CN105973846B - 一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体 - Google Patents
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Abstract
一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体,采用金属‑绝缘体‑金属(MIM)型纳米棒二聚体结构,分别通过不同平面内纳米棒LSPR模式的耦合激发磁表面等离激元(MSPs),得到三次Fano共振;在xy平面上,两个尺寸完全相同的MIM型纳米棒边对边排列,两个金属层材质为金Au,厚度相等,两个金属层之间的介质层为二氧化硅SiO2。本发明的优点是:该MIM型纳米棒二聚体结构简单易于制备,可实现三次Fano共振,用于多波长光电子器件的设计与制备;当进行生化传感时,由于Fano共振的低损耗特性,加之利用多个具有不同灵敏度的波长共同传感,使得传感的灵敏度和精确度都能够得以提高。
Description
技术领域
本发明涉及金属纳米结构的Fano共振,特别是一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体。
背景技术
基于近年来微纳结构加工工艺的大步发展,纳米光电子技术使得光信号能够在纳米尺寸上进行处理及传输,从而成为研究的热点。金属纳米结构的局域表面等离激元共振(Localized Surface Plasmon Resonance,LSPR)效应使得激发光场在纳米结构周围局部增强,且对周围介质环境变化及其敏感,被广泛应用于生化传感器的研究与制备。
LSPR共振谱线辐射损耗相对较大,共振峰谱线宽,从而限制了其传感灵敏度。金属纳米结构LSPR共振模式的相互耦合,可以实现一种非对称的谱型,即Fano共振。Fano共振取决于LSPR明态与暗态模式之间的相消干涉,带宽窄,能够大大提高LSPR传感器的品质因数。基于LSPR效应的Fano共振可利用开口纳米环、纳米柱多聚体、纳米棒聚合体等实现,比如专利:一种基于金纳米棒二聚体阵列Fano共振特性的传感器(公开号:CN104061997A)。
而且,基于LSPR效应的多重Fano共振近年来也加以研究及实现。多重Fano共振可用于多波长传感,大大提高了器件的灵活性。目前多重Fano共振主要基于平面型非对称结构,比如在U型的金属纳米开口环中嵌入纳米棒,开口环与金属棒之间的不等间距可导致双Fano共振线型[J.Q.Wang,C.Z.Fan,J.N.He,et al.,Double Fano resonances due tointerplay of electric and magnetic plasmon modes in planar plasmonicstructure with high sensing sensitivity,Optics Express,2013,21(2),2236-2244.]。具有不等间隔的平面型纳米棒三聚体也可以得到双次Fano共振,比如专利对称型纳米棒三聚体的双Fano共振特性阵列及其传感应用(公开号:CN104634437A)。
发明内容
本发明的目的是针对上述技术分析,提供一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体,该MIM型纳米棒二聚体可实现三次Fano共振,可用于多波长传感,大大提高了器件的灵活性。
本发明的技术方案:
一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体,采用金属-绝缘体-金属(MIM)型纳米棒二聚体结构,分别通过不同平面内纳米棒LSPR模式的耦合激发磁表面等离激元(Megnetic surface plasmons,MSPs),得到三次Fano共振;在xy平面上,两个尺寸完全相同的MIM型纳米棒边对边排列,两个纳米棒在y方向的间隔为G,G=10nm,宽度均为W,W=40nm,在xz平面上x方向的长度为L,L=140nm,z方向的厚度为T,T=50nm,两个金属层材质为金Au,厚度相等,均为20nm,两个金属层之间的介质层为二氧化硅SiO2,厚度为10nm。
本发明的工作机理:
入射光沿z轴垂直照射至二聚体上,电场方向分布平行于纳米棒的短轴(y方向:Ey)。当光垂直照射至二聚体时,每个MIM型纳米棒内的两个金属层内的LSPR模式均会被直接激发,即为LSPR明模。在纳米棒间隔很小时,这些LSPR模式会发生近场耦合,分别为xy平面内的相邻MIM纳米棒的LSPR模式耦合,以及MIM纳米棒在xz平面上下两个金属层内的LSPR模式耦合。当发生耦合的相邻纳米棒内电场反向时,就会激发磁振荡产生无辐射损耗的MSPs,从而LSPR明模分别与三个MSPs的相消干涉会产生三个共振峰,即三次Fano共振。
本发明的有益效果是:
目前已报道的三次Fano共振,主要基于纳米颗粒的多聚体,比如非对称纳米开口环的七聚体,(S.D.Liu,Z.Yang,R.P.Liu,et al.,Multiple Fano resonances inplasmonic heptamer clusters composed of split nanorings,ACS Nano,2012,6(7),6260-6271.)。相比较而言,本发明中所提出的结构更加简单易于制备;该MIM型纳米棒二聚体可实现三次Fano共振,可用于多波长光电子器件的设计与制备。比如当进行生化传感时,由于Fano共振的低损耗特性,加之利用多个具有不同灵敏度的波长共同传感,使得传感的灵敏度和精确度都能够得以提高。
附图说明
图1为MIM型纳米棒二聚体结构示意图。
图2为xz平面内单个MIM型纳米棒结构示意图。
图3为MIM型纳米棒二聚体的消光谱。
具体实施方式
实施例:
一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体,如图1、2所示,采用金属-绝缘体-金属(MIM)型纳米棒二聚体结构,分别通过不同平面内纳米棒LSPR模式的耦合激发磁表面等离激元(Megnetic surface plasmons,MSPs),得到三次Fano共振;在xy平面上,两个尺寸完全相同的MIM型纳米棒边对边排列,两个纳米棒在y方向的间隔为G,G=10nm,宽度均为W,W=40nm,在xz平面上x方向的长度为L,L=140nm,z方向的厚度为T,T=50nm,两个金属层材质为金Au,厚度相等,均为20nm,两个金属层之间的介质层为二氧化硅SiO2,厚度为10nm。
入射光沿z轴垂直照射至二聚体上,电场方向分布平行于纳米棒的短轴(y方向:Ey)。
图3为MIM型纳米棒二聚体的消光谱。图中显示:除了610nm处出现的一个带宽约为100nm的共振峰,另外在720nm、795nm和1050nm处出现了三个带宽在50nm以内的非对称型共振峰。
分别对这四个共振波长处的纳米结构周围电场、磁场分布情况进行分析。610nm处,电场集中在纳米棒的尖角处,电场方向大致平行于入射电场,且上下两金属层内电场同向,为入射光直接激发的LSPR明模。720nm处,电场集中在两个纳米棒SiO2介质层处,电场方向平行于入射电场,但上下金属层内电场反向,这表明在MIM纳米棒内产生了xz平面的MSPs。795nm处,电场集中在两个相邻的上层金属层的中点和顶点,且以中点为中心形成两个方向相反的环状电流,这表明此共振峰来源于上层金属棒xy平面的近场耦合。1050nm处与795nm处类似,只不过电场集中在两个相邻的下层金属层的中点和顶点,在下层金属棒内形成环状电流,这表明此共振峰来源于下层金属棒xy平面的近场耦合。另外,因为纳米结构玻璃基底的折射率要大于空气,所以,与上层金属棒耦合产生的Fano共振峰相比较,下层金属棒耦合产生的Fano共振峰红移。
Claims (1)
1.一种可实现三次Fano共振的MIM型纳米棒二聚体,其特征在于:采用金属-绝缘体-金属(MIM)型纳米棒二聚体结构,分别通过不同平面内纳米棒LSPR模式的耦合激发磁表面等离激元(Megnetic surface plasmons,MSPs),得到三次Fano共振;在xy平面上,两个尺寸完全相同的MIM型纳米棒边对边排列,两个纳米棒在y方向的间隔为G,G=10nm,宽度均为W,W=40nm,在xz平面上x方向的长度为L,L=140nm,z方向的厚度为T,T=50nm,两个金属层材质为金Au,厚度相等,均为20nm,两个金属层之间的介质层为二氧化硅SiO2,厚度为10nm;入射光沿z轴垂直照射至二聚体上,电场方向分布平行于纳米棒的短轴即y方向。
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Fano interference in supported goldnanosandwiches with weakly coupled nanodisks;Arturo Mendoza-Galván et al.;《OPTICS EXPRESS》;20121220;第20卷(第28期);第29648-29649、29657页 * |
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