CN106030344A - 闪烁体阵列以及形成闪烁体阵列和辐射检测器的方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例涉及一种包含安置于闪烁体像素之间的反射体的闪烁体阵列，以及形成所述闪烁体阵列和辐射检测器的方法。在一实施例中，所述反射体可在无粘合剂的情况下用于所述闪烁体阵列中。在另一实施例中，所述反射体可以Z形图案安置在所述闪烁体像素之间。

Description

闪烁体阵列以及形成闪烁体阵列和辐射检测器的方法

技术领域

本发明针对一种闪烁体阵列以及形成所述闪烁体阵列和辐射检测器的方法。

背景技术

反射体可用于闪烁体阵列中来增加光输出。反射体还可用于减少阵列中的闪烁体像素之间的串扰。液体粘合剂可用于将反射体附接到闪烁体像素。阵列中的闪烁体像素还可由反射体个别地向上缠绕。然而，需要闪烁体阵列、辐射传感器和反射体的使用的进一步改进。

附图说明

在附图中以举例方式说明实施例，并且不作限制。

图1包含根据一实施例包含安置于闪烁体像素之间的反射体的闪烁体像素阵列的说明。

图2-8说明根据本文所揭示的实施例的制造过程期间的示范性闪烁体阵列。

图9包含根据一实施例的闪烁体外壳的说明。

图10包含本文中所揭示的闪烁体阵列所产生的图像。

图11提供以粘合剂制造的闪烁体阵列所产生的图像。

技术人员应了解，图中的要素仅为简单和清晰起见而进行说明，但不一定按比例绘制。举例来说，图中一些要素的尺寸可以相对于其它要素而夸示以帮助改进对本发明实施例的理解。

具体实施方式

与图组合提供以下描述来帮助理解本文所揭示的教示。以下论述将集中于教示的特定实施方案和实施例上。这一焦点用于帮助描述教示内容，并且不应被解释为对教示的范围或适用性的限制。

术语相对于闪烁体像素的“光传感器表面”打算意指耦合到或既定耦合到光传感器的表面。术语相对于闪烁体像素的“侧表面”打算意指邻近于光传感器表面的表面。术语相对于闪烁体像素的“外侧表面”打算意指背对阵列的中心的侧表面。

术语“稀土”或“稀土元素”既定意指元素周期表中的Y、Sc以及镧系元素(La到Lu)。在化学式中，稀土元素由“RE”表示。.

术语“包括”、“包含”、“具有”或其任何其它变化既定涵盖非排他性的包含。举例来说，包括一系列特征的工艺、方法、物件或设备不一定仅限于那些特征，但可包含没有明确列出或此类工艺、方法、物件或设备所固有的其它特征。另外，除非明确相反地陈述，否则“或”是指包含性的或，而非排它性的或。举例来说，条件A或B是通过以下中中的任一者来得到满足：A是真的(或存在的)并且B是假的(或不存在的)、A是假的(或不存在的)并且B是真的(或存在的)以及A和B都是真的(或存在的)。

使用“一个”或“一种”是用来描述本文中所描述的要素和组分。这样做只是为了方便起见并且给出本发明范围的一般性意义。除非显而易见指的是其他情况，否则这一描述应该理解为包含一个或至少一个，并且单数也包含复数，或反之亦然。

除非另外规定，否则本文中所用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的一般技术人员通常所理解相同的含义。材料、方法和实例仅是说明性的并且并不打算是限制性的。至于本文中未描述的方面，关于特定材料和处理动作的许多细节是常规的，并且可以在闪烁和辐射检测技术内的教科书和其它来源中找到。

闪烁体阵列可经制造使得可在闪烁体像素之间使用反射体。在一实施例中，反射体可以Z形图案放置于闪烁体像素周围。在另一实施例中，反射体可在不同行中和不同列中的至少一些闪烁体像素之间连续延伸。反射体的所述布置可允许邻近闪烁体像素之间的光学分离。在特定实施例中，反射体可安置成直接接触闪烁体像素，而不施加中间层，例如粘合剂。液体粘合剂可致使特定反射体褪色且失去反射性。避免使用粘合剂将反射体附接到闪烁体像素可改进反射体的反射性，这进而可增加闪烁体阵列的光输出。

在另一实施例中，包含正方形内部隅角的外壳可用于固定闪烁体阵列。所述外壳的正方形隅角可施加充分压力以固持闪烁体阵列，且沿着闪烁体阵列的x轴和y轴方向维持较均匀间距。施加到所述阵列的压力不会不利地影响反射体，且可帮助使闪烁体阵列的结构稳定。

图1说明根据一实施例的闪烁体阵列100的俯视图。闪烁体阵列100可包含布置成行和列的多个闪烁体像素101。闪烁体像素中的每一者可包含大体上相同的闪烁材料。闪烁材料可包含无机材料，例如稀土或其它金属卤化物；稀土硫化物、硫氧化物、锗酸盐、硅酸盐或铝石榴石；CdWO₄、CaWO₄、ZnS、ZnO、ZnCdS、另一合适的闪烁体材料，或类似者。闪烁体材料可对特定类型的辐射具有敏感性，举例来说，X射线、伽马射线、中子等，且闪烁体阵列可相应地结合光传感器在检测X射线、伽马射线、中子或其它辐射的应用中使用。光传感器可包含光电倍增管、硅光电倍增管、混合光传感器、光电二极管、位置敏感光传感器(例如位置敏感光电倍增管)等等。

闪烁体阵列内的闪烁体像素中的每一者可包含前表面和相对的背表面。前表面可为面向或在制造之后将面向光传感器的光传感器表面。因此，闪烁体阵列也可包含前表面和相对背表面。闪烁体阵列的前表面可耦合到光传感器。闪烁体像素中的每一者还可包含在光传感器表面与背表面之间延伸的侧表面。闪烁体阵列可进一步包含周界。沿着闪烁体阵列的周界的闪烁体像素中的每一者可具有朝向闪烁体阵列的外部(远离闪烁体阵列的中心)的外侧表面。

闪烁体阵列100可包含2-D阵列。2-D阵列的实例可具有至少2x2像素的大小，例如3x3像素、4x4像素、8x8像素、16x16像素、32x32像素、64x64像素或类似者。在另一实施例中，闪烁体阵列可具有沿着行和列的相异数目的闪烁体像素，举例来说2x8像素、8x16像素或类似者。在阅读本说明书之后，熟练的技术人员将理解，闪烁体阵列的大小可取决于闪烁体阵列的特定应用而变化，且可大于64x64像素。每一闪烁体像素可具有宽度、深度和长度。此外，每一闪烁体像素可大体上相同地设定大小。在一实施例中，宽度和长度可以是至少约1.0mm(0.04英寸)。举例来说，宽度和长度可以是至少约2.0mm(0.08英寸)，这可允许容易地处置闪烁体像素。在另一实施例中，宽度和长度可不超过约15.0mm(0.6英寸)，例如不超过约9mm(0.35英寸)，因为闪烁体阵列的分辨率可在闪烁体像素的宽度或长度变得大于15.0mm时显著减小。在特定实施例中，每一闪烁体像素的宽度和长度可大体上相同。举例来说，闪烁体像素的宽度和长度可在至少约1.0mm到不超过约15.0mm之间的范围内，或在至少约2.0mm到不超过约9.0mm之间的范围内。在又一方面中，每一闪烁体像素的深度可以是至少约12.7mm(0.5英寸)。此外，每一闪烁体像素的深度可以是至少约25.4mm(1.0英寸)、例如至少约50.8mm(2.0英寸)，或至少约101.6mm(4.0英寸)。在再一方面中，每一闪烁体像素204的深度不大于约254.0mm(10.0英寸)。举例来说，闪烁体像素的长度可在至少约12.7mm到不超过约254mm之间的范围内。在阅读本说明书之后，熟练的技术人员将理解，闪烁体像素的宽度、长度和深度可在本文中所揭示的最小值和最大值中的任一者内。

在一实施例中，本文中所提供的闪烁体阵列可用于辐射传感器系统中。辐射传感器系统可为医疗成像设备、测井设备、安全检查设备、核物理学应用，或类似者。在一实施例中，辐射检测系统可用于伽马射线分析，例如单一光子发射计算机断层摄影法(SPECT)或正电子发射断层摄影法(PET)分析。

闪烁体阵列100可包含安置于闪烁体像素101之间的反射体102。在一实施例中，反射体102可包含漫反射材料。漫反射材料可包含聚酯、含氟聚合物，或其组合。含氟聚合物可包含聚四氟乙烯(PTFE)。在特定实施例中，反射体可包含PTFE带。在另一实施例中，反射体102可包含镜面反射材料。镜面反射材料的实例可包含铝，例如铝箔或镀铝聚酯薄膜。镜面反射材料还可包含银、镍、铬或类似者。在另一实施例中，反射体102可包含漫反射材料层和镜面反射材料层。在又一实施例中，反射体可包含夹在两层漫反射材料之间的镜面反射材料。在特定实施例中，反射体可包含安置于两层PTFE带之间的铝箔层。

如图1中所描绘，安置于闪烁体像素之间的反射体102形成Z形图案。在一实施例中，反射体102可放置成邻近于闪烁体像素的侧表面，而不施加中间层(例如粘合剂)，使得反射体102可直接接触闪烁体像素的侧表面。在另一实施例中，反射体102可紧密地附接到闪烁体像素的侧表面从而使得反射体与闪烁体像素的侧表面之间的空间可不大于约10微米。举例来说，反射体与闪烁体像素的侧表面之间的空间可不大于约5微米，例如不超过约3微米。在特定实施例中，PTFE带可紧密地附接到闪烁体阵列的侧表面。

在另一实施例中，反射体102可经安置以至少部分覆盖闪烁体像素的侧表面。在又一实施例中，沿着闪烁体阵列的周界的每一其它闪烁体像素的外侧表面由反射体102覆盖。在特定实施例中，反射体102可安置于闪烁体像素之间以将邻近闪烁体像素光学隔离。在另一实施例中，与闪烁体阵列的周界隔开的闪烁体像素的所有侧表面可由反射体覆盖。在更进一步实施例中，闪烁体阵列的隅角处的闪烁体像素可仅具有两个接触反射体102的侧表面。

在再一实施例中，反射体102可在不同行中和不同列中的至少一些闪烁体像素之间连续延伸。举例来说，反射体可至少在两个不同行中和两个不同列中的闪烁体像素之间连续延伸。在另一实施例中，反射体可至少在两个不同行中和三个不同列中的闪烁体像素之间连续延伸。在又一实施例中，反射体可至少在四个不同行中和四个不同列中的闪烁体像素之间连续延伸。在另一实施例中，反射体可在遍及闪烁体阵列的闪烁体像素之间连续延伸。

在一实施例中，闪烁体阵列100可包含安置成邻近于闪烁体阵列的背表面和沿着闪烁体像素的周界的外侧表面的一或多个反射体。在一实施例中，反射体可直接接触闪烁体阵列的背表面或沿着闪烁像素的周界的至少一些外侧表面。反射体可包含漫射材料(例如含氟聚合物或聚酯)、镜面反射材料(例如铝箔)或其组合。

相对于图2到8中的说明更详细描述制造闪烁体阵列的方法。参看图2，如所说明的紧固件220可用于提供用于在闪烁体阵列中组装闪烁体像素的对准。紧固件220可包含臂222和臂224以提供所述对准。在一实施例中，闪烁体像素可抵靠着臂222和224对准。在阅读本说明书之后，熟练的技术人员将理解，可使用除紧固件220之外的工具来对准闪烁体像素从而形成闪烁体阵列。尽管闪烁体像素、反射体以及臂222和224说明为彼此分离，但闪烁体像素与反射体之间可不存在间隙。如图3中所描绘，反射体212可邻近于闪烁体像素201的任何三个侧表面而施加。举例来说，反射体212可紧密地附接到侧表面2012、2014和2016，而不使用反射体212与闪烁体像素201之间的任何粘合剂。或者，反射体212可缠绕在闪烁体像素201的所有侧表面周围。参看图4，闪烁体像素201可抵靠着由紧固件220的臂222和224形成的隅角而放置，其中反射体212如本文所揭示而安置。

参看图5，闪烁体像素202和203可沿着对角线放置在紧固件上。闪烁体像素202可邻近于像素201的侧表面2012且与像素201对准而放置。反射体212可使像素202与像素201的侧表面2012分离。闪烁体像素203可邻近于像素201的侧表面2016且与像素201对准而放置。像素201的侧表面2016可通过反射体212与像素203分离。反射体212可放置在闪烁体像素202的外表面周围且变得沿着对角线邻近于闪烁体像素203。在一实施例中，工具可用于帮助将反射体放置到由不同闪烁体像素的侧表面形成的隅角中，例如由像素203的侧表面2032和像素202的侧表面2026形成的隅角。所述工具可为圆形或相对柔软以便不会不利地影响(例如磨损)反射体，且同时将压力传递到反射体上以将反射体放置到隅角中。工具的实例包含漆刷、海绵、弹性块或类似者。在另一实施例中，反射体212可直接附接到闪烁体像素202和203的侧表面。

参看图6，闪烁体像素204可沿着另一对角线且邻近于闪烁体像素202和203而放置。穿过闪烁体像素204的对角线大体上平行于延伸穿过闪烁体像素202和203的对角线。在一实施例中，闪烁体像素204可平缓地推送到闪烁体像素202与203之间的空间中。反射体212可沿着闪烁体像素202、203和204的邻近侧表面安置，且可直接附接到那些侧表面。如所说明，闪烁体像素204通过反射体212与闪烁体像素202和203分离。在制造过程的此刻，可形成包含2x2像素的闪烁体阵列，如图7中所说明。

参看图8，如果需要包含超过2x2像素的闪烁体阵列，那么闪烁体像素205和206可安置在紧固件220中。闪烁体像素205可安置成与闪烁体像素201和203对准。闪烁体像素206可安置成与闪烁体像素201和202对准。反射体可放置在闪烁体像素205的外侧表面周围，且沿着平行于其中安置闪烁体像素204、205和206的对角线的另一对角线放置。在一实施例中，反射体212可紧密地附接到闪烁体像素205的外侧表面。闪烁体像素207、208、209和210可沿着大体上平行于另一先前描述的对角线的又一对角线放置于闪烁体阵列中。闪烁体像素207可放置成与闪烁体像素201、203和205对准。闪烁体像素209和210可分别平缓地推送到闪烁体像素204与205之间以及闪烁体像素204与206之间的空间中。闪烁体像素208可放置成与闪烁体像素201、202和206对准。反射体212可使闪烁体像素205与207之间的邻近侧表面分离。反射体212进一步使闪烁体像素209与闪烁体像素204和205中的每一者分离。像素210通过反射体212与像素204和206中的每一者隔离，反射体212也安置于闪烁体像素206和208的邻近侧表面之间。类似于相对于图5到7描述的过程的过程可重复从而形成包含所要数目的像素的闪烁体阵列。所述阵列可包含紧密地附接到闪烁体像素的侧表面的反射体212。在一实施例中，力可沿着闪烁体阵列的周界施加到外侧表面以抵靠着臂222和224平缓地压缩闪烁体阵列，从而加强反射体212与闪烁体像素的侧表面之间的附接。

反射体212可包含镜面反射材料或漫反射材料。在另一实施例中，反射体212可包含多层反射材料，例如夹在两层漫射材料之间的镜面材料层。根据此实施例，包含多层反射材料的预成型反射体可安置于闪烁体像素之间。或者，多层反射材料可用作单一单元以环绕如本文所描述的闪烁体像素。举例来说，每一层反射材料可单独地放置在第一闪烁体像素(例如闪烁体像素201)周围，且接着在闪烁体像素之间使用，如先前描述。

在一实施例中，在形成所要大小的闪烁体阵列之后，反射体可施加到闪烁体阵列的背表面。反射体可为如先前相对于反射体212描述的反射体中的任一者。反射体可为坚硬的或以其它方式不容易弯曲。在特定实施例中，包含漫射材料(例如含氟聚合物)的反射体可附接到闪烁体阵列的背表面。在另一实施例中，包含镜面反射材料或漫反射材料的另一反射体可施加到附接到阵列的背表面的反射体。在另一实施例中，一或多个反射体还可在不使用粘合剂的情况下沿着阵列的周界沿着闪烁体像素的外侧表面安置。举例来说，包含含氟聚合物的反射体可沿着闪烁体阵列周界施加到闪烁体像素的外侧表面，且包含聚酯或金属箔的额外反射体可施加到包含含氟聚合物的反射体。

在一实施例中，本文中所提供的闪烁体阵列可包含外壳。根据实施例，在组装闪烁体阵列之后，闪烁体阵列可放置于所述外壳中。参看图9，所述外壳900可包含与壁901、902、903和904相交的底部表面905。壁901、902、903和904可垂直于底部表面905，且从底部表面905延伸。相对壁902和901可并行，且相对壁903和904可并行。在一实施例中，闪烁体阵列的背表面可邻近于所述外壳900的底部表面905而放置。在另一实施例中，所述外壳可具有大于闪烁体阵列内的闪烁体像素的深度的深度。举例来说，所述外壳可进一步固持耦合到闪烁体阵列的光传感器。在另一实施例中，所述外壳可具有所述外壳的壁的两个相对外表面上的凹槽。绑带可装配在凹槽中以提供额外支撑来将光传感器和闪烁体阵列保持在一起。

在另一实施例中，包含所述外壳的闪烁体阵列可为较大阵列的一部分。所述较大阵列可包含多个闪烁体阵列，每一闪烁体阵列包含类似于如本文所描述的外壳的外壳。在此布置中，每一闪烁体阵列可为较大阵列的子阵列。绑带也可施加到较大外壳以将闪烁体阵列的外壳保持在一起。

如所说明，所述外壳900还可包含由相交壁形成的内部隅角，且所述壁与底部表面相交。在特定实施例中，内部隅角为陡峭且正方形的。举例来说，每一内部隅角可具有不超过约1.5mm、不超过约1mm、不超过约0.8mm或不超过约0.6mm的半径。在另一实施例中，内部隅角半径可不超过约闪烁体像素的宽度，例如不超过约闪烁体像素的宽度的1/2，或不超过约闪烁体像素的宽度的1/4。包含陡峭的正方形内部隅角的所述外壳可将充分压力施加到闪烁体阵列组合件且向所述结构提供稳定性而不会不利地影响反射体。

在另一实施例中，所述外壳可包含碳纤维、钛、不锈钢、塑料或铝。在特定实施例中，所述外壳包含碳纤维，例如低密度碳纤维。

在又一实施例中，光传感器可耦合到闪烁体阵列的前表面。光学透明耦合材料可用于将光传感器耦合到闪烁体阵列。在一实施例中，例如聚合物等材料可施加到光传感器且固化从而在将光传感器耦合到前表面之前形成光学透明耦合材料。在特定实施例中，所述材料可包含弹性体，例如聚硅氧橡胶。

在另一实施例中，耦合材料可具有至少约1mm的厚度。举例来说，所述厚度可以是至少约1.0mm、至少约1.5mm、或至少约2mm。在另一实施例中，耦合材料的厚度可不超过约5mm、不超过约4mm，或不超过约3mm。在另一实施例中，经固化耦合材料的厚度可在约1mm到约5mm的范围内、在约1.5mm到约4mm之间的范围内，或在约2mm到约3mm的范围内。当将光传感器耦合到闪烁体阵列时，耦合材料可直接接触阵列的闪烁体像素的前表面。耦合材料还可直接接触安置于闪烁体像素之间的反射体。在特定实施例中，耦合材料可对于安置于闪烁体像素之间的反射体为非润湿的。更确切地说，耦合材料可或可不具有粘性，且当耦合材料包含可固化材料时，此材料充分固化从而使得大体上没有来自可固化材料的液体粘合剂接触反射体、闪烁体像素或其任何组合。

在一实施例中，光传感器可耦合到外壳中固定的闪烁体阵列。附接到耦合材料的光传感器可被平缓地按压直至耦合材料接触阵列内的闪烁体像素的光传感器表面为止。

在再一实施例中，本文中所揭示的闪烁体阵列可相比于具有大体上相同闪烁体像素但使用粘合剂将反射体附接到闪烁体像素的闪烁体阵列具有较好的光输出。图10说明当耦合到位置敏感光电倍增管时本文中所揭示的实施例的闪烁体阵列所产生的图像。图11提供以粘合剂制造且耦合到大体上相同的位置敏感光电倍增管的闪烁体阵列产生的图像。在另一实施例中，本文中所揭示的闪烁体阵列的光输出可以比以粘合剂制造的闪烁体阵列的光输出亮至少约30％，例如亮至少约40％、亮至少约50％，或亮至少约60％。

本文中所揭示的实施例允许在不使用粘合剂的情况下形成闪烁体阵列。常规阵列可使用液体粘合剂，例如环氧树脂或硅酮可用于将反射体附接到闪烁体像素。然而，将粘合剂施加到闪烁体像素的所有四侧的过程增加了制造复杂性，且所粘合的反射体的拆卸可致使光输出缩减。此外，粘合剂可不利地影响例如PTFE带等特定反射体的反射性，因为PTFE可在接触粘合剂之后褪色，且所述褪色可致使反射性随时间的损失。本文中所揭示的制造过程提供具有增强的光输出的闪烁体阵列且避免需要粘合剂。

本文中所揭示的耦合材料可为非润湿的且可进一步增强PTFE反射体的性能。本文中所揭示的耦合材料提供充分厚度和粘性以将光传感器光学耦合到闪烁体阵列内的闪烁体像素，这有助于增加闪烁体阵列的光输出。外壳的陡峭的正方形内部隅角可施加充分压力以使闪烁体阵列结构稳定，且提供具有改进的性能的紧密封装的闪烁体阵列，这不可由此项技术中使用的外壳实现(由于那些外壳的隅角圆化)。

许多不同方面和实施例是可能的。本文中描述了那些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书之后，熟练的技术人员将理解，那些方面和实施例仅为说明性的且并不限制本发明的范围。实施例可根据如下文所列的项目中的任何一或多者。实施例可根据如下文所列的项目中的任何一或多者。

项目1.一种闪烁体阵列，其包括：多个闪烁体像素；以及第一反射体，其中所述第一反射体以Z形图案安置于所述闪烁体像素之间。

项目2.一种闪烁体阵列，其包括：布置成行和列的多个闪烁体像素；以及第一反射体，其中所述第一反射体在不同列中和不同行中的至少一些所述闪烁体像素之间连续延伸。

项目3.一种闪烁体阵列，其包括：布置成行和列的多个闪烁体像素；以及安置于所述闪烁体像素之间的第一反射体，其中沿着所述阵列的周界的所述闪烁体像素中的每一者具有外侧表面，且其中沿着所述阵列的所述周界的每一其它外侧表面由第一所述反射体覆盖。

项目4.一种闪烁体阵列，其包括：布置成列和行的多个闪烁体像素；在无粘合剂的情况下安置于所述闪烁体像素之间的第一反射体；以及外壳，所述外壳包括内部正方形隅角且经配置以固定所述闪烁体像素和所述第一反射体。

项目5.一种形成辐射检测器的方法，其包括：布置多个闪烁体像素从而形成闪烁体阵列；在所述闪烁体像素之间安置第一反射体；将材料施加到光传感器上且固化所述材料从而形成非润湿的光学透明耦合材料，其中所述材料包含聚合物；以及经由所述光学透明耦合材料将所述光传感器耦合到所述闪烁体阵列。

项目6.一种形成闪烁体阵列的方法，其包括沿着第一对角线在紧固件中放置第一组闪烁体像素；沿着所述第一组所述闪烁体像素的侧表面安置第一反射体；以及在安置所述第一反射体之后沿着第二对角线在所述紧固件中放置第二组闪烁体像素，其中所述第一反射体安置于所述第一组闪烁体像素与所述第二组所述闪烁体像素之间且将其光学隔离。

项目7.项目5的方法，其中布置所述多个闪烁体像素包括在紧固件中沿着对角线放置所述闪烁体像素。

项目8.项目6或7的方法，其中在所述闪烁体像素之间安置所述第一反射体包括沿着所述对角线且邻近于所述闪烁体像素放置所述第一反射体。

项目9.项目5到8中的任一者的方法，其中安置所述第一反射体包括沿着所述闪烁体阵列的周界在每一其它闪烁体像素的外侧表面周围放置所述第一反射体。

项目10.项目5到9中的任一者的方法，其进一步包括将所述闪烁体阵列固定在外壳中。

项目11.项目2到10中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体以Z形图案安置于所述闪烁体像素之间。

项目12.项目1或11的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体沿着所述闪烁体像素的侧表面安置从而形成所述Z形图案。

项目13.前述项目中任一项目的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体紧密地附接到所述闪烁体像素的所述侧表面。

项目14.前述项目中任一项目的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体像素布置在至少2列和至少3行中。

项目15.项目1和3到14中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体在不同行中和不同列中的至少一些所述闪烁体像素之间连续延伸。

项目16.项目1到15中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包括漫反射材料。

项目17.前述项目中任一项目的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包含含氟聚合物或聚酯。

项目18.前述项目中任一项目的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包含PTFE。

项目19.项目1到15中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包括镜面反射材料。

项目20.项目1到15中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包括漫反射材料和镜面反射材料。

项目21.项目1到15中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体包括第一漫反射材料的第一层、镜面反射材料的第二层和第二漫射材料的第三层，其中所述第二层安置于所述第一层与所述第三层之间。

项目22.项目1到3中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括外壳，所述外壳包含内部正方形隅角且经配置以固定所述闪烁体阵列和所述第一反射体。

项目23.项目4、10和19中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述外壳包含铝、不锈钢或碳纤维。

项目24.项目4、7、18和19中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述外壳包括低密度碳纤维。

项目25.项目5的方法，其中所述聚合物包含弹性体。

项目26.项目5的方法，其中所述聚合物包含聚硅氧橡胶。

项目27.项目5、25或26的方法，其中所述光传感器包括光电倍增管传感器的阵列

项目28.前述项目中任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括前表面、背表面和沿着所述闪烁体阵列的周界且在所述前表面与所述背表面之间延伸的外侧表面，且其中所述闪烁体阵列的所述背表面和所述外侧表面由第二反射体覆盖。

项目29.项目28的闪烁体阵列或方法，其中所述第二反射体包括漫反射体。

项目30.项目28或29的闪烁体阵列或方法，其中所述第二反射体包括含氟聚合物或聚酯。

项目31.项目28到30中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第二反射体包括PTFE。

项目32.项目28到31中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述背表面和所述外侧表面进一步由第三反射体覆盖。

项目33.项目32的闪烁体阵列或方法，其中所述第三反射体包括包含聚酯的漫反射体。

项目34.前述项目中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述第一反射体经配置以将每一个邻近闪烁体像素光学分离。

项目35.前述项目中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括至少2x2像素。

项目36.前述项目中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括至少6x6像素。

项目37.前述项目中的任一者的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括至少8x8像素。

项目38.前述项目中的任一者的闪烁体阵列或方法，其进一步包括邻近于所述闪烁体阵列的背表面的镜面反射体。

项目39.一种辐射传感器，其包括多个所述闪烁体阵列，其中所述多个闪烁体阵列内的每一闪烁体阵列为项目1到4、11到24和28到38中的任一者的所述闪烁体阵列。

项目40.一种辐射传感器，其包括由项目5到39中的任一者的所述方法制造的多个所述闪烁体阵列。

项目41.项目39或40的辐射传感器，其进一步包括外壳，其中所述多个闪烁体阵列固定在所述外壳中。

应注意，并非所有在以上一般描述或实例中所描述的活动都是所需要的，一部分特定活动可能是不需要的，并且可以执行除那些所描述的活动之外的一种或多种进一步活动。再者，所述活动列出的次序未必是其执行的次序。

出于清楚起见在本文中在单独实施例的上下文中所描述的某些特征也可以组合的形式提供于单一实施例中。相反，为了简洁起见，在单一实施例的上下文中所描述的各种特征也可以单独地或以任何次组合形式提供。另外，对于范围中所陈述的值的参考包含所述范围内的每一个值。

上文关于特定实施例描述了益处、其它优点和对问题的解决方案。然而，所述益处、优点、对问题的解决方案以及可能引起任何益处、优点或解决方案出现或变得更明显的任何特征不应被解释为任何或所有项目的至关重要、必需或基本的特征。

Claims (15)

1.一种闪烁体阵列，其包括：

多个闪烁体像素；以及

反射体，

其中所述反射体以Z形图案安置于所述闪烁体像素之间。

2.一种闪烁体阵列，其包括：

布置成行和列的多个闪烁体像素；以及

反射体，

其中所述第一反射体在不同列中和不同行中的至少一些所述闪烁体像素之间连续延伸。

3.一种闪烁体阵列，其包括：

布置成行和列的多个闪烁体像素；以及

安置于所述闪烁体像素之间的反射体，

其中沿着所述阵列的周界的所述闪烁体像素中的每一者具有外侧表面，且其中沿着所述阵列的所述周界的每一其它外侧表面由所述第一反射体覆盖。

4.一种闪烁体阵列，其包括：

布置成列和行的多个闪烁体像素；

反射体，其在无粘合剂的情况下安置于所述闪烁体像素之间；以及

外壳，其包括内部正方形隅角且经配置以固定所述闪烁体像素和所述反射体。

5.一种形成辐射检测器的方法，其包括：

布置多个闪烁体像素从而形成闪烁体阵列；

在所述闪烁体像素之间安置反射体；

将材料施加到光传感器上且固化所述材料从而形成非润湿的光学透明耦合材料，其中所述材料包含聚合物；以及经由所述光学透明耦合材料将所述光传感器耦合到所述闪烁体阵列。

6.一种形成闪烁体阵列的方法，其包括：

沿着第一对角线在紧固件中放置第一组闪烁体像素；

沿着所述第一组闪烁体像素的侧表面安置反射体；以及

在安置所述反射体之后沿着第二对角线在所述紧固件中放置第二组闪烁体像素，其中所述反射体安置于所述第一组闪烁体像素与所述第二组闪烁体像素之间且将其光学隔离。

7.根据权利要求5所述的方法，其中布置所述多个闪烁体像素包括在紧固件中沿着对角线放置所述闪烁体像素。

8.根据权利要求5到7中任一权利要求所述的方法，其中安置所述反射体包括沿着所述闪烁体阵列的周界在每一其它闪烁体像素的外侧表面周围放置所述第一反射体。

9.根据权利要求2到9中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述反射体以Z形图案安置于所述闪烁体像素之间。

10.根据权利要求1和3到9中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述反射体在不同行中和不同列中的至少一些所述闪烁体像素之间连续延伸。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述反射体包括漫反射材料。

12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述反射体包含含氟聚合物或聚酯。

13.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述反射体包括镜面反射材料。

14.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述闪烁体阵列包括外壳，所述外壳包含内部正方形隅角且经配置以固定所述闪烁体阵列和所述反射体。

15.根据权利要求4、10和19中任一权利要求所述的闪烁体阵列或方法，其中所述外壳包含铝、不锈钢或碳纤维。