CN105870309A

CN105870309A - 发光器件封装及包含该封装的照明装置

Info

Publication number: CN105870309A
Application number: CN201610083846.5A
Authority: CN
Inventors: 朱洋贤; 朴相俊
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2015-02-06
Filing date: 2016-02-06
Publication date: 2016-08-17
Anticipated expiration: 2036-02-06
Also published as: US9837588B2; CN105870309B; KR20160096847A; US20160233397A1; KR102322336B1

Abstract

实施例提供一种发光器件封装，其包含：主体；在所述主体上设置的发光器件；在所述主体和所述发光器件上设置的磷光体层；以及在所述磷光体层上设置的透镜，用于通过对从所述发光器件发出的光进行折射和反射来出射光。所述透镜包括透镜主体，并且，其中，所述透镜主体包含：侧部分；在所述透镜主体的上表面的中心的凹陷，所述凹陷具有弯曲表面；以及在所述凹陷与所述侧部分之间的边缘部分，所述边缘部分具有凸圆形的形状。

Description

发光器件封装及包含该封装的照明装置

技术领域

实施例涉及一种发光器件封装及包含该封装的照明装置。

背景技术

发光二极管(LED)是一种半导体器件，能够使用化合物半导体的特性将电转化为光以实现信号发送/接收或作为光源使用。

作为发光器件例如LED或激光二极管(LD)的核心材料，III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而受到关注。

上述LED不含对环境有害的材料，比如在常规照明设备例如荧光灯和白炽灯中所用的汞(Hg)，因此很环保，具有以下优点，诸如长的使用寿命和低功耗。因此，常规光源正在加速被LED取代。使用包含上述发光器件和设置在其上的透镜的常规发光器件封装的当前的照明装置的价格也越来越具有竞争力。因此，为了降低照明装置的价格，需要发光器件封装具有更高的效率和更宽的视角。但是，通过折射光来发光的常规发光器件会不利地导致颜色偏差和亮度偏差。同时，通过反射光来发光的常规发光器件封装不利地具有窄的光分布区域。

发明内容

实施例提供一种发光器件封装，其可以降低色光偏差和亮度偏差同时尽可能增大亮度分布区域，同时还提供一种包含该封装的照明装置。

在一个实施例中，一种发光器件封装，包括：主体；在所述主体上设置的发光器件；在所述主体和所述发光器件上设置的磷光体层；以及在所述磷光体层上设置的透镜，用于通过对从所述发光器件发出的光进行折射和反射来发光，其中，所述透镜包含透镜主体，并且，其中，所述透镜主体包含侧部分、位于所述主体上表面中心中的具有弯曲表面的凹陷；以及在所述凹陷与所述侧部分之间的具有凸圆形的边缘部分。

例如，所述透镜主体可以另外包含在所述边缘部分与所述凹陷之间的顶部部分。所述透镜可以另外包含被配置为从所述侧部分朝与光轴垂直的方向突出的突起。

例如，所述磷光体层可以设置在所述主体的整个上表面上以及所述发光器件的上表面和侧表面上。在与光轴垂直的方向上，所述透镜可以具有与所述磷光体层相同的平面区域。

例如，所述发光器件可以在与光轴垂直的方向上具有不同的水平和垂直长度。所述凹陷可以相对于光轴对称，并且可以在光轴处最薄。

例如，在所述凹陷最低顶点与从所述主体最外上表面延伸的虚拟参考表面之间的垂直距离可以在0.37mm至0.57mm的范围内。该凹陷可以具有在0.44mm至0.74mm范围的深度。该凹陷可以位于与光轴间隔距离为L/4的点所限定的区域中(这里L为透镜宽度)。该凹陷可以具有在1.0mm至5.5mm范围内的曲率半径。从所述主体的最上表面延伸的虚拟参考表面到所述透镜的最外上表面的高度可以是在0.81mm至1.11mm的范围内。从所述主体的最外上表面延伸的虚拟参考表面到所述顶部部分的高度可以是在0.81mm至1.11mm的范围内。该透镜的顶部部分可以与光轴间隔开L/4距离(此处，L为该透镜的宽度)。该L值可以是2.8mm。该边缘部分可以具有从0.1mm至0.5mm范围内的曲率半径。该侧部分可以相对于与光轴平行的垂直线倾斜10°。

该发光器件封装可以另外包含在该透镜的宽度方向上彼此间隔开的第一引线框架和第二引线框架，该发光器件可以包含第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且，第一导电半导体层和第二导电半导体层可以分别电连接至第一引线框架和第二引线框架。

在另一实施例中，一种照明装置包含上述发光器件封装以及在所述发光器件封装上方设置的光学部件。

例如，在所述光学部件与所述透镜之间的距离可以是40mm。在该光学部件处测量的所述发光器件封装的半最大值全宽可以在63mm至73mm的范围内。在该光学部件处测量的在该发光器件封装的中心与在与光轴垂直方向上与该中心间隔2.7mm的点之间的色差可以在4％至5％的范围内。

附图说明

可以参考以下附图来详细描述布置和实施例，其中，类似的附图标记指代类似的元件，其中：

图1是根据实施例所述的发光器件封装的截面图；

图2是根据该实施例所述的图1所示的发光器件的截面图；

图3是根据实施例所述的照明装置的截面图；

图4是示出根据实施例和比较例所述的发光器件封装的半最大值全宽度(半高宽，full widths at half maximum)的曲线图；

图5A和图5B是分别示出根据一个比较例的折射型发光器件封装的平面图像(plane image)的视图和视角分布的视图；

图6A和图6B是分别示出根据另一比较例的反射型发光器件封装的平面图像视图和视角分布的视图；以及

图7A和图7B是分别示出根据实施例所述的发光器件封装的平面图像视图和视角分布的视图。

具体实施方式

下文中将附图详细描述本发明示例性实施例以有助于理解本发明。但是，实施例可以以各种方式变更，并且，实施例的范围不应受限于以下描述。实施例意图给本领域技术人员提供更完整的解释。

在对于实施例的以下描述中，应理解，当将一元件称作形成在另一元件“上”或“下”时，其可以直接位于该另一元件“上”或“下”或在该两个元件之间间接形成有一个或多个中间元件。

此外，还应理解，在一元件“上”或“下”可以指在该元件向上方向和向下方向。

此外，在说明书和权利要求中所用的相对术语“第一”、“第二”、“顶部/上部/上方”、“底部/下部/下方”等可以用于将任何一物质或元件与其他物质或元件区分开，并非一定表示在物质或元件之间的任何物理关系或逻辑关系或特定次序。

图1是根据实施例所述的发光器件封装100的截面图。

图1所示的发光器件封装100可以包含主体110、发光器件120、磷光体层(或荧光物质层)130以及透镜(lens)140。

主体110可以由硅、合成树脂或金属形成。

此外，图1所示的发光器件封装100可以另外包括第一引线框架(leadframe)152和第二引线框架154。在透镜140的宽度方向上(例如，沿x轴)，第一引线框架152和第二引线框架154可以相互间隔开。第一引线框架152和第二引线框架154相互电分离(electrically separated)，并且第一引线框架152和第二引线框架154用于给发光器件120提供电力。此外，第一引线框架152和第二引线框架154可以用于反射在发光器件120中产生的光以增强照明效率，并且可以用于向外排放在发光器件120中产生的热量。

发光器件120可以被安装在主体110上。尽管发光器件120可以具有垂直接合结构(bonding structure)、水平接合结构或倒装型(flip-chip)接合结构中的任一种，但是对于发光器件120的接合结构实施例不限于此。

不论发光器件120的接合结构如何，发光器件120可以包含第一导电半导体层、有源层(active layer)和第二导电半导体层。

此外，发光器件120可以在发光二极管中来实现，并且可以包括能够发出色光(colored light)诸如红光、绿光、蓝光或白光的彩色发光二极管或能够发出紫外光的紫外发光二极管中的至少一种。

图2是根据该实施例所述的图1所示的发光器件120的截面图。

图2所示的发光器件120是水平接合结构的一个实例。图2所示的发光器件120可以包括基板121、发光结构122以及第一电极123A和第二电极123B。

基板121可以包括导电材料或非导电材料。例如，基板121可以包含蓝宝石(Al₂O₃)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga₂O₃、GaAs或Si中的至少一种。

发光结构122可以包含在基板121上按顺序堆叠的第一导电半导体层122A、有源层122B和第二导电半导体层122C。

第一导电半导体层122A可以设置在基板121上，并且可以由例如掺杂有第一导电掺杂物的III-V或II-VI族化合物半导体形成。当第一导电半导体层122A是n型半导体层时，第一导电掺杂物可以是n型掺杂物并且可以包括Si、Ge、Sn、Se或Te，但不限于此。

例如，第一导电半导体层122A可以包含具有Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)成分的半导体材料。第一导电半导体层122A可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的任意一种或多种。

有源层122B设置在第一导电半导体层122A与第二导电半导体层122C之间，并且是这样的一层：在该层中，通过第一导电半导体层122A注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层122C注入的空穴(或电子)彼此相遇以发出具有由有源层122B的组成材料的固有能带确定的能量的光。有源层122B可以形成为单阱结构(single-well structure)、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子点结构或量子线结构中的至少一种结构。

有源层122B可以包括具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的任意一种或多种的对结构(pair structure)的阱层和势垒层，但不限于此。该阱层可以由具有比该势垒层的带隙能量更低的带隙能量的材料形成。

导电包覆层(conductive clad layer)(未示出)可以形成在有源层122B的上方和/或下方。该导电包覆层可以由具有比有源层122B的势垒层具有更高的带隙能量的半导体形成。例如，该导电包覆层可以包括GaN、AlGaN、InAlGaN或超晶格结构(ultra-lattice structure)。此外，该导电包覆层可以掺杂有n型或p型掺杂物。

第二导电半导体层122C可以设置在有源层122B上，并且可以由半导体化合物形成。第二导电半导体层122C可以由例如III-V或II-VI族化合物半导体形成。例如，第二导电半导体层122C可以包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)成分的半导体材料。第二导电半导体层122C可以掺杂有第二导电掺杂物。当第二导电半导体层122C是p型半导体层时，第二导电掺杂物可以是p型掺杂物，并且，可以包括例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。

第一导电半导体层122A可以实施为n型半导体层，并且，第二导电半导体层122C可以实施为p型半导体层。或者，第一导电半导体层122A可以实施为p型半导体层，第二导电半导体层122C可以实施为n型半导体层。

发光结构122可以实施为选自n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构中的任意一种。

第一电极123A和第二电极123B中的每一个可以由铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)或金(Au)中的至少一种形成，并且可以形成为单层结构或多层结构。

第一电极123A可以经由第一导线124A电连接至第一引线框架152，第二电极123B可以经由第二导线124B电连接至第二引线框架154。在图1中，第一导线124A和第二导线124B未示出。

此外，尽管发光器件120在图1中被示为设置在第二引线框架154上，但实施例不限于此。也就是说，在其他实施例中，发光器件120可以设置在第一引线框架152上，并且可以形成在第一引线框架152和第二引线框架154的上方，或者可以设置在主体110上。

此外，发光器件120的水平长度和垂直长度可以彼此不同或彼此相同。发光器件120的水平长度指的是沿与光轴LX(例如y轴)垂直的x轴的长度，发光器件120的垂直长度指的是沿与光轴LX垂直的z轴的长度。或者，发光器件120的水平长度指的是沿与光轴LX垂直的z轴的长度，发光器件120的垂直长度指的是沿与光轴LX垂直的x轴的长度。

同时，再次参看图1，磷光体层130设置在主体110和发光器件120的上方。更具体地，磷光体层130可以设置在主体110的整个上表面上以及发光器件120的上表面和侧表面上。磷光体层130可以具有共形的形式(conformalform)。也就是说，磷光体层130的厚度在主体110上以及在发光器件120的上表面和侧表面上是均匀的。

此外，透镜140在与光轴LX(例如x轴或y轴)垂直的方向的平面面积可以与磷光体层130的平面面积相同。

此外，磷光体层130可以包括磷光体(或磷光材料)，并且所述磷光体可以改变从发光器件120发出的光的波长。尽管所述磷光体可以选自YAG系(YAG-based)、TAG系、硅酸盐系、硫化物系和氮化物系的波长改变材料，能够将从发光器件120产生的光改变为白光，但是对于磷光体的种类本实施例不限于此。

所述YAG系和TAG系的磷光体可以选自(Y,Tb,Lu,Sc,La,Gd,Sm)3(Al,Ga,In,Si,Fe)5(O,S)12:Ce，并且，所述硅酸盐系的磷光体可以选自(Sr,Ba,Ca,Mg)2SiO4:(Eu,F,Cl)。

此外，所述基于硫化物的磷光体可以选自(Ca,Sr)S:Eu和(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu，并且，所述基于氮化物的磷光体可以选自(Sr,Ca,Si,Al,O)N:Eu(例如CaAlSiN4:Euβ–SiAlON:Eu)或基于Ca-αSiAlON:Eu系的(Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16(这里,M是Eu、Tb、Yb或Er中的至少一种,0.05<(x+y)<0.3,0.02<x<0.27且0.03<y<0.3)。

红光磷光体可以是氮化物系的含氮磷光体，例如(CaAlSiN3:Eu)。与硫化物系的磷光体相比，氮化物系的红光磷光体在抵抗对于诸如热量和潮湿等外部环境具有更高的可靠性并且变色的可能性也降低。

同时，透镜140设置在磷光体层130上，并用于折射和反射从发光器件120发出的光以向外发出光。

透镜140可以包括透镜主体B和突起(或凸缘)F。该主体可以包含侧部分S、凹陷RE、顶部部分T和边缘部分E。

凹陷Re可以位于透镜主体B的上表面的中心中。也就是说，凹陷RE的最低顶点AP可以位于光轴LX上。这里，凹陷RE可以相对于光轴LX对称。也就是说，凹陷RE可以具有在x或z轴中的至少一个方向上相对于光轴LX对称的截面形状。这里，凹陷RE的平面形状也可以相对于光轴LX对称。此外，凹陷RE可以包含弯曲表面或平坦表面。

侧部分S可以相对于与光轴LX平行的垂直线VL倾斜，或者可以形成为与垂直线VL平行。

顶部部分T可以位于边缘部分E与凹陷RE之间，并且可以视情况省略。

尽管边缘部分E可以位于顶部部分T与侧部分S之间，但是实施例不限于此。当顶部部分T省略时，边缘部分E可以位于凹陷RE与侧部分S之间。此外，尽管边缘部分E可以具有凸圆形的截面形状，但是对于边缘部分E的截面形状实施例不限于此。

此外，突起F可以沿与光轴LX垂直的方向(例如，沿x轴或z轴中的至少一者)从透镜主体B的侧部分S突起。

此外，尽管透镜140可以在光轴LX处最薄，但是实施例不限于此。此处，透镜140在光轴LX处的厚度对应于在透镜140的凹陷RE的最低顶点AP与磷光体层130之间的距离。

根据上述实施例所述的发光器件封装100可以应用于各个领域。例如，发光器件封装100可以应用于照明装置，例如背光单元、发光单元、指示器装置、灯具和街灯。

下文将参考图3详细描述根据一实施例所述的照明装置。

图3是根据一实施例所述的照明装置200的截面图。

图3所示的照明装置200可以包含发光器件封装100、电路板210和光学部件220。这里，发光器件封装100与在图1中所示的发光器件封装100相同，并且因此用相同的附图标记来指示，相关重复描述也会省略。

发光器件封装100可以安装在电路板210上。电路板210可以形成有电极图案，该电极图案将用于供电的适配器与发光器件封装100相互连接。

例如，碳纳米管电极图案可以形成在电路板210的上表面上以将发光器件封装100与该适配器相互连接。

电路板210可以是印刷电路板(PCB)，其由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或硅(Si)组成，并且，设置有多个发光器件封装100，并且可以形成为膜形状。

此外，电路板210可以选自单层PCB、多层PCB、陶瓷板、金属芯PCB等。

光学部件220可以设置在发光器件封装100的上方。光学部件220可以与发光器件封装100间隔开第一规定距离d1。此处，第一规定距离d1可以定义为从光学部件220的下表面22到发光器件封装100的上表面的距离。在光学部件220与电路板210之间的间隔可以填充以空气，或者可以填充以导光板(未示出)。当在光学部件220与电路板210之间的间隔被填充以空气时，第一规定距离d1可以被称作气隙。

光学部件220可以形成为单层或多层，并且可以在可以最上层上或任一层的表面上设置外凸和内凹图案。该外凸和内凹图案可以采取沿发光器件封装100布置的条带形式。

视情况，光学部件220可以由至少一片形成。例如，光学部件220可以选择性地包含例如扩散片、棱镜片和亮度增强片。该扩散片可以用于对从发光器件封装100发出的光进行扩散，并且可以在其上表面上形成有外凸和内凹图案以增强扩散效果。该棱镜片用于将经扩散的光引导到出射区域。亮度增强片用于增强亮度。

下文中将参考附图详细描述根据比较例所述的发光器件封装和根据实施例所述的发光器件封装。

在根据比较例所述的反射型发光器件封装的情况中，从发光器件发出的光可以经透镜反射并在与光轴垂直的方向中出射。此外，在根据比较例所述的折射型发光器件封装的情况中，从发光器件发出的光可以经透镜折射并被出射到该透镜的顶部部分和侧部分。

与折射型发光器件封装相比，比较例的反射型发光器件封装具有较少的色差和亮度偏差，但是具有窄的亮度分布区域。也就是说，与反射型发光器件封装相比，比较例的折射型发光器件封装具有更宽的亮度分布区域，但是会导致色差和亮度偏差。

为了解决各个比较例中的反射型发光器件封装和折射型发光器件封装的问题，根据实施例所述的发光器件封装100可以被配置为使得透镜140对从发光器件120出射的光进行反射和折射。因此，与根据比较例所述的反射型发光器件封装相比，根据实施例所述的发光器件封装100可以具有更宽的亮度分布区域，并且与根据另一比较例所述的折射型发光器件封装相比，根据实施例所述的发光器件封装100可以具有较少的色差和亮度偏差。

下文中将参考图1所示实例描述根据实施例所述的反射型兼折射型发光器件封装100的特性，其被设计为比根据一比较例所述的反射型发光器件封装具有更宽的亮度分布区域，并且比根据另一比较例所述的折射型发光器件封装具有更少的色差和亮度偏差。

当从凹陷RE的最低顶点AP到自透镜主体B的最外上表面112延伸的虚拟参考表面RS之间的垂直距离T1增加时，亮度分布也会增加，并且亮度分布增加的程度会随着曲率的效应而增加。垂直距离T1可以在0.37mm至0.57mm的范围内，例如，0.47mm。

此外，从主体110的最外上表面112延伸的虚拟参考表面RS到透镜140最上表面142之间的高度H可以在0.81mm至1.11mm的范围内。此处，最上表面142可以位于顶部部分T中。因此，从主体110最外上表面112延伸的虚拟参考表面RS到顶部部分T的垂直高度可以在0.81mm至1.11mm的范围内。

凹陷RE的深度D可以通过从高度H中减去垂直距离T1来计算，并且，可以在从0.44mm至0.74mm的范围内，例如，0.49mm。

此外，凹陷RE可以位于位置x1与x2之间，位置x1和位置x2分别与光轴LX的中心(x＝0)间隔开第二规定距离d21和d22。此处，第二规定距离d21和d22可以通过以下方程式1来表示。第二一规定距离d21和第二二规定距离d22可以是相同的。

方程式1

d 2 = \frac{L}{4}

此处，d2表示第二规定距离d21和d22中的任一者，并且，L是透镜140的总宽度并且可以由以下方程式2来表示。

方程式2

L＝L1+2XL2

此处，L1可以是透镜主体B的宽度，L2可以是突起F的突出长度。例如，L1可以是2.8mm，L2可以是0.1mm，L可以是3.0mm。

当透镜140的总体宽度L为3mm时，凹陷RE可以位于与透镜140中心(x＝0)间隔开0.75mm的位置(x＝0.75)之间。也就是说，x1可以是-0.75并且x2可以是0.75。透镜140的顶部部分T与光轴LX(x＝0)间隔第二规定距离d2，如方程式1所表示。因此，顶部部分T可以与透镜140的中心(x＝0)间隔开0.75mm或0.75mm以上。

此外，当凹陷RE的第一曲率半径R1增加时，反射到透镜140中的光的比例也会增加，从而导致亮度分布、色差和亮度偏差的减少。反之，当凹陷RE的第一曲率半径R1减少时，反射到透镜140中的光的比例会减少，从而导致亮度分布、色差和亮度偏差的增加。当第一曲率半径R1为平坦时例如大于5.5mm时，亮度分布可以减少到62mm而色差可以减少3％或小于3％。考虑到以上因素，为了将色差和亮度偏差最小化同时尽可能拓宽亮度分布，凹陷RE的第一曲率半径R1可以是在1.0mm至5.5mm的范围内，例如，1.5mm。

此外，边缘部分E的第二曲率半径R2可以通过用于制造透镜140的射出成型工艺来决定。例如，边缘部分E的第二曲率半径R2可以在0.1mm至0.5mm的范围内，例如，0.1mm。

此外，侧部分S可以相对于与光轴LX平行的垂直线VL倾斜10°的角度θ。当倾斜角度θ为10°以下时，亮度分布的改善会很有限。当倾斜角度θ为10°以上，亮度分布会减少。

下文将参考附图描述根据实施例所述的包含具有上述特征的发光器件封装100的照明装置200的色差、亮度偏差和亮度分布，并将其与根据一比较例所述的反射型发光器件封装和根据另一比较例所述的折射型发光器件封装进行了比较。

此处，使用水平长度为1050mm且垂直长度为580mm的发光器件120，并且，是在光学部件220与发光器件封装100间隔第一规定距离d140mm的情况对视角进行了测量，这是因为为了解照明分布所需的透镜140的视角可以具有各种圆形和心形形状中的任何一种。此外，在如图3所示的在光学部件220上的两个点P1和P2处测量色差和半最大值全宽度(FWHM)。此处，第一点P1是在x轴负方向上与光轴LX间隔第三规定距离d3的点，第二点P2是在x轴正方向上与光轴LX间隔第四规定距离d4的点。第三规定距离d3和第四规定距离d4均设置为2.7mm。

下文首先将描述亮度分布。该亮度分布可以通过半最大值全宽(FWHM)和视角来了解。

图4是根据实施例和比较例所述的发光器件封装的半最大值全宽的曲线图。水平轴表示与宽度方向对应的沿x轴的距离，垂直轴表示光的归一化强度。

参见图4，对根据实施例所述的发光器件封装100的FWHM 306进行了测量，并发现其大于根据一比较例所述的反射型发光器件封装的FWHM 302，并且小于根据另一比较例所述的折射型发光器件封装的FWHM 304。因此，可以了解，根据实施例所述的发光器件封装100的亮度分布区域宽于根据一比较例所述的反射型发光器件封装的亮度分布区域，但是窄于根据另一比较例所述的折射型发光器件封装的亮度分布区域。

更具体地，如图3所示的在光学部件220处测量的根据一比较例所述的折射型发光器件封装的FWHM为81mm，根据另一比较例所述的反射型发光器件封装的FWHM为52mm，而根据实施例所述的发光器件封装的FWHM可以在63mm至73mm的范围内，例如，68mm。

图5A和图5B分别示出根据一比较例所述的折射型发光器件封装的平面图像和视角分布的视图。

图6A和图6B分别示出根据另一比较例所述的反射型发光器件封装的平面图像和视角分布的视图。

图7A和图7B分别图示根据实施例所述的发光器件的平面图像和视角分布。

考虑到根据图7A所示的根据实施例所述的发光器件封装的出射图像，可以了解，其亮度分布区域窄于图5A所示的根据一比较例所述的折射型发光器件封装的亮度分布区域，但是宽于图6A所示的根据另一比较例所述的反射型发光器件封装的亮度分布区域。

接下来，将描述亮度偏差，也就是说亮度均匀性。

在图5B、图6B和图7B所示的各个曲线图中，水平轴表示角度，而垂直轴表示光的强度。此外，图5B、图6B和图7B分别表示沿着发光器件的长轴(major axis)的视角分布312、322和332，以及沿着发光器件短轴(minor axis)的视角分布314、324和334。

可以了解，在图7B所示的根据实施例所述的发光器件封装100的沿长轴332和短轴334的亮度分布要优于在图5B所示的根据一比较例所述的折射型发光器件封装的沿长轴312和短轴314的亮度分布。根据实施例所述的发光器件封装的亮度分布可以具有97％的极高值。

接下来，将描述色差。

根据一比较例所述的折射型发光器件封装的色差为约14％，根据另一比较例所述的反射型发光器件封装的色差为约3％。另一方面，在光学部件220处测量的在根据实施例所述的发光器件封装100的中心(x＝0)与和该中心间隔2.7mm的点P1和P2之间的色差在4％至5％的范围内，例如约4％。色差百分值被定义为在色温中的比例变化。例如，当色温为3000K且色差为3％时，这表示发生了90K的色差。

如上所述，可以了解，根据实施例所述的发光器件封装的色差要小于根据一比较例所述的折射型发光器件封装的色差，大于根据另一比较例所述的反射型发光器件封装的色差。这可以在图5A、图6A和图7A中得到证实。也就是说，图7A所示的根据实施例所述的发光器件封装100的色差要小于图5A所示的根据比较例所述的发光器件封装的出射图像的色差。

结论，如上所述，与根据一比较例所述的反射型发光器件封装相比，根据实施例所述的发光器件封装具有更高的视角。这就意味着，与根据一比较例所述的发光器件封装相比，根据实施例所述的发光器件封装具有更宽的光扩散区域，即更宽的亮度分布区域。此外，与根据比较例所述的折射型发光器件封装相比，根据实施例所述的发光器件封装具有更少的色差和更少的亮度偏差。这样，根据实施例所述的发光器件封装具有根据一比较例所述的折射型发光器件封装所提供的宽亮度分布的优势以及根据另一比较例所述的反射型发光器件封装所提供的小亮度偏差和小色差的优势。也就是说，根据实施例所述的发光器件封装能够尽可能地增大亮度分布区域同时能够减小色差和亮度偏差。

此外，由于根据实施例所述的发光器件封装100具有高的视角，所以图3所示的第一规定距离d1可以减小，从而可以提供具有改进的薄型设计的照明装置200。

此外，与出射相同光量的根据比较例所述的反射型发光器件封装相比，根据实施例所述的具有高视角的发光器件封装100可以减少发光器件120的数量，从而通过降低成本来实现价格优势。

此外，根据实施例所述的发光器件封装100、透镜140和发光器件120可以彼此一体形成。因而，与透镜140和发光器件120彼此间隔开的情况相比，根据实施例所述的发光器件封装100可以达成增大的照明效率。

如上所述，由于通过折射光和反射光来出射光，根据实施例所述的发光器件封装和包含该发光器件封装的照明装置可以实现比常规折射型发光器件封装更低的色差和亮度偏差，以及比常规反射型发光器件封装更宽的亮度分布区域。

尽管已经参考多个说明性实施例描述了本发明，但是应理解，本领域技术人员可以在本发明原理精神范围内做出众多其他修改和实施例。更具体地，可以对在说明书、附图和所附权利要求书范围内的主题组合布置的组成部分和/或布置中做出各种变化和修改。除了在组成部分和/或布置中的变化和修改以外，替代使用对于本领域技术人员也是一目了然。

Claims

1.一种发光器件封装，包括：

主体；

在所述主体上设置的发光器件；

在所述主体和所述发光器件上设置的磷光体层；以及

在所述磷光体层上设置的透镜，用于通过对从所述发光器件发出的光进行折射和反射来出射光，

其中，所述透镜包括透镜主体，并且，

其中，所述透镜主体包括：

侧部分；

在所述透镜主体的上表面的中心处的凹陷，所述凹陷具有弯曲表面；以及

在所述凹陷与所述侧部分之间的边缘部分，所述边缘部分具有凸圆形的形状。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述透镜主体另外包括位于所述边缘部分与所述凹陷之间的顶部部分。

3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述透镜另外包括突起，所述突起被配置为从所述侧部分在与光轴垂直的方向上突出。

4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，在所述凹陷的最低顶点与从所述主体的最外上表面延伸的虚拟参考表面之间的垂直距离在0.37mm至0.57mm的范围内。

5.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述透镜的顶部部分与光轴间隔开L/4，其中，L为所述透镜的宽度。

6.根据权利要求1所述的发光器件封装，另外包括在所述透镜的宽度方向上彼此间隔开的第一引线框架和第二引线框架，

其中，所述发光器件包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且，

其中，所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层分别电连接至所述第一引线框架和所述第二引线框架。

7.一种照明装置，包括：

根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件封装；以及

在所述发光器件封装的上方设置的光学部件。

8.根据权利要求7所述的照明装置，其中，在所述光学部件与所述透镜之间的距离为40mm。

9.根据权利要求8所述的照明装置，其中，在所述光学部件处测量的所述发光器件封装的半最大值全宽度在63mm至73mm的范围内。

10.根据权利要求9所述的照明装置，其中，在所述光学部件处测量的在与光轴垂直的方向上所述发光器件封装的中心与和所述中心间隔2.7mm的点之间的色差在4％至5％的范围内。