CN106099892B - 静电释放保护电路和包含其的阵列基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种静电释放保护电路、阵列基板和显示装置，其中静电释放保护电路包括：瞬态抑制电路，用于接收待处理信号，释放所述待处理信号中静电产生的瞬时高压，从而得到第一处理信号；以及隔离模块，电性连接于所述瞬态抑制电路的后端，用于隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号。待处理信号中有静电释放进入时，该静电保护电路可以使静电产生的瞬时高压通过瞬态抑制电路释放掉，并用隔离模块隔离之后的残压，从而避免了静电产生的高电压对栅极链接驱动走线造成损坏。该保护电路可应用于显示装置领域。

Description

静电释放保护电路和包含其的阵列基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及静电释放保护电路和包含所述静电释放保护电路的阵列基板和显示装置。
背景技术
大尺寸电视(TV)产品的电路方案一般包括增层PCBA(Printed Circuit BoardAssembly，印刷电路板组装)和薄膜回路PCBA，之间传输信号需要通过连接器和FFC(Flexible Flat Cable，柔性扁平线缆)连接，在设计和生产的过程中，ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)容易从S-PCBA的连接器进入玻璃上的PLG(Propel LinkGate，栅极链接驱动)走线，导致PLG走线烧断，引起液晶显示器显示不良。
如图1所示，通常是通过在信号线上并联TVS电路(Transient VoltageSuppressor，瞬态抑制二极管电路)，将ESD能量通过TVS电路释放到大地上。当前液晶显示面板对栅极链接驱动走线信号ESD的防护在设计的时候都有相应的ESD防护电路，通常是采用TVS管，如图1所示，将信号输入端连接至TVS管，在TVS后端直接连接信号接收。然而，仅仅依赖TVS电路模块采取的ESD防护措施，不能保证高压存在情况下PLG上各信号的正常工作，经常发现无法通过ESD测试。
该技术的主要缺点是TVS无法将ESD的所有能量吸收掉，当ESD的能量增大，液晶显示器的栅极链接驱动走线无法承受TVS之后的残压，导致PLG烧毁。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种静电释放保护电路和包含所述静电释放保护电路的阵列基板和显示装置，以提高静电防护效果。
(二)技术方案
根据本发明的一方面，提供一种静电释放保护电路，包括：瞬态抑制电路，用于接收待处理信号，释放所述待处理信号中静电产生的瞬时高压，从而得到第一处理信号；以及隔离模块，电性连接于所述瞬态抑制电路的后端，用于隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号。
优选的，所述隔离模块包括：开关电路，所述开关电路的输入端输入第一处理信号，用于当第一处理信号的电压值大于所述开关电路的开启电压时所述开关电路导通，由此隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号，并由所述开关电路的输出端输出第二处理信号。
优选的，所述开关电路包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的控制极作为开关电路的输入端，输出极作为开关电路的输出端，并经过第一电阻连接至地，输入极与电源电压相连。
优选的，所述薄膜晶体管为NMOS管；
优选的，所述NMOS管的栅极作为所述控制极，漏极和源极中的一个作为所述输入极，漏极和源极中的另一个作为所述输出极。
优选的，所述薄膜晶体管的开启电压值大于所述残压值。
优选的，所述隔离模块包括电平转换电路，所述电平转换电路的输入端输入第一处理信号，所述电平转换电路的输入端和输出端各自采用独立的电源且输入端具有阻抗，由此隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到的第二处理信号，并由所述电平转换电路的输出端输出。
优选的，所述电平转换电路的输入端和输出端的电源电压相同。
优选的，所述隔离模块包括光电耦合器，所述光电耦合器的输入端输入第一处理信号，所述光电耦合器用于以光电耦合方式隔离所述第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号，并由所述光电耦合器的输出端输出。
优选的，所述光电耦合器包括：发光源，该发光源的输入端作为光电耦合器的输入端，用于将输入的第一处理信号转换为光信号；以及受光器，设置于所述光源的对侧，用于接收发光源发出的光信号，将光信号转换为第二处理信号，其中，所述受光器的输出端作为光电耦合器的输出端。
优选的，所述发光源包括：发光二极管，所述发光二极管的正极经过限流电阻连接至光电耦合器的输入端，所述发光二极管的负极接地。
优选的，所述受光器包括光敏二极管、光敏三极管或光敏电阻。
优选的，所述受光器包括光电晶体管，所述光电晶体管的集电极连接电源电压，发射极连接至光电耦合器的输出端，并经由下拉电阻接地。
根据本发明的另一方面，提供一种阵列基板，包括以上任意所述的静电释放保护电路，以及传输待处理信号的第一信号线以及传输第二处理信号的第二信号线。
优选的，所述第二信号线为扫描线。
根据本发明的又一方面，提供一种显示装置，包括以上任意所述的阵列基板。
(三)有益效果
通过上述技术方案，可以看出本发明的有益效果在于：
(1)通过设置该静电释放保护电路，当待处理信号中有静电释放进入时，该静电保护电路可以使静电产生的瞬时高电压通过瞬态抑制电路释放掉，并用隔离模块隔离之后的残压，从而避免了静电产生的高电压对PLG模块造成损坏；
(2)通过设置含开关电路的隔离模块，由于开关电路存在一定的输入阻抗，有静电释放中的残压进入时无法通过该开关电路进入到开关电路的输出端，相应的残压也被开关电路所隔离；
(3)通过设置含电平转换电路的隔离模块，当有ESD进入信号时，电平转换芯片输出处于高阻抗状态，ESD经过瞬态抑制电路之后的残压无法通过电平转换芯片传输至输出端，从而保护PLG走线，保证画面显示效果的稳定性；
(4)通过设置含光电耦合器的隔离模块，光电耦合器包括发光器件(也即发光源)和光敏器件(也即受光器)，发光器件把输入的电信号转换为光信号传给光敏器件，光敏器件再转换为电信号输出，由于发光器件和光敏器件之间没有直接的电气连接关系，既耦合了信号，也具有隔离干扰的作用。
附图说明
图1是常见的静电释放保护电路原理图。
图2是本发明的静电释放保护电路原理图。
图3是本发明实施例中隔离模块的一种实施方式。
图4是本发明实施例中隔离模块的另一种实施方式。
图5是图4实施方式的其中一条通道的逻辑电路图。
图6是本发明实施例中隔离模块的再一种实施方式。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
根据本发明总体上的构思，提供一种静电释放保护电路1，参见图2所示(图2为本发明的静电释放保护电路原理图)，包括：瞬态抑制电路12，用于接收待处理信号(signal)，释放所述待处理信号中静电产生的瞬时高压，得到第一处理信号；以及隔离模块11，电性连接于所述瞬态抑制电路12的后端，用于隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，得到第二处理信号。在待处理信号3中有静电释放进入时，经过瞬态抑制电路12可以使静电产生的瞬时高电压通过该电路释放掉，并用隔离模块11隔离之后的残压，从而避免了静电产生的高电压对PLG(栅极链接驱动)模块造成损坏，提高产品良率。
在本实施例中，对于主要的隔离模块12的电路实现方式可以有多重选择，包括但不限于开关电路、电平转换电路和光电耦合器，共同点均在于通过相应电路实现瞬时残压的隔离。以下将结合附图3-5分别介绍隔离模块12的各种电路实现方式。
图3为本发明实施例中隔离模块的一种实施方式。在该实施方式中，隔离模块包括开关电路，开关电路的输入端输入第一处理信号，利用开关原理(开关电路超过一定的电压阈值才能导通)，隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，得到第二处理信号，并由输出端输出。
图3中的瞬态抑制电路可以为TVS电路，输入待处理信号的信号线分为两支，分别连接至该TVS电路的第一二极管301的阳极以及第二二极管302的阴极，一支的第二二极管302的阴极接地，另一支的第一二极管301的阴极分别连接电源电压(VCC)电平和稳压二极管303的阳极，该稳压二极管303阴极接地。但需要说明的是，该TVS电路仅仅是其中的一种瞬态抑制电路，传统的各种瞬态抑制电路均可应用于此。对于电路设计而言，瞬态抑制电路的ESD(瞬态抑制)未发生时可以被忽视，其各项电器参数诸如击穿电压、漏电流及电容都对正常电路不产生影响；而ESD(瞬态抑制)发生时，瞬态抑制二极管立即钳位，将电压峰值限制到一个安全水平，将大部分电流从被保护的电路中移走。
由于开关电路存在一定的输入阻抗，有静电释放中的残压进入时无法通过该开关电路进入到开关电路的输出端，相应的残压也被开关电路所隔离。
对于开关电路，其可以包括薄膜晶体管，其中，该薄膜晶体管的控制极作为开关电路的输入端；输出极作为开关电路的输出端，并经过第一电阻R1连接至地；输入极与电源电压相连。即利用MOS晶体管具有一定的开启电压VGS，对于高平信号，其信号电压大于开启电压，MOS管的栅极导通，场效应管导通状态，输出端同时输出高电平。
对于开关电路，其位于瞬态抑制电路的后端，具体连接方式为：传输待处理信号的信号线分为两支，一支经瞬态抑制电路接地，在发生ESD时，瞬态抑制电路中通过大部分的静电电压，另一支连接开关电路后输出处理后的信号，在该支中，开关电路用于隔离未进过瞬态抑制电路的部分静电残压，所以说开关电路是位于瞬态抑制电路的后端来进行ESD的处理和防护。
应强调的是，该开关电路包括但不限于由PMOS(P沟道金属氧化物半导体晶体管)和/或NMOS(P沟道金属氧化物半导体晶体管)构成的开关电路。
列举含NMOS管的开关电路进行具体说明，图3中使用NMOS增强型场效应管作为隔离模块，NMOS增强型场效应管的栅极(即控制极)作为输入端输入第一处理信号，漏极或源极之一(即输入极)上拉至电源电压(VCC)电平，源极或漏极中的另外一个(输出极)通过电阻下拉至地，源极作为隔离模块的输出端接至PLG模块走线。
在正常状态时：当输入端为高电平时，NMOS场效应管导通，输出端同样为高电平，当输入端为低电平，场效应管截止，输出通过下拉电阻接地，为低电平。
在ESD发生时：放电端首先经过TVS电路的释放电压，残压从TVS电路的后端输入含开关电路的隔离模块，隔离模块中存在有输入阻抗，该残压不足以使NMOS管导通，因此，输出端不输出相应电压，即实现了在开关电路中隔离该残压。即当有ESD进入信号时，由于场效应管输入阻抗很大，ESD经过TVS之后的残压无法通过场效应管传至输出端，从而保护PLG走线，保证画面显示效果的稳定性。
优选的是，本实施方式中的MOS管的开启电压VGS应介于高压电平信号与残压之间，即低于高平信号电压且高于残压值。这样即能够在没有ESD发生时正常工作，也能够在发生ESD时完全隔离前端TVS电路未消除的残压。
在实际静电释放保护过程中，存在多路需要进行保护的线路(例如数据线)，可以在每一条线路中均布置含有该瞬态抑制电路以及开关电路的静电释放保护电路，保证每一路中产生的ESD都可以被抑制，保证栅极链接驱动走线信号稳定。此实施方式中，ESD保护效果显著，耐冲击效果好，失效率低，能够顺利通过高规格的ESD测试。
图4为本发明实施例中隔离模块的另一种实施方式。在该实施方式中，所述隔离模块包括电平转换电路，电平转换电路的输入端输入第一处理信号，通过输入端和输出端各自采用独立的电源，隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，由此得到的第二处理信号，并由输出端输出。
在电平转换电路中，输入端由一个电源供电，而在输出端由另外一电源供电，由于采用两个分立的电源供电，当输入端存在ESD残压时，其不会传导至输出端，而将ESD残压隔离在了输入端。
电平转换电路可以采用专用电平转换芯片实现，例如图4中是采用具体型号为SN74LVC8T245的电平转换芯片IC102作为隔离模块，当然本领域技术人员还可以选择其它类型的电平转换芯片，只要是输入端和输出端使用不同电源供电的芯片均可以应用于本发明的电平转换电路中，包括但不限于型号SN74AVC1T45、SN74AVC1T45和SN74AVCH8T245。电平转换芯片IC102设计为在两条信号之间实现隔离电源的通信方式。
图4的电平转换芯片中，VCCA和VCCB1端口互联，并共同连接至3.3V的数字供电电压DVDD，VCCA为A1-A8的电压源，DIR经一电阻R138后接地，在该方案中A1-A8端口作为输出端，也即相当于本发明中隔离模块的输出端，本实施例方案中A8端口空接；VCCB端口连接至同样为3.3V的数字供电电压，输出使能经另一电阻R139后接地，B1-B8端口作为输入端，连接至各瞬态抑制电路的后端，本实施方式中B8端口接地；本实施方式IC102芯片中，还具有三个接地端口GND1、GND2和GND3。
图5为IC102芯片的其中一条通道的逻辑电路图，输出使能DIR的逻辑电平或者输入信号触发B1输入端或A1输出端或两者为高阻抗状态，当B1端口被触发时，元件从A1至B1端口开始传输数据，当A1端口被触发时，元件从B1至A1端口开始传输数据。本实施例中采用的是从B1至A1端口进行数据传输。当B1端口输入高电平时，A1端口同样为高电平；当B1端口为低电平时，输出使能端通过电阻接地，B1端口同样输出低电平。该信号通道为芯片上的一条通道，其它通道的设置方式与该通道设置方式相同(也就是说A2-A8的设置方式与A1相同，B2-B8的设置方式与B1相同)，因此，该IC102芯片可以连接多条信号线，同时进行静电残压的隔离。表1为图5中和DIR两者的控制信号相对关系与实现功能的对应关系(如大于DIR的信号电压则为高，小于等于DIR的信号电压则为低)。本实施方式中B端口位于高阻抗状态，因此可以隔离从B端口进入的残压信号。
表1
在正常状态时：待处理信号为高电平，在B1端可以输入第一处理信号，通过图5的逻辑电路得出，由于B1端口被触发，相应的输出端口A1也开始输出数据；由于B1输入端和A1输出端两端的电源电压相同，输出端A1同样为高电平；当输入端B1为低电平，通过图5的逻辑电路运算以及表1所示，输出端A1也为低电平；其它支路的输入输出关系原理与B1端和A1端相同。
在ESD发生时：待处理信号首先经过TVS电路的释放电压，残压从TVS电路的后端输入含电平转换电路的隔离模块，由于从B端口至A端口进行传输，参见表1所示，首先A1端口与B1端口之间隔离，且B1输入端为高阻抗状态，因此，输出端对于该残压信号不响应，即实现了该残压在电平转换电路中的隔离。即当有ESD进入信号时，电平转换芯片输出处于高阻抗状态抗，ESD经过TVS之后的残压无法通过电平转换芯片传输至输出端，从而保护PLG走线，保证画面显示效果的稳定性。其它支路的输入输出关系原理与B1端和A1端相同。
优选的是，根据SN74LVC8T245的电平转换芯片的特性，本实施方式中的芯片优选为：输出端VCCA和输入端VCCB相同，均为3.3V电压，相应的开关导通范围是0.8-6.3V。
在实际静电释放保护过程中，存在多路需要进行保护的线路(例如数据线)，可以在多一条线路中均布置含有该瞬态抑制电路，然后各自的后端均连接至该电平转换电路芯片上，保证每一路中产生的ESD都可以被抑制，保证栅极链接驱动走线信号稳定。
经过试验测试，在此模型中加入电平转换电路的隔离模块之后，ESD保护效果显著，耐冲击效果好，失效率低，能够顺利通过高规格的ESD测试。
图6为本发明实施例中隔离模块的再一种实施方式。在该实施方式中，隔离模块包括光电耦合器，光电耦合器的输入端输入第一处理信号，利用光电耦合方式隔离所述第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，得到第二处理信号，并由输出端输出。
光电耦合器(也成为光电隔离器，简称光耦)，是把发光器件(也即发光源)和光敏器件(也即受光器)封装在一起，发光器件把输入的电信号转换为光信号并传送给光敏器件，光敏器件再将光信号转换为电信号输出，由于发光器件和光敏器件之间没有直接的电气连接关系，既耦合了信号，也具有隔离干扰的作用。
光电耦合器之所以能有效抑制残压等尖脉冲，使通道上的信噪比提高，主要有以下几点原因：(1)光电耦合器的输入阻抗很小，一般只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，当残压进入时，只能在发光器件上形成微弱的电流，由于没有足够的能量，而不能使光敏器件发光；(2)光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气连接，之间的分布电容极小，而绝缘电阻很大，因此回路一边诸如残压等噪声的干扰很难通过光电耦合器馈送到另一边，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生；(3)光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使外部输入信号短接也不会损坏，因为光电耦合器的输入和输出回路可以承受几千伏的高压；(4)光电耦合器的回应速度较快，例如其回应延迟时间只有10μm左右。
图6中的瞬态抑制电路可以为TVS电路，输入待处理信号的信号线分为两支，分别连接至该TVS电路的二极管601的阳极以及二极管602的阴极，一支的二极管602的阴极接地，另一支的二极管601的阴极分别连接电源电压(VCC)电平和稳压二极管603的阳极，该稳压二极管603的阴极接地。但需要说明的是，该TVS电路仅仅是其中的一种瞬态抑制电路，传统的各种瞬态抑制电路均可应用于此。
图6中，发光源的输入端作为光电耦合器的输入端，将输入的第一处理信号转变为光信号，传输第一处理信号的信号线可经一电阻R2连接发光源；以及受光器设置于所述发光源的对侧，接收发光源发出的光信号，将光转换为第二处理信号，该受光器的输出端作为光电耦合器的输出端。
对于发光源的选择，可以是传统常见的各种发光器件。在本实施方式中，发光源包括发光二极管，所述发光二极管的正极经过一限流电阻连接至光电耦合器的输入端，其负极接地。
对于受光器的选择，受光器包括光敏二极管、光敏三极管、光敏电阻或光电晶体管。在本实施方式中，具体地可以选择受光器为光电晶体管，所述光电晶体管的集电极接电源电压电平，发射极连接至光电耦合器的输出端，并经一下拉电阻R3后接地。
在正常状态时：当待处理信号为高电平时，发光二极管通入第一处理信号，光电晶体管接收发光后产生光电流，集电极与发射极之间导通，由于输出端连接电源电压，发射极端输出高电平；当输入端为低电平，光电晶体管的发射极段通过下拉电阻接地，因此输出为低电平。
在ESD发生时：待处理信号首先经过TVS电路的释放电压，残压从TVS电路的后端输入含光电耦合器的隔离模块，当残压进入时，只能在发光器件上形成微弱的电流，由于没有足够的能量，而不能使光敏器件发光，因此，输出端不输出相应电压，即实现了该残压在开关电路中的隔离。即当有ESD进入信号时，光电耦合器输入端自身阻抗影响，形成的微弱电流不能引起光电晶体管发光，ESD经过TVS之后的残压无法通过光电耦合器传输至输出端，从而保护PLG走线，保证画面显示效果的稳定性。
本实施例的静电释放保护电路包括但不限于TVS和压敏电阻，还可以是所公知的各种静电释放保护电路。
瞬态抑制二极管(TVS)是常用的器件，在存在ESD时，能将电压或电流钳位至安全水平。其最大钳位电压VC应小于被保护电路所能承受的最大电压。其电路连接方式也不仅限于图3或图6所示的连接方式，可在此基础上进行适当的变换。
压敏电阻可以为金属氧化物压敏电阻和多层压敏电阻，其通常跨接在待处理信号线的输入端，并串联一滤波电感和熔断器保护压敏电阻本身。
基于同一发明构思，还提供一种阵列基板，包括以上所述的静电释放保护电路，阵列基板还包括传输待处理信号的第一信号线以及传输第二处理信号的第二信号线。
其中，静电释放保护电路主要设置于从印刷线路板总装的连接器进入玻璃上的栅极链接驱动走线之间。优选的是，该走线(也即第二信号线)为扫描线。
基于同一发明构思，还提供一种显示装置，包括以上所述的阵列基板。设置方式为将上述的阵列基板作为其中一个组件依照传统的组装方式组装成显示装置。
该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种静电释放保护电路，其特征在于，包括：
瞬态抑制电路，用于接收待处理信号，释放所述待处理信号中静电产生的瞬时高压，从而得到第一处理信号；以及
隔离模块，直接电性连接于所述瞬态抑制电路的后端，用于隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号。
2.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述隔离模块包括：
开关电路，所述开关电路的输入端输入第一处理信号，用于当第一处理信号的电压值大于所述开关电路的开启电压时所述开关电路导通，由此隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号，并由所述开关电路的输出端输出第二处理信号。
3.根据权利要求2所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述开关电路包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的控制极作为开关电路的输入端，输出极作为开关电路的输出端，并经过第一电阻连接至地，输入极与电源电压相连。
4.根据权利要求3所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述薄膜晶体管为NMOS管；
所述NMOS管的栅极作为所述控制极，漏极和源极中的一个作为所述输入极，漏极和源极中的另一个作为所述输出极。
5.根据权利要求3所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述薄膜晶体管的开启电压值大于所述残压的值。
6.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述隔离模块包括：
电平转换电路，所述电平转换电路的输入端输入第一处理信号，所述电平转换电路的输入端和输出端各自采用独立的电源且输入端具有阻抗，由此隔离第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到的第二处理信号，并由所述电平转换电路的输出端输出。
7.根据权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述电平转换电路的输入端和输出端的电源电压相同。
8.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述隔离模块包括光电耦合器，所述光电耦合器的输入端输入第一处理信号，所述光电耦合器用于以光电耦合方式隔离所述第一处理信号中瞬时高压被释放后的残压，从而得到第二处理信号，并由所述光电耦合器的输出端输出。
9.根据权利要求8所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述光电耦合器包括：
发光源，该发光源的输入端作为光电耦合器的输入端，用于将输入的第一处理信号转换为光信号；以及
受光器，设置于所述发光源的对侧，用于接收发光源发出的光信号，将光信号转换为第二处理信号，其中，所述受光器的输出端作为光电耦合器的输出端。
10.根据权利要求9所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述发光源包括：
发光二极管，所述发光二极管的正极经过限流电阻连接至光电耦合器的输入端，所述发光二极管的负极接地。
11.根据权利要求9所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述受光器包括光敏二极管、光敏三极管或光敏电阻。
12.根据权利要求9所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述受光器包括光电晶体管，所述光电晶体管的集电极连接电源电压，发射极连接至光电耦合器的输出端，并经由下拉电阻接地。
13.一种阵列基板，包括权利要求1-12任一项所述的静电释放保护电路，以及传输待处理信号的第一信号线以及传输第二处理信号的第二信号线。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第二信号线为扫描线。
15.一种显示装置，包括权利要求13或14所述的阵列基板。
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