CN105958956A - 一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法 - Google Patents

一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105958956A
CN105958956A CN201610262057.8A CN201610262057A CN105958956A CN 105958956 A CN105958956 A CN 105958956A CN 201610262057 A CN201610262057 A CN 201610262057A CN 105958956 A CN105958956 A CN 105958956A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
acoustic impedance
substrate
fbar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610262057.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105958956B (zh
Inventor
钟慧
霍振选
张睿
秦康宁
杨泰
张根
石玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201610262057.8A priority Critical patent/CN105958956B/zh
Publication of CN105958956A publication Critical patent/CN105958956A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105958956B publication Critical patent/CN105958956B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0509—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法；所述薄膜体声波谐振器包括衬底、依次设置在衬底上的底电极、压电层及顶电极，所述衬底上开设有凹槽，衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层，所述底电极、压电层及顶电极均设置于所述低声阻抗层上，所述底电极为由低声阻抗层上依次层叠的高电导率电极层和高声阻抗电极层构成的复合底电极。本发明提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该谐振器性能优良，制备工艺难度和复杂度均极大简化，显著提高薄膜体声波谐振器生产合格率，大大降低生产成本、缩短生产周期，有利于工业化生产，对拓宽应用领域有着极其重要的意义。

Description

一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法
技术领域
本发明属于射频微机电系统技术领域，具体涉及一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法。
背景技术
薄膜体声波谐振器是一种基于压电技术的元器件，该谐振器的尺寸极小，比单纯以电磁波为传播信号的元器件尺寸小4～5个数量级；插损小，Q值高，可达1000以上；工作频率高，可承受的功率容量比声表面波器件更大；并且可以与CMOS工艺兼容，鉴于以上优点薄膜体声波谐振器技术迅速占领了射频通信市场，在传感器领域，如生化检测、紫外线检测等也有着广阔的应用前景。
薄膜体声波谐振器的核心结构是电极-压电层-电极构成的“三明治”结构，其工作原理就是利用压电层的逆压电效应将电能转化成机械能，机械振动在薄膜中激励起声波进行传输，最终通过压电效应将声信号再转化成电信号输出。对于谐振器来说最重要的部分除了保证压电层的压电性能以外还要保证将声波的能量限制在压电层当中，根据限制声波的方式将薄膜体声波谐振器分为三类：
其一为硅背刻蚀型，其结构如图2所示，其工作原理为声波在底电极或者支撑层和空气的交界面上发生反射；该结构从硅衬底背面将其掏空形成空气界面，若制备滤波器则需要采用很多的谐振器，会造成衬底背面掏空的面积过大，导致器件机械强度大大降低，因而该类型的谐振器并没有得到广泛的应用；
其二为固态装配型(SMR)，其结构如图3所示，其工作原理为高声阻抗层和低声阻抗层构成反射层，实现声波的反射，每层材料的厚度是声波在该材料中传播时的波长的1/4；该谐振器较硅背刻蚀型谐振器有较好的机械强度和功率容量，可以应用在在高功率的条件下，但是SMR型谐振器的布拉格反射层为了达到理想的声波反射效果需要对每一层薄膜进行精确的厚度、应力和粗糙度的控制，一般要对每一层薄膜进行CMP加工，以确保其粗糙度达到制备器件的要求，导致其SMR型器件的制备工艺复杂、制备成本高；
其三为空气隙型(FBAR)，其结构如图4所示，其工作原理为声波在底电极或者支撑层和空气的交界面上发生反射；该结构谐振器的声波反射效率高，具有高Q值，低插损、便于集成等优点，应用最为广泛，但FBAR型谐振器在制备空腔的过程中，薄膜应力难以控制，常造成整个器件失效，限制了产品良率，并且要形成完美的空腔对工艺水平要求极高。
综上，现有薄膜体声波谐振器均制备工艺复杂，难度大，导致其制备成本高、产品合格率低、大大限制了整个行业的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该新型薄膜体声波谐振器在保证器件性能的同时，大大简化谐振器制备工艺、降低工艺水平要求，显著提升器件合格率。
为实现上述目的，本发明采用技术方案为：
一种新型薄膜体声波谐振器，包括衬底1、依次设置在衬底上的底电极5、压电层6及顶电极7，其特征在于，所述衬底1上开设有凹槽，衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层2，所述底电极5、压电层6及顶电极7均设置于所述低声阻抗层2上，所述底电极5为由低声阻抗层2上依次层叠的高电导率电极层3和高声阻抗电极层4构成的复合底电极。
进一步的，所述低声阻抗层2采用材料为：液态聚酰亚胺或交联聚苯撑聚合物。
所述顶电极7材料为：钨、钼、金、银或铝。
复合底电极的厚度为100-300nm；所述高声阻抗电极层材料为：钨或铂，所述高电导率电极层材料为：金或银。
所述压电层6材料为：AlN、ZnO或PZT，压电层的厚度根据需要的频率确定。
上述新型薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、采用干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺在衬底上开设预设尺寸的凹槽；
步骤2、采用旋涂工艺在刻蚀有凹槽的衬底上均匀涂覆一层低声阻抗材料，之后进行匀胶、固化制备得低声阻抗层；
步骤3、采用磁控溅射或电子束蒸发工艺于低声阻抗层上依次制备高电导率电极层和高声阻抗电极层，形成复合底电极；
步骤4、采用磁控溅射法在底电极上制备压电层；
步骤5、采用磁控溅射或电子束蒸发工艺在压电层上制备顶电极，及制备得新型薄膜体声波谐振器。
需要说明的是，本发明中衬底上开设凹槽的尺寸及形状应根据谐振器的尺寸及形状确定，并保证低声阻抗层充分填充凹槽。
本发明提供的新型薄膜体声波谐振器是在衬底上刻蚀凹槽后通过旋涂的方式填入液态低声阻抗材料、匀胶固化，填充的材料不必释放，然后直接在上面进行底电极-压电层-顶电极“三明治“结构的制备。该结构无需形成空腔结构，提高了机械强度和功率容量，并完全省略了形成空腔这一难度较高的工艺步骤；并且低声阻抗材料的填充能够代替传统布拉格反射层，无需进行多层薄膜的制备，有效降低工艺复杂度；同时，本发明中采用复合电极结构，其中高声阻抗层电极能够限制声波向底电极以下界面的传播，低声阻抗材料的声阻抗极低，其与底电极的界面能够很好的实现声波反射，保证了薄膜体声波谐振器的优良性能。
综上，本发明提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该谐振器性能优良，制备工艺难度和复杂度均极大简化，显著提高薄膜体声波谐振器生产合格率，大大降低生产成本、缩短生产周期，有利于工业化生产，对拓宽应用领域有着极其重要的意义。
附图说明
图1为发明薄膜体声波谐振器结构示意图。
图2为背刻型薄膜体声波谐振器结构示意图。
图3为固态装配型薄膜体声波谐振器(SMR)结构示意图。
图4为气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构示意图。
图5为实施例中刻蚀凹槽后衬底剖面图。
图6为实施例中填充聚酰亚胺后衬底剖面图。
图7为实施例中制备复合底电极后器件剖面图。
图8为实施例中制备压电层后器件剖面图。
图9为实施例中制备顶电极后器件剖面图。
图10为实施例中制备得薄膜体声波薄膜谐振器俯视图。
其中，1为衬底、2为低声阻抗层、3为高电导率电极层、4为高声阻抗电极层、5为复合底电极、6为压电层、7为顶电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明，但需要说明的是本发明并不局限于该实施例。
本实施例提供薄膜体声波谐振器，其结构如图1所示，包括预设凹槽的衬底1，充分填充与凹槽内及均匀覆盖衬底上表面的低声阻抗层2，低声阻抗层2上依次设置高电导率电极层3和高声阻抗电极层4、共同构成复合底电极5，复合底电极5上依次设置压电层6和顶电极7。
本实施例中衬底采用长有二氧化硅层的具有<100>晶向的硅衬底；低声阻抗层采用液态聚酰亚胺；复合底电极5中高电导率电极层3采用厚度为50～100nm的金属金层，高声阻抗电极层4采用厚度为50～200nm的金属钨层；压电层6采用的AlN，厚度根据需要的频段来设定；顶电极7采用厚度为100～300nm的金属钼层。
本实施例中薄膜体声波谐振器的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1、选取长有500nm二氧化硅层的硅<100>衬底，用反转胶光刻出凹槽图形，用水浴40℃的BOE溶液刻蚀掉二氧化硅层，形成一个凹槽窗口，紧接着用水浴85℃的KOH配置溶液刻蚀出10～20μm深的凹槽，如图5所示；
步骤2、将液态聚酰亚胺均匀的涂覆于步骤1中的衬底上，待聚酰亚胺溶液充分进入凹槽之后，用甩胶机匀胶，将聚酰亚胺甩成均匀的一层，如图6所示，根据所选的聚酰亚胺型号采用相应的条件将其亚胺化，本实施例中采用的亚胺化条件是：在氮气气氛中160℃恒温1小时、180℃恒温1时、240℃恒温1小时、自然冷却至室温；
步骤3、通过磁控溅射法制备一层50～100nm的金并制备出相应的底电极图形，作为高电导率电极层，采用磁控溅射法制备一层50-200nm的钨并制备出底电极图形作为高声阻抗电极层，并露出高电导率电极层，如图7所示，高电导率电极层和高声阻抗电极层共同构成复合底电极；
步骤4、采用磁控溅射法，生长一层具有C轴取向的AlN层，制备得压电层，并露出底电极图形，如图8所示，生长AlN的的条件是温度大于150℃，功率密度大于8w/cm2氮气浓度大于30％；厚度由具体的频率范围来确定；
步骤5、采用磁控溅射法制备一层100-300nm金属钼并制备成顶电极图形，如图9所示；制备得薄膜体声波谐振器结构俯视如图10所示。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，本说明书中所公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换；所公开的所有特征、或所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以任何方式组合。

Claims (7)

1.一种新型薄膜体声波谐振器，包括衬底(1)、依次设置在衬底上的底电极(5)、压电层(6)及顶电极(7)，其特征在于，所述衬底(1)上开设有凹槽，衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层(2)，所述底电极(5)、压电层(6)及顶电极(7)均设置于所述低声阻抗层(2)上，所述底电极(5)为由低声阻抗层(2)上依次层叠的高电导率电极层(3)和高声阻抗电极层(4)构成的复合底电极。
2.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述低声阻抗层(2)材料为：聚酰亚胺或交联聚苯撑聚合物。
3.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，复合底电极的厚度为100-300nm。
4.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极(7)材料为：钨、钼、金、银或铝。
5.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述高声阻抗电极层(4)材料为：钨或铂，所述高电导率电极层(3)材料为：金或银。
6.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层(6)材料为：AlN、ZnO或PZT。
7.按权利要求1所述薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、采用干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺在衬底上开设预设尺寸的凹槽；
步骤2、采用旋涂工艺在刻蚀有凹槽的衬底上均匀涂覆一层低声阻抗材料，之后进行匀胶、固化制备得低声阻抗层；
步骤3、采用磁控溅射或电子束蒸发工艺于低声阻抗层上依次制备高电导率电极层和高声阻抗电极层，形成复合底电极；
步骤4、采用磁控溅射法在底电极上制备压电层；
步骤5、采用磁控溅射或电子束蒸发工艺在压电层上制备顶电极，及制备得新型薄膜体声波谐振器。
CN201610262057.8A 2016-04-26 2016-04-26 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 Expired - Fee Related CN105958956B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610262057.8A CN105958956B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610262057.8A CN105958956B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105958956A true CN105958956A (zh) 2016-09-21
CN105958956B CN105958956B (zh) 2019-05-14

Family

ID=56915261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610262057.8A Expired - Fee Related CN105958956B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105958956B (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107241077A (zh) * 2017-05-12 2017-10-10 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107244645A (zh) * 2017-06-20 2017-10-13 重庆大学 硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法
CN107979352A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 天津大学 一种薄膜体声波微流控混合装置
CN108233891A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 湖北宙讯科技有限公司 双工器
CN109786923A (zh) * 2018-12-21 2019-05-21 西安交通大学 一种声学驱动的微型磁电天线结构及其制备方法
CN110098816A (zh) * 2019-05-08 2019-08-06 南阳理工学院 一种窄支撑架高品质因数的压电谐振器
CN110324022A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 瑞声科技(新加坡)有限公司 谐振器及其制备方法
CN110392978A (zh) * 2017-02-21 2019-10-29 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN110445474A (zh) * 2018-05-04 2019-11-12 贵州中科汉天下微电子有限公司 薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器
WO2020082245A1 (zh) * 2018-10-23 2020-04-30 华为技术有限公司 单片集成baw谐振器制作方法
CN112260658A (zh) * 2020-10-16 2021-01-22 广东广纳芯科技有限公司 一种兰姆波谐振器及其制造方法
CN112564666A (zh) * 2020-12-03 2021-03-26 武汉大学 一种中空型超高频谐振器
CN113098431A (zh) * 2020-01-08 2021-07-09 中芯集成电路（宁波）有限公司 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法
CN113131893A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构
CN113131892A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器
CN113131895A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器
CN113131894A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构
CN113395051A (zh) * 2021-07-09 2021-09-14 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 一种薄膜体声波谐振器和高频射频器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070279155A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Takashi Uno Film bulk acoustic resonator, filter, and fabrication method thereof
CN103795369A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 具有低微调敏感度的温度补偿谐振器装置及制造所述装置的方法
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN103929149A (zh) * 2014-04-21 2014-07-16 电子科技大学 一种柔性压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
US20140354109A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with varying amounts of dopant
CN104868871A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 具有掺杂压电材料和框架元件的体声波谐振器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070279155A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Takashi Uno Film bulk acoustic resonator, filter, and fabrication method thereof
CN103795369A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 具有低微调敏感度的温度补偿谐振器装置及制造所述装置的方法
US20140354109A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with varying amounts of dopant
CN104868871A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 具有掺杂压电材料和框架元件的体声波谐振器
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN103929149A (zh) * 2014-04-21 2014-07-16 电子科技大学 一种柔性压电薄膜体声波谐振器及其制备方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107979352A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 天津大学 一种薄膜体声波微流控混合装置
CN110392978A (zh) * 2017-02-21 2019-10-29 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN110392978B (zh) * 2017-02-21 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN107241077A (zh) * 2017-05-12 2017-10-10 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107244645A (zh) * 2017-06-20 2017-10-13 重庆大学 硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法
CN107244645B (zh) * 2017-06-20 2018-12-28 重庆大学 硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法
CN108233891A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 湖北宙讯科技有限公司 双工器
CN108233891B (zh) * 2018-01-31 2023-10-27 湖北宙讯科技有限公司 双工器
CN110445474A (zh) * 2018-05-04 2019-11-12 贵州中科汉天下微电子有限公司 薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器
WO2020082245A1 (zh) * 2018-10-23 2020-04-30 华为技术有限公司 单片集成baw谐振器制作方法
CN109786923A (zh) * 2018-12-21 2019-05-21 西安交通大学 一种声学驱动的微型磁电天线结构及其制备方法
CN110098816A (zh) * 2019-05-08 2019-08-06 南阳理工学院 一种窄支撑架高品质因数的压电谐振器
CN110324022A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 瑞声科技(新加坡)有限公司 谐振器及其制备方法
CN110324022B (zh) * 2019-06-28 2023-04-11 瑞声科技(新加坡)有限公司 谐振器及其制备方法
CN113131894A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构
CN113131893A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构
CN113131892A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器
CN113131895A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器
WO2021139117A1 (zh) * 2020-01-08 2021-07-15 中芯集成电路（宁波）有限公司 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法
CN113098431A (zh) * 2020-01-08 2021-07-09 中芯集成电路（宁波）有限公司 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法
CN113098431B (zh) * 2020-01-08 2023-09-08 中芯集成电路（宁波）有限公司 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法
CN112260658A (zh) * 2020-10-16 2021-01-22 广东广纳芯科技有限公司 一种兰姆波谐振器及其制造方法
CN112564666A (zh) * 2020-12-03 2021-03-26 武汉大学 一种中空型超高频谐振器
CN113395051A (zh) * 2021-07-09 2021-09-14 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 一种薄膜体声波谐振器和高频射频器件
CN113395051B (zh) * 2021-07-09 2024-03-26 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 一种薄膜体声波谐振器和高频射频器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN105958956B (zh) 2019-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105958956A (zh) 一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN103929149B (zh) 一种柔性压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN202019344U (zh) 可调谐的预设空腔型soi基片薄膜体声波谐振器
CN109474252B (zh) 可提高q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN210431367U (zh) 一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器
WO2021135019A1 (zh) 底电极为空隙电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN109831172B (zh) 一种体声波谐振器的制备方法
CN107241077A (zh) 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN106209001B (zh) 基于单晶铌酸锂薄片的薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN111010127B (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN110995196B (zh) 谐振器的制备方法和谐振器
CN112290901B (zh) 一种空腔型薄膜体声波谐振器封装结构及其制备方法
US9386388B2 (en) Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter
CN106253871B (zh) 一种通带展宽的baw梯型滤波器及其制造方法
KR100631216B1 (ko) 에어갭형 박막벌크음향공진기 및 그 제조방법
CN111106812A (zh) 一种高性能薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN111342803A (zh) 薄膜体声波谐振器
CN111847374A (zh) 用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法
CN110957989B (zh) 薄膜体声波谐振器及其制作方法
CN111200414A (zh) 一种体声波谐振器的底电极结构及工艺方法
CN114362717A (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
TW202147775A (zh) 頻率濾波器
CN103818870B (zh) 物联网射频收发组件悬臂鱼刺梁振动电磁自供电微传感器
CN211744436U (zh) 薄膜体声波谐振器
CN110098816A (zh) 一种窄支撑架高品质因数的压电谐振器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190514

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee