，但是叉指型M2金属化件56的图案可垂直于M1层52。穿过电气绝缘的连续式底板层54将图案化M1连接至图案化M2的导电通孔插塞未图示。任选地，每一发射极岛可形成为包括较少重掺杂(例如，p+)场发射极和较多重掺杂金属化件接触区的选择性发射极。
图6A至图13示出具有包括多个发射极岛的不连续发射极区的背接触式太阳能电池的示例性实施方案。附图的相同方面是类似的，除非另有说明。图6A至图8B示出具有诸如图1A和图1B中所示出的形成发射极岛I11至I44的4x4正方形发射极岛阵列的每一电池以及以下分割结构中的一个：1)使用沟槽隔离分割边界的发射极分割(或岛化)；或者2)使用掺杂的基极分割边界的发射极分割(或岛化)。所述多个发射极岛中的每一个包括其界限内的多个基极岛。
对于使用沟槽隔离分割边界的发射极分割(或岛化)(具有底板片，即附接底板的太阳能电池)，每一掺杂的(例如，p+掺杂)发射极岛在其区域内进一步具有以下基极(例如，n型基极)配置中的一个：多个叉指型矩形基极指状物(在图6A中示出)；多个小区域离散矩形基极岛(在图7A中示出)；以及多个小区域离散圆形基极岛(在图8A中示出)。
对于使用掺杂的基极分割边界的发射极分割(或岛化)(具有或不具有底板片，即附接底板的电池)，每一掺杂的(例如，p+掺杂)发射极岛在其区域内进一步包括以下基极(例如，n型基极)配置中的一个：多个叉指型矩形基极指状物(在图6B中图示)；多个小区域离散矩形基极岛(在图7B中图示)；以及多个小区域离散圆形基极岛(在图8B中图示)。
除了所提供的代表性实例以外，众多其它配置也是可能的。例如，正方形发射极岛的数量可以是N x N，其中N是等于或大于二的任何数量(示出的实例是4x4布置)。另外，(除了矩形、正方形、圆形等以外)，每一发射极岛内的基极岛也可制造成众多其它几何形状。
图6A是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限74(诸如图1A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的矩形叉指型基极岛72形成。图6B是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限76(诸如图1B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的矩形叉指型基极岛72形成。
图7A是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限74(诸如图1A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的矩形(相对小区域的)离散基极岛78形成。图7B是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限76(诸如图1B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的矩形(相对小区域的)离散基极岛78形成。
图8A是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限74(诸如图1A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的圆形(相对小区域的)离散基极岛80形成。图8B是示出由周向界限70界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限76(诸如图1B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的圆形(相对小区域的)离散基极岛80形成。
图9A至图12B示出具有形成发射极岛I1至I4的4个三角形发射极岛的每一电池以及以下分割结构中的一个：1)使用沟槽隔离分割边界的发射极分割(或岛化)；或者2)使用掺杂的基极分割边界的发射极分割(或岛化)。图10A至图12B中示出的多个发射极岛中的每一个包括其界限内的多个基极岛。
图9A是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限92(诸如图1A和图2B中所示出)形成。图9B是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限94(诸如图1B和图3B中所示出)形成。
图10A是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限92(诸如图9A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的矩形叉指型基极岛96形成。图10B是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限94(诸如图9B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的矩形叉指型基极岛96形成。
图11A是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限92(诸如图9A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的矩形(相对小区域的)离散基极岛98形成。图11B是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限94(诸如图9B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的矩形(相对小区域的)离散基极岛98形成。
图12A是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由沟槽隔离界限92(诸如图9A和图2B中所示出)和每一发射极岛内的圆形(相对小区域的)离散基极岛100形成。图12B是示出由周向界限90界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续发射极岛由掺杂的基极界限94(诸如图9B和图3B中所示出)和每一发射极岛内的圆形(相对小区域的)离散基极岛100形成。
图13是示出由周向界限102界定的太阳能电池的示意图，其中多个不连续三角形发射极岛由沟槽隔离界限104(诸如图1A和图2B中所示出)形成，并且被提供作为众多和各种发射极岛形状和大小的实例。
示例性实施方案的前述描述被提供用于使得本领域技术人员能够制作或使用要求保护的主题。对这些实施方案的各种修改对于本领域技术人员来说将明显，并且本文所定义的一般原理可在不使用创新能力的情况下应用于其它实施方案。因此，要求保护的主题并非意在局限于本文示出的实施方案，而是符合与本文所公开的原理和新颖特征相一致的最广泛范围。

Claims (21)

1.一种背接触式背结太阳能电池结构，其包括：
具有本底基极掺杂的半导体层，所述半导体层包括接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面；
所述半导体层背面上的发射极层，所述发射极层具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂；
沟槽隔离图案，其将所述发射极层和半导体层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区；
所述半导体层背面上的所述多个不连续发射极区的每一个内的至少一个基极岛区，所述基极岛区具有接触所述半导体层的基极掺杂；
所述半导体背面上的图案化钝化介电层，所述图案化钝化介电层提供接触孔开口，以便提供用于接触所述基极岛区和所述发射极层的通道；
所述半导体层背面上的所述图案化钝化介电层上的图案化第一金属层(M1)，所述图案化第一金属层具有经由所述接触孔开口接触所述基极岛区和所述发射极层的基极和发射极接触式金属化件；
附接至所述半导体层背面的电气绝缘的连续式底板支撑层；
所述电气绝缘的连续式底板支撑层上的图案化第二金属层(M2)，所述图案化第二金属层具有基极和发射极金属化件；以及
穿过所述电气绝缘的连续式底板支撑片形成的多个导电通孔插塞，将所述图案化第二层金属层的选择部分与所述图案化第一层金属层的选择部分互连。
2.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括多个基极岛区。
3.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈指状岛图案的多个基极岛区。
4.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈矩形岛图案的多个基极岛区。
5.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈正方形岛图案的多个基极岛区。
6.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈圆形岛图案的多个基极岛区。
7.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为矩形。
8.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为三角形。
9.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为正方形。
10.如权利要求1所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述发射极层是场发射极层，并且进一步包括选择性发射极接触式金属化区。
11.一种背接触式背结太阳能电池结构，其包括：
具有本底基极掺杂的半导体层，所述半导体层包括接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面；
所述半导体层背面上的发射极层，所述发射极层具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂；
掺杂的基极界限图案，其将所述发射极层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区；
所述半导体层背面上的所述多个不连续发射极区的每一个内的至少一个基极岛区，所述基极岛区具有接触所述半导体层的基极掺杂；以及
所述半导体背面上的图案化钝化介电层，所述图案化钝化介电层提供接触孔开口，以便提供用于接触所述基极岛区和所述发射极层的通道；
所述半导体层背面上的所述图案化钝化介电层上的图案化第一金属层(M1)，所述图案化第一金属层具有接触所述基极岛区和所述发射极层的基极和发射极接触式金属化件。
12.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其进一步包括：
附接至所述半导体层背面的电气绝缘的连续式底板支撑层；
所述电气绝缘的连续式底板支撑层上的图案化第二金属层(M2)，所述图案化第二金属层具有基极和发射极金属化件；以及
穿过所述电气绝缘的连续式底板支撑片形成的多个导电通孔插塞，将所述图案化第二层金属层的选择部分与所述图案化第一层金属层的选择部分互连。
13.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括多个基极岛区。
14.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈指状岛图案的多个基极岛区。
15.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈矩形岛图案的多个基极岛区。
16.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈正方形岛图案的多个基极岛区。
17.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述至少一个基极岛区包括呈圆形岛图案的多个基极岛区。
18.如权利要求11所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为矩形。
19.如权利要求20所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为三角形。
20.如权利要求21所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述不连续发射极区为正方形。
21.如权利要求22所述的背接触式背结太阳能电池，其中所述发射极层是场发射极层，并且进一步包括选择性发射极接触式金属化区。
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