CN106021727A - 基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，包括：针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。本方法能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。

Description

基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法

技术领域

本发明涉及电磁学技术领域，尤其涉及一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法。

背景技术

射频综合系统的电子设备基于功能模块来实现各种功能，功能模块集成在一个相对较小的空间，因此很多原先在联合式系统不需要考虑的问题如近场耦合作用以及较为严重的相互干扰现象等等，都需要在射频综合环境下得到解决，否则将影响整个系统的性能。同时，射频综合系统的功能实现不再是像联合式系统那样的直线式电路系统，而是通过信号的统一采集统一处理再分别将信号处理结果进行提取获得所需要的功能。因此传统的电磁兼容分析设计方法在面临射频综合系统所提出的诸多问题时显得力不从心，不能很好地完成电磁兼容设计。

鉴于此，如何提供一种射频综合系统的特性分析方法，以克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计成为目前需要解决的技术问题。

发明内容

为解决上述的技术问题，本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。

第一方面，本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，包括：

针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；

针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；

根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。

可选地，所述针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包括：

分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性；

建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型；

对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。

可选地，所述分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性，包括：

根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁流的形式；

利用电磁流辐射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外辐射特性进行计算分析。

可选地，所述建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，包括：

根据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处辐射出的电磁能量与除了该端口外其他端口间的相互作用关系，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型。

可选地，所述对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包括：

在所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路模块，在屏蔽腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。

可选地，所述针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括：

建立射频综合系统中芯片的等效电路模型；

建立射频综合系统中PCB走线的电路模型；

建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型；

建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型；

基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。

可选地，所述建立射频综合系统中芯片的等效电路模型，包括：

对于芯片内部产生的同步转换噪声SSN，采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立射频综合系统中芯片的等效电路模型。

可选地，所述建立射频综合系统中PCB走线的电路模型中，PCB走线的特性阻抗Z为：

$Z=\sqrt{\frac{L}{C}}$

其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。

可选地，所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电容C_过为：

其中，D₁为过孔焊盘直径，D₂为过孔在铺地层上的阻焊区直径，ε为PCB板基材介电常数，T为PCB板的厚度；

所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电感L_过为:

其中，h为过孔长度，d为过孔中心钻孔的直径。

可选地，所述基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括：

基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综合系统各结构的等效电路模型，将这些等效电路模型按照电磁能量传输关系以端口形式进行互联，端口之间的作用通过电路参数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁等效多端口模型。

由上述技术方案可知，本发明的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，将电磁兼容三要素进行封装，基于系统的层次结构，对系统进行分解，将要素或者包含要素的一部分视为一个独立的单元，单元同外界的联系通过端口实现，建立电磁兼容等效多端口模型，分析射频综合系统的电磁兼容特性，能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的电磁场等效定律的原理图；

图3为本发明实施例提供的二端口网络模型的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的射频综合系统中芯片的电磁基本模型的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。

图1示出了本发明一实施例提供的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，包括下述步骤101-103：

101、针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果。

可理解的是，本步骤中的基于辐射形式的电磁等效多端口模型是指干扰通过空间并以电磁波的特性和规律传播，辐射出去的电磁能量被周围其他设备拾取，进入电路从而产生干扰。

在具体应用中，所述步骤101，可以包括图中未示出的步骤101a-101c：

101a、分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性。

具体地，所述步骤101a可以根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁流的形式；利用电磁流辐射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外辐射特性进行计算分析。

参见图2，图2中为电场强度，为磁场强度，为曲面法线方向的单位矢量，为面电流密度，为面磁流密度，根据电磁场等效定律，在一定空间V1范围内的源对空间V2的辐射，可以等效为包围V1的曲面上的等效电磁流对V2产生的电磁辐射，而V1内就不再有任何电磁场源。通过这种等效，可以将射频综合系统对外的辐射特性利用等效电磁流的形式来研究分析，而不用细化模块内部复杂的电路特征。因此在时变条件下，任何一个实际天线都可以分解成许多连续的电流丝，再细化分解成电流元，这些电流元辐射场的叠加可求出整个天线的辐射场。

由电磁场理论可知，中心点在Q(x,y,z)的Z轴方向的时变电流元的电磁场公式为：

$\stackrel{\→}{H}=-\stackrel{\→}{i_x}\frac{{\mathrm{Idse}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{4{\mathrm{\πr}}_{QP}}(j\mathrm{\β}+\frac{1}{r_{QP}})\frac{y-cy}{r_{QP}}+\stackrel{\→}{i_y}\frac{{\mathrm{Idse}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{4{\mathrm{\πr}}_{QP}}(j\mathrm{\β}+\frac{1}{r_{QP}})\frac{x-cx}{r_{QP}}$

$\begin{array}{c}\stackrel{\→}{E}=\stackrel{\→}{i_x}\frac{{\mathrm{Idse}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}(x-cx)(z-cz)}{jw\mathrm{\ϵ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(\frac{3}{{r_{QP}}^2}+\frac{3J\mathrm{\β}}{r_{QP}}-{\mathrm{\β}}^2)+\\ \stackrel{\→}{i_y}\frac{{\mathrm{Idse}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}(y-cy)(z-cz)}{jw\mathrm{\ϵ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(\frac{3}{{r_{QP}}^2}+\frac{3j\mathrm{\β}}{r_{QP}}-{\mathrm{\β}}^2)+\\ \stackrel{\→}{i_z}\frac{{\mathrm{Idse}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{jw\mathrm{\ϵ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(2j\mathrm{\β}+\frac{2}{r_{QP}}+\[{(x-cx)}^2+{(y-cy)}^2\](\frac{{\mathrm{\β}}^2}{r_{QP}}-\frac{3j\mathrm{\β}}{{r_{QP}}^2}-\frac{3}{{r_{Qp}}^2}\left)\right)\end{array}$

其中，i_x、i_y和i_z分别为x,y,z方向的单位矢量，(x,y,z)为时变电流元中心点的坐标，c为光在真空中的传播速度，取3×10⁸m/s，为磁场强度，为电场强度，r_QP为电流元中心点与被研究点的直线距离，I为时变电流元上的电流大小，ds为时变电流元的长度，j为虚数单位，β为波在介质中的波数，取2π/λ，其中取2πf，其中f为电流元的频率，ε为电流元所在介质的介电常数；

依据电磁对偶原理，中心点在Q(x,y,z)的Z轴方向的时变磁流元的电磁场公式为：

$\stackrel{\→}{E}=\stackrel{\→}{i_x}\frac{{\mathrm{Kmzdae}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{4{\mathrm{\πr}}_{QP}}(j\mathrm{\β}+\frac{1}{r_{QP}})\frac{y-cy}{r_{QP}}-\stackrel{\→}{i_y}\frac{{\mathrm{Kmzdae}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{4{\mathrm{\πr}}_{QP}}(j\mathrm{\β}+\frac{1}{r_{QP}})\frac{x-cx}{r_{QP}}$

$\begin{array}{c}\stackrel{\→}{H}=\stackrel{\→}{i_x}\frac{{\mathrm{Kmzdae}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}(x-cx)(z-cz)}{jw\mathrm{\ϵ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(\frac{3}{{r_{QP}}^2}+\frac{3j\mathrm{\β}}{r_{QP}}-{\mathrm{\β}}^2)+\\ \stackrel{\→}{i_y}\frac{{\mathrm{Kmzdae}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}(y-cy)(z-cz)}{jw\mathrm{\μ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(\frac{3}{{r_{QP}}^2}+\frac{3j\mathrm{\β}}{r_{QP}}-{\mathrm{\β}}^2)+\\ \stackrel{\→}{i_z}\frac{{\mathrm{Kmzdae}}^{-{\mathrm{j\βr}}_{QP}}}{jw\mathrm{\μ}4{{\mathrm{\πr}}_{QP}}^2}(2j\mathrm{\β}+\frac{2}{r_{QP}}+\[{(x-cx)}^2+{(y-cy)}^2\](\frac{{\mathrm{\β}}^2}{r_{QP}}-\frac{3j\mathrm{\β}}{{r_{QP}}^2}-\frac{3}{{r_{QP}}^2}\left)\right)\end{array}$

其中，i_x、i_y和i_z分别为x,y,z方向的单位矢量，(x,y,z)为时变电流元中心点的坐标c为光在真空中的传播速度，取3×10⁸m/s，为磁场强度，为电场强度，r_QP为电流元中心点与被研究点的直线距离，Km为时变磁流元上的磁流大小，da为时变磁流元的面积，j为虚数单位，β为波在介质中的波数，取2π/λ，其中w取2πf，其中f为磁流元的频率，μ为磁流元所在介质的磁导率。

上述中心点在Q(x,y,z)的Z轴方向的时变电流元的电磁场公式和中心点在Q(x,y,z)的Z轴方向的时变磁流元的电磁场公式即为所述电磁流辐射的基本公式。

应说明的是，将上述对外辐射特性进行计算分析的计算结果与仿真结果对比发现结果一致，说明基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性可以得到较好的描述。

101b、建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型。

可理解的是，电磁兼容等效多端口是系统同外界发生电磁能量的窗口，对于射频综合环境下的模块电路，由于电路模块周围都有金属屏蔽体，因此电磁能量的辐射往往通过屏蔽体上的开口或缝隙向外辐射能量。对于辐射类型的等效端口，所述步骤101b可以根据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处辐射出的电磁能量与除了该端口外其他端口间的相互作用关系，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型。

对于两个不同的端口，假设其距离为r_QP，建立的二端口网络模型如图3所示，(jk1，JK1)，(jk2，JK2)分别表示二端口网络的电磁流，jk1和jk2被定义为模型端口孤立存在时的电磁流，JK1和JK2被定义为在不同端口同时存在时的电磁流。由电磁场理论可知，相互关系为：

JK1＝S₁₁×jk1+S₁₂×jk2

JK2＝S₂₁×jk1+S₂₂×jk2

则即为二端口网络下的归一化散射矩阵；S₁₁，S₂₁表示2端口无电流时，端口1处的传输系数和端口1到端口2的传输系数；S₂₂，S₁₂表示1端口无电流时，端口2处的传输系数和端口2到端口1的传输系数。通过分析可知，S₁₁，S₂₂均为1，S₂₁，S₁₂的计算可通过电磁流的自由空间辐射公式来获得。这样就建立了基于等效电磁流的等效多端口模型的端口之间的关系。对于超出两个的等效多端口模型，分析思路与二端口网络类似，任意一个端口P的等效电磁流为所有端口共同作用的结果。

101c、对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。

在具体应用中，为了将建立的等效多端口模型应用于实际的电磁兼容特性分析，所述步骤101c可以在所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路模块，在屏蔽腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。

举例来说，可以在所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型中建立具有屏蔽腔的三个电路模块，一个是主要干扰模块，其余两个是受扰模块。干扰模块内部建立有偶极子天线，电磁能量通过开口对外部其他两个模块产生干扰。由于干扰模块是金属腔体包围的，依据等效原理，将干扰模块等效端口处的电磁场转化成等效电流，建立依托于实际开口结构的等效多端口模型。同理，受扰模块的由于具有金属屏蔽，大部分电磁能量只能通过实际物理开口进入模块内部，产生干扰，所以受扰模块的等效端口也基于其开口来进行分析建立。分别分析端口1和端口2在原来模型条件下以及在等效端口模型条件下的场值，两者具有很好的吻合性，说明了基于等效电磁流的等效端口可以反映出整个干扰模块对外的辐射特性，因此这种等效多端口模型可以较好地描述射频综合环境下辐射形式的电磁特性。

102、针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果。

可理解的是，在射频综合环境下，模块电路除通过空间传播电磁信号外，电磁能量很大一部分是通过互联线缆、接口等进行传播的。分析电路的电磁特性，可从控制芯片、电路元器件、线缆、接口、电路载体等基本器件开始，获得电路最基本的电磁特性。对于传导形式的电磁能量传播方式，建立这些基本电路结构的等效电路模型，分析电磁能量的传播特性，将模块电路中有电磁能量输入输出的结构建立等效端口模型，模型之间的相互作用关系表征模块之间的能量传输关系。

在具体应用中，所述步骤102中的“针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型”，可以包括图中未示出的步骤102a-102e：

102a、建立射频综合系统中芯片的等效电路模型。

对于芯片来说，其对外产生的寄生干扰主要来自芯片内部产生的同步转换噪声SSN，然后沿着电源分布网络PDN向外传播，具体地，在所述步骤102a中，对于芯片内部产生的同步转换噪声SSN，可采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立射频综合系统中芯片的等效电路模型(电磁基本模型)，如图4所示。

其中，Z_IC是芯片在V_dd～V_ss口处的阻抗，I_IC是频域的表现形式。在LECCS模型中，通过测量来获取I_IC，然后SSN噪声传导至公用数据网PDN处的电流I_m可以通过I_m＝KI_IC获得，K是受Z_IC和PDN所有阻抗影响的系数。

102b、建立射频综合系统中印制电路板PCB走线的电路模型。

应说明的是，在高速PCB电路上，信号在PCB走线上会有幅度的衰减和相位的变化，同时信号在相邻的走线上会有耦合即串扰现象，因此应把此时的PCB走线看成微带线处理。一般情况下，PCB走线的特性阻抗是一个复数，其数学表达式为对于有良好敷铜的走线以及良好的填充介质，使得PCB有较低的损耗，PCB走线的特性阻抗简化成其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。

102c、建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型。

应说明的是，过孔本身存在寄生杂散电容，若已知过孔在铺地层上的阻焊区直径为D₂，过孔焊盘直径为D₁，PCB板的厚度T，板基材介电常数ε，过孔的寄生电容C_过大小近似为：

同时过孔也存在寄生电感，可用以下经验公式简单的计算一个过孔近似的寄生电感L_过：

其中，h为过孔长度，d为过孔中心钻孔的直径。

102d、建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型。

应说明的是，在高频条件下，一些基本元器件比如电阻、电感、电容，由于自身封装、引脚等所带来的特性，体现出了新的电气特性。

102e、基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。

在具体应用中，所述步骤102e可以基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综合系统各结构的等效电路模型，将这些等效电路模型按照电磁能量传输关系以端口形式进行互联，端口之间的作用通过电路参数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁等效多端口模型。

可理解的是，端口是模块电路发生电磁能量交换的窗口，上述基于传导形式的电磁等效多端口模型中，端口的描述借助于电路的基本变量如电流、电压、阻抗等，端口间的相互作用可借助电路的网络分析形式；在射频综合系统各结构的等效电路模型实现端口连接后，低层次的等效多端口模型可以基于电路参数归结为更高层次的端口模型，而更高层次的端口模型同样可以归结为一个更高层次的端口，最后可获得整个系统的电磁等效多端口模型。

103、根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。

本实施例的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，将电磁兼容三要素进行封装，基于系统的层次结构，对系统进行分解，将要素或者包含要素的一部分视为一个独立的单元，单元同外界的联系通过端口实现，建立电磁兼容等效多端口模型，分析射频综合系统的电磁兼容特性，能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。

本实施例分析射频模块电磁兼容特性的优点在于：

一、已存在的电磁特性分析方法多用于分析联合式系统，系统各模块之间的距离为电大距离，不需要考虑系统内模块间的相互干扰现象。但射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象严重，因此传统的电兼容分析设计方法不再适用，本发明就提出了一种新的专用于分析射频综合系统的方法。

二、所述的基于辐射形式的电磁等效多端口模型将射频综合系统的模块化，模块与模块之间的信息交换通过模块端口实现，因此只需求解出端口处的电磁特性，而不用细化模块内部复杂的电路特征，是一种非常简便的分析方法。

三、所述的基于传导形式的电磁等效多端口模型对实现动态平衡下的电磁兼容设计具有重要意义。

四、本发明所提出的基于等效电磁流的等效多端口模型能够在电磁兼容设计上作为比较好的预测分析手段。

五、本发明所提出的基于等效电路的等效多端口模型能够在电磁兼容设计上作为电磁干扰定位和排除的有效方法。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，其特征在于，包括：

针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；

针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；

根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包括：

分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性；

建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型；

对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性，包括：

根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁流的形式；

利用电磁流辐射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外辐射特性进行计算分析。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，包括：

根据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处辐射出的电磁能量与除了该端口外其他端口间的相互作用关系，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包括：

在所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路模块，在屏蔽腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括：

建立射频综合系统中芯片的等效电路模型；

建立射频综合系统中PCB走线的电路模型；

建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型；

建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型；

基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中芯片的等效电路模型，包括：

对于芯片内部产生的同步转换噪声SSN，采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立射频综合系统中芯片的等效电路模型。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中PCB走线的电路模型中，PCB走线的特性阻抗Z为：

$Z=\sqrt{\frac{L}{C}}$

其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电容C_过为：

其中，D₁为过孔焊盘直径，D₂为过孔在铺地层上的阻焊区直径，ε为PCB板基材介电常数，T为PCB板的厚度；

所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电感L_过为:

其中，h为过孔长度，d为过孔中心钻孔的直径。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括：

基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综合系统各结构的等效电路模型，将这些等效电路模型按照电磁能量传输关系以端口形式进行互联，端口之间的作用通过电路参数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁等效多端口模型。