CN105766592A - 人工种植石斛用的种植基质及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公布了人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;按照重量份数比计,基质A为干小麦秸秆10‑20份或干水稻秸秆10‑20份;基质B为中砂5‑10份、腐叶土10‑20份等的混合物;基质C为改性生物炭15‑25份、朽木15‑45份、膨胀珍珠岩5‑15份、松树皮10‑35份等的混合物。种植基质的制备方法为改性生物炭的制备,基质A、B、C的制备,然后叠加而成。本发明制备方法简单易懂,且本发明制备的种植基质克服了基质长期使用腐烂不透气,不保水,且成本低,营养全,更有利于铁皮石斛的生长,促使铁皮石斛茎干长得更加粗壮,根系更发达。
Description
技术领域
本发明属于种植技术领域,具体涉及人工种植石斛用的种植基质及其制备方法。
背景技术
石斛,兰科植物之一,主要分布于亚洲热带和亚热带,澳大利亚和太平洋岛屿,我国大部分分布于西南、华南、台湾等地。石斛兰的主要品种有金钗石斛、密花石斛、鼓槌石斛等。可入药,名为石斛,对人体有驱解虚热,益精强阴等疗效。随着花卉产业的兴起,石斛兰也成为了一种观赏植物。石斛兰的栽培方式一般为盆栽。由于石斛兰具有秉性刚强、祥和可亲的气质,被誉为父亲之花。石斛兰的植株由肉茎构成,粗如中指,叶如竹叶花葶从叶腋抽出,每葶有花七八朵,每花6瓣,四面散开,花瓣边均为紫色,瓣心为白色。石斛属植物为附生植物,生境独特,对小气候环境要求十分严格。多生于温凉高湿的阴坡、半阴坡微酸性岩层峭壁上,群聚分布,上有林木侧方遮阴,下有溪沟水源,冬春季节稍耐干旱,但严重缺水时常叶片落尽,裸茎渡过不良环境,到温暖季节重新萌发枝叶。常与地衣、苔藓植物以及抱石莲、伏石蕨、卷柏、石豆兰等混生。目前,人工种植石斛用的种植基质主要有树皮、木屑、水苔、泥炭土、河沙,其中最适合生长的基质为水苔、树皮和木屑。水苔藓,可以经过简单的洗涤与杀菌后即可使用,但是其价格比较高,因此导致种植生产的成本增高,让多数种植户不能接受,木屑与水苔相比在价格上具有明显优势,但木屑在使用之前需要经过发酵处理,且在种植过程中容易腐烂,需要更换。
目前,人工栽培石斛普遍多采用遮阴大棚,大棚内搭建平面苗床进行栽培。苗床一般采用钢结构、木结构或砖石结构的支架式苗床,在农业生产中,建设这类苗床的成本过高,而且易损坏,跟换或维护困难,且成活率较低,给石斛的人工栽培带来很多的困难。为此,经本发明潜心研究,开发出一种更加适合石斛生长的培养基,实验证明,效果良好。
发明内容
本发明的目的是提供人工种植石斛用的种植基质及其制备方法,制备方法简单易懂,且本发明制备的种植基质克服了基质长期使用腐烂不透气,不保水,需要更换,且成本低,营养全;基质还巧妙地通过三层叠加的方式,有针对性的对每个生长期间的提供合理的肥力,更有利于铁皮石斛的生长,促使铁皮石斛茎干长得更加粗壮,根系更发达;使用木霉菌剂添加到基质中能够抑制基质致病微生物,且配合多灵菌共同使用,提高了抑菌率。
为了实现上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;按照重量份数比计,所述基质A为干小麦秸秆20-30份和/或干水稻秸秆20-30份;
所述基质B为中砂5-8份、腐叶土3-8份、松球5-10份、刨花5-8份、杉木树皮5-10份和木霉菌剂1-3份的混合物;
所述基质C为改性生物炭10-15份、朽木5-10份、膨胀珍珠岩5-10份、松树皮3-8份、松球5-10份、葡萄落叶3-10份、陶粒5-8份和木霉菌剂1-3份的混合物;
所述基质A的厚度为2-5cm,所述基质B的厚度为2-3cm,所述基质C的厚度为2-5cm;
所述改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草25-40份、膨胀珍珠岩粉2-5份和瓜子石粉1-3份混合得到混合物后,用超声波照射3-5min,然后用红外线照射15-30s,最后于300℃-500℃条件下进行热裂解后即可得到改性生物炭。
在本发明中,作为进一步的说明,所述改性生物炭进行热裂解的过程中采用厌氧加氮的方式进行。
在本发明中,作为进一步的说明,所述热裂解的时间为5-8S。
在本发明中,作为进一步的说明,所述超声波的波长为200nm-250nm。
在本发明中,作为进一步的说明,所述朽木为半腐蚀红枣树枝、半腐蚀沃柑树枝、半腐蚀柿子树树枝和半腐蚀桂花树枝中的两种以上的混合物。
在本发明中,作为进一步的说明,所述木霉菌剂为有长枝木霉菌剂或哈茨木霉菌剂。
如上所述的人工种植石斛用的种植基质的制备方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干小麦秸秆和/或干水稻秸秆截成2-3cm长,然后使用质量浓度为5-8%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡20-25min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至1-2cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为10%-15%的多灵菌进行消毒,消毒后5-10min添加木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡5-10min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至1-2cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为30%-50%的多灵菌进行消毒,消毒后10-15min添加木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
中砂含有机物物83.77~90.44%,灰分9.56~16.23%,总氮量1.91~3.60%,易散碎,具有良好的疏水性能。
杉木树皮含主要成分蛋白质10%,脂肪10-15%,糖3-5%,水分10-15%,,其保水性、通透性良好,能为作物生长创造良好的根际环境,还可为作物提供大量养分。
腐叶土不但透气性能好,适合根系生长需要,而且具有较好的保水保肥能力;多孔隙,长期施用不板结,易被植物吸收;与其他土壤混用,能改良土壤,提高土壤肥力;富含有机质、腐殖酸和少量维生素、生长素、微量元素等,大量矿物质,以钙、钾为主,硫、磷其次;能促进植物的生长发育;分解发酵中的高温能杀死其中的病菌、虫卵和杂草种子等,减少病虫、杂草危害。
刨花富含纤维素和木质素,且具有耐湿保水的特性。
改性生物炭能显著提高土壤全N、有机碳质量分数;其富有孔隙结构,具有较大的比表面积和阳离子交换量,其不仅对有害物质有吸附作用,可以补充土壤的有机物含量,有效地保存水分和养料,还可以为菌根和细菌这些有益微生物提供生存和繁殖场所,促进特殊类群微生物的栖息生长,同时可提高养分有效性,提高土壤肥力。
膨胀珍珠岩内部为蜂窝状结构,具有良好的吸水、透气性。
松树皮含较高的N、P、K、Ca、Mg;稳定的物理特性,分解均匀、缓慢,达到长效施肥地作用,拥有很好的透气性和控制空气、水分的功效。
松球,耐腐蚀,含蛋白质15.3%,脂肪63%,碳水化物13%。
葡萄落叶富含纤维素和有机酸等多种营养物质。
陶粒含有的主要成分为氧化硅、氧化铝、氧化钙、氧化铁和氧化镁;且颗粒圆、均匀、表面粗糙、多微孔、内部孔隙发达,比表面积大,从而生物菌附着能力强,繁殖快、挂膜效率高。
本发明具有的有益效果为:
1、本发明巧妙的采用基质分层叠加设置的方式,且每层的基质依据设置的位置不同而选材不同。底层使用干小麦秸秆或干水稻秸秆,在种植铁皮石斛前期能够保证基质底部透气透风,防止基质湿度过大,造成定植的铁皮石斛根系腐烂,降低存活率,在种植后期干小麦秸秆或干水稻秸秆将被腐蚀,释放大量的粗蛋白质、粗脂肪、粗纤维、中性洗涤纤维、酸性洗涤纤维、粗灰份、钙和磷,能在铁皮石斛后期的生长提供营养成分。中层使用中砂、杉木树皮、松球、腐叶土和刨花混合物作为培养基的中层基质,杉木树皮富含有机物质,有利于友善微生物生长,且具有保水的作用,但不易疏水;腐叶土能提供大量的养分,保水保肥,但疏水性差;刨花的具有耐湿的特性,且富含纤维素和木质素,木霉菌剂还能够吸附于纤维素和木质素高的刨花上,既可以抑制有害真菌的生长,还能够促进其发酵分解释放其营养成分给铁皮石斛苗吸收;中砂疏水性好;松球不仅富含大量营养元素,疏水性也较好;采用具有大量营养元素配加具有良好疏水性能的物质的方式作为中层基质,既能保证铁皮石斛在生长中所需的营养物质,还能保证疏水性良好,有利于铁皮石斛的健康生长。上层设置有2-5CM,在开始定植铁皮石斛的时候,上层是提供营养物质的主要来源,切营养物质不能过剩,容易造成烧苗现象,直至铁皮石斛根系发达向下生长,由中层基质继续提供生长所需物质,因此,本申请人经过试验得出,选材的基质中既需要刚刚好的提供铁皮石斛初期生长所需的营养物质,又需要保水保肥利水;膨胀珍珠岩、松球均富含多种营养物质,且松球中茶皂素还有抑制有害真菌和抗氧化作用,膨胀珍珠岩硬度适应、韧性好、内部多孔,透气性,保水性能好;松树皮中的营养物质兼顾N、P、K、且稳定性好,分解均匀、缓慢,避免分解过快,使得肥力过剩,造成烧苗,混入陶粒能够增大上层基质间隙,且其表面粗糙、多微孔、内部孔隙发达,比表面积大,从而生物菌附着能力强,繁殖快、挂膜效率高,基质C的配方选材混合后,拥有孔隙度大、最大持水量良好、铁皮石斛生长所需营养物质齐全,pH值等理化指标良好,培育出的铁皮石斛茎粗壮。
2.本发明制备石斛栽培基质的方法简单,易操作,且对基质A、基质B、基质C进行消毒,降低有害菌的存活率;对水冬瓜皮和松树皮进行预脱脂处理,将有机化合物中的脂基水解掉,使水冬瓜皮和松树皮里面不含脂类,在铁皮石斛生长期间避免脂类物质阻碍铁皮石斛更好的吸收有机盐和水分,且在基质B、基质C内添加木霉菌剂,不仅能抑制有害真菌的生长,还能够促进富含木质素和纤维素的物质发酵分解释放其营养成分,有利于铁皮石斛苗吸收利用;互花米草与膨胀珍珠岩和瓜子石粉混合,先用超声照射,再用红外线照射,对混合物进行改性,在通过高温热裂解的将改性后的混合物制备成改性生物炭,且热裂解通过在无氧加氮能够在极短时间制备生成改性生物炭,大大缩短了制备的时间周期,降低了生产成本,使得制备出来的生物炭具有2400-2800m2/g的比表面积,微孔体积96%左右,微孔孔径15A-25A,拥有的比表面积大、孔径适中、分布均匀,具有很强的吸附能力和透气性。
3.本发明基质B、C配加有木霉菌剂,能够生物防治木霉生物量、抑制种植区微生态中石斛的致病微生物,减少石斛微生物病害的引发因子,且在制备基质B、C时还配加多灵菌,木霉菌剂与多灵菌配加使用,提高了抑菌率。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步说明本发明,以使本发明的优点和特征更易于被理解,应该理解的是,本发明的实施例仅仅是用于本发明,而不是对本发明的限制。
实施例1:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;基质A的厚度为2cm,所述基质B的厚度为2cm,所述基质C的厚度为2cm;
按照重量份数比计,其中,
基质A为干小麦秸秆20份;
基质B为中砂5份、腐叶土3份、松球5份、刨花5份、杉木树皮5份和长枝木霉菌剂1份的混合物;
基质C为改性生物炭10份、半腐蚀红枣树枝1份、半腐蚀沃柑树枝1份、半腐蚀柿子树树枝1份、和半腐蚀桂花树枝2份、膨胀珍珠岩5份、松树皮3份、松球5份、葡萄落叶3份、陶粒5份和长枝木霉菌剂1份的混合物;
其中,改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草25份、膨胀珍珠岩粉2份和瓜子石粉1份混合得到混合物后,用波长为200nm的超声波照射3min,然后用红外线照射15s,最后于300℃,厌氧加氮条件下进行热裂解5S后即可得到改性生物炭。
由上述配比的基质A、B、C制备成石斛栽培基质的方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干小麦秸秆和截成2cm长,然后使用质量浓度为5%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡20min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至1cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为10%的多灵菌进行消毒,消毒后5min添加长枝木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡5min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至1cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为30%的多灵菌进行消毒,消毒后10min添加长枝木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
实施例2:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;基质A的厚度为5cm,所述基质B的厚度为3cm,所述基质C的厚度为5cm;
按照重量份数比计,其中,
基质A为干小麦秸秆30份;
基质B为中砂8份、腐叶土8份、松球10份、刨花8份、杉木树皮0份和长枝木霉菌剂3份的混合物;
基质C为改性生物炭15份、半腐蚀红枣树枝2份、半腐蚀沃柑树枝2份、半腐蚀柿子树树枝3份和半腐蚀桂花树枝3份、膨胀珍珠岩10份、松树皮8份、松球10份、葡萄落叶10份、陶粒8份和长枝木霉菌剂3份的混合物;
其中,改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草40份、膨胀珍珠岩粉5份和瓜子石粉3份混合得到混合物后,用波长为250nm的超声波照射5min,然后用红外线照射30s,最后于500℃,厌氧加氮条件下进行热裂解8S后即可得到改性生物炭。
由上述配比的基质A、B、C制备成石斛栽培基质的方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干小麦秸秆截成3cm长,然后使用质量浓度为8%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡25min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至2cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为15%的多灵菌进行消毒,消毒后10min添加长枝木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡10min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至2cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为50%的多灵菌进行消毒,消毒后15min添加长枝木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
实施例3:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;基质A的厚度为3cm,所述基质B的厚度为2.5cm,所述基质C的厚度为3cm;
按照重量份数比计,其中,
基质A为干小麦秸秆22份和干水稻秸秆25份;
基质B为中砂6份、腐叶土4份、松球6份、刨花6份、杉木树皮6份和哈茨木霉菌剂2份的混合物;
基质C为改性生物炭12份、半腐蚀柿子树树枝4份和半腐蚀桂花树枝4份、膨胀珍珠岩6份、松树皮4份、松球6份、葡萄落叶4份、陶粒6份和哈茨木霉菌剂1份的混合物;
其中个,改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草28份、膨胀珍珠岩粉3份和瓜子石粉2份混合得到混合物后,用波长为200nm的超声波照射3min,然后用红外线照射20s,最后于350℃,厌氧加氮条件下进行热裂解6S后即可得到改性生物炭。
由上述配比的基质A、B、C制备成石斛栽培基质的方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干小麦秸秆和干水稻秸秆截成3cm长,然后使用质量浓度为6%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡22min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至1cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为12%的多灵菌进行消毒,消毒后6min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡6min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至1.5cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为35%的多灵菌进行消毒,消毒后12min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
实施例4:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;基质A的厚度为4cm,所述基质B的厚度为3cm,所述基质C的厚度为4cm;
按照重量份数比计,其中,
基质A为干干水稻秸秆30份;
基质B为中砂7份、腐叶土7份、松球7份、刨花7份、杉木树皮7份和哈茨木霉菌剂2份的混合物;
基质C为改性生物炭14份、半腐蚀红枣树枝3份、半腐蚀沃柑树枝4份、膨胀珍珠岩7份、松树皮5份、松球7份、葡萄落叶6份、陶粒7份和哈茨木霉菌剂3份的混合物;
其中,改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草35份、膨胀珍珠岩粉4份和瓜子石粉2份混合得到混合物后,用波长为250nm的超声波照射4min,然后用红外线照射25s,最后于400℃,厌氧加氮条件下进行热裂解7S后即可得到改性生物炭。
由上述配比的基质A、B、C制备成石斛栽培基质的方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干干水稻秸秆截成3cm长,然后使用质量浓度为8%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡24min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至2cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为14%的多灵菌进行消毒,消毒后8min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡8min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至1cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为40%的多灵菌进行消毒,消毒后13min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
实施例5:
一种人工种植石斛用的种植基质,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;基质A的厚度为5cm,所述基质B的厚度为2cm,所述基质C的厚度为5cm;
按照重量份数比计,其中,
基质A为干水稻秸秆20份;
基质B为中砂6份、腐叶土6份、松球9份、刨花7份、杉木树皮9份和哈茨木霉菌剂3份的混合物;
基质C为改性生物炭13份、半腐蚀红枣树枝4份、半腐蚀沃柑树枝3份、半腐蚀柿子树树枝2份和半腐蚀桂花树枝1份、膨胀珍珠岩9份、松树皮7份、松球9份、葡萄落叶4份、陶粒5份和哈茨木霉菌剂3份的混合物;
其中,改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草38份、膨胀珍珠岩粉3份和瓜子石粉2份混合得到混合物后,用波长为250nm的超声波照射5min,然后用红外线照射28s,最后于480℃,厌氧加氮条件下进行热裂解7S后即可得到改性生物炭。
由上述配比的基质A、B、C制备成石斛栽培基质的方法,具体步骤如下:
(1)将基质A干水稻秸秆截成2cm长,然后使用质量浓度为5%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡21min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至1cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为12%的多灵菌进行消毒,消毒后7min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡7min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至2cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为38的多灵菌进行消毒,消毒后13min添加哈茨木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
将实施例1-5制备得到的石斛栽培基质,与传统的铁皮石斛基质(松树皮、腐叶土与河沙混合后在混合物上铺盖水苔)各定植30颗铁皮石斛苗,其中定植株距与定植深度,定植铁皮石斛苗涨势均一,定植浇定根水等田间管理相同。在定植50、100、150天定点观察铁皮石斛的株高、茎粗,同时记录铁皮石斛成活率(茎干枯弯倒视为死亡);定植一年后使用五点抽样的方法采集各个种植基质种植的铁皮石斛,测定铁皮石斛地上和地下鲜重和干重,并测定根长和根数。
表1定植50、100、150天铁皮石斛株高、茎粗的均值情况表(cm)
由表1可知,通过使用本发明方法和原料制备成的石斛栽培基质对铁皮石斛的生长期间对铁皮石斛株高、茎粗,相比较于传统的基质种植而言,株高的增长率与茎干粗度增长率均有提高。
表2定植一年后铁皮石斛鲜重和干重的均值情况表(g)
由表2可知,通过使用本发明方法和原料制备成的石斛栽培基质对铁皮石斛的生长期间对铁皮石斛整株有显著增加的作用。相比较于传统的基质种植,鲜重的地上部分能提高30%以上,鲜重的地下部分能提高40%以上,干重的地上部分提高30%以上,干重的的地下部分能提高60%以上,从干重比例来看,通过使用本发明原料制备成的石斛栽培基质还对铁皮石斛的根系和根茎具有促进张壮张粗的影响,使得烘干后的干重比例下降率低,额外增加了铁皮石斛整株的经济价值。
表3定植一年后铁皮石斛根长和根数的均值情况表
处理 | 根长(cm) | 根数(根) |
实施例1 | 8.0 | 39 |
实施例2 | 8.1 | 41 |
实施例3 | 8.1 | 41 |
实施例4 | 8.2 | 42 |
实施例5 | 8.3 | 41 |
对照组 | 7.1 | 31 |
由表3可知,通过使用本发明方法和原料制备成的石斛栽培基质对铁皮石斛的生长期间对铁皮石斛根长、根数相比较于传统的基质种植而言,根长的增长率与根数增长率均有提高,根长更加长说明本发明制备的石斛栽培基质更加适合铁皮石斛根系向下生长,有利于定植后根系生长至基质A,继续吸收基质A腐烂后释放的营养物质,根数多说明本发明制备的石斛栽培基质孔隙多,通过孔隙不断生长,能充分利用各处的有利菌,使得铁皮石斛涨势更佳。
上述说明是针对本发明较佳可行实施例的详细说明,但实施例并非用以限定本发明的专利申请范围,凡本发明所提示的技术精神下所完成的同等变化或修饰变更,均应属于本发明所涵盖专利范围。
Claims (7)
1.一种人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C;按照重量份数比计,所述基质A为干小麦秸秆20-30份和/或干水稻秸秆20-30份;
所述基质B为中砂5-8份、腐叶土3-8份、松球5-10份、刨花5-8份、杉木树皮5-10份和木霉菌剂1-3份的混合物;
所述基质C为改性生物炭10-15份、朽木5-10份、膨胀珍珠岩5-10份、松树皮3-8份、松球5-10份、葡萄落叶3-10份、陶粒5-8份和木霉菌剂1-3份的混合物;
所述基质A的厚度为2-5cm,所述基质B的厚度为2-3cm,所述基质C的厚度为2-5cm;
所述改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草25-40份、膨胀珍珠岩粉2-5份和瓜子石粉1-3份混合得到混合物后,用超声波照射3-5min,然后用红外线照射15-30s,最后于300℃-500℃条件下进行热裂解后即可得到改性生物炭。
2.根据权利要求1所述的人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,所述改性生物炭进行热裂解的过程中采用厌氧加氮的方式进行。
3.根据权利要求1所述的人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,所述热裂解的时间为5-8S。
4.根据权利要求1所述的人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,所述超声波的波长为200nm-250nm。
5.根据权利要求1所述的人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,所述朽木为半腐蚀红枣树枝、半腐蚀沃柑树枝、半腐蚀柿子树树枝和半腐蚀桂花树枝中的两种以上的混合物。
6.根据权利要求1所述的人工种植石斛用的种植基质,其特征在于,所述木霉菌剂为有长枝木霉菌剂或哈茨木霉菌剂。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的人工种植石斛用的种植基质的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将基质A干小麦秸秆和/或干水稻秸秆截成2-3cm长,然后使用质量浓度为5-8%的石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;
(2)将基质B中的杉木树皮使用沸水浸泡20-25min脱脂后烘干,然后将松球和烘干后的杉木树皮分别粉碎至1-2cm,再按照重量份数比,与刨花、中砂和腐叶土混合,再使用体积浓度为10%-15%的多灵菌进行消毒,消毒后5-10min添加木霉菌剂,混匀,最后铺于基质A上方;
(3)将基质C中的松树皮使用沸水浸泡5-10min脱脂后晾干,然后将晾干后的松树皮和松球分别粉碎至1-2cm,然后按照重量份数比,与朽木、膨胀珍珠岩、葡萄落叶、陶粒和改性生物炭混合,再使用体积浓度为30%-50%的多灵菌进行消毒,消毒后10-15min添加木霉菌剂,混匀,最后铺于基质B上,即可得到人工种植石斛用的种植基质。
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