CN105977369A - 一种小电流高光效hv-led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种小电流高光效HV‑LED芯片，包括单颗芯片，所述单颗芯片之间通过桥接处finger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N‑finger，N‑finger设置在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N‑finger连接处设有P‑finger，P‑finger设置在单颗芯片一端的中部，P‑finger为Y形结构，P‑finger与N‑finger位置匹配，最外段单颗芯片的远离P‑finger的一端设有N‑Pad、远离N‑finger的一端设有P‑Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。本发明提供改变单颗芯片上的P‑finger与N‑finger的结构与位置，改变在相同外延及芯片制程条件下，本发明芯片发光效率相对旧芯片提升2％左右，有效提高了发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片研发设计领域，具体为一种小电流高光效HV-LED芯片。
背景技术
HV芯片是由2个及以上的LED芯片串联为一个整体的芯片，减少了封装串联的焊线次数，提升了灯具的整体稳定性。但是，高压芯片由于需要两个及以上的LED芯片进行PN桥接，需要综合考虑多个LED芯片发光面积、finger布局等因素，增加了芯片的设计难度。目前业内小电流(20-40mA驱动)HV芯片普遍采用PN电极各一条finger(引线)，且接近平行的设计方式，这种设计方式的芯片亮度较好，但电压偏高，整体发光效率较低。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种小电流高光效HV-LED芯片，以解决上述背景技术中的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种小电流高光效HV-LED芯片，包括单颗芯片，所述单颗芯片之间通过桥接处finger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N-finger，N-finger设置在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N-finger连接处设有P-finger，P-finger设置在单颗芯片一端的中部，P-finger为Y形结构，P-finger与N-finger位置匹配，最外段单颗芯片的远离P-finger的一端设有N-Pad、远离N-finger的一端设有P-Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。
所述桥接处finger上设有P-SiO2，桥接处finger宽度为20-30μm，P-SiO2宽度为60-70μm。
所述金属电极厚度为1.8μm-2.5μm，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明提供改变单颗芯片上的P-finger与N-finger的结构与位置，改变在相同外延及芯片制程条件下，本发明芯片发光效率相对旧芯片提升2％左右，有效提高了发光效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种小电流高光效HV-LED芯片，包括单颗芯片，所述单颗芯片之间通过桥接处finger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N-finger，N-finger设置在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N-finger连接处设有P-finger，P-finger设置在单颗芯片一端的中部，P-finger为Y形结构，P-finger与N-finger位置匹配，最外段单颗芯片的远离P-finger的一端设有N-Pad、远离N-finger的一端设有P-Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。
所述桥接处finger上设有P-SiO2，桥接处finger宽度为20-30μm，P-SiO2宽度为60-70μm。
所述金属电极厚度为1.8μm-2.5μm，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
通过发明中提及的方法，在相同外延及芯片制程条件下，本发明芯片发光效率相对旧芯片提升2％左右，见下表(以Iv/Vf1为光效相对值进行比较)。
从上表可以看出两种芯片差异主要体现在Vf1上，其它各项参数相当，因此同样亮度时重新设计的芯片会有更低的输入功率和发热量。
对两种芯片进行常温1000h老化测试(测试电流为使用电流1.5倍)，老化结果如下：
| Sample | Iv | VF4 |
| 旧芯片 | -2.28％ | 0.135 |
| 本发明 | -0.13％ | 0.296 |
经过1000h老化，两种芯片均未见明显衰减，且Vf4有一定提升，而新设计芯片亮度衰减更少，Vf4提升也更多。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种小电流高光效HV-LED芯片，包括单颗芯片，其特征在于：所述单颗芯片之间通过桥接处finger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N-finger，N-finger设置在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N-finger连接处设有P-finger，P-finger设置在单颗芯片一端的中部，P-finger为Y形结构，P-finger与N-finger位置匹配，最外段单颗芯片的远离P-finger的一端设有N-Pad、远离N-finger的一端设有P-Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。
2.根据权利要求1所述的一种小电流高光效HV-LED芯片，其特征在于：所述桥接处finger上设有P-SiO2，桥接处finger宽度为20-30μm，P-SiO2宽度为60-70μm。
3.根据权利要求1所述的一种小电流高光效HV-LED芯片，其特征在于：所述金属电极厚度为1.8μm-2.5μm，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
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| CN103762222A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-04-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种模块化阵列式高压led芯片及其制造方法 |
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2016
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