CN105872417A - 基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，场效应管MOS2，分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路，与处理芯片U的UGATE管脚相连接的电磁降噪电路，串接在场效应管MOS1的栅极和电磁降噪电路之间的电阻R5等组成。本发明可以对系统自身所产生电磁噪声信号进行抑制，使本发明在对图像信号进行处理时免受电磁噪声的影响，提高本发明的稳定性。

Description

基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统
技术领域
本发明涉及电子领域，具体是指一种基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统。
背景技术
随着社会的发展，图像处理系统已被广泛应用于人脸识别、摄影摄像等领域；然而，目前的图像信号处理系统存在很大的缺陷，即现有的图像信号处理系统无法彻底的对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤，使其对图像信号处理的效果不佳，导致图像显示效果无法满足人们的需求。
发明内容
本发明的目的在于克服传统的现有的图像信号处理系统无法彻底的对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤的缺陷，提供一种基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统。
本发明的目的通过下述技术方案实现：基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，场效应管MOS2，分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路，与处理芯片U的UGATE管脚相连接的电磁降噪电路，串接在场效应管MOS1的栅极和电磁降噪电路之间的电阻R5，串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4，分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路，串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路，以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。
进一步的，所述电磁降噪电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT3，负极与放大器P4的正极相连接、正极经电阻R19后作为该电磁降噪电路的输入端的电容C9，负极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接、正极顺次经电阻R20和二极管D5后与三极管VT3的基极相连接的电容C10，串接在放大器P4的输出端和放大器P5的正极之间的电阻R22，正极与放大器P5的正极相连接、负极与放大器P5的输出端相连接的电容C12，与电容C12相并联的电阻R23，以及正极与放大器P5的负极相连接、负极接地的电容C11组成；所述放大器P4的输出端与三极管VT3的集电极相连接、其负极接地；所述三极管VT3的发射极接地；所述放大器P5的输出端作为该电磁降噪电路的输出端并经电阻R5后与场效应管MOS1的栅极相连接；所述电磁降噪电路的输入端则与处理芯片U的UGATE管脚相连接。
所述低频放大电路由放大器P3，三极管VT2，正极与放大器P3的正极相连接、负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接的电容C7，一端与放大器P3的负极相连接、另一端接地的电阻R13，N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，与二极管D3相并联的电阻R16，P极与二极管D3的N极相连接、N极与二极管D3的P极相连接的二极管D4，正极与放大器P3的输出端相连接、负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端的电容C8，以及串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间的电阻R17组成；所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接；所述三极管VT2的发射极接地；所述低频放大电路的输出端与信号滤波电路相连接。
所述的信号输入放大电路由放大器P1，正极与放大器P1的正极相连接、负极则与放大器P1的输出端相连接的电容C1，一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R1，串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R3，N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、P极接电源的二极管D1，以及负极接地、正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接的电容C2组成；所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
所述信号滤波电路由放大器P2，三极管VT1，正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极则与场效应管MOS2的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R8，串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间的电阻R9，正极与场效应管MOS2的源极相连接、负极接地的电容C6，串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间的电阻R10，串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间的电阻R11，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地的电阻R12，以及P极与三极管VT1的集电极相连接、N极则作为该信号滤波电路的输出端的二极管D2组成；所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接；所述处理芯片U的GND管脚接地。
所述处理芯片U为APW7120集成芯片。
本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明可以对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤，提高了图像信号的质量，避免图像在显示时出现雪花现象。
(2)本发明采用APW7120集成芯片作为处理芯片，使本发明的结构更加简单。
(3)本发明可以对图像信号进行不失真的放大，提高了图像显示的清晰度。
(4)本发明可以对系统自身所产生电磁噪声信号进行抑制，使本发明在对图像信号进行处理时免受电磁噪声的影响，提高本发明的稳定性。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的低频放大电路的结构图。
图3为本发明的电磁降噪电路的结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
实施例
如图1所示，本发明的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，场效应管MOS2，分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路，与处理芯片U的UGATE管脚相连接的电磁降噪电路，串接在场效应管MOS1的栅极和电磁降噪电路之间的电阻R5，串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4，分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路，串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路，以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。为了更好的实施本发明，所述处理芯片U优选APW7120集成芯片来实现。
其中，该信号输入放大电路由放大器P1，电阻R1，电容C1，电阻R2，电阻R3，电容C2以及二极管D1组成。
连接时，电容C1的正极与放大器P1的正极相连接、其负极则与放大器P1的输出端相连接。电阻R1的一端与放大器P1的负极相连接、其另一端接地。电阻R3串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间。二极管D1的N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、其P极接电源。电容C2的负极接地、其正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接。所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
另外，该信号滤波电路由放大器P2，三极管VT1，电容C5，电容C6，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12以及二极管D2组成。
连接时，电容C5的正极与场效应管MOS1的源极相连接、其负极则与场效应管MOS2的漏极相连接。电阻R8串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间。电阻R9串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间。电容C6的正极与场效应管MOS2的源极相连接、其负极接地。电阻R10串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间。电阻R11串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间。电阻R12的一端与三极管VT1的发射极相连接、其另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地。二极管D2的P极与三极管VT1的集电极相连接、其N极则作为该信号滤波电路的输出端。所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接；所述处理芯片U的GND管脚接地。
如图2所示，低频放大电路由放大器P3，三极管VT2，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，二极管D3，二极管D4，电容C7以及电容C8组成。
连接时，电容C7的正极与放大器P3的正极相连接、其负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接。电阻R13的一端与放大器P3的负极相连接、其另一端接地。二极管D3的N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、其P极与三极管VT2的基极相连接。电阻R16与二极管D3相并联。二极管D4的P极与二极管D3的N极相连接、其N极与二极管D3的P极相连接。电容C8的正极与放大器P3的输出端相连接、其负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端并与电容C5的负极相连接。电阻R17串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间。同时，所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接。所述三极管VT2的发射极接地。
如图3所示，该电磁降噪电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT3，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，二极管D5，电容C9，电容C10，电容C11以及电容C12。
连接时，电容C9的负极与放大器P4的正极相连接、其正极经电阻R19后作为该电磁降噪电路的输入端。电容C10的负极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接、其正极经电阻R20后与二极管D5的P极相连接。所述二极管D5的N极则与三极管VT3的基极相连接。电阻R22串接在放大器P4的输出端和放大器P5的正极之间。电容C12的正极与放大器P5的正极相连接、其负极与放大器P5的输出端相连接。电阻R23与电容C12相并联。电容C11的正极与放大器P5的负极相连接、其负极接地。
同时，所述放大器P4的输出端与三极管VT3的集电极相连接、其负极接地。所述三极管VT3的发射极接地。所述放大器P5的输出端作为该电磁降噪电路的输出端并经电阻R5后与场效应管MOS1的栅极相连接。所述电磁降噪电路的输入端则与处理芯片U的UGATE管脚相连接。
工作时，本发明对输入的图像信号进行不失真的放大，并且对掺杂在放大后的图像信号中的干扰信号进行过滤后输出给外部的显示设备，如此则可以提高图像信号的质量，使图像在显示时更加清晰。本发明可以对系统自身所产生电磁噪声信号进行抑制，使本发明在对图像信号进行处理时免受电磁噪声的影响，提高本发明的稳定性。
如上所述，便可很好的实现本发明。

Claims (6)

1.基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，主要由处理芯片U，场效应管MOS1，场效应管MOS2，分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路，与处理芯片U的UGATE管脚相连接的电磁降噪电路，串接在场效应管MOS1的栅极和电磁降噪电路之间的电阻R5，串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4，分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路，串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路，以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。
2.根据权利要求1所述的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，所述电磁降噪电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT3，负极与放大器P4的正极相连接、正极经电阻R19后作为该电磁降噪电路的输入端的电容C9，负极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接、正极顺次经电阻R20和二极管D5后与三极管VT3的基极相连接的电容C10，串接在放大器P4的输出端和放大器P5的正极之间的电阻R22，正极与放大器P5的正极相连接、负极与放大器P5的输出端相连接的电容C12，与电容C12相并联的电阻R23，以及正极与放大器P5的负极相连接、负极接地的电容C11组成；所述放大器P4的输出端与三极管VT3的集电极相连接、其负极接地；所述三极管VT3的发射极接地；所述放大器P5的输出端作为该电磁降噪电路的输出端并经电阻R5后与场效应管MOS1的栅极相连接；所述电磁降噪电路的输入端则与处理芯片U的UGATE管脚相连接。
3.根据权利要求2所述的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，所述低频放大电路由放大器P3，三极管VT2，正极与放大器P3的正极相连接、负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接的电容C7，一端与放大器P3的负极相连接、另一端接地的电阻R13，N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，与二极管D3相并联的电阻R16，P极与二极管D3的N极相连接、N极与二极管D3的P极相连接的二极管D4，正极与放大器P3的输出端相连接、负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端的电容C8，以及串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间的电阻R17组成；所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接；所述三极管VT2的发射极接地；所述低频放大电路的输出端与信号滤波电路相连接。
4.根据权利要求3所述的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，所述的信号输入放大电路由放大器P1，正极与放大器P1的正极相连接、负极则与放大器P1的输出端相连接的电容C1，一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R1，串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R3，N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、P极接电源的二极管D1，以及负极接地、正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接的电容C2组成；所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
5.根据权利要求4所述的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，所述信号滤波电路由放大器P2，三极管VT1，正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极则与场效应管MOS2的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R8，串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间的电阻R9，正极与场效应管MOS2的源极相连接、负极接地的电容C6，串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间的电阻R10，串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间的电阻R11，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地的电阻R12，以及P极与三极管VT1的集电极相连接、N极则作为该信号滤波电路的输出端的二极管D2组成；所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接；所述处理芯片U的GND管脚接地。
6.根据权利要求5所述的基于电磁降噪电路的信号放大式高清图像信号处理系统，其特征在于，所述处理芯片U为APW7120集成芯片。
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