CN105895784A - 磷光片与具有磷光片的发光装置 - Google Patents

磷光片与具有磷光片的发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105895784A
CN105895784A CN201510037998.7A CN201510037998A CN105895784A CN 105895784 A CN105895784 A CN 105895784A CN 201510037998 A CN201510037998 A CN 201510037998A CN 105895784 A CN105895784 A CN 105895784A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photophor
light
light source
thickness area
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510037998.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105895784B (zh
Inventor
蔡尚勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Aite photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Edison Opto Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edison Opto Corp filed Critical Edison Opto Corp
Priority to CN201510037998.7A priority Critical patent/CN105895784B/zh
Publication of CN105895784A publication Critical patent/CN105895784A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105895784B publication Critical patent/CN105895784B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

本发明涉及一种磷光片，主要由磷光粉体与黏合材料相互混合形成一片材，再由片材形成一接收光源的第一面以及一位于相反侧散射光源的第二面，又片材内部磷光粉体与黏合材料之间的分布比例，主要是依据距离光源的远近位置不同，由第一面朝向第二面逐渐递增密集。本发明将磷光体设计为一片状结构，能够缩减整体体积，且磷光片内部依据距离光源的远近位置不同，进而将内部磷光粉体的分布比例，由邻近光源位置朝向远离光源位置逐渐递增浓度，避免磷光片内部分布浓度较高的磷光粉体直接接触发热源而导致劣化，进而提升照光装置的使用寿命。

Description

磷光片与具有磷光片的发光装置
技术领域
本发明有关于一种应用于发光照明领域的磷光体，特别是指一种内部磷光粉体浓度依据距离光源远近位置不同采用逐渐递增或递减分布的磷光片。
背景技术
请参阅图1所示，传统照明装置主要设有一基板10，并于所述基板10表面形成第一线路图案11以及一第二线路图案12，所述第一线路图案11与第二线路图案12上方具有一形成凹部14的反射罩13，而所述第一线路图案11上方另设有一连接两导线16、17的发光二极管组件15，其中一导线16连接于所述发光二极管组件15与第一线路图案11之间，另外一导线17连接于所述发光二极管组件15与第二线路图案12之间；又所述凹部14内部设有一内含磷光体与扩散剂的树脂材料18。
然而，此种照明装置由于含有磷光体的树脂材料直接与发光二极管组件接触，故在照明时磷光体会因发光二极管组件所产生的热影响而导致劣化，造成磷光体的波长变换效率下降，致使照明装置的使用寿命减短。此外，磷光体与扩散粒于树脂材料中的分布状态无法精准控制，将导致波长不能均一变换从而造成照明装置的颜色不均匀。
有鉴于前述缺失，请参阅图2所示，另外一种照明装置设有一安装基板20，所述安装基板20具有多数个通孔21，且上、下表面分别设有由通孔图案22相互导通的一第一布线图案23与一第二布线图案24，而所述安装基板20上表面外周另设有一具容置空间26的反射容器25，使所述第一布线图案23通过导线271安装一发光二极管组件27位于所述容置空间26中，又所述容置空间26内部填充有树脂材料28，且顶部安装有一改变波长的磷光板29。
此种将磷光板通过树脂材料间隔的照明装置，虽避免发光二极管组件所产生的热来影响磷光体，然而，额外的树脂材料以及反射罩结构往往造成发光装置的体积大幅增加。
发明内容
本发明的主要目的在于将发光装置中的磷光体设计为一片状结构，能够缩减发光装置的整体体积，且磷光片内部依据距离光源的远近位置不同，进而将内部磷光粉体的分布比例，由邻近光源位置朝向远离光源位置逐渐递增浓度，避免磷光片内部分布浓度较高的磷光粉体直接接触发热源而导致劣化，进而提升照光装置的使用寿命。
本发明的次要目的在于磷光片两表面分别形成平滑面与粗糙面，避免光源通过磷光片时产生全反射现象，进而提高光源投射效率。
为达所述目的，本发明磷光片由磷光粉体与黏合材料相互混合形成一厚度介于40μm～200μm的片材，所述片材具有一接收光源的第一面以及一位于相反侧散射光源的第二面，又所述第一面设为一平滑面，而所述第二面设为一粗糙面。
本发明特点在于所述片材内部磷光粉体的分布比例，依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面朝向所述第二面逐渐递增密集，并将所述片材由第一面朝向第二面依序分成第一厚度区域、第二厚度区域以及一第三厚度区域，又所述第一厚度区域具有一第一平均浓度A，所述第二厚度区域具有一第二平均浓度B，而所述第三厚度区域具有一第三平均浓度C。
其中，所述第一厚度区域与第三厚度区域各分别占片材整体厚度的10％，而所述第二厚度区域占片材整体厚度的80％；又所述第一平均浓度A与第三平均浓度C的差距比符合：A％/C％＞50％；且所述磷光粉体与黏合材料之间混合比例配方的平均重量百分比(Average Wt％)满足：磷光粉体/黏合材料＝20～300％。
本发明具有磷光片的发光装置主要包含一发光二极管芯片、一磷光片以及一扩散片三部分，其中，所述发光二极管芯片用以投射一光源；所述磷光片位于所述发光二极管芯片侧端投射的光源位置，由磷光粉体与黏合材料相互混合固化形成一片材，所述片材具有一接收所述光源的第一面以及一位于相反侧散射光源的第二面，其中，所述片材内部磷光粉体的分布比例，依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面朝向所述第二面逐渐递增密集；而所述扩散片位于所述磷光片侧端的第二面位置，具有一接收面以及一散射面，所述散射面设为一粗糙面。
又本发明发光装置中的磷光片结构与前述实施例相同，在此不再加以赘述，惟所述发光装置能够进一步于所述发光二极管芯片与磷光片的第一面之间设置一黏胶材相互固定；而且于所述磷光片的第二面与扩散片之间设置另外一黏胶材相互固定。
本发明的优点在于磷光片内部依据距离光源的远近位置不同，进而将内部磷光粉体的分布比例，由邻近光源位置朝向远离光源位置逐渐递增浓度，避免磷光片内部分布浓度较高的磷光粉体直接接触发热源而导致劣化。
此外，整个磷光片的厚度仅为40μm～200μm，结合于发光装置中能够大幅简化构件体积，有效节省生产成本，提升产品竞争性。
附图说明
图1为现有技术的照明装置的断面示意图；
图2为现有技术的另外一照明装置的断面示意图；
图3为本发明磷光片的断面图；
图4为本发明发光装置第一较佳实施例的断面图；
图5为图4的分解图；
图6为本发明发光装置第二较佳实施例的断面图。
附图标记说明：10---基板；11---第一线路图案；12---第二线路图案；13---反射罩；14---凹部；15---发光二极管组件；16---导线；17---导线；18---树脂材料；20---安装基板；21---通孔；22---通孔图案；23---第一布线图案；24---第二布线图案；25---反射容器；26---容置空间；27---发光二极管组件；271---导线；28---树脂材料；29---磷光板；30---磷光片；31---磷光粉体；32---黏合材料；33---片材；34---第一面；35---第二面；36---第一厚度区域；37---第二厚度区域；38---第三厚度区域；40---发光二极管芯片；50---扩散片；51---接收面；52---散射面；60---黏胶材。
具体实施方式
以下结合附图，就本发明上述的和另外的技术特征和优点做进一步地说明。
首先，请参阅图3所示一较佳实施例，本发明磷光片30(Phosphor sheet)主要由磷光粉体31与黏合材料32相互混合固化形成一片材33，所述片材33厚度介于40μm～200μm，且表面形成一接收光源的第一面34以及一散射光源的第二面35，所述第二面35位于所述片材33第一面34的相反侧，其中，所述第一面34设为一平滑面，而所述第二面35设为一避免产生全反射现象的粗糙面。
本发明特点在于所述片材33内部磷光粉体31的分布比例，主要是依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面34朝向所述第二面35逐渐递增密集，如图所示，所述第二面35位置所含的磷光粉体31密度最高，越接近所述第一面34则磷光粉体31的密度逐渐递减。
此外，所述片材33能够由所述第一面34朝向第二面35依序分成第一厚度区域36、第二厚度区域37以及一第三厚度区域38，于一可行实施例中，所述第一厚度区域36占所述片材33整体厚度的10％，所述第二厚度区域37占所述片材33整体厚度的80％，而所述第三厚度区域38占所述片材33整体厚度剩余的10％。
又所述第一厚度区域36内部磷光粉体31的递增分布具有一第一平均浓度A，所述第二厚度区域37内部磷光粉体31的递增分布具有一第二平均浓度B，而所述第三厚度区域38内部磷光粉体31的递增分布具有一第三平均浓度C。
于一较佳实施例中，所述第一平均浓度A与第三平均浓度C的差距比，必须符合：A％/C％＞50％的条件；此外，所述磷光粉体31与黏合材料32之间混合比例配方的平均重量百分比(Average Wt％)必须满足：磷光粉体31/黏合材料32＝20～300％。
请参阅图4及图5所示，本发明发光装置由下而上依序设有一发光二极管芯片40(LED chip)、一邻接于所述发光二极管芯片40的磷光片30以及一邻接于所述磷光片30的扩散片50(Diffuser sheet)，其中，所述发光二极管芯片40于导电后将于发光侧产生一朝向所述磷光片30投射的光源。
所述磷光片30同样由磷光粉体31与黏合材料32相互混合固化形成一厚度介于40μm～200μm的片材33，所述片材33具有一接收光源的第一面34以及一位于相反侧散射光源的第二面35，其中，所述片材33内部磷光粉体31的分布比例，依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面34朝向所述第二面35逐渐递增密集。又此一磷光片30结构与前述实施例相同，能够参照前述说明，在此不再加以赘述。
所述扩散片50位于所述磷光片30侧端的第二面35位置，具有一与所述磷光片30相邻的接收面51以及一进行粗糙化处里的散射面52，所述散射面52将同样形成一避免产生全反射现象的粗糙面。
请参阅图6所示另外一较佳实施例，本发明发光装置包含一发光二极管芯片40、一磷光片30、两黏胶材60以及一扩散片50四部分，其中，所述发光二极管芯片40、磷光片30以及扩散片50结构皆与前一实施例相同，惟差异的地方在于所述磷光片30的第一面34与第二面35分别事先涂布有一黏胶材60，再由接触所述第一面34的黏胶材60另行黏贴所述发光二极管芯片40的邻接面，另以接触所述第二面35的黏胶材60另行黏贴于所述扩散片50的接收面51，随后待两黏胶材60固化后，通过两黏胶材60使所述磷光片30固定于所述发光二极管芯片40与扩散片50之间。所述黏胶材60主要采用一透明的树脂材料。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，能够做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种磷光片，其特征在于，包含由磷光粉体与黏合材料相互混合形成一片材，所述片材具有一接收光源的第一面以及一位于相反侧散射光源的第二面，其中，所述片材内部磷光粉体的分布比例，依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面朝向所述第二面逐渐递增密集。
2.根据权利要求1所述磷光片，其特征在于：所述片材由第一面朝向第二面依序分成一第一厚度区域、一第二厚度区域以及一第三厚度区域，又所述第一厚度区域具有一第一平均浓度A，所述第二厚度区域具有一第二平均浓度B，而所述第三厚度区域具有一第三平均浓度C。
3.根据权利要求2所述磷光片，其特征在于：所述第一平均浓度A与第三平均浓度C的差距比符合：
A％/C％＞50％。
4.根据权利要求2所述磷光片，其特征在于：所述第一厚度区域与第三厚度区域各分别占片材整体厚度的10％，而所述第二厚度区域占片材整体厚度的80％。
5.根据权利要求1所述磷光片，其特征在于：所述磷光粉体与黏合材料之间混合比例配方的平均重量百分比满足：
磷光粉体/黏合材料＝20～300％。
6.根据权利要求1所述磷光片，其特征在于：所述片材厚度为40μm～200μm。
7.根据权利要求1所述磷光片，其特征在于：所述第一面设为一平滑面，而所述第二面设为一粗糙面。
8.一种具有磷光片的发光装置，其特征在于，包含：
一发光二极管芯片，投射一光源；
一磷光片，位于所述发光二极管芯片侧端投射的光源位置，由磷光粉体与黏合材料相互混合固化形成一片材，所述片材具有一接收所述光源的第一面以及一位于相反侧散射光源的第二面，其中，所述片材内部磷光粉体的分布比例，依据距离光源的远近位置不同，由所述第一面朝向所述第二面逐渐递增密集；
一扩散片，位于所述磷光片侧端的第二面位置，具有一接收面以及一散射面。
9.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述片材由第一面朝向第二面依序分成一第一厚度区域、一第二厚度区域以及一第三厚度区域，又所述第一厚度区域具有一第一平均浓度A，所述第二厚度区域具有一第二平均浓度B，而所述第三厚度区域具有一第三平均浓度C。
10.根据权利要求9所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述第一平均浓度A与第三平均浓度C的差距比符合：
A％/C％＞50％。
11.根据权利要求9所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述第一厚度区域与第三厚度区域分别占片材整体厚度的10％，而所述第二厚度区域占片材整体厚度的80％。
12.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述磷光粉体与黏合材料之间混合比例配方的平均重量百分比满足：
磷光粉体/黏合材料＝20～300％。
13.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述片材厚度为40μm～200μm。
14.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述第一面设为一平滑面，而所述第二面设为一粗糙面。
15.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述发光二极管芯片与磷光片的第一面之间采用一黏胶材互相固定；而所述磷光片的第二面与扩散片之间采用另外一黏胶材互相固定。
16.根据权利要求8所述具有磷光片的发光装置，其特征在于：所述扩散片的散射面设为一粗糙面。
CN201510037998.7A 2015-01-26 2015-01-26 磷光片与具有磷光片的发光装置 Active CN105895784B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510037998.7A CN105895784B (zh) 2015-01-26 2015-01-26 磷光片与具有磷光片的发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510037998.7A CN105895784B (zh) 2015-01-26 2015-01-26 磷光片与具有磷光片的发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105895784A true CN105895784A (zh) 2016-08-24
CN105895784B CN105895784B (zh) 2018-05-15

Family

ID=56999761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510037998.7A Active CN105895784B (zh) 2015-01-26 2015-01-26 磷光片与具有磷光片的发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105895784B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070096113A1 (en) * 2005-09-21 2007-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Led device
TW201013982A (en) * 2008-05-30 2010-04-01 Toshiba Kk White light led, and backlight and liquid crystal display device using the same
CN102563405A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 Lg伊诺特有限公司 包括光致发光板的照明装置
CN102916095A (zh) * 2011-07-31 2013-02-06 华新丽华股份有限公司 发光二极管
TW201408951A (zh) * 2012-08-16 2014-03-01 Chin-Piao Kuo 平面光源裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070096113A1 (en) * 2005-09-21 2007-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Led device
TW201013982A (en) * 2008-05-30 2010-04-01 Toshiba Kk White light led, and backlight and liquid crystal display device using the same
CN102563405A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 Lg伊诺特有限公司 包括光致发光板的照明装置
CN102916095A (zh) * 2011-07-31 2013-02-06 华新丽华股份有限公司 发光二极管
TW201408951A (zh) * 2012-08-16 2014-03-01 Chin-Piao Kuo 平面光源裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105895784B (zh) 2018-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9835306B2 (en) LED illumination apparatus
US8746907B2 (en) Fluorescent tube type LED lamp
US9453623B2 (en) Illumination device
US8801228B2 (en) Changing LED light output distribution through coating configuration
US20100301360A1 (en) Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions on remote surfaces thereof
US9897789B2 (en) Light emitting device package and lighting device having the same
CN102074645A (zh) 透镜及具有该透镜的发光设备
US20130021822A1 (en) Optical Waveguide Plate Comprising Phosphorus-Containing Structure Elements
US20160033108A1 (en) Lens for light emitter, light source module, lighting device, and lighting system
CN101614367A (zh) 发光二极管灯具
US8668366B2 (en) Energy star compliant LED lamp
EP2870407A1 (en) Light unit with light output pattern synthesized from multiple light sources and modular refractors
CN104930388A (zh) 一种led基板带
KR101212654B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
CN105895784A (zh) 磷光片与具有磷光片的发光装置
CN102563428B (zh) Led全光角灯泡
KR102400249B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN201401679Y (zh) 发光装置
JP2014135322A (ja) 発光装置及び照明器具
KR101803010B1 (ko) 엘이디 조명기구
KR101212477B1 (ko) 황색 밴드를 개선하기 위한 패턴이 구비된 렌즈 및 이를 구비한 조명장치
US20130107511A1 (en) Led illumination module
TWI516711B (zh) 發光二極體燈泡
KR20120017319A (ko) 조명 장치
TWI564509B (zh) 發光二極體燈泡

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180108

Address after: No. 101 Hua Yang Xi Road, Yangzhou Economic Development Zone, Jiangsu

Applicant after: Yangzhou Aite photoelectric Co Ltd

Address before: The way and China Taiwan District in New Taipei City No. 800 5 floor

Applicant before: Edison Opto Corporation

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant