CN106025068A - 一种栅极电极的加工工艺 - Google Patents
一种栅极电极的加工工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106025068A CN106025068A CN201610617972.4A CN201610617972A CN106025068A CN 106025068 A CN106025068 A CN 106025068A CN 201610617972 A CN201610617972 A CN 201610617972A CN 106025068 A CN106025068 A CN 106025068A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin piece
- gate electrode
- ito glass
- slice
- square ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ITO玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量，所述PVP溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极具有电流大和载流子迁移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件的加工工艺领域，更具体地说，本发明涉及一种栅极电极的加工工艺。
背景技术
随着科技的发展，显示器中的像素点也越来越小，而制作一个完整的显示器，需要大量电子器件和复杂的电路矩阵，这就要求想配对的电子器件和电路尺寸越来越小，为了实现有机薄膜晶体管在平板显示中的应用，首先要解决 OTFT 的图案化，一种好的的图案化方法可以很大程度上降低制作成本，提高器件的性能以及稳定性。目前，最常用的图案化方法包括：光刻技术，喷墨打印技术等，因这些方法简单、快捷、对器件的性能影响小而逐步受到人们的关注。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种栅极电极的加工工艺。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤：
（1）切割
首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cm×5cm -7cm×7cm的方形ITO玻璃片子；
（2）清洗
接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗25-35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2-4次；
（3）烘干
清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115℃，所述烘干的时间为1-2h；
（4）旋涂光刻胶
接着将光刻胶以9 s600 rad/min - 40 s2000 rad/min 的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂；
（5）再烘干
接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115℃，所述烘干的时间为20-40min；
（6）曝光显影
在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将显影液通过喷头喷洒上去；
（7）蚀刻
然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对 ITO 进行蚀刻，接着用丙酮洗去光刻胶，然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
优选的，所述步骤（3）中烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗。
优选的，所述清洗的时间为20-30min。
优选的，所述步骤（4）中旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备。
优选的，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ITO玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干。
优选的，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯。
优选的，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9。
优选的，所述绝缘层的厚度为15-25nm。
有益效果：本发明提供了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ITO玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量，所述PVP溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极具有电流大和载流子迁移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
具体实施方式
实施例1：
一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤：
（1）切割
首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cm×5cm的方形ITO玻璃片子；
（2）清洗
接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗25min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2次；
（3）烘干
清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105℃，所述烘干的时间为1h，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述清洗的时间为20min；
（4）旋涂光刻胶
旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ITO玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以9 s600 rad/min 的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9，所述绝缘层的厚度为15nm；
（5）再烘干
接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105℃，所述烘干的时间为20min；
（6）曝光显影
在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将显影液通过喷头喷洒上去；
（7）蚀刻
然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对 ITO 进行蚀刻，接着用丙酮洗去光刻胶，然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
实施例2：
一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤：
（1）切割
首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成6cm×6cm的方形ITO玻璃片子；
（2）清洗
接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗30min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为3次；
（3）烘干
清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为110℃，所述烘干的时间为1.5h，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述清洗的时间为25min；
（4）旋涂光刻胶
旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ITO玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以20 s1200 rad/min的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9，所述绝缘层的厚度为20nm；
（5）再烘干
接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为110℃，所述烘干的时间为30min；
（6）曝光显影
在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将显影液通过喷头喷洒上去；
（7）蚀刻
然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对 ITO 进行蚀刻，接着用丙酮洗去光刻胶，然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
实施例3
一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤：
（1）切割
首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成7cm×7cm的方形ITO玻璃片子；
（2）清洗
接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为4次；
（3）烘干
清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为115℃，所述烘干的时间为2h，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述清洗的时间为30min；
（4）旋涂光刻胶
旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ITO玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以40 s2000 rad/min 的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9，所述绝缘层的厚度为25nm；
（5）再烘干
接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为115℃，所述烘干的时间为40min；
（6）曝光显影
在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将显影液通过喷头喷洒上去；
（7）蚀刻
然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对 ITO 进行蚀刻，接着用丙酮洗去光刻胶，然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
经过以上方法后，分别取出样品，测量结果如下：
| 检测项目 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 现有指标 |
| 最高电流（mA） | 0.51 | 0.55 | 0.52 | 0.48 |
| 载流子迁移率高（cm2V-1s-1） | 1.09 | 1.11 | 1.08 | 1.01 |
根据上述表格数据可以得出，当实施例2参数时加工后的栅极电极比现有技术加工后的栅极电极的最高电流高，且载流子迁移率高有所增加，此时更有利于栅极电极的加工。
本发明提供了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ITO玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量，所述PVP溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极具有电流大和载流子迁移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种栅极电极的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）切割
首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cm×5cm -7cm×7cm的方形ITO玻璃片子；
（2）清洗
接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗25-35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2-4次；
（3）烘干
清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115℃，所述烘干的时间为1-2h；
（4）旋涂光刻胶
接着将光刻胶以9 s600 rad/min - 40 s2000 rad/min 的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂；
（5）再烘干
接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115℃，所述烘干的时间为20-40min；
（6）曝光显影
在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将显影液通过喷头喷洒上去；
（7）蚀刻
然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对 ITO 进行蚀刻，接着用丙酮洗去光刻胶，然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
2.按照权利要求1所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述步骤（3）中烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗。
3.按照权利要求2所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述清洗的时间为20-30min。
4.按照权利要求1所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述步骤（4）中旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备。
5.按照权利要求4所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ITO玻璃片子上，接着在120 °C的 热台上进行烘干。
6.按照权利要求5所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯。
7.按照权利要求6所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9。
8.按照权利要求4所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述绝缘层的厚度为15-25nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610617972.4A CN106025068A (zh) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 一种栅极电极的加工工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610617972.4A CN106025068A (zh) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 一种栅极电极的加工工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106025068A true CN106025068A (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=57114452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610617972.4A Withdrawn CN106025068A (zh) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 一种栅极电极的加工工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106025068A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110071181A (zh) * | 2018-01-22 | 2019-07-30 | 福建金石能源有限公司 | 一种太阳能电池的贴膜、曝光制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101026087A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 海力士半导体有限公司 | 形成半导体器件的精细图案的方法 |
| CN101615582A (zh) * | 2009-06-25 | 2009-12-30 | 浙江大学 | 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法 |
| CN102148000A (zh) * | 2011-04-20 | 2011-08-10 | 上海大学 | 全透明式立体显示屏的制造工艺 |
| CN102637746A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 湖北大学 | 一种高介电栅介质场效应透明薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105789485A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-20 | 淮阴工学院 | 一种全息散斑结构有机发光二极管制作方法 |
-
2016
- 2016-08-01 CN CN201610617972.4A patent/CN106025068A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101026087A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 海力士半导体有限公司 | 形成半导体器件的精细图案的方法 |
| CN101615582A (zh) * | 2009-06-25 | 2009-12-30 | 浙江大学 | 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法 |
| CN102148000A (zh) * | 2011-04-20 | 2011-08-10 | 上海大学 | 全透明式立体显示屏的制造工艺 |
| CN102637746A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-15 | 湖北大学 | 一种高介电栅介质场效应透明薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105789485A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-20 | 淮阴工学院 | 一种全息散斑结构有机发光二极管制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110071181A (zh) * | 2018-01-22 | 2019-07-30 | 福建金石能源有限公司 | 一种太阳能电池的贴膜、曝光制备方法 |
| CN110071181B (zh) * | 2018-01-22 | 2021-08-17 | 福建金石能源有限公司 | 一种太阳能电池的贴膜、曝光制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103176650B (zh) | 导电玻璃基板及其制作方法 | |
| CN104157697B (zh) | 氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
| CN108037637A (zh) | 一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺 | |
| CN106992040B (zh) | 一种pedot柔性透明电极的制备方法 | |
| CN106025068A (zh) | 一种栅极电极的加工工艺 | |
| CN104112544A (zh) | 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法 | |
| CN105140261B (zh) | 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN105776882B (zh) | 一种ito薄膜的制备方法 | |
| CN104299721B (zh) | 一种通过清洗处理提高金属纳米线透明导电薄膜光学性质的方法 | |
| CN109273603A (zh) | 有机光伏模组的制备方法 | |
| CN103809388B (zh) | 显影方法 | |
| CN106293245A (zh) | 一种基于pet薄膜的纳米触控膜的制备方法 | |
| CN106158590A (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示器的tft加工工艺 | |
| CN103762159B (zh) | 一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法 | |
| CN102879998A (zh) | 一种触摸屏的刻蚀方法 | |
| CN104356740B (zh) | 利用水溶性卟啉铁配合物进行微接触印刷的方法 | |
| CN203894732U (zh) | Ito架桥的ogs电容触摸屏 | |
| CN105070656A (zh) | 一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法 | |
| CN102637746A (zh) | 一种高介电栅介质场效应透明薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN207037324U (zh) | 一种曝光机用的粘尘装置 | |
| WO2021031380A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| CN101593793B (zh) | 基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法 | |
| CN109828701A (zh) | 一种电容式触摸屏用透明导电膜及其制备方法 | |
| CN203700199U (zh) | 一种真空旋涂设备 | |
| CN105490660B (zh) | 减小大宽带低损耗梯形声表滤波器带内波动的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20161012 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |