CN105759108B - 一种提高crm pfc的零电压检测回路可靠性的电路及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种提高CRM PFC的零电压检测回路可靠性的电路及电子设备，电路包括PFC控制器、第一二极管、第一电阻、第一电容、场效应管、第二电阻，第一二极管正端连接所述PFC控制器输出端、及第二电阻一端，第二电阻另一端连接第一电阻一端、第一电容一端、及场效应管的G端，第一电阻另一端连接所述第一二极管负端，所述第一电容另一端接地，所述场效应管的S端接地，所述场效应管的D端连接所述PFC控制器的零电压检测端。本发明的有益效果是：本发明解决了CRM BOOST PFC在开机时，输出电压建立过程中，由于工作在CCM状态的原因，可能产生误触发导通，使MOSFET开关管工作在异常高的频率的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种提高CRM PFC的零电压检测回路可靠性的电路及电子设备。
背景技术
目前很多Boost CRM PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)的控制IC(集成电路)，都是通过在PFC(功率因数矫正)电感上增加一个辅助绕组，辅助绕组感应的电压等于辅助绕组的匝数Ns和PFC(功率因数矫正)电感匝数Np的比值再乘以PFC(功率因数矫正)输出电压和PFC(功率因数矫正)输入电压的差，当PFC(功率因数矫正)之MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)关断时，PFC(功率因数矫正)之升压二极管导通，辅助绕组上感应的电压为正值，当PFC(功率因数矫正)之升压二极管和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管都截止时，PFC(功率因数矫正)电感和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管的Coss(金属氧化物半导体场效应晶体管之输出电容)振荡，则MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之D极的电压下降，当经过1/4振荡周期时，辅助绕组上感应的电压较低，接近于ZCD(零电压检测)检测电路的阀值电压V_zcd_th，一般将ZCD(零电压检测)检测电路的阀值电压设定在1.5V以下，而为了达到在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)振荡的谷底导通，所以辅助绕组的输出端经过RC(电阻和电容)滤波延迟，再到PFC(功率因数矫正)控制器的ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)，使PFC(功率因数矫正)控制器之ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)电压达到其阀值电压时，刚好是振荡电压的谷底，从而PFC控制器输出高电平，驱动PFC(功率因数矫正)之MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通。
目前的技术存在有如下缺陷：
(1)目前很多CRM BOOST PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)控制器，其ZCD(Zero Current Detect)(零电压检测)检测PIN(脚位)对Noise(噪声)太敏感。因为辅助绕组和PFC(功率因数矫正)电感的耦合不可能是理想的，总是存在漏感和杂散电容，所以在PFC(功率因数矫正)之MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管截止时，辅助绕组上有尖峰电压，此尖峰电压的振荡频率很高，一般达到十几兆赫兹，在某些状况下，其幅值也会很高，在开机时，PFC(功率因数矫正)输出电压建立的过程中，当PFC(功率因数矫正)输出电压稍高于输入电压时，辅助绕组感应的电压也较低，所以PFC控制器之ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压也较低，接近于其阀值电压V_zdc_th，此时，对Noise(噪声)最敏感，辅助绕组的尖峰干扰电压可能引起误触发，从而使PFC(功率因数矫正)工作在很高的频率，一般会达到1～3MHz，此时PFC(功率因数矫正)之MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管损耗太大，当其损耗超过MOSFET的单脉冲能量Eas时，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)失效。如图3所示，在PFC(功率因数矫正)开关管Q9801关断时，在辅助绕组上产生一个76V的尖峰脉冲，此尖峰脉冲做衰竭振荡，持续约300nS，如通道4所示，辅助绕组上的尖峰干扰脉冲经过R9805及C9805滤波后，在U9801之ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)上还有幅度较大的振荡尖峰脉冲，此振荡脉冲会穿越ZCD(零电压检测)检测电路的阀值电压V_zcd_th，从而产生触发信号，PFC(功率因数矫正)控制器输出高电平驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通。下一个周期将重复此现象，从而使PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管工作频率提高到2.381MHz，造成PFCMOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管瞬间损耗变大，经过多个周期后，如果损耗超过MOSFET开关管的承受能力，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管将失效。在图3中，通道1：PFC开关管Q9801的漏极电流Id_Q9801；通道2：PFC开关管Q9801的栅极电压Vgs_Q9801；通道3：PFC控制器U9801之PIN7ZCD检测PIN的电压V_zcd；通道4：PFC电感L9801之辅助绕组PIN11的电压V_aux。
(2)当开机时，PFC(功率因数矫正)输出电压建立的过程中，PFC(功率因数矫正)是工作在CCM(连续导通模式)状态的。当PFC(功率因数矫正)工作在CCM(连续导通模式)状态时，如果此时PFC(功率因数矫正)控制器输出高电平驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管，而PFC(功率因数矫正)之BOOST(升压)二极管还没有截止，则此时MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管的D极被BOOST(升压)二极管钳位在PFC(功率因数矫正)输出电容的电压上，而MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的Id(D极的电流)电流不断增大，此时MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管工作在饱和区，辅助绕组感应出正电压，其值等于辅助绕组匝数Ns和PFC(功率因数矫正)电感绕组的匝数Np的比值再乘以PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管D极的电压和PFC(功率因数矫正)输入电压的差。如果此时PFC(功率因数矫正)输出电压达到一个合适的值，辅助绕组感应的电压将大于ZCD(零电压检测)检测电压的门限阀值V_zcd_th，当辅助绕组的电压下降到低于V_zcd_th值时，将再次触发控制器输出高电压驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管TURN ON(导通)，而PFC(功率因数矫正)控制器从ZCD PIN(零电压检测脚位)检测到触发信号到输出高电平脉冲驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通有一定时间的延时，一般在100nS到200nS之间。如果延迟时间到后，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管仍然处于开通状态，则无影响；如果在此延迟期间，PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管刚好关断，则延迟时间一到，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)将再次导通，从而使MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)工作在异常高的频率。
如图5所示，通道1是ZCD(零电压检测)检测信号，其ZCD(零电压检测)检测电路的阀值控制是用一个迟滞比较器来实现的，ZCD PIN(零电压检测脚位)的电压先上升到超过1.5V，再从1.5下降到1.4V以下时，产生一个触发信号。从图示中可以看出，当通道4(PFC(功率因数矫正)开关管Q9801的栅极电压)变为高电平时，通道3(Q9801的Vds电压)仍然维持高电平，与此同时，通道1的ZCD检测PIN电压上升，并且升到超过1.5V；当PFC(功率因数矫正)升压二极管D9801截止时，Q9801的Vds电压下降，与此同时ZCD(零电压检测)检测PIN的电压也下降，当ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)电压下降到低于1.4V时，产生一个触发脉冲；而Q9801漏极的Id电流也顶到PFC控制器所设定的最大电流值，从而关断Q9801，Q9801之栅极电压变低；而当Q9801之栅极电压刚刚变低几十纳秒时，ZCD(零电压检测)触发脉冲延迟时间到，PFC控制器输出高电平驱动MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通，如图示中的通道4电压由低变高。下一周期重复以上动作，这样PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管的工作频率达到2.551MHz，此时MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管损耗很大，持续一段时间后将引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管失效。在图5中，通道1：PFC控制器U9801之PIN7ZCD检测PIN的电压V_zcd；通道2：PFC开关管Q9801的漏极电流Id_Q9801；通道3：PFC开关管Q9801的漏极电压Vds_Q9801；通道4：PFC开关管Q9801的栅极电压Vgs_Q9801。
如图1所示，是目前典型的BOOST CRM PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)控制器的方框图，其IC(集成电路)内部ZCD(零电压检测)检测电路是利用一个迟滞比较器对ZCD PIN(零电压检测脚位)电压及IC(集成电路)内部的基准电压进行比较再去控制一个触发器再驱动输出电路，且在ZCD PIN(零电压检测脚位)的输入端做过压限制及低压钳位。
从电路框图可以看出，不管PFC(功率因数矫正)的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管工作在开通状态还是截止状态，ZCD(零电压检测)检测电路的检测结果都有效，经过IC(集成电路)内部逻辑电路的延迟再驱动输出。
如“目前技术的缺陷(2)”所述，在CRM BOOST PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)开机过程中，有相当一段时间工作在CCM(连续导通模式)状态，而此期间当MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管开通时，PFC(功率因数矫正)电感之辅助绕组会感应正电压，且当PFC(功率因数矫正)输出电压和输入电压的压差合适时，辅助绕组的电压会超过ZCD(零电压检测)检测的门限阀值电压V_zcd_th，当此电压再下降到V_zcd_th以下时，ZCD(零电压检测)检测的迟滞比较器会产出触发信号，从而使PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管再次导通，从而工作在异常高的频率，损耗增大，持续一段时间后失效。
另外，如“目前技术的缺陷(1)”所述，在PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管关断时，也会在辅助绕组上产生较大的尖峰电压，此尖峰电压也会使ZCD(零电压检测)检测电路产生误触发信号，从而PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管工作在异常高的频率，损耗增大，持续一段时间后失效。
发明内容
本发明提供了一种提高CRM PFC的零电压检测回路可靠性的电路，包括PFC控制器、第一二极管、第一电阻、第一电容、场效应管、第二电阻，所述第一二极管正端连接所述PFC控制器输出端、及第二电阻一端，所述第二电阻另一端连接所述第一电阻一端、所述第一电容一端、及所述场效应管的G端，所述第一电阻另一端连接所述第一二极管负端，所述第一电容另一端接地，所述场效应管的S端接地，所述场效应管的D端连接所述PFC控制器的零电压检测端。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括第三电阻、第四电阻、整流桥、PFC的电感、升压二极管，所述电感的1&2端连接所述整流桥的1脚，所述电感的7&8端连接所述升压二极管正端，所述电感的10脚接地，所述电感的11脚连接所述第三电阻和所述第四电阻公共端。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括MOSFET开关管、第五电阻、第六电阻、第二二极管、第七电阻，MOSFET开关管的S极连接所述第五电阻的一端，第五电阻的另一端接地，所述MOSFET开关管的D极连接所述升压二极管的正端及电感的7&8端，所述MOSFET开关管的G极连接所述第六电阻的一端及第二二极管的正端，第二二极管的负端连接第七电阻的一端，所述第七电阻的另一端和第六电阻的另一端及PFC控制器的输出端。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括PFC的输出电容，所述升压二极管正端与所述MOSFET开关管的D极连接，所述升压二极管的负端与所述PFC的输出电容的正端相连，所述PFC的输出电容的负端接地。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括旁路二极管，所述旁路二极管正端与所述整流桥的1脚相连，所述旁路二极管负端连接所述PFC的输出电容的正端。
作为本发明的进一步改进，所述PFC控制器的零电压检测端连接所述第三电阻的一端及所述场效应管的D端，所述第三电阻的另一端连接所述电感的11脚，所述场效应管的S端接地，所述场效应管的G端和所述第一电容的一端、所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端相连。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括第二电容，所述PFC控制器的零电压检测端连接所述第三电阻的一端、第二电容的一端及所述场效应管的D端，所述第二电容的另一端接地。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括PFC的输入滤波薄膜电容，所述输入滤波薄膜电容一端接地，所述输入滤波薄膜电容另一端和所述整流桥的1脚相连。
作为本发明的进一步改进，该电路还包括第四电容，所述电感的4脚接地，所述电感的2、3脚分别与所述第四电容两端连接。
本发明还提供了一种电子设备，该电子设备包括本发明所述的提高CRM PFC的零电压检测路可靠性的电路。
本发明的有益效果是：本发明通过从PFC控制器输出端引出驱动信号去控制ZCD检测PIN的电压，当PFC之MOSFET开关管导通时，将ZCD检测PIN的电压拉低，从而使ZCD检测PIN的电压在MOSFET开关管导通期间不会产生误触发信号，从而解决了CRM BOOST PFC在开机时，输出电压建立过程中，由于工作在CCM状态的原因，可能产生误触发导通，使MOSFET开关管工作在异常高的频率的问题。
附图说明
图1是目前典型的BOOST CRM PFC控制器的方框图。
图2是本发明的电路图，由于图2过大，所以将图2折分为三部分显示，分别为图2-1、图2-2、图2-3，其中图2-1居中，图2-2居左、图2-3居右。
图3是目前技术中的测试波形图。
图4是本发明的电路的测试波形图。
图5是目前技术中的测试波形图。
具体实施方式
如图2所示，本发明公开了一种提高CRM PFC的零电压检测回路可靠性的电路，包括PFC控制器U9801、第一二极管D9209、第一电阻R9821、第一电容C9813、场效应管Q9205、第二电阻R9822，所述第一二极管D9209正端连接所述PFC控制器U9801输出端、及第二电阻R9822一端，所述第二电阻R9822另一端连接所述第一电阻R9821一端、所述第一电容C9813一端、及所述场效应管Q9205的G端，所述第一电阻R9821另一端连接所述第一二极管D9209负端，所述第一电容C9813另一端接地，所述场效应管Q9205的S端接地，所述场效应管Q9205的D端连接所述PFC控制器U9801的零电压检测端。
图2由图2-1、图2-2、图2-3构成，其中，通过连接点PP1和连接点PP2将图2-1和图2-2拼接在一起，通过连接点PP3和连接点PP4将图2-1和图2-3拼接在一起。
PFC控制器U9801输出端是指图2中的U9801的OUT端，即U9801的7脚。
PFC控制器U9801的零电压检测端是指图2中的U9801的ZCD端，即U9801的5脚。
该电路还包括第三电阻R9805、第四电阻R9802、整流桥BD9901、PFC的电感L9801、升压二极管D9801，所述电感L9801的1&2端连接所述整流桥BD9901的1脚，所述电感L9801的7&8端连接所述升压二极管D9801正端，所述电感L9801的10脚接地，所述电感L9801的11脚连接所述第三电阻R9805和所述第四电阻R9802公共端。
该电路还包括MOSFET开关管Q9801、第五电阻R9801、第六电阻R9808、第二二极管D9803、第七电阻R9807，MOSFET开关管Q9801的S极连接所述第五电阻R9801的一端，第五电阻R9801的另一端接地，所述MOSFET开关管Q9801的D极连接所述升压二极管D9801的正端及电感L9801的7&8端，所述MOSFET开关管Q9801的G极连接所述第六电阻R9808的一端及第二二极管D9803的正端，第二二极管D9803的负端连接第七电阻R9807的一端，所述第七电阻R9807的另一端和第六电阻R9808的另一端及PFC控制器U9801的输出端。
该电路还包括PFC的输出电容C9803，所述升压二极管D9801正端与所述MOSFET开关管Q9801的D极连接，所述升压二极管D9801的负端与所述PFC的输出电容C9803的正端相连，所述PFC的输出电容C9803的负端接地。
该电路还包括旁路二极管D9802，所述旁路二极管D9802正端与所述整流桥BD9901的1脚相连，所述旁路二极管D9802负端连接所述PFC的输出电容C9803的正端。
所述PFC控制器U9801的零电压检测端连接所述第三电阻R9805的一端及所述场效应管Q9205的D端，所述第三电阻R9805的另一端连接所述电感L9801的11脚，所述场效应管Q9205的S端接地，所述场效应管Q9205的G端和所述第一电容C9813的一端、所述第一电阻R9821的一端及所述第二电阻R9822的一端相连。
该电路还包括第二电容C9805，所述PFC控制器U9801的零电压检测端连接所述第三电阻R9805的一端、第二电容C9805的一端及所述场效应管Q9205的D端，所述第二电容C9805的另一端接地。
该电路还包括PFC的输入滤波薄膜电容C9801，所述输入滤波薄膜电容C9801一端接地，所述输入滤波薄膜电容C9801另一端和所述整流桥BD9901的1脚相连。
该电路还包括第四电容C9902，所述电感L9801的4脚接地，所述电感L9801的2、3脚分别与所述第四电容C9902两端连接。
MOSFET开关管Q9801中的MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管。
本发明通过图2中虚线框内的电路可以很好地解决目前技术中的两个问题。当PFC(功率因数矫正)控制器U9801的PIN7(OUT PIN)输出高电平时，经过第一二极管D9209及第一电阻R9821对第一电容C9813及场效应管Q9205的GS结电容充电，当第一电容C9813上的电压超过场效应管Q9205的门限电压时，场效应管Q9205导通，并将PFC控制器U9801的PIN5(ZCD PIN(零电压检测脚位))拉低。则如“目前技术问题及缺陷描述(2)”所述的问题不会再出现了。
当PFC(功率因数矫正)控制器U9801的PIN7(OUT PIN)输出低电平时，第一电容C9813上的电压经过第二电阻R9822对PFC控制器U9801的PIN7放电，调节第二电阻R9822的阻值，可以控制第一电容C9813的放电速度，使场效应管Q9205慢慢截止，从而吸收掉PFCMOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管Q9801截止时辅助绕组所感应的尖峰干扰电压，并且在这一段时间内ZCD PIN(零电压检测脚位)的电压较低，抗干扰电压的裕度也增大，从而有效地降低了ZCD(零电压检测)检测电路对辅助绕组上感应的干扰电压的敏感性，提高了产品的性赖性。
增加本发明电路后，测试波形如图4所示，在该波形图中，当MOSFET开关管Q9801的栅栏极驱动信号从高电平变为低电平时(图示中的通道2)，MOSFET开关管Q9801截止，Id(D极的电流)电流下降(如图示中的通道1)，从而PFC(功率因数矫正)电感L9801的辅助绕组上感应产生衰竭振荡的尖峰脉冲，其幅值达76V，而MOSFET开关管Q9801的栅极驱动信号由高电平变低电平后，第一电容C9813上的电荷也通过第二电阻R9822放电，在第一电容C9813上的电压下降到场效应管Q9205的门限电压之前，场效应管Q9205保持导通状态，将PFC控制器U9801的ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压拉低，从而吸收掉ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)上的干扰尖峰脉冲，调节第二电阻R9822的阻值，可以调节场效应管Q9205延迟关断的时间；当辅助绕组上衰竭振荡的尖峰脉冲过后，场效应管Q9205截止，ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压恢复。而在场效应管Q9205延迟导通期间，恰好是PFC(功率因数矫正)升压二极管D9801导通，ZCD(零电压检测)检测只有在MOSFET开关管Q9801和升压二极管D9801都关断时才是有用的检测信号，所以场效应管Q9205的延迟不影响正常工作。
在图4中，通道1：PFC开关管Q9801的漏极电流Id_Q9801；通道2：PFC开关管Q9801的栅极电压Vgs_Q9801；通道3：PFC控制器U9801之PIN7ZCD检测PIN的电压V_zcd；通道4：PFC电感L9801之辅助绕组PIN11的电压V_aux。
本发明还公开了一种电子设备，该电子设备包括本发明所述的提高CRM PFC的零电压检测路可靠性的电路。
本发明通过从PFC(功率因数矫正)控制器输出端引出驱动信号去控制ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压，当PFC(功率因数矫正)之MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通时，将ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压拉低，从而使ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通期间不会产生误触发信号，从而解决了CRM BOOST PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)在开机时，输出电压建立过程中，由于工作在CCM(连续导通模式)状态的原因，可能产生误触发导通，使MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管工作在异常高的频率的问题。
本发明通过在PFC MOSFET(功率因数矫正金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管导通期间将ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压拉低，且在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管截止后，ZCD(零电压检测)信号恢复期间加入延迟，从而吸收掉在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关管截止时辅助绕组上所感应的尖峰电压；调节RC(电阻和电容)，可以调节ZCD PIN(零电压检测脚位)电压从被拉低到上升到其门限阀值电压的时间，选择适当的值，也可以避开辅助绕组Noise(噪声)电压较大的瞬间。从而彻底解决CRM PFC(升压型临界导通模式功率因数矫正)控制器之ZCD(零电压检测)检测PIN(脚位)的电压对辅助绕组Noise(噪声)敏感的问题。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种提高CRM PFC的零电压检测回路可靠性的电路，其特征在于：包括PFC控制器（U9801）、第一二极管（D9209）、第一电阻（R9821）、第一电容（C9813）、场效应管（Q9205）、第二电阻（R9822），所述第一二极管（D9209）正端连接所述PFC控制器（U9801）输出端、及第二电阻（R9822）一端，所述第二电阻（R9822）另一端连接所述第一电阻（R9821）一端、所述第一电容（C9813）一端、及所述场效应管（Q9205）的G端，所述第一电阻（R9821）另一端连接所述第一二极管（D9209）负端，所述第一电容（C9813）另一端接地，所述场效应管（Q9205）的S端接地，所述场效应管（Q9205）的D端连接所述PFC控制器（U9801）的零电压检测端；
该电路还包括第三电阻（R9805）、第四电阻（R9802）、整流桥（BD9901）、PFC的电感（L9801）、升压二极管（D9801），所述电感（L9801）的1&2端连接所述整流桥（BD9901）的1脚，所述电感（L9801）的7&8端连接所述升压二极管（D9801）正端，所述电感（L9801）的10脚接地，所述电感（L9801）的11脚连接所述第三电阻（R9805）和所述第四电阻（R9802）公共端；
所述PFC控制器（U9801）的零电压检测端连接所述第三电阻（R9805）的一端及所述场效应管（Q9205）的D端，所述第三电阻（R9805）的另一端连接所述电感（L9801）的11脚；
该电路还包括PFC的输入滤波薄膜电容（C9801），所述输入滤波薄膜电容（C9801）一端接地，所述输入滤波薄膜电容（C9801）另一端和所述整流桥（BD9901）的1脚相连；
该电路还包括第四电容（C9902），所述整流桥（BD9901）的4脚接地，所述整流桥（BD9901）的2、3脚分别与所述第四电容（C9902）两端连接。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：该电路还包括MOSFET开关管（Q9801）、第五电阻（R9801）、第六电阻（R9808）、第二二极管（D9803）、第七电阻（R9807），MOSFET开关管（Q9801）的S极连接所述第五电阻（R9801）的一端，第五电阻（R9801）的另一端接地，所述MOSFET开关管（Q9801）的D极连接所述升压二极管（D9801）的正端及电感（L9801）的7&8端，所述MOSFET开关管（Q9801）的G极连接所述第六电阻（R9808）的一端及第二二极管（D9803）的正端，第二二极管（D9803）的负端连接第七电阻（R9807）的一端，所述第七电阻（R9807）的另一端分别和第六电阻（R9808）的另一端及PFC控制器（U9801）的输出端相连。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于：该电路还包括PFC的输出电容（C9803），所述升压二极管（D9801）正端与所述MOSFET开关管（Q9801）的D极连接，所述升压二极管（D9801）的负端与所述PFC的输出电容（C9803）的正端相连，所述PFC的输出电容（C9803）的负端接地。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于：该电路还包括旁路二极管（D9802），所述旁路二极管（D9802）正端与所述整流桥（BD9901）的1脚相连，所述旁路二极管（D9802）负端连接所述PFC的输出电容（C9803）的正端。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于：该电路还包括第二电容（C9805），所述PFC控制器（U9801）的零电压检测端连接所述第三电阻（R9805）的一端、第二电容（C9805）的一端及所述场效应管（Q9205）的D端，所述第二电容（C9805）的另一端接地。
6.一种电子设备，其特征在于：该电子设备包括权利要求1至5任一项所述提高CRM PFC的零电压检测路可靠性的电路。
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