CN106067763A - 一种混沌振荡器及电流处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式提供一种混沌振荡器及电流处理方法,其中,所述混沌振荡器包括预设数量的混沌延时单元,所述预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,所述混沌延时单元包括乘法器电路、第一分支电路、第二分支电路以及吸引盆电路。本发明实施方式提供的一种混沌振荡器及电流处理方法,符合能够集成、具备高速率的混沌振荡器的要求。

Description

一种混沌振荡器及电流处理方法
技术领域
本发明实施方式涉及振荡器技术领域,尤其涉及一种混沌振荡器及电流处理方法。
背景技术
混沌是一种貌似无规则的运动,在确定性的非线性系统中,不需要增加其它外界随机因素,就可以出现类似随机的行为,混沌的最大特点就是系统的演化对初始条件十分的敏感,从这个意义讲,系统的未来行为是不可预测的。
对于混沌振荡器的研究,国内这方面的文献尚不多见,主要是对蔡氏振荡器的研究。国外对这方面的研究取得了许多成果,根据使用的元件,主要有简单的RC混沌振荡器、用电流反馈放大器实现的混沌振荡器、用运算跨导放大器实现的混沌振荡器和用第一代电流传输器实现的混沌振荡器和用频变负电阻实现的混沌振荡器等。根据混沌振荡器产生的涡卷吸引子的多少,可分成单涡卷吸引子混沌与多涡卷吸引子混沌。
其中,蔡氏混沌电路由线性电感、线性与非线性电阻以及线性电容组成的三阶自治动态系统,非线性电阻呈现分段型函数特点,电感L与电容C组成典型的LC振荡电路原型,电阻R(蔡氏二极管)与电容C构成RC滤波电路,它们通过一个电阻R紧密配合通过五个元器件就可以产生复杂的混沌现象的非线性电路。蔡氏电路在分立元件实现较为普遍,受电感器件类型及电容容值的限制,蔡氏电路在片上集成领域较少。
频变负电阻实现的混沌振荡,由运算放大器构成的通用阻抗变换器(GIC)的原理图如图1所示,其中U1A和U2A为运算放大器,Zin为电路的输入阻抗。根据理想放大器的“虚短和虚断”的原理,电路的输入阻抗为:Zin=(Z1*Z3*Z5)/(Z2*Z4)。
对于通用阻抗变换器,可以选择Zl和Z5是电容,Z2,Z3和Z4是电阻,最终可以得到Zin(jω)=-1/(Dω2),由此可见,输入阻抗是与频率相关的负电阻,故称频变负电阻(frequency-dependent negative resistance,FNDR)。
由于FDNR为一个等效的频变负电阻,从能量的角度看,可以为LC谐振外供能量,但实际的应用当中,电容容值基本在nF量级,而电感感值也在mH量级,电阻大概为K(Ω)级,最终混沌振荡器的输出信号频谱在10^0Hz~10^4Hz,可以看出不论是电感的难以集成,还是电容的容值大小,以及混沌信号的频谱都不符合集成、高速率的混沌振荡器的要求。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种混沌振荡器及电流处理方法,以符合能够集成、具备高速率的混沌振荡器的要求。
为实现上述目的,本发明实施方式提供一种混沌振荡器,包括预设数量的混沌延时单元,所述预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,所述混沌延时单元包括乘法器电路、第一分支电路(K1,K2)、第二分支电路(K3)以及吸引盆电路,所述乘法器电路的输入端引入输入电流,以将所述输入电流按照预设倍数进行放大,所述乘法器电路的第一输出端与所述第一分支电路的输入端相连,所述乘法器电路的第二输出端与所述第二分支电路的输入端相连;所述第一输出端和所述第二输出端均引入参考电流,以将放大后的输入电流与所述参考电流进行比较,并根据比较结果从所述第一输出端或者所述第二输出端输出所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流,所述第一分支电路和所述第二分支电路的输出端均与所述吸引盆电路的输入端相连,以确保所述差值电流的电流走向均为输出方向,并将改变电流走向后的差值电流输入所述吸引盆电路中,所述吸引盆电路将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。
进一步地,所述乘法器电路包括第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管;其中,所述第一场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的栅极以及所述第三场效应管的栅极相连,所述第一场效应管的漏极与栅极相短接,所述第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管的源极均接地,所述第一场效应管的漏极引入所述输入电流,所述第二场效应管的漏极以及所述第三场效应管的漏极均引入所述参考电流,所述第二场效应管的漏极与所述第一分支电路的输入端相连,所述第三场效应管的漏极与所述第二分支电路的输入端相连。
进一步地,所述第一分支电路中包括串联的第一镜像电流源电路和第二镜像电流源电路,其中,所述第一镜像电流源电路和所述第二镜像电流源电路均包括两个场效应管,所述第一镜像电流源电路的输入端与所述第一输出端相连,所述第二镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。
进一步地,所述第二镜像电流源电路中的两个场效应管为P沟道型场效应管,所述第一镜像电流源电路中的两个场效应管为N沟道型场效应管。
进一步地,所述第二分支电路中包括第三镜像电流源电路,所述第三镜像电流源电路中包括两个P沟道型场效应管,所述第三镜像电流源电路的输出端与所述第二输出端相连,所述第三镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。
进一步地,所述吸引盆电路中包括比较电路、第四镜像电流源电路以及第五镜像电流源电路,其中,所述比较电路包括第四场效应管、第五场效应管以及第六场效应管,所述第四场效应管的栅极分别与所述第五场效应管的栅极以及所述第六场效应管的栅极相连,所述第四场效应管的漏极与栅极相短接,所述第四场效应管、第五场效应管以及第六场效应管的源极均接地,所述第四场效应管的漏极与所述第一分支电路的输出端以及所述第二分支电路的输出端相连,所述第五场效应管的漏极引入所述判据电流,所述第五场效应管的漏极与所述第四镜像电流源电路相连,所述第六场效应管的漏极与所述第五镜像电流源电路相连,所述第五镜像电流源电路的输出端引出所述输出电流。
为实现上述目的,本发明实施方式还提供一种应用于上述混沌振荡器中的电流处理方法,所述方法包括:利用乘法器电路将输入电流按照预设倍数进行放大,得到放大后的输入电流;将所述放大后的输入电流与预设参考电流进行比较,并通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中的一条支路;差值电流通过所述第一分支电路或者所述第二分支电路的一条支路以同一方向输入吸引盆电路中;所述吸引盆电路将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。
进一步地,所述根据比较结果通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中具体包括:当所述放大后的输入电流小于所述预设参考电流时,将所述预设参考电流与所述放大后的输入电流之间的第一差值电流通过所述乘法器电路的第一输出端输出至第一分支电路中;当所述放大后的输入电流大于所述预设参考电流时,将所述放大后的输入电流与所述预设参考电流之间的第二差值电流通过所述乘法器电路的第二输出端输出至第二分支电路中。
进一步地,所述预设倍数为大于1.414并且小于2。
进一步地,从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流具体包括:当所述改变电流走向后的差值电流小于或者等于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述改变电流走向后的差值电流;当所述改变电流走向后的差值电流大于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述预设判据电流。
本发明实施例的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有技术中频变负电阻的结构示意图;
图2为本发明实施方式提供的一种混沌振荡器的整体结构示意图;
图3为所述混沌延时单元的结构示意图;
图4为本发明提供的混沌振荡器的电路结构图;
图5为本发明中混沌延时单元输出电流与输入电流的关系图;
图6为本发明实施方式提供的一种应用于上述混沌振荡器中的电流处理方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
请参阅图2。图2为本发明实施方式提供的一种混沌振荡器的整体结构示意图。从图2中可以看出,本实施方式中的混沌振荡器可以包括预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路。在实际应用场景中,所述混沌延时单元的个数可以为偶数,也可以为奇数,本实施方式对此并不做限定。在所述混沌振荡器中,每个混沌延时单元的输入端引入的电流均可以是另一个混沌延时单元的输出端输出的电流,这样,在该混沌振荡器中,并不需要外部提供的具有特定频率的时钟,而是可以利用封闭回路中的噪声电流开始自发振荡,通过多次迭代,最终可以输出随机的电流。
在本实施方式中,每级混沌延时单元的混沌映射均相同,均可以通过分段线性函数映射来实现。具体地,请参阅图3。图3为所述混沌延时单元的结构示意图。如图3所示,所述混沌延时单元可以包括乘法器电路、第一分支电路、第二分支电路以及吸引盆电路,所述乘法器电路的输入端引入输入电流,所述输入电流可以是混沌振荡器起振时外部提供的一个初始电流,也可以是封闭回路中的噪声电流。
在本实施方式中,所述乘法器电路可以将所述输入电流按照预设倍数进行放大,具体地,所述预设倍数可以为大于1.414并且小于2,例如,所述预设倍数可以为15:8。这样,假设输入电流为Iin,那么而经过放大的电流便可以为15/8*Iin。
在本实施方式中,所述乘法器电路可以具备第一输出端和第二输出端,其中,所述第一输出端可以与所述第一分支电路的输入端相连,所述第二输出端可以与所述第二分支电路的输入端相连。在本实施方式中,所述第一输出端和所述第二输出端均可以引入参考电流,所述参考电流的作用可以是将放大后的输入电流与所述参考电流进行比较,并根据比较结果从所述第一输出端或者所述第二输出端输出所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流。具体地,当所述放大后的输入电流小于所述预设参考电流时,将所述预设参考电流与所述放大后的输入电流之间的第一差值电流通过所述乘法器电路的第一输出端输出至第一分支电路中。例如,假设所述参考电流可以用Iref来表示,所述放大后的输入电流可以用15/8*Iin来表示,那么当15/8*Iin小于Iref时,则可以用Iref减去15/8*Iin,以得到所述预设参考电流与所述放大后的输入电流之间的第一差值电流Iref-15/8*Iin,该第一差值电流可以通过所述第一输出端输出至第一分支电路中。
相反地,当所述放大后的输入电流大于所述预设参考电流时,可以将所述放大后的输入电流与所述预设参考电流之间的第二差值电流通过所述乘法器电路的第二输出端输出至第二分支电路中。例如,当15/8*Iin大于Iref时,则可以用15/8*Iin减去Iref,以得到所述放大后的输入电流与所述预设参考电流之间的第二差值电流15/8*Iin-Iref,该第二差值电流可以通过所述第二输出端输出至第二分支电路中。
请参阅图4。图4为本发明提供的混沌振荡器的电路结构图。如图4所示,在本发明一实施方式中,所述乘法器电路可以包括第一场效应管M1、第二场效应管M2以及第三场效应管M3,其中,所述第一场效应管M1的栅极分别与所述第二场效应管M2的栅极以及所述第三场效应管M3的栅极相连,所述第一场效应管M1的漏极与栅极相短接,所述第一场效应管M1、第二场效应管M2以及第三场效应管M3的源极均接地,所述第一场效应管M1的漏极引入所述输入电流,所述第二场效应管M2的漏极以及所述第三场效应管M3的漏极均引入所述参考电流,所述第二场效应管M2的漏极与所述第一分支电路的输入端相连,所述第三场效应管M3的漏极与所述第二分支电路的输入端相连。
在本实施方式中,M1、M2以及M3之间的比例可以为8:15:15,这样,无论是经过M2还是M3之后,输入电流Iin均可以被放大15/8倍。放大后的电流可以与参考电流Iref进行比较,当所述参考电流较大时,可以通过M2的漏极将所述第一差值电流输入第一分支电路中;当所述放大后的电流较大时,可以通过M3的漏极将所述第二差值电流输入第二分支电路中。
在本实施方式中,所述第一分支电路和所述第二分支电路的输出端均与所述吸引盆电路的输入端相连,并将改变电流走向后的差值电流输入所述吸引盆电路中。在本实施方式中,为了保证各个电路之间传输的电流方向均一致,例如均是从上到下,那么需要在M2和M3的漏极之后连接第一分支电路或者第二分支电路,以改变差值电流的电流走向,使所述差值电流的电流走向符合后续吸引盆电路引入电流的方向。具体地,请参阅图4,在本发明一实施方式中,所述第一分支电路中可以包括串联的第一镜像电流源电路K1和第二镜像电流源电路K2,其中,所述第一镜像电流源电路K1和所述第二镜像电流源电路K2均包括两个场效应管,所述第一镜像电流源电路K1的输入端与所述第一输出端相连,所述第二镜像电流源电路K2的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。在本实施方式中,所述第一镜像电流源电路K1中的两个场效应管可以均为N沟道型场效应管,所述第二镜像电流源电路K2中的两个场效应管均可以为P沟道型场效应管。这样,通过不同类型的两组场效应管构成的两个镜像电流源电路,从而可以改变M2的漏极输出的差值电流的电流走向,从而使得改变电流走向之后的差值电流能够正常引入吸引盆电路的输入端。
同样地,在本实施方式中,所述第二分支电路中可以包括第三镜像电流源电路K3,所述第三镜像电流源电路K3中可以包括两个P沟道型场效应管,所述第三镜像电流源电路K3的输出端与所述第二输出端相连,所述第三镜像电流源电路K3的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。这样,通过所述第三镜像电流源电路K3,可以改变M3的漏极输出的差值电流的电流走向,从而使得改变电流走向之后的差值电流能够正常引入吸引盆电路的输入端。
在本实施方式中,所述吸引盆电路接收到改变电流走向的差值电流之后,可以将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。具体地,请参阅图4。在本实施方式中,所述吸引盆电路中可以包括比较电路、第四镜像电流源电路K4以及第五镜像电流源电路K5,其中,所述比较电路包括第四场效应管M4、第五场效应管M5以及第六场效应管M6,所述第四场效应管M4的栅极分别与所述第五场效应管M5的栅极以及所述第六场效应管M6的栅极相连,所述第五场效应管M4的漏极与栅极相短接,所述第四场效应管M4、第五场效应管M5以及第六场效应管M6的源极均接地,所述第四场效应管M5的漏极与所述第一分支电路的输出端以及所述第二分支电路的输出端相连,所述第五场效应管M5的漏极引入所述判据电流Ib,所述第五场效应管M5的漏极与所述第四镜像电流源电路K4相连,所述第六场效应管M6的漏极与所述第五镜像电流源电路K5相连,所述第五镜像电流源电路K5的输出端引出所述输出电流。
在本实施方式中,所述吸引盆电路中的所述判据电流可以作为阈值电流,将所述输出电流的电流值控制在所述判据电流的电流值之下。具体地,当所述改变电流走向后的差值电流小于或者等于所述预设判据电流时,可以从M6的漏极输出所述改变电流走向后的差值电流。由于通过该混沌延时单元输出的输出电流最终需要作为另一个混沌延时单元的输入电流,因此,该混沌延时单元的输出电流的电流走向也需要进行修正,以使得输出电流的电流走向能够符合下一个混沌延时单元的输入电流的电流走向。具体地,在本实施方式中,通过M6的漏极输出的电流可以通过第五镜像电流源电路K5进行电流走向修正之后,作为输出电流输出至下一个混沌延时单元中。
此外,当所述改变电流走向后的差值电流大于所述预设判据电流时,可以无视所述改变电流走向后的差值电流,而是将所述判据电流Ib从M5的漏极输出至第四镜像电流源电路K4中,这样,K4可以对所述判据电流的电流走向进行修正,以使得所述判据电流的电流走向能够符合下一个混沌延时单元的输入电流的电流走向。需要说明的是,由于K4和K5采用场效应管以及电路结构均一致,因此从K4输出的判据电流再次经过K5时,并不会再次改变电流的走向,而是维持K4输出的电流走向。
这样,通过吸引盆电路,可以将输出电流的电流值限定在小于或者等于所述预设判据电流的电流值。
请参阅图5。图5为本发明中混沌延时单元输出电流与输入电流的关系图。从图5中可以看出,在输入电流小于参考电流时,随着输入电流的不断增大,差值电流则会不断减小,因此导致输出电流会不断减小;在输入电流大于参考电流时,随着输入电流的不断增大,差值电流则会不断增大,因此输出电流则会不断增大。但是当差值电流达到判据电流的大小时,输出电流则会维持在判据电流的大小,而不会继续增大。
由上可见,本发明提供的一种混沌振荡器,将多级混沌延时单元首尾串联在一个封闭回路中,并且通过判据电流对每级混沌延时单元的输出电流进行限定,从而导致每级混沌延时单元的输入电流可以不等于输出电流,从而导致每级混沌延时单元均具备初值敏感性,因此该混沌振荡器一旦振荡,就会出现非周期现象,从而可以将该电路视为一个时变电路。由于各个混沌延时单元的初值敏感性,使得后续经过任意时刻都不会重复发生,可以将这种非周期现象视为随机。另外由于这种振荡完全取决于场效应管的各级环路的延时与随机电流的充放电速度,与经典的周期振荡器预测周期值相比较,难以估计其稳定周期,但可以确定的是,封闭回路内部的充放电流的速度很快,能够符合高速率的要求。此外,本发明的混沌延时单元中各个电路均可以在片上集成,因此具备能够集成的要求。
本发明实施方式还提供一种应用于上述混沌振荡器中的电流处理方法。图6为本发明实施方式提供的一种应用于上述混沌振荡器中的电流处理方法流程图。虽然下文描述流程包括以特定顺序出现的多个操作,但是应该清楚了解,这些过程可以包括更多或更少的操作,这些操作可以顺序执行或并行执行(例如使用并行处理器或多线程环境)。如图6所示,所述方法可以包括:
步骤S1:利用乘法器电路将输入电流按照预设倍数进行放大,得到放大后的输入电流;
步骤S2:将所述放大后的输入电流与预设参考电流进行比较,并通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中的一条支路;
步骤S3:差值电流通过所述第一分支电路或者所述第二分支电路的一条支路以同一方向输入吸引盆电路中;
步骤S4:所述吸引盆电路将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。
在本发明一优选实施方式中,所述根据比较结果通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中具体包括:
当所述放大后的输入电流小于所述预设参考电流时,将所述预设参考电流与所述放大后的输入电流之间的第一差值电流通过所述乘法器电路的第一输出端输出至第一分支电路中;
当所述放大后的输入电流大于所述预设参考电流时,将所述放大后的输入电流与所述预设参考电流之间的第二差值电流通过所述乘法器电路的第二输出端输出至第二分支电路中。
在本发明一优选实施方式中,所述预设倍数为大于1.414并且小于2。
在本发明一优选实施方式中,从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流具体包括:
当所述改变电流走向后的差值电流小于或者等于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述改变电流走向后的差值电流;
当所述改变电流走向后的差值电流大于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述预设判据电流。
需要说明的是,上述各个方法步骤的具体实现方式均与混沌振荡器的实施方式中的描述一致,这里便不再赘述。
由以上本发明实施方式可见,本发明通过将多个混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,从而可以在不需要外部提供特定频率的时钟的情况下能够自发振荡。同时,混沌延时单元的初值敏感性决定了电流的涨落时间间隔并不会稳定周期化,该时间间隔决定于单个混沌延时单元的时延及内部各个节点上充放电的时间常数,由于本发明电路内部的充放电流的速度很快,所以随机性更高,随机信息产生的速度更快,符合高速率的要求。此外,本发明的混沌延时单元中各个电路均可以在片上集成,因此具备能够集成的要求。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种混沌振荡器,包括预设数量的混沌延时单元,所述预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,其特征在于,所述混沌延时单元包括乘法器电路、第一分支电路(K1,K2)、第二分支电路(K3)以及吸引盆电路;
所述乘法器电路的输入端引入输入电流,以将所述输入电流按照预设倍数进行放大,所述乘法器电路的第一输出端与所述第一分支电路的输入端相连,所述乘法器电路的第二输出端与所述第二分支电路的输入端相连;所述第一输出端和所述第二输出端均引入参考电流,以将放大后的输入电流与所述参考电流进行比较,并根据比较结果从所述第一输出端或者所述第二输出端输出所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流,所述第一分支电路和所述第二分支电路的输出端均与所述吸引盆电路的输入端相连,以确保所述差值电流的电流走向均为输出方向,并将改变电流走向后的差值电流输入所述吸引盆电路中,所述吸引盆电路将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。
2.根据权利要求1所述的混沌振荡器,其特征在于,所述乘法器电路包括第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管;其中,
所述第一场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的栅极以及所述第三场效应管的栅极相连,所述第一场效应管的漏极与栅极相短接,所述第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管的源极均接地,所述第一场效应管的漏极引入所述输入电流,所述第二场效应管的漏极以及所述第三场效应管的漏极均引入所述参考电流,所述第二场效应管的漏极与所述第一分支电路的输入端相连,所述第三场效应管的漏极与所述第二分支电路的输入端相连。
3.根据权利要求1所述的混沌振荡器,其特征在于,所述第一分支电路中包括串联的第一镜像电流源电路和第二镜像电流源电路,其中,所述第一镜像电流源电路和所述第二镜像电流源电路均包括两个场效应管,所述第一镜像电流源电路的输入端与所述第一输出端相连,所述第二镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。
4.根据权利要求3所述的混沌振荡器,其特征在于,所述第二镜像电流源电路中的两个场效应管为P沟道型场效应管,所述第一镜像电流源电路中的两个场效应管为N沟道型场效应管。
5.根据权利要求1所述的混沌振荡器,其特征在于,所述第二分支电路中包括第三镜像电流源电路,所述第三镜像电流源电路中包括两个P沟道型场效应管,所述第三镜像电流源电路的输出端与所述第二输出端相连,所述第三镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连。
6.根据权利要求1所述的混沌振荡器,其特征在于,所述吸引盆电路中包括比较电路、第四镜像电流源电路以及第五镜像电流源电路,其中,所述比较电路包括第四场效应管、第五场效应管以及第六场效应管,所述第四场效应管的栅极分别与所述第五场效应管的栅极以及所述第六场效应管的栅极相连,所述第四场效应管的漏极与栅极相短接,所述第四场效应管、第五场效应管以及第六场效应管的源极均接地,所述第四场效应管的漏极与所述第一分支电路的输出端以及所述第二分支电路的输出端相连,所述第五场效应管的漏极引入所述判据电流,所述第五场效应管的漏极与所述第四镜像电流源电路相连,所述第六场效应管的漏极与所述第五镜像电流源电路相连,所述第五镜像电流源电路的输出端引出所述输出电流。
7.一种应用于如权利要求1-6中任一权利要求所述的混沌振荡器中的电流处理方法,其特征在于,包括:
利用乘法器电路将输入电流按照预设倍数进行放大,得到放大后的输入电流;
将所述放大后的输入电流与预设参考电流进行比较,并通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中的一条支路;
差值电流通过所述第一分支电路或者所述第二分支电路的一条支路以同一方向输入吸引盆电路中;
所述吸引盆电路将所述改变电流走向后的差值电流与预设判据电流进行比较,并从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据比较结果通过所述乘法器电路的第一输出端或者第二输出端将所述放大后的输入电流与所述参考电流之间的差值电流输出至第一分支电路或者第二分支电路中具体包括:
当所述放大后的输入电流小于所述预设参考电流时,将所述预设参考电流与所述放大后的输入电流之间的第一差值电流通过所述乘法器电路的第一输出端输出至第一分支电路中;
当所述放大后的输入电流大于所述预设参考电流时,将所述放大后的输入电流与所述预设参考电流之间的第二差值电流通过所述乘法器电路的第二输出端输出至第二分支电路中。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述预设倍数为大于1.414并且小于2。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,从所述吸引盆电路的输出端输出小于或者等于所述预设判据电流的输出电流具体包括:
当所述改变电流走向后的差值电流小于或者等于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述改变电流走向后的差值电流;
当所述改变电流走向后的差值电流大于所述预设判据电流时,从所述吸引盆电路的输出端输出所述预设判据电流。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106911319A (zh) * 2017-03-06 2017-06-30 山东大学 一种基于jfet的压控浮地线性连续可调电阻电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165681A1 (en) * 2001-05-24 2004-08-26 Chandra Mohan Narrow band chaotic frequency shift keying
CN104104497A (zh) * 2014-07-17 2014-10-15 东南大学苏州研究院 一种基于砷化镓工艺的l波段混沌电路及其设计方法
CN105681020A (zh) * 2016-03-12 2016-06-15 常州大学 一种基于无平衡点忆阻系统的超混沌隐藏振荡电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165681A1 (en) * 2001-05-24 2004-08-26 Chandra Mohan Narrow band chaotic frequency shift keying
CN104104497A (zh) * 2014-07-17 2014-10-15 东南大学苏州研究院 一种基于砷化镓工艺的l波段混沌电路及其设计方法
CN105681020A (zh) * 2016-03-12 2016-06-15 常州大学 一种基于无平衡点忆阻系统的超混沌隐藏振荡电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106911319A (zh) * 2017-03-06 2017-06-30 山东大学 一种基于jfet的压控浮地线性连续可调电阻电路
CN106911319B (zh) * 2017-03-06 2020-10-09 山东大学 一种基于jfet的压控浮地线性连续可调电阻电路

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