CN105871184A - 一种超高精度过功率补偿电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种超高精度过功率补偿电路，包括斜波电压发生器电路，时间参数设置电路，斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路，斜波电压发生器电路、斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路顺序连接，时间参数设置电路与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路连接，斜波电压发生器电路、斜波电压采样保持电路和斜波电压补偿电路外接开关电源控制单元输出的PWM信号，过功率点比较电路外接开关电源控制单元的CS端口。将本发明所述超高精度过功率补偿电路应用于开关电源中，可以合理地改变不同输入电压下变压器初级线圈峰值电流的阈值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响。

Description

一种超高精度过功率补偿电路

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种应用于开关电源的超高精度过功率补偿电路。

背景技术

随着电子产品消费强劲的需求以及各种电子产品的更新换代，对电源模块的要求也越来越高。电源模块通常为功能模块提供恒定的电压或恒定的电流，以保证它们稳定的工作。

在全范围交流输入条件下，不管是高精度的输出功率，还是高精度的输出电流，都要求在高或者低的交流输入条件下流过变压器初级电感峰值电流差异必须尽量小。为了方便说明，假设系统工作在非连续模式（DCM）。在理想状态下，变压器初级电感电流流过导通的功率管以后，经采样电阻将动作电压传输到控制芯片CS端口，当CS检测到当前采样电压数值达到阈值电压以后，马上控制功率管关断，变压器初级电感峰值电流由如下公式决定：

------------------------------（1）

实际工作中，当CS检测到当前采样电压数值达到阈值电压以后，内部控制信号关断功率管存在延迟时间。延迟时间主要由内部逻辑信号的延时和输出功率管栅电容引起的延时组成，假设总的延迟时间为Td,因此实际的变压器初级电感峰值电流为：

---------------------------（2）

所以实际的输出功率为：

（3）

：芯片内部设定的用于控制变压器初级电感峰值电流的阈值电压；

：芯片CS端口到地的采样电阻值；

：交流输入电压经过桥式整流电路以后的电压值；

：变压器初级电感量；

：功率管开始导通到CS端电压达到电压所对应的时间；

：CS电压达到以后，从发出控制信号到实际关断功率管的延迟时间；

：实际的变压器初级电感峰值电流；

：系统输出功率；

：控制芯片工作频率；

：系统工作效率；

从公式（2）和（3）中可以看出：变压器初级电感峰值电流和系统输出功率都随着、和的变化而变化。假定时间是固定的，如果保持不变，很明显地可以看到高输入交流电压条件下大，低输入交流电压条件下小。应用在大功率电源系统中，这种差异更加明显。

由上述可知，需要对变压器初级电感峰值电流的阈值电压进行补偿，让其在高输入交流电压时偏小，在低输入交流电压时偏大，这样才能保证在不同的交流输入电压下过功率点趋于一致。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种超高精度过功率补偿电路，将该电路应用于开关电源中，能够合理地改变不同输入电压下变压器初级电感峰值电流的阈值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响，避免了高输入电压时系统过功率保护点过大带来的危害。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种超高精度过功率补偿电路，包括：斜波电压发生器电路，时间参数设置电路，斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路；

所述斜波电压发生器电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的斜波电压；

所述时间参数设置电路，与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于比较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电路，同时，根据比较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路；

所述斜波电压采样保持电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于对PWM信号导通时产生的斜波电压峰值进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路；

所述斜波电压补偿电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过功率点比较电路电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压采样保持电路输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压；

所述过功率点比较电路，外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电压补偿电路生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM 的逻辑电平信号。

特别的，所述斜波电压发生器电路包括第一与非门、第一非门，第一电流源、第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、和第一电容，所述第一与非门输入端分别连接PWM信号和时间参数设置电路，输出端连接第一PMOS晶体管栅极；所述第一电流源正极外接电源，负极连接第一PMOS晶体管源极；所述第一PMOS晶体管漏极经第一电容接地；所述第一非门输入端连接PWM信号，输出端连接第一NMOS晶体管栅极；所述第一NMOS晶体管源极接地，漏极连接第一PMOS晶体管漏极；所述第一PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管漏极公共端做为斜波电压发生器电路输出端，输出斜波电压到时间参数设置电路和斜波电压采样保持电路。

特别的，所述时间参数设置电路包括第一比较器和D触发器，所述第一比较器正输入端预设合适的固定电压值，负输入端连接斜波电压发生器电路输出端，输出端同时连接D触发器控制端和斜波电压发生器电路，输出ctra信号；所述D触发器D端外接电源，清零端连接LEB前沿消隐信号，正输出端做为时间参数设置电路输出端连接斜波电压补偿电路。

特别的，所述斜波电压采样保持电路包括延时器、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二电容、第三电容和第一运算放大器，所述延时器输入端外接PWM信号，输出端连接第三NMOS晶体管栅极；所述第二NMOS晶体管栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生器电路输出端；所述第二NMOS晶体管源极与第三NMOS晶体管漏极均经第二电容接地；所述第三NMOS晶体管源极经第三电容接地；所述第一运算放大器正输入端连接第三NMOS晶体管源极，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压采样保持电路输出端。

特别的，所述斜波电压补偿电路包括第二与非门，第二非门，第四NMOS晶体管，第五NMOS晶体管、第二电流源、第四电容、第五电容和第二运算放大器，所述第二与非门输入端连接PWM信号和时间参数设置电路输出端，输出端连接第四NMOS晶体管栅极；所述第四NMOS晶体管漏极连接斜波电压采样保持电路输出端，源极连接第五NMOS晶体管漏极；所述第二非门输入端连接第二与非门输出端，输出端连接第五NMOS晶体管栅极；所述第五MNOS晶体管源极经第二电流源接地，漏极经第四电容接地；所述第二运算放大器正输入端连接第五MNOS晶体管漏极，负输入端经第五电容接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压补偿电路输出端。

特别的，所述过功率电比较电路包括第二比较器，所述第二比较器正输入端连接斜波电压补偿电路输出端，负输入端外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出端，输出端输出用于关闭PWM 的逻辑电平信号。

本发明提出的超高精度过功率补偿电路应用于开关电源中，斜波电压发生器电路根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的斜波电压，经斜波电压采样保持电路对斜波电压峰值进行采样和保持，并输出到斜波电压补偿电路，斜波电压补偿电路比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压采样保持电路输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压，功率点比较电路比较斜波电压补偿电路生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM 的逻辑电平信号。结合高交流电压输入条件下，PWM导通时间短；低交流电压输入条件下，PWM导通时间长的开关电源特性，从而实现在高交流电压输入条件下变压器初级电感峰值电流的阈值电压低，低交流电压输入条件下变压器初级电感峰值电流的阈值电压高，合理地改变不同输入电压下的变压器初级电感峰值电流的阈值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响，避免了高输入电压时系统过功率保护点过大带来的危害。

附图说明

图1是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的结构框图。

图2是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的电路结构示意图。

图3是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的时序信号关系图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

实施例一

请参照图1、2所示，图1为本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的结构框图。图2为本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的电路结构示意图。

本实施例中，超高精度过功率补偿电路包括斜波电压发生器电路101、时间参数设置电路102、斜波电压采样保持电路103、斜波电压补偿电路104和过功率点比较电路105。

所述斜波电压发生器电路101外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间参数设置电路102输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路102输出的比较结果生成相应的斜波电压，具体包括：第一与非门A1、第一非门A2，第一电流源I1、第一PMOS晶体管PM1、第一NMOS晶体管NM1、和第一电容C1，所述第一与非门A1的输入端分别连接PWM信号和时间参数设置电路，输出端连接第一PMOS晶体管PM1的栅极；所述第一电流源I1的正极外接电源，负极连接第一PMOS晶体管PM1的源极；所述第一PMOS晶体管PM1的漏极经第一电容C1接地；所述第一非门A2的输入端连接PWM信号，输出端连接第一NMOS晶体管NM1的栅极；所述第一NMOS晶体管NM1的源极接地，漏极连接第一PMOS晶体管PM1的漏极；所述第一PMOS晶体管PM1的漏极与第一NMOS晶体管NM1的漏极公共端做为斜波电压发生器电路101的输出端，输出斜波电压到时间参数设置电路102和斜波电压采样保持电路103。

斜波电压发生器电路101中，当时间参数设置电路102输出的比较结果ctra处于高电平，PWM导通时，第一PMOS晶体管PM1导通，第一电容C1充电；当ctra处于低电平时，第一PMOS晶体管PM1关断，第一电容C1上电压维持；直至PWM关断，第一NMOS晶体管NM1导通，第一电容C1放电到零电压。第一电容C1上产生的电压V_saw作为斜波电压输出。若PWM导通时间长，则第一电容C1充电产生的斜波电压V_saw上升到内部固定设置的电压Vset时，ctra处于低电平，第一电容C1上电压维持在Vset，直至PWM关断，第一电容C1放电；若PWM导通时间短，则第一电容C1上产生斜波电压V_saw没有上升到Vset时，PWM关断，则斜波电压V_saw峰值小于固定Vset，具体受到PWM导通时间控制。

所述时间参数设置电路102与斜波电压发生器电路101和斜波电压补偿电路104电连接，用于比较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电路101，同时，根据比较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路104，具体包括：第一比较器COMP1和D触发器，所述第一比较器COMP1的正输入端预设合适的固定电压值Vset，负输入端连接斜波电压发生器电路101输出端，输出端同时连接D触发器的控制端和斜波电压发生器电路101中第一与非门A1的输入端，输出ctra信号；所述D触发器采用下降沿触发，D端外接电源，清零端连接LEB前沿消隐信号，正输出端作为时间参数设置电路102输出端连接斜波电压补偿电路104。

时间参数设置电路102中，随着PWM导通时间推移，斜波电压V_saw逐渐升高，当V_saw峰值电压大于预设的固定电压Vset时，第一比较器COMP1输出信号Ctra从高电平变成低电平，进而触发D触发器的输出端TIME_A变成电源电压信号，也就是高电平。上述可知，设置固定电压Vset的值，既能钳位住斜波电压V_saw的峰值，又设置TIME_A得大小。

所述斜波电压采样保持电路103外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与斜波电压发生器电路101和斜波电压补偿电路104电连接，用于对PWM信号导通时产生的斜波电压峰值进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路104，具体包括：延时器T1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第二电容COMP2、第三电容C3和第一运算放大器OP1，所述延时器T1输入端连接PWM信号，输出端连接第三NMOS晶体管NM3的栅极；所述第二NMOS晶体管NM2的栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生器电路101的输出端；所述第二NMOS晶体管NM2的源极与第三NMOS晶体管NM3的漏极均经第二电容COMP2接地；所述第三NMOS晶体管NM3的源极经第三电容C3接地；所述第一运算放大器OP1的正输入端连接第三NMOS晶体管NM3的源极，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压采样保持电路103的输出端。

斜波电压采样保持电路103中，在PWM上一个导通时间内，第二NMOS晶体管NM2导通，将斜波电压V_saw传递给第二电容COMP2上，当PWM关断，虽然斜波电压V_saw被瞬间拉低到零，但由于第二NMOS晶体管NM2也同时关断，故当PWM关断时第二电容COMP2上电压可以保持住PWM导通时产生的斜波电压V_saw的峰值；同时，当PWM关断时，延时器T1导通，延时器T1在PWM信号每个下降沿产生一个100n左右的高脉冲Ctrb信号，高脉冲信号Ctrb将第三NMOS晶体管NM3导通来采样第二电容COMP2上的电压，故第三电容C3上产生的电压为PWM关断时、PWM上一个导通时间内产生的斜波电压V_saw峰值，定义为V_sawb。V_sawb通过第一运算放大器OP1跟随到第一运算放大器OP1的负端，定义为V_sawc，作为斜波电压采样保持电路103输出电压输出到所述斜波电压补偿电路104。

所述斜波电压补偿电路104外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过功率点比较电路105电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路102生成的触发信号，结合斜波电压采样保持电路103输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压，具体包括：第二与非门A3，第二非门A4，第四NMOS晶体管NM4，第五NMOS晶体管NM5、第二电流源I2、第四电容C4、第五电容C5和第二运算放大器OP2，所述第二与非门A3的输入端连接PWM信号和时间参数设置电路102中D触发器的输出端，输出端连接第四NMOS晶体管NM4的栅极；所述第四NMOS晶体管NM4的漏极连接斜波电压采样保持电路103的输出端，源极连接第五NMOS晶体管NM5的漏极；所述第二非门A4的输入端连接第二与非门A3的输出端，输出端连接第五NMOS晶体管NM5的栅极；所述第五MNOS晶体管NM5的源极经第二电流源I2接地，漏极经第四电容C4接地；所述第二运算放大器OP2的正输入端连接第五MNOS晶体管NM5的漏极，负输入端经第五电容C5接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压补偿电路104的输出端。

斜波补偿电路104中， PWM和TIEM_A连接第二与非门A3的输入端，判断PWM导通时间是否大于设置时间TIME_A。若PWM导通时间小于TIME_A，则第四NMOS晶体管NM4导通，将斜波电压采样保持电路103输出的电压V_sawc传递给第四电容C4；若PWM开启时间大于TIEM_A，则在TIEM_A时间内，第四NMOS晶体管NM4导通，将斜波电压采样保持电路103输出的电压V_sawc传递给第四电容C4，在PWM开启时间大于TIME_A的时间，第四NMOS晶体管NM4关断，第五NMOS晶体管NM5导通，第四电容C4上的电压又以固定的斜率下降，电压下降的斜率受到第二电流源I2的控制。第四电容C4上产生的电压定义为V_sawd,通过第二运算放大器OP2跟随到第二运算放大器OP2的负端，定义为V_ocp,作为补偿电压输出到过功率点比较电路105。

所述过功率点比较电路105外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电压补偿电路104生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成用于关闭PWM 的逻辑电平信号，具体包括: 第二比较器COMP2，所述第二比较器COMP2的正输入端连接斜波电压补偿电路104的输出端，负输入端外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出端，输出端输出关闭PWM 的逻辑电平信号。

过功率点比较电路105中，比较斜波电压补偿电路105输出的补偿电压V_ocp和开关电源的控制电源的CS端口电压Vcs，若Vcs上升到V_ocp，则第二比较器COMP2输出信号GATE_OFF为低电平，进而关断PWM信号。

本实施例中，超高精度过功率补偿电路的工作原理为：

在高交流电压输入条件下，根据开关电源特性可知PWM导通时间短，如附图3中时序图所示，PWM导通时间为TON_B，斜波电压的V_saw峰值上升到预设固定电压值Vset的时间为TON_A，TON_B小于TON_A。上述情况下，PWM导通、ctra信号为高电平时，第一PMOS晶体管PM1导通，第一电容C1充电,生成斜波电压V_saw，V_saw经导通的第二NMOS晶体管NM2传递到第二电容C2；PWM关断时，第一NMOS晶体管NM1导通，第一电容C1断电，斜波电压V_saw被拉为零。但同时第二NMOS晶体管NM2关断，故第二电容C2上的电压在PWM关断时不会降低，会始终保持PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值电压。PWM关断时，经延时器T1产生一个100ns的TIME_B高脉冲信号，该高脉冲信号使第三NMOS晶体管NM3导通，采样到 PWM关断时的第二电容C2上的电压，传递至第三电容C3上，该电压定义为V_sawb。V_sawb通过第一运算放大器OP1跟随到第一运算放大器OP1的负端，定义为V_sawc。因TON_B小于TON_A，故第四NMOS晶体管NM4导通，V_sawc经导通的第四NMOS晶体管NM4传递到第四电容C4，该电压定义为V_sawd。V_sawd通过第二运算放大器OP2跟随到第二运算放大器OP2的负端，定义为V_ocp,作为补偿电压输出到过功率点比较电路105。其中，因TON_B小于TON_A，斜波电压V_saw峰值小于预设的固定电压Vset，ctra信号一直为高电平，斜波电压V_saw峰值只受PWM导通时间TON_B控制。补偿电压V_ocp与V_sawa、V_saw b、V_sawc相等，为PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值，小于预设固定电压值Vset，只与PWM导通时间TON_B有关，如图3时序图中前三个波形所示。

在低交流电压输入条件下，根据开关电源特性可知PWM导通时间长，如附图3中时序图所示，PWM导通时间为TON_C，斜波电压V_saw的峰值上升到预设固定电压值Vset的时间为TON_A，TON_C大于TON_A。上述情况下，PWM导通、ctra信号为高电平时，第一PMOS晶体管PM1导通，第一电容C1充电, 生成斜波电压V_saw，当斜波电压V_saw峰值上升至预设的固定电压Vset时，ctra信号变成低电平，第一PMOS晶体管PM1关断，第一电容C1上的电压保持为Vset，故V_saw峰值为Vset。Vset经导通的第二NMOS晶体管NM2传递到第二电容C2。如图3时序图中后两个波形所示。同时，当斜波电压V_saw峰值上升至预设的固定电压Vset时，ctra信号变成低电平，进而D触发器的输出端TIME_A变成高电平。此时，第四NMOS晶体管NM4关断，第五NMOS晶体管NM5导通，第四电容C4放电，第四电容C4上的电压下降，补偿电压V_ocp下降。需要注意的是放电电流源电流值需小于充电电流源电流值，保证放电斜率小于充电斜率。如图3时序图可以看出，TON_C比TON_A大的越多，则第四电容C4放电时间越长，VD电压越小，通过第二运算放大器OP2跟随过去的电压V_ocp也就越小。当PWM关断时，经延时器T1产生一个100ns的TIME_B高脉冲信号，该高脉冲信号使第三NMOS晶体管NM3导通，采样到 PWM关断时的第二电容C2上的电压，传递至第三电容C3上，该电压定义为V_sawb。V_sawb通过第一运算放大器OP1跟随到第一运算放大器OP1的负端，定义为V_sawc。因PWM关断，故第四NMOS晶体管NM4导通，V_sawc经导通的第四NMOS晶体管NM4传递到第四电容C4，该电压定义为V_sawd。V_sawd通过第二运算放大器OP2跟随到第二运算放大器OP2的负端，定义为V_ocp,作为补偿电压输出到过功率点比较电路105。其中,斜波电压V_saw峰值为预设的固定电压Vset，故补偿电压V_ocp为PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值，即Vset。

这样就形成了如图3所示的曲线，TON_A为拐点。通过调整Vset电压来控制TON_A，通过调整第二电流源I2的电流控制下降斜率，就能非常精确地实现不同交流输入条件下的过功率点。

上述描述可知，在高交流电压输入条件下的Vocp电压数值低于在低交流电压输入条件下的电压数值，将该Vocp电压作为变压器初级线圈峰值电流的阈值电压，通过过功率点比较电路105与开关电源的控制单元的CS端口电压相比较，获得GATE_OFF信号，当发生过功率保护时，GATE_OFF触发关断PWM信号。从而实现在高交流电压输入条件下变压器初级线圈峰值电流的阈值电压低，低交流电压输入条件下变压器初级线圈峰值电流的阈值电压高，合理地改变不同输入电压下的变压器初级线圈峰值电流的阈值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响，避免了高输入电压时系统过功率保护点过大带来的危害。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (6)

1.一种超高精度过功率补偿电路，其特征在于，包括：斜波电压发生器电路，时间参数设置电路，斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路；

所述斜波电压发生器电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的斜波电压；

所述时间参数设置电路，与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于比较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电路，同时，根据比较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路；

所述斜波电压采样保持电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于对PWM信号导通时产生的斜波电压峰值进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路；

所述斜波电压补偿电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过功率点比较电路电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压采样保持电路输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压；

所述过功率点比较电路，外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电压补偿电路生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM 的逻辑电平信号。

2.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压发生器电路包括第一与非门、第一非门，第一电流源、第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、和第一电容，所述第一与非门输入端分别连接PWM信号和时间参数设置电路，输出端连接第一PMOS晶体管栅极；所述第一电流源正极外接电源，负极连接第一PMOS晶体管源极；所述第一PMOS晶体管漏极经第一电容接地；所述第一非门输入端连接PWM信号，输出端连接第一NMOS晶体管栅极；所述第一NMOS晶体管源极接地，漏极连接第一PMOS晶体管漏极；所述第一PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管漏极公共端做为斜波电压发生器电路输出端，输出斜波电压到时间参数设置电路和斜波电压采样保持电路。

3.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述时间参数设置电路包括第一比较器和D触发器，所述第一比较器正输入端预设合适的固定电压值，负输入端连接斜波电压发生器电路输出端，输出端同时连接D触发器控制端和斜波电压发生器电路，输出ctra信号；所述D触发器D端外接电源，清零端连接LEB前沿消隐信号，正输出端做为时间参数设置电路输出端连接斜波电压补偿电路。

4.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压采样保持电路包括延时器、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二电容、第三电容和第一运算放大器，所述延时器输入端外接PWM信号，输出端连接第三NMOS晶体管栅极；所述第二NMOS晶体管栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生器电路输出端；所述第二NMOS晶体管源极与第三NMOS晶体管漏极均经第二电容接地；所述第三NMOS晶体管源极经第三电容接地；所述第一运算放大器正输入端连接第三NMOS晶体管源极，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压采样保持电路输出端。

5.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压补偿电路包括第二与非门，第二非门，第四NMOS晶体管，第五NMOS晶体管、第二电流源、第四电容、第五电容和第二运算放大器，所述第二与非门输入端连接PWM信号和时间参数设置电路输出端，输出端连接第四NMOS晶体管栅极；所述第四NMOS晶体管漏极连接斜波电压采样保持电路输出端，源极连接第五NMOS晶体管漏极；所述第二非门输入端连接第二与非门输出端，输出端连接第五NMOS晶体管栅极；所述第五MNOS晶体管源极经第二电流源接地，漏极经第四电容接地；所述第二运算放大器正输入端连接第五MNOS晶体管漏极，负输入端经第五电容接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压补偿电路输出端。

6.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述过功率电比较电路包括第二比较器，所述第二比较器正输入端连接斜波电压补偿电路输出端，负输入端外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出端，输出端输出用于关闭PWM 的逻辑电平信号。