CN105742478B - 一种铁基单晶超导微桥的制备方法 - Google Patents
一种铁基单晶超导微桥的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105742478B CN105742478B CN201610152652.6A CN201610152652A CN105742478B CN 105742478 B CN105742478 B CN 105742478B CN 201610152652 A CN201610152652 A CN 201610152652A CN 105742478 B CN105742478 B CN 105742478B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sample
- iron
- microbridge
- thickness
- monocrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 claims description 3
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 claims description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- MHDQEJWCIOKNRZ-UHFFFAOYSA-N [O].[As].[Fe].[La] Chemical compound [O].[As].[Fe].[La] MHDQEJWCIOKNRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0688—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法,在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形,通过氩离子束刻蚀控制样品厚度,运用翻面技术,经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀,就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。该制备方法简单、可操作、样品厚度可控,可缩短样品制备周期并提高样品制备成功率。通过该制备工艺制备出的样品具有厚度可控、高质量、尺寸精度高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及铁基超导体制备技术领域,具体涉及一种铁基单晶超导微桥的制备方法。
背景技术
2008年,日本的研究小组首次发现氟掺杂镧氧铁砷化合物在温度低于26K时,表现出超导特性(Kamihara Y,et al.,J Am Chem Soc,2008,130:3296–3297)。随后其他的研究小组也陆续发现超导转变温度更高的铁基高温超导体材料。到目前为止,铁基高温超导体的最高超导转变温度为56K(P.J.W.Moll,R.Puzniak,F.Balakirev et al.,Nat.Mater.9,628–633(2010))。这是第一种非铜基的高温超导体,标志着第二类高温超导体的诞生。
铁基超导体具有很多和铜氧化物高温超导体类似的性质,例如具有准二维的晶体结构、对称的超导序参量、低的载流子浓度、显著的热涨落效应等。铁基超导材料又具有金属特性、高的超导转变温度、比铜氧化物稍大的相干长度、较小的各向异性,且随着掺杂量的变化很小、具有s波超导模型。这些特点便于电流通过晶界,有利于材料的实用化。由于铁基超导体具有很高的上临界磁场,其在强磁场应用中的潜力非常大(Tarantini C,Gurevich A,Jaroszynski J,et al.,Phys Rev B,2011,84:184 522)。
研究材料的电输运特性是超导材料应用的基础,而微米或纳米尺寸的电输运特性往往是判断材料特性的主要手段。高温超导薄膜的超导机制仍然是一个悬而未决的问题。对薄膜的超导电性的影响可能是复杂的,衬底的应变、晶体和衬底之间热膨胀系数的不一致、金属元素的掺杂浓度、不均匀的密度、界面效应、薄膜的厚度等都可能是影响超导电性的因素(W.K.Wang,et al.,Appl.Phys.Lett.105,232602(2014))。因此研究铁基超导体的本征超导电性,需要运用微加工技术制备超导单晶微桥。传统的制备超导单晶微桥的方法比较费时且厚度不可控,因而不能得到理想厚度的超导单晶微桥,这对研究超薄铁基超导体单晶造成了很大的障碍。
发明内容
发明目的:针对现有技术中存在的不足,本发明的目的是提供一种铁基单晶超导微桥的制备方法,制备出厚度可控、高质量的超薄铁基超导微桥。
技术方案:为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为
一种铁基单晶超导体微桥的制备方法:在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形,通过氩离子束刻蚀控制样品厚度,运用翻面技术,经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀,就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。
所述的铁基单晶超导体微桥的制备方法,包括以下步骤:
1)选用一块铁基超导FeTeSe单晶,用epoxy胶粘黏到硅基片上,使单晶的平整一面与硅片相贴合;把粘贴好的样品置于110℃烘台上烘烤1.5小时,使胶完全固化;
2)等样品完全固定在硅基片后,用透明胶带解理出新鲜平整的单晶平面,通过紫外光刻技术,做出一个长度为230μm、宽度为210μm的图形;
3)选用的光刻胶为AZ1500,旋涂条件为:匀胶机低转速600r/min,高转速6000r/min,光刻胶厚度为800nm;
4)把光刻后的样品放入氩离子束刻蚀机中,刻蚀6分钟;把刻蚀好的样品置入丙酮中去除光刻胶,形成了一个厚度为90nm mesa结构;
5)通过翻面技术把样品转移粘贴到干净的氧化镁基底4上,用epoxy胶固定并置于90℃的烘台上烘烤2小时,使胶完全固化;
6)把翻面后的样品重新用透明胶带解理,将顶层的大块单晶去掉,直至解理到只剩下mesa单晶,然后把样品迅速放入蒸金仪中热蒸发一层厚度为50nm金膜作为电极;
7)利用紫外曝光光刻技术,在电极上刻出一个宽度为4μm,长度为20μm六端子图形的微桥;
8)把光刻好的样品放入离子束刻蚀机中,氩离子铣样品12分钟,把未被光刻胶保护的单晶全部刻蚀掉;
9)在丙酮中去除电极顶部的光刻胶后,再次通过光刻技术和离子束刻蚀技术去除微桥上的金膜,形成最终的FeTeSe超导单晶微桥。
所述的铁基单晶超导体微桥的制备方法,制备出来的FeTeSe超导单晶微桥的厚度为90nm,超导转变温度为14.4K。
本发明以成熟的高温超导BSCCO太赫兹源双面结制备技术为基础,进行了改进。在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形,通过氩离子束刻蚀控制样品厚度,运用翻面技术,经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀,就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。这种厚度可控、工艺简洁的制备技术为研究铁基超导单晶的电输运特性起到了重大的推动作用。
有益效果:与现有技术相比,本发明的超薄铁基超导微桥的制备方法,工艺简单、可操作、样品厚度可控,可缩短样品制备周期并提高样品制备成功率。通过该制备工艺制备出的样品具有厚度可控、高质量、尺寸精度高等优点。节约了时间和成本,具有很好的实用性。
附图说明
图1是第一次光刻离子铣后形成的mesa样品图;
图2是制备的铁基超导单晶微桥样品图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
选用一块大小合适的铁基超导FeTeSe单晶2,用epoxy胶粘黏到硅基片1上,使单晶的平整一面与硅片相贴合(硅基片的尺寸为5*5mm2,厚度为0.5mm)。把粘贴好的样品置于110℃烘台上烘烤1.5小时,使胶完全固化。等样品完全固定在硅基片后,用透明胶带解理出新鲜平整的单晶平面,通过紫外光刻技术,做出一个长度为230μm、宽度为210μm的图形。选用的光刻胶为AZ1500,旋涂条件为:匀胶机低转速600r/min,高转速6000r/min,光刻胶厚度为800nm。把光刻后的样品放入氩离子束刻蚀机中,刻蚀6分钟(以90nm厚的微桥为例,离子铣的速度为15nm/min)。把刻蚀好的样品置入丙酮中去除光刻胶,形成了一个厚度为90nm的mesa 3结构,如图1所示。通过翻面技术把样品转移粘贴到干净的氧化镁基底4上,用epoxy胶固定并置于90℃的烘台上烘烤2小时,使胶完全固化。氧化镁基片厚度为0.5mm,并经过双面抛光处理,在低温下具有良好的导热系数,有利于将热量在制冷机冷头与样品之间进行交换。把翻面后的样品重新用透明胶带解理,将顶层的大块单晶去掉,直至解理到只剩下mesa 3单晶,然后把样品迅速放入蒸金仪中热蒸发一层厚度为50nm金膜作为电极7。利用与第一次条件相同的紫外曝光光刻技术,在电极上刻出一个宽度为4μm,长度为20μm六端子图形5的微桥6。把光刻好的样品放入离子束刻蚀机中,氩离子铣样品12分钟,把未被光刻胶保护的单晶全部刻蚀掉。在丙酮中去除电极顶部的光刻胶后,再次通过光刻技术和离子束刻蚀技术去除微桥上的金膜,形成最终的FeTeSe超导单晶微桥,如图2所示。
经实验验证,通过上述工艺制备出来的FeTeSe超导单晶微桥的厚度为90nm,在偏置电流为10微安的条件下,其超导转变温度为14.4K,与大块FeTeSe单晶的超导转变温度保持一致。
实施例2
采用实施例1的方法,改变第一次离子铣的时间为1分钟,制备出20nm厚的FeTeSe超导单晶微桥,在偏置电流为10微安的条件下,其超导转变温度为13K,保持了良好的超导电性。
Claims (1)
1.一种铁基单晶超导体微桥的制备方法,其特征在于:在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形,通过氩离子束刻蚀控制样品厚度,运用翻面技术,经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀,就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品;具体包括以下步骤:
1)选用一块铁基超导FeTeSe单晶,用epoxy胶粘黏到硅基片上,使单晶的平整一面与硅片相贴合;把粘贴好的样品置于110℃烘台上烘烤1.5小时,使胶完全固化;
2)等样品完全固定在硅基片后,用透明胶带解理出新鲜平整的单晶平面,通过紫外光刻技术,做出一个长度为230μm、宽度为210μm的图形;
3)选用的光刻胶为AZ1500,旋涂条件为:匀胶机低转速600r/min,高转速6000r/min,光刻胶厚度为800nm;
4)把光刻后的样品放入氩离子束刻蚀机中,刻蚀6分钟;把刻蚀好的样品置入丙酮中去除光刻胶,形成了一个厚度为90nm mesa结构;
5)通过翻面技术把样品转移粘贴到干净的氧化镁基底4上,用epoxy胶固定并置于90℃的烘台上烘烤2小时,使胶完全固化;
6)把翻面后的样品重新用透明胶带解理,将顶层的大块单晶去掉,直至解理到只剩下mesa单晶,然后把样品迅速放入蒸金仪中热蒸发一层厚度为50nm金膜作为电极;
7)利用紫外曝光光刻技术,在电极上刻出一个宽度为4μm,长度为20μm六端子图形的微桥;
8)把光刻好的样品放入离子束刻蚀机中,氩离子铣样品12分钟,把未被光刻胶保护的单晶全部刻蚀掉;
9)在丙酮中去除电极顶部的光刻胶后,再次通过光刻技术和离子束刻蚀技术去除微桥上的金膜,形成最终的FeTeSe超导单晶微桥。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610152652.6A CN105742478B (zh) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 一种铁基单晶超导微桥的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610152652.6A CN105742478B (zh) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 一种铁基单晶超导微桥的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105742478A CN105742478A (zh) | 2016-07-06 |
CN105742478B true CN105742478B (zh) | 2018-06-26 |
Family
ID=56251224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610152652.6A Active CN105742478B (zh) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 一种铁基单晶超导微桥的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105742478B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4366494A (en) * | 1980-05-20 | 1982-12-28 | Rikagaku Kenkyusho | Josephson junction and a method of making the same |
CN1154004A (zh) * | 1996-10-31 | 1997-07-09 | 南开大学 | 高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法 |
US5821556A (en) * | 1994-03-25 | 1998-10-13 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Superconductive junction |
CN1461063A (zh) * | 2003-05-23 | 2003-12-10 | 南京大学 | 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法 |
CN1471180A (zh) * | 2003-06-18 | 2004-01-28 | �Ϻ���ͨ��ѧ | 高温超导材料本征结的制备方法 |
CN101476940A (zh) * | 2009-01-21 | 2009-07-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法 |
CN101820046A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种超导本征结的制备方法 |
CN101894906A (zh) * | 2010-06-13 | 2010-11-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 超导台阶结制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8032196B2 (en) * | 2006-08-23 | 2011-10-04 | Chugoku Electric Power Co., Inc. | Josephson device, method of forming Josephson device and superconductor circuit |
-
2016
- 2016-03-17 CN CN201610152652.6A patent/CN105742478B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4366494A (en) * | 1980-05-20 | 1982-12-28 | Rikagaku Kenkyusho | Josephson junction and a method of making the same |
US5821556A (en) * | 1994-03-25 | 1998-10-13 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Superconductive junction |
CN1154004A (zh) * | 1996-10-31 | 1997-07-09 | 南开大学 | 高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法 |
CN1461063A (zh) * | 2003-05-23 | 2003-12-10 | 南京大学 | 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法 |
CN1471180A (zh) * | 2003-06-18 | 2004-01-28 | �Ϻ���ͨ��ѧ | 高温超导材料本征结的制备方法 |
CN101476940A (zh) * | 2009-01-21 | 2009-07-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法 |
CN101820046A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种超导本征结的制备方法 |
CN101894906A (zh) * | 2010-06-13 | 2010-11-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 超导台阶结制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8+x</sub>单晶本征结制备及特性;尤立星;《科学通报》;20030131;第48卷(第1期);全文 * |
Stacks of intrinsic Josephson junctions singled out from inside Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8+x</sub> single crystals;Wang H.B.,et al;《APPLIED PHYSICS LETTERS》;20010618;第78卷(第25期);正文第4010页右栏第2段至4011页左栏第2段,及图1-2 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105742478A (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Larbalestier et al. | Position-sensitive measurements of the local critical current density in Ag sheathed high-temperature superconductor (Bi, Pb) 2Sr2Ca2Cu3Oy tapes: The importance of local micro-and macro-structure | |
CN105742478B (zh) | 一种铁基单晶超导微桥的制备方法 | |
CN101820046B (zh) | 一种超导本征结的制备方法 | |
Mogro‐Campero et al. | Superior microwave properties by post‐annealing YBa2Cu3O7 thin films at low oxygen partial pressure | |
Glowacki et al. | Influence of the cold deformation procedures on the critical current distribution in Ag‐(Bi, Pb) 2Sr2Ca2Cu3O x tapes | |
Maruyama et al. | Tunneling spectroscopic study on the superconducting Gap of (BEDT-TTF) 2Cu (NCS) 2 crystals | |
Koblischka et al. | Commercial alumina templates as base to fabricate 123‐type high‐TC superconductor nanowires | |
CN110212084B (zh) | 一种测量弱磁性La1-xSrxMnO3外延薄膜层状磁结构的方法 | |
Arendt et al. | An alternate preparation for grain aligned structures of (Bi, Pb) 2Ca2Sr2Cu3Oz | |
CN1248325C (zh) | 隧道效应磁电阻器件及制备方法 | |
JPH04196601A (ja) | 酸化物超伝導マイクロ波受動素子およびその製造方法 | |
Neumüller et al. | Pinning model derived from resistive measurements on melt processed Bi2Sr2CaCu2O8 | |
CN105695940A (zh) | 一种提高ybco厚膜临界电流的方法 | |
US20050137092A1 (en) | Superconductive contacts with hydroxide-catalyzed bonds that retain superconductivity and provide mechanical fastening strength | |
CN118112056B (zh) | 传感器及其制备方法和应用 | |
CN111200056A (zh) | 约瑟夫森结器件及其制备方法 | |
Bussiere et al. | ac losses of bronze‐processed (Nb1− xZrx) 3Sn between 5 and 16 K | |
JP6169196B2 (ja) | 表層超電導体の製造方法および表層超電導体 | |
Boye et al. | Precise magnetoresistance and Hall resistivity measurements in the diamond anvil cell | |
CN118112056A (zh) | 传感器及其制备方法和应用 | |
Kim et al. | Successful fabrication of bicrystal Si substrates for YBa2Cu3O7− y Josephson junctions | |
Cui et al. | Josephson Devices fabricated with high Tc YBaCuO thin films | |
Han et al. | Analysis of large-area twins in Bi 2 CaSr 2 Cu 2 O 8 superconductors | |
Gajda et al. | The degradation problems in HTc Bi: 2223 superconducting tapes | |
Saba et al. | Temperature-Dependent Dielectric Properties of PrBa 2 Cu 3 O 7-δ Films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |