CN105739246B - 曝光装置及曝光方法 - Google Patents

Abstract

本发明组合光曝光技术及带电粒子束曝光技术而形成复杂且微细的图案。本发明提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置对与试样上的线图对应的位置照射带电粒子束，且具备：射束产生部，在线图的宽度方向上产生照射位置不同的多个带电粒子束；扫描控制部，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图的长度方向扫描；选择部，在线图上的长度方向的被指定的照射位置选择多个带电粒子束中的至少一个带电粒子束，使其应照射至所述试样；以及照射控制部，控制将所选择的至少一个带电粒子束照射至试样。

Description

曝光装置及曝光方法

技术领域

本发明涉及一种曝光装置及曝光方法。

背景技术

以往，已知有如下互补光刻法，即，通过利用使用电子束等带电粒子束的曝光技术， 对线宽为数十纳米左右的利用光曝光技术形成的单纯的线图进行加工，而形成微细的配 线图(例如，参照专利文献1及2)。此外，还已知有使用多个带电粒子束的多光束曝光 技术(例如，参照专利文献3及4)。

专利文献1日本专利特开2013-16744号公报

专利文献2日本专利特开2013-157547号公报

专利文献3美国专利第7276714号说明书

专利文献4日本专利特开2013-93566号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

然而，在此种方法中，如果使用将多个带电粒子束照射至图案的多光束曝光技术，那么难以利用该多光束加工以不同线宽及不同间距形成的线图。另一方面，关于应制作 的半导体装置的图案，还存在只加工同一线宽且同一间距的单纯的线图则无法应对的情 况，故而期待一种能够加工以不同线宽及不同间距形成的线图的技术。

[解决问题的手段]

在本发明的第1形态中，提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置对与试样上的线图对应的位置照射带电粒子束，且具备：射束产生部，在线图的宽度方向上产生照射 位置不同的多个带电粒子束；扫描控制部，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图的长 度方向扫描；选择部，在线图上的长度方向的被指定的照射位置，选择多个带电粒子束 中的应照射至试样的至少一个带电粒子束；以及照射控制部，进行将所选择的至少一个 带电粒子束向试样照射的控制。

另外，所述发明的概要并未列举本发明的全部可选特征。此外，这些特征群的下位组合也能成为发明。

附图说明

图1表示本发明具体实施方式的曝光装置100的构成例。

图2表示本发明具体实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而在试样10的表面的一部分形成的能照射区域200的一例。

图3表示本发明具体实施方式的曝光装置100的动作流程。

图4表示应在试样10形成的切割图的信息的一例。

图5表示本发明具体实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至帧的 起点的情况的一例。

图6表示本发明具体实施方式的选择部160的一例。

图7表示本发明具体实施方式的曝光控制部140对遮没电极64供给的控制信号的时序图的一例。

图8表示形成于试样10的表面的线图802的一例。

图9表示形成于试样10的表面的配线图900的一例。

图10表示形成有不同线宽及不同线间隔的线图的试样10的一例。

图11表示使本发明具体实施方式的电子束的照射区域502与网格800对应地配置的示例。

图12表示本发明具体实施方式的照射控制部170产生的调节切割图的曝光量的控制信号的一例。

图13表示执行图12所示的时序图所示的曝光量控制的选择部160的构成例。

图14表示本发明具体实施方式的遮没部60的一例。

图15表示本发明具体实施方式的曝光装置100的变形例。

[符号的说明]

10 试样

20 电子枪

30 光圈板

32 开口

40 射束形状变形部

50 孔径阵列

52 开口

60 遮没部

62 开口

62a 第1开口

62b 第2开口

64 遮没电极

64a 第1遮没电极

64b 第2遮没电极

66 共用电极

68 电极配线

70 挡板

72 开口

80 调整部

90 外部存储部

100 曝光装置

110 平台部

112 平台装置

114 平台位置检测部

120 电子柱部

130 CPU

132 总线

140 曝光控制部

150 存储部

160 选择部

162 数据转换电路

164 射束选择电路

166 经过时间运算电路

168 曝光量调整电路

170 照射控制部

172 放大器

180 偏向量决定部

182 偏向部驱动电路

190 扫描控制部

192 平台驱动电路

200 能照射区域

210 照射位置

220 区域

232 第1帧

234 第2帧

236 第3帧

400 网格

402 线图

410 第1图案

412、414、416、418 图案

420 第2图案

422、424 图案

430 第3图案

432、434、436、438 图案

500 阵列射束

502 照射区域

800 网格

802、804、806 线图

810、820、830、832 切割图

900 配线图

具体实施方式

以下，通过发明的实施方式对本发明进行说明，但以下实施方式并非限定权利要求 书的发明。此外，未必实施方式中所说明的所有特征的组合是发明的解决手段所必需的。

图1表示本实施方式的曝光装置100的构成例。曝光装置100对与基于预先规定的网格以不同线宽及不同间距形成在试样上的线图对应的位置照射具有与该网格对应的 照射区域的带电粒子束，而对该线图进行曝光。曝光装置100具备平台部110、电子柱(column)部120、CPU(Central Processing Unit，中央处理器)130、以及曝光控制部 140。

平台部110载置试样10并使试样10移动。于此，试样10可为由半导体、玻璃、 及/或陶瓷等形成的基板，作为一例，为由硅等形成的半导体晶片。试样10是利用金属 等导电体在表面形成着线图的基板。本实施方式的曝光装置100对形成于该线图上的抗蚀剂进行曝光，以切断该线图而进行微细的加工(形成电极、配线、及/或通孔等)。

平台部110包括平台装置112、及平台位置检测部114。平台装置112搭载试样10，使该试样10在图1所示的XY平面上移动。平台装置112可为XY平台，此外，除XY 平台以外，也可以与Z平台、旋转平台、及倾斜平台中的一个以上组合。

平台装置112将形成于试样10上的线图的长度方向设为预先规定的方向而移动。平台装置112以线图的长度方向与例如X方向或Y方向等平台的移动方向大致平行的方 式搭载试样10。以如下情况为例进行说明：在图1中，本实施方式的平台装置112是沿 X方向及Y方向移动的XY平台，且以线图的长度方向与X方向大致平行的方式搭载试 样10。

平台位置检测部114检测平台装置112的位置。作为一例，平台位置检测部114将激光照射至移动的平台，通过检测反射光而检测该平台的位置。平台位置检测部114理 想为以大致1nm以下的精度检测平台的位置。

电子柱部120对载置于平台部110的试样10照射包含电子及离子的带电粒子束。在本实施方式中，以电子柱部120照射电子束为例进行说明。本实施方式的电子柱部120 是在形成于试样10上的线图的宽度方向上产生照射位置不同的多个带电粒子束的射束 产生部。电子柱部120具有电子枪20、光圈板(aperture plate)30、射束形状变形部40、 孔径阵列50、遮没部60、挡板70、及调整部80。

电子枪20利用电场或热释放出电子，并对该释放出的电子施加预先规定的电场，以沿图1的-Z方向向着试样10的方向加速而作为电子束输出。电子枪20可以施加预先 规定的加速电压(作为一例为50keV)而输出电子束。电子枪20可以设置于与XY平 面平行的试样10的表面垂直，与Z轴平行的，垂线上。

光圈板30设置于电子枪20与试样10之间，遮蔽电子枪20释出的电子束的一部分。光圈板30作为一例具有圆形的开口32，利用该开口32遮蔽电子束的一部分并使其余部 分通过。开口32的中心能以与连接电子枪20与试样10的垂线相交的方式形成。也就 是说，光圈板30使从电子枪20释放出的电子束中的释出角度在预先规定的释出角度以 内的电子束通过。

射束形状变形部40设置于光圈板30与试样10之间，使已通过光圈板30的电子束的大致圆形的截面形状变形。射束形状变形部40例如可为静电四极电极等的电子透镜， 使电子束的截面形状变形为长圆等沿一方向延伸的截面形状。在图1的示例中，射束形 状变形部40使电子束的截面形状变形为沿与Y轴平行的方向延伸的截面形状。

孔径阵列50设置于射束形状变形部40与试样10之间，遮蔽截面形状被射束形状变形部40变形后的电子束的一部分。孔径阵列50具有沿一方向排列的多个开口52，利 用该多个开口52遮蔽电子束的一部分并使其余部分通过。

在图1的例中，多个开口52在与Y轴平行的方向上隔开预先规定的间隔而排列， 且以使截面形状为沿与Y轴平行的方向延伸的电子束切开形成多个电子束的方式排列。 孔径阵列50将输入的电子束切开为与多个开口52对应的阵列状的电子束群(在本实施 例中设为阵列射束)输出。

遮没部60设置于孔径阵列50与试样10之间，切换是否使孔径阵列50输出的多个带电粒子束的每一个照射至试样10。也就是说，遮没部60分别切换是否使每一个阵列 射束向着与试样10的方向不同的方向偏向。遮没部60具有与每一个阵列射束对应而沿 一方向排列的多个开口62、及对该多个开口62内施加电场的多个遮没电极64。

在图1的示例中，多个开口62在与Y轴平行的方向上隔开预先规定的间隔而排列，且使每一个阵列射束个别地通过。例如，在不对遮没电极64供给电压的情况下，在对 应的开口62内不会产生对电子束施加的电场，因此，入射至该开口62的电子束不会偏 向而朝向试样10的方向通过(设为射束ON状态)。此外，在对遮没电极64供给电压 的情况下，会在对应的开口62内产生电场，因此，入射至该开口62的电子束向着与通 向试样10的方向不同的方向偏向(设为射束OFF状态)。

挡板70设置于遮没部60与试样10之间，遮蔽遮没部60偏向的电子束。挡板70 具有开口72。开口72可以具有沿一方向伸长的大致长圆或大致长方形的形状，开口72 的中心能以与连接电子枪20与试样10的直线相交的方式形成。在图1的示例中，开口 72具有沿与Y轴平行的方向伸长的形状。

开口72使遮没部60未使其偏向而通过的电子束通过，阻止遮没部60偏向的电子束前进。也就是说，电子柱部120能够通过组合遮没部60及挡板70，并控制供给至遮 没电极64的电压而切换(进行遮没动作)是(射束ON状态)否(射束OFF状态)将 阵列射束所包含的各个电子束照射至试样10。

调整部80设置于挡板70与试样10之间，使多个带电粒子束偏向，调整照射至试 样10的阵列射束的照射位置。调整部80可以具有施加与输入至通过的电子束的驱动信 号对应的电场而使该电子束偏向的偏向器，使阵列射束偏向而调整该阵列射束的照射位 置。此外，调整部80也可以具有一个或多个电磁线圈，对阵列射束施加磁场而调整该 阵列射束的照射位置。

以上本实施方式的电子柱部120产生排列于预先规定的方向上的多个电子束，且切 换是否将各个电子束照射至试样10。在电子柱部120中，多个电子束的排列方向由射束形状变形部40使射束截面形状变形的方向、孔径阵列50的多个开口52的排列方向、 遮没部60的多个开口62及对应的遮没电极64的排列方向等因素决定。

电子柱部120如果使这些方向与和平台装置112的移动方向正交的线图的宽度方向 大致一致，那么平台装置112以使该移动方向与试样10上的线图的长度方向大致一致的方式搭载试样10，因此，会使该线图的宽度方向上产生照射位置不同的多个电子束。 在本实施方式中，以电子柱部120照射沿相对于与线图X方向大致平行的方向为垂直方 向的Y方向排列的阵列射束为例进行说明。

CPU130控制曝光装置100整体的动作。CPU130可以具有输入来自用户的操作指示的输入终端的功能。CPU130可以为计算机或工作站等。CPU130连接于曝光控制部140， 根据用户的输入控制曝光装置100的曝光动作。作为一例，CPU130经由总线132而与 曝光控制部140所具有的各部分分别连接，从而授受控制信号等。

曝光控制部140连接于平台部110及电子柱部120，根据从CPU130接收的控制信 号等控制平台部110及电子柱部120而执行试样10的曝光动作。此外，曝光控制部140 也可以经由总线132与外部存储部90连接，从而授受存储于外部存储部90的图案的数 据等。也可以代替所述情况而使外部存储部90直接连接于CPU130。还可以代替所述情 况而使曝光控制部140具有内部存储图案数据等的存储部。曝光控制部140具有存储部 150、选择部160、照射控制部170、偏向量决定部180、以及扫描控制部190。

存储部150存储作为曝光装置100曝光的图案的切割图，以切断形成于试样10上的线图，此外，存储作为曝光装置100曝光的图案的通孔图案，以便在试样10形成通 孔。存储部150例如从外部存储部90接收并存储切割图及通孔图案的信息。此外，存 储部150也可以经由CPU130而接收并存储由用户输入的切割图及通孔图案的信息。

此外，存储部150存储试样10的配置信息及形成于试样10上的线图的配置信息。存储部150可以在进入曝光动作之前存储预先测定的测定结果作为配置信息。存储部150例如存储试样10的缩率(因制造步骤导致的变形误差)、(因搬送等导致的)旋转误差、 基板等的应变、及高度分布等导致定位误差的信息作为试样10的配置信息。

此外，存储部150存储关于阵列射束的照射位置与线图的位置之间的位置偏移的信 息作为线图的配置信息。理想的是，对于试样10的配置信息及线图的配置信息，存储 部150将通过测量载置于平台装置112上的试样10而取得的信息作为配置信息。也可 以代替所述情况，使存储部150存储试样10的以往的测定结果、或同一批次的其它试 样的测定结果等。

选择部160连接于存储部150，读出切割图及通孔图案的信息，并判别线图上的长度方向上的照射位置的指定。选择部160在线图上的长度方向的被指定的照射位置选择 电子柱部120产生的多个带电粒子束中的应照射至试样10的至少一个带电粒子束。选 择部160基于切割图及通孔图案的信息选择阵列射束中的应照射的电子束，并将选择结 果供给至照射控制部170。

照射控制部170连接于选择部160，且接收选择部160的选择结果。照射控制部170连接于电子柱部120，且以将选择的至少一个带电粒子束向试样10照射的方式进行控制。照射控制部170经由放大器172对遮没部60的遮没电极64供给控制切换电子束的ON 状态及OFF状态的信号。放大器172可以包含具有预先规定的放大系数的放大电路。

偏向量决定部180连接于存储部150，读出试样10的配置信息及线图的配置信息，并根据试样10的位置误差及阵列射束的照射位置误差的信息算出应调整阵列射束的照 射位置的调整量，并决定与该调整量对应的偏向量。偏向量决定部180连接于电子柱部 120，且基于所决定的偏向量而调整阵列射束的照射位置。偏向量决定部180经由偏向 部驱动电路182而将控制信号供给至调整部80，控制信号根据决定的偏向量使阵列射束 偏向。于此，偏向部驱动电路182将与从偏向量决定部180输出的偏向量对应的控制信 号转换为输入至调整部80的驱动信号。

扫描控制部190连接于平台部110，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图的长度方向扫描。本实施方式中的扫描控制部190通过使搭载试样10的平台装置112与X方 向大致平行地移动而使阵列射束沿着线图的长度方向扫描。扫描控制部190经由平台驱 动电路192而供给使平台装置112移动的控制信号。平台驱动电路192将从扫描控制部 190输出的与移动方向及移动量对应的控制信号转换为平台装置112的对应的驱动信号。

扫描控制部190连接于平台位置检测部114，且接收平台装置112的平台位置的检测结果。扫描控制部190可以基于检测结果取得平台装置112实际移动的移动量及平台 的位置误差(也就是移动误差)等，并反馈至平台装置112的移动控制。此外，扫描控 制部190也可以连接于偏向量决定部180，根据平台部110所产生的试样10的移动误差 而调整带电粒子束的通过路径。

此外，扫描控制部190分别连接于选择部160及照射控制部170，且将平台装置112的位置信息供给至选择部160及照射控制部170。照射控制部170基于平台装置112的 位置信息取得对试样10的线图照射阵列射束的时机。

此外，扫描控制部190以使阵列射束的照射位置也沿线图的宽度方向移动，而将试样10的表面上的预先规定的区域设为阵列射束的能照射区域的方式进行扫描。使用图2 说明扫描控制部190扫描阵列射束的一例。

示出本实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而在试样10的表面的一部分形成的能照射区域200的一例。图2表示与XY面大致平行的试样10的表面，且以fw表示曝 光装置100照射的阵列射束的排列于Y方向(线图的宽度方向)的多个电子束整体的射 束宽度。于此，作为一例，射束宽度fw大致为30μm。

扫描控制部190以维持带电粒子束的通过路径的状态利用平台部110使试样10向线图的长度方向移动。图2表示扫描控制部190使平台装置112向-X方向移动的示例。 由此，阵列射束的照射位置210在试样10的表面上向+X方向扫描，且该阵列射束将带 状的区域220设为电子束的能照射区域。也就是说，扫描控制部190使平台装置112沿 X方向移动预先规定的距离，将第1帧232设为能照射区域。于此，作为一例，第1帧 232具有30μm×30mm的面积。

接下来，扫描控制部190使平台装置112向-Y方向移动射束阵列的射束宽度fw的距离，接着以使平台装置112返回上一次向-X方向移动的预先规定的距离的方式使其向 +X方向移动。由此，阵列射束的照射位置210在与第1帧232不同的试样10的表面上 向-X方向扫描，且将与第1帧232为大致相同面积且在+Y方向相邻的第2帧234设为 能照射区域。同样地，扫描控制部190使平台装置112向-Y方向移动射束阵列的射束宽 度fw的距离，然后再使平台装置112向-X反向移动该预先规定的距离而将第3帧236 设为能照射区域。

如此，扫描控制部190在作为线图的长度方向的X方向上使平台装置112往返动作，将试样10的表面上的预先规定的区域设为阵列射束的能照射区域200。于此，作为一例， 扫描控制部190将30×30mm的正方形区域设为能照射区域200。

另外，在本实施方式中，说明了扫描控制部190通过使平台装置112往返动作而将正方形区域设为阵列射束的能照射区域200的情况，但并不限定于此，扫描控制部190 也可以使阵列射束的照射方向偏向而扫描。在此情况下，扫描控制部190也可以对偏向 量决定部180供给与扫描距离对应的偏向量，而扫描阵列射束。此外，说明了扫描控制 部190将阵列射束的能照射区域200设为矩形形状的情况，但并不限定于此，也可以将 阵列射束的能照射区域200设为通过阵列射束的扫描而形成的预先规定的区域。

以上本实施方式的曝光装置100在作为线图的长度方向的X方向上，一边使平台装置112往返动作，一边照射与线图上的照射位置对应的阵列射束，而对试样10进行曝 光。也就是说，曝光装置100相对于阵列射束的能照射区域200内的线图，对与应形成 的切割图及通孔图案对应的曝光位置照射带电粒子束而进行曝光。使用图3对曝光装置 100的曝光动作进行说明。

图3表示本实施方式的曝光装置100的动作流程。在本实施方式中，以曝光装置100通过执行S300至S370的处理而对试样10表面的线图曝光切割图为例进行说明。

首先，平台部110载置形成着线图且涂布着抗蚀剂的试样10(S300)。接着，曝光 装置100取得所载置的试样10的配置信息及线图的配置信息(S310)。曝光装置100将 所取得的配置信息存储于存储部150。

作为一例，曝光装置100通过观察在试样10上设置的多个定位标记等而取得试样10的配置信息及/或线图的配置信息。在此情况下，曝光装置100可以将电子束照射至 该定位标记，通过检测二次电子或反射电子等而获得的试样10的表面图像，检测该定 位标记的位置及电子束的照射位置，从而取得线图的配置信息等。

此外，曝光装置100也可以将激光等照射至该定位标记，通过检测反射光或散射光等而取得试样10的配置信息等。如此，在曝光装置100通过测定而取得试样10的配置 信息及线图的配置信息的情况下，曝光装置100还可以包括检测二次电子或反射电子等 的检测部、激光照射装置、及光检测部等。

接下来，扫描控制部190以阵列射束的照射位置位于应曝光的帧的起点的方式使平 台装置112移动至与该起点对应的位置(S320)。在扫描控制部190使平台装置112向 +X方向移动(使阵列射束的照射位置向-X方向移动)而对帧进行曝光的情况下，将该 帧的+X方向侧的端部设为帧的起点。

此外，在扫描控制部190使平台装置112向-X方向移动(使阵列射束的照射位置向+X方向移动)而对帧进行曝光的情况下，将该帧的-X方向侧的端部设为帧的起点。在 扫描控制部190在作为线图的长度方向的X方向上针对每帧使平台装置112往返动作的 情况下，根据该往返动作将-X方向的端部及+X方向的端部交替切换为该帧的起点。

扫描控制部190也可以在曝光动作的开始阶段将帧的起点设为预先规定的位置。作 为一例，扫描控制部190将位于最靠-Y方向侧的帧的-X方向侧的端部设为帧的起点。

接下来，选择部160从存储部150取得应曝光的帧内的切割图的信息(S330)。图4表示应在试样10形成的切割图的信息的一例。切割图的信息可以具有以矩形表示的切 割图的大小及位置的数据。图4表示将切割图的两个边的长度、及预先规定的部分(-X 方向侧及-Y方向侧的顶点，即图中左下方的顶点)的坐标设置为切割图数据的示例。

更具体来说，将第1图案410的切割图数据的{(位置)，大小}表示为{(Xc1，Yc1)、Sx1、Sy1}。同样地，将第2图案420的切割图数据的{(位置)，大小}表示为{(Xc2， Yc2)、Sx2、Sy2}，将第3图案430的切割图数据的{(位置)，大小}表示为{(Xc3， Yc3)、Sx3、Sy3}。

另外，图4的X方向与作为重叠切割图对象的线图的长度方向大致一致。此外，在图4中，将在Y方向上每间隔g而排列且与X方向平行的多个线段作为用于设计线图 及切割图的网格400并以虚线表示。例如，间隔g为网格宽度，该网格宽度g与线图的 短边方向(Y方向)的线宽的最小值大致相等。此外，在作为重叠切割图对象的线图具 有多种线宽的情况下，多个线宽均使用网格宽度g的n倍的值(于此，n为1以上的自 然数)。此外，相邻的线图的Y方向的图案间隔使用网格宽度g的m倍的值(于此，m 为1以上的自然数)。

同样地，切割图的Y方向的长度、及Y方向的图案间隔使用网格宽度g的(1以上 的)自然数倍的值。例如，第1图案410的Y方向的长度与4g大致相等，第2图案420 的Y方向的长度与2g大致相等，此外，第1图案410与第2图案420的Y方向的图案 间隔与2g大致相等。此外，图4的示例表示切割图的Y坐标以在网格400上成为大致 相等的方式被设计的示例。如此，本实施方式的切割图及线图中，Y坐标以网格400的 坐标值为基准被设计。

图5表示本实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至帧的起点(帧的-X方向侧的端部)的情况的一例。也就是说，图5是表示形成于试样表面的线图402 与阵列射束500的照射位置的位置关系的一例的XY俯视图。此外，图5是表示线图402 与图4所示的切割图的位置关系的一例的XY俯视图。

图5的示例表示1帧具有四个线图402，且各个线图402的线宽、及相邻的线图402之间的间隔均与网格400的网格宽度g大致相等的情况。此外，在图中，第1图案410 是从最上部起同时切割两个线图402的图案，第2图案420是切割最下部的线图402的 图案，第3图案430是同时切割中央的两个线图402的图案。

此外，在图5中，以阵列射束500具有B1至B8合计八条电子束为例进行说明。阵 列射束500对试样10上的多个照射区域502的每一个照射电子束。电子束B1至B8的 线图的宽度方向(也就是Y方向)的射束宽度分别具有与网格宽度g大致相等的射束宽 度。此外，电子束B1至B8的试样10上的各自的照射位置在Y方向上分别错开网格宽 度g而排列，合计具有大致8g的宽度，在帧内对具有大致8g的宽度的范围进行曝光。 也就是说，阵列射束500在Y方向上具有该阵列射束500包括的电子束的个数乘以网格 宽度g所得的值的射束宽度，对具有与该射束宽度相等的Y方向的宽度的帧进行曝光。

于此，电子柱部120在能够将多个电子束的照射位置错开网格宽度g而排列为一列的情况下，可以将该排列为一列的阵列射束500照射至试样10。也可以代替所述情况， 由电子柱部120将多个电子束的照射位置排列为多列的阵列射束500照射至试样10。

图5表示阵列射束500具有在线图的长度方向上相隔间隔δ而排列的两列电子束的示例。此外，各列所包含的多个电子束的照射位置以与网格宽度g大致相等的距离相隔， 且排列于线图的宽度方向。因此，具有电子束B1、B3、B5、及B7的奇数序号的电子束 的列(设为第1列)合计具有大致7g的Y方向的宽度。同样地，具有偶数序号的电子 束的列(设为第2列)也合计具有大致7g的Y方向的宽度。

此外，在扫描控制部190将阵列射束500的照射位置移动至帧的起点的阶段S320，多个电子束的照射位置分别配置于对应的网格间。图5表示如下示例：配置于从-Y方向 侧起第1个的电子束B1的照射位置位于从-Y方向侧起第一条与第二条网格之间，同样 地，配置于从-Y方向侧起第n个的电子束Bn的照射位置位于从-Y方向侧起第n条与第 n+1条网格之间。

如上所述，为了曝光以网格400的坐标值为基准而设计的切割图，扫描控制部190使阵列射束500的照射位置移动至基于该网格400的位置。由此，扫描控制部190能够 通过沿线图的长度方向扫描具有n个电子束的阵列射束500的照射位置，而曝光对应的 第1条至第n+1条网格间的具有n×g的宽度的帧。

接下来，选择部160选择用于曝光的带电粒子束(S340)。选择部160可以基于从 扫描控制部190接收的阵列射束的照射位置的信息判断应曝光的切割图。因为切割图的 Y坐标以与网格400的Y坐标大致相等的方式被设计，所以选择部160例如一边沿线图 的长度方向扫描阵列射束500的照射位置，一边照射电子束B5至B8这四个电子束，由 此，能够曝光具有4g的宽度的第1图案410。

也就是说，选择部160为了曝光第1图案410，选择电子束B5至B8这四个电子束 作为用于曝光的电子束。而且，电子束B5曝光第1图案410的一部分图案418，电子 束B6曝光第1图案410的一部分图案416，电子束B7曝光第1图案410的一部分图案 414，电子束B8曝光第1图案410的一部分图案412。

于此，选择部160能够根据切割图的Y坐标的值选择用于曝光的电子束。例如，选择部160根据第2图案420的Y坐标的值位于从-Y方向侧起第1条至第3条之间而选 择以该区域形成照射位置的电子束B1及B2。此外，选择部160根据第3图案430的Y 坐标的值位于从-Y方向侧起第3条与第7条之间而选择以该区域形成照射位置的电子束 B3至B6。

由此，电子束B1曝光第2图案420的一部分图案422，电子束B2曝光第2图案420 的一部分图案424。此外，电子束B3曝光第3图案430的一部分图案432，电子束B4 曝光第3图案430的一部分图案434，电子束B5曝光第3图案430的一部分图案436， 电子束B6曝光第3图案430的一部分图案438。

此外，选择部160检测应照射需选择的电子束的照射位置。选择部160根据切割图检测应照射的照射位置作为被指定的照射位置。选择部160根据多个带电粒子束的照射 位置经过线图的长度方向上的预先规定的基准位置之后的经过时间而检测被指定的照 射位置。

图5表示在线图的长度方向上预先规定第1基准位置及第2基准位置这两个基准位置的示例。也就是说，将第1基准位置及第2基准位置之间的区域设为曝光范围，选择 部160根据阵列射束500的照射位置经过第1基准位置之后的经过时间而分别检测多个 电子束被指定的照射位置。

除此以外，也可以在线图的长度方向上预先规定三个以上的基准位置。也就是说，可以将一个帧分割为多个曝光范围，选择部160针对每个曝光范围分别检测多个电子束 被指定的照射位置。在此情况下，选择部160根据多个带电粒子束的照射位置在线图的 长度方向上的多个基准位置中的最后经过的基准位置、及经过该基准位置后的经过时间 而检测被指定的照射位置。使用图6及图7对利用选择部160选择电子束、及检测照射 位置的情况进行说明。

图6表示本实施方式的选择部160的一例。选择部160包含数据转换电路162、射 束选择电路164、及经过时间运算电路166。

数据转换电路162从存储部150取得切割图数据，且将该切割图数据转换为关于试样10上的线图的配置的坐标系统。数据转换电路162例如从存储部150取得(Xci，Yci)、Sxi、Syi(i＝1、2、3、…)作为切割图数据，并转换为试样10上的坐标系统的曝光数 据((Xcbi，Ycbi)、Sxbi、Sybi(i＝1、2、3…)。于此，因为切割图数据的Y坐标的值 Yci、Syi为网格宽度g的整数倍的值，所以转换后的Ycbi、Sybi也成为离散值。

另外，数据转换电路162执行的数据转换可用来修正当将试样10装载于平台装置112时产生的旋转误差、及因试样10经过蚀刻或成膜等器件制造步骤而导致的试样10 的变形误差等。也就是说，如果平台装置112的精度、及制造步骤的精度等足够高，那 么该修正成为例如针对距离修正10ppm左右以下、针对角度修正1mrad左右以下的数 据转换。

例如，在图案宽度Sxi、Syi为数10～100nm的情况下，即便执行该数据转换也不 会产生0.1nm以上的变化。也就是说，在此情况下，如果将0.1nm以下舍去处理，那 么Sxi＝Sxbi、Syi＝Sybi成立。因此，在试样10中产生的旋转误差及变形误差等在预先 规定的范围内的情况下，选择部160也可以省略数据转换电路162的关于Sxi、Syi的数 据转换。

射束选择电路164基于曝光数据(Xcb，Ycb)、Sxb、Syb选择用于曝光的电子束。 例如，在图5所示的网格400的Y方向的坐标从-Y方向侧起为Yc1、Yc2、…、Yc8的 情况下，射束选择电路164选择电子束B1作为用于坐标Yc1至Yc2的范围内曝光的电 子束。也就是说，射束选择电路164相对于位于坐标Ycb至坐标Ycb+Syb的切割图， 选择与该坐标的范围对应的电子束作为用于曝光的电子束B1、B2、…、Bn。

经过时间运算电路166对射束选择电路164所选择的电子束B1至Bn的每一个检测将电子束切换为ON状态或OFF状态的时机。经过时间运算电路166基于曝光数据的X 坐标检测该时机，且其一例是作为经过时间而输出。于此，所谓经过时间是以阵列射束 500通过基准位置的时间为起点，使阵列射束所包含的各电子束为ON状态及OFF状态 之前的时间。

扫描控制部190沿作为线图的长度方向的+X方向或-X方向扫描阵列射束500。在切割图以曝光数据(Xcb，Ycb)、Sxb、Syb表示，且扫描控制部190向+X方向扫描阵 列射束500的情况下，在X轴坐标中对应的电子束的照射位置到达Xcb的位置的时点将 该电子束设为ON状态，在到达Xcb+Sxb的位置的时点设为OFF状态，由此，该电子 束能够对该切割图的图案区域内进行曝光。也就是说，经过时间运算电路166将阵列射 束500通过曝光范围的-X侧的第1基准位置的时点至将电子束切换为ON状态及OFF 状态为止的时间检测为经过时间。

另一方面，在扫描控制部190向-X方向扫描阵列射束500的情况下，在X轴坐标 中对应的电子束的照射位置到达至Xcb+Sxb的位置的时点，将该电子束设为ON状态， 在到达至Xcb的位置的时点设为OFF状态，由此，该电子束能够对该切割图的图案区 域内进行曝光。在此情况下，经过时间运算电路166将阵列射束500通过曝光范围的+X 侧的第2基准位置的时点至将电子束切换为ON状态及OFF状态为止的时间检测为经过 时间。

此外，在帧内设定着多个基准位置的情况下，经过时间运算电路166可以将通过多个基准位置中的最后的基准位置的时点至将电子束切换为ON状态及OFF状态为止的时 间检测为经过时间。作为一例，经过时间运算电路166根据扫描控制部190沿线图的长 度方向扫描阵列射束500的速度算出经过时间。在此情况下，扫描控制部190理想为一 边使阵列射束500在帧内连续地移动，一边进行曝光，在沿线图的长度方向扫描的情况 下，能以阵列射束500的速度V至少不会变为0而速度V平滑地变化的方式进行控制。

如果扫描控制部190向+X方向扫描阵列射束500，且将第1基准位置的X坐标设 为S，将应曝光的切割图的图案开始位置设为Xcb，将图案的宽度(X轴方向的图案宽 度)设为Sxb，那么经过时间运算电路166能够通过以下的关系式算出将电子束设为ON 状态之前的经过时间(DLa)。另外，经过时间运算电路166可以从扫描控制部190接收 速度V的信息。

(数1)

DLa＝(Xcb－S)/V

此外，经过时间运算电路166能够通过以下关系式算出在图案结束位置Xcb+Sxb将电子束设为OFF状态之前的经过时间(DLb)。

(数2)

DLb＝(Xcb+Sxb－S)/V

经过时间运算电路166对由射束选择电路164选择的电子束B1、B2、…、Bn的每 一个算出将电子束设为ON状态之前的经过时间作为DL1a、DL2a、…、DLna。此外， 经过时间运算电路166算出将电子束设为OFF状态之前的经过时间作为DL1b、 DL2b、…、DLnb。

如上所述，射束选择电路164及经过时间运算电路166与应曝光的切割图对应地分别执行应曝光的电子束的选择及经过时间的检测。选择部160将射束选择电路164的选 择结果及经过时间运算电路166的检测结果供给至照射控制部170。

接下来，曝光控制部140一边扫描阵列射束500的照射位置一边控制带电粒子束的照射(S350)。也就是说，扫描控制部190使平台装置112移动而使阵列射束500的照 射位置以速度V扫描，且将基于平台位置检测部114的位置检测结果的阵列射束500的 照射位置供给至照射控制部170。照射控制部170对遮没部60的对应的遮没电极64供 给控制信号，以根据阵列射束500的照射位置及经过时间控制所选择的电子束的照射。

图7表示本实施方式的照射控制部170对遮没电极64供给的控制信号的时序图的一例。也就是说，图7表示例如针对将图5所示的曝光范围的切割图曝光的电子束B1 至B8的遮没动作的时机。图7的横轴表示时间，纵轴表示电压。

图7所示的八个控制信号是与电子束B1至B8对应的被供给至遮没电极64的控制信号的一例。也就是说，照射控制部170在该控制信号的电压电平为高状态的情况下， 对遮没电极64供给与该控制信号对应的信号电压，而使对应的电子束偏向，因此，将 该电子束设为射束OFF状态。此外，照射控制部170在该控制信号的电压电平为低状态 的情况下，不对遮没电极64供给信号电压而使对应的电子束通过，因此，将该电子束 设为射束ON状态。

于此，在时间轴上T1所示的时点表示具有电子束B2、B4、B6、及B8的第2列通 过第1基准位置的时点。此外，T2所示的时点表示具有电子束B1、B3、B5、及B7的 第1列通过第1基准位置的时点。也就是说，T2－T1＝δ/V。

图7的B1及B2所示的信号是使用电子束B1及B2对图5所示的切割图的第2图 案420进行曝光的控制信号。也就是说，基于第2图案420的切割图数据，选择部160 选择电子束B1及B2，且检测经过时间。而且，将照射控制部170根据经过时间产生示 于图7的示例控制信号B1及B2。

照射控制部170在电子束B1的照射位置通过第1基准位置的时点T2之后且经过了经过时间DL1a的时点T4将该电子束B1从OFF状态切换为ON状态。然后，照射控制 部170在时点T2之后且经过了经过时间DL1b的时点T6将该电子束B1从ON状态切 换为OFF状态。

此外，照射控制部170在电子束B2的照射位置通过第1基准位置的时点T1之后且经过了经过时间DL2a的时点T3将该电子束B2从OFF状态切换为ON状态。然后，照 射控制部170在时点T1之后且经过了经过时间DL2b的时点T5将该电子束B2从ON 状态切换为OFF状态。

如此，照射控制部170能够根据选择部160的选择结果及经过时间、及由扫描控制部190扫描的照射位置的位置信息而产生控制电子束的照射的控制信号。而且，通过将 照射控制部170产生的控制信号供给至遮没电极64，电子柱部120能够将切割图的第2 图案420曝光于试样10上。

同样地，照射控制部170产生由选择部160选择的电子束B3至B8的控制信号，且 将第1图案410及第3图案430曝光于试样10上。如上所述，本实施方式的照射控制 部170基于从照射位置通过基准位置的时点起的经过时间而控制电子束的ON状态及 OFF状态的切换动作。因此，存在从第1基准位置至第2基准位置之间的曝光范围的长 度由计数经过时间的时钟的比特数规定的情况。

于此，时钟的最小周期可以根据预先规定的位置分辨力及平台速度而设定。例如，在曝光位置的数据步为0.125nm的情况下，如果将位置分辨力设为其一半的0.0625nm， 将平台的最大移动速度设为50mm/sec，那么时钟的周期要求最小为1.25ns。于此，如 果将时钟计数器的计数比特数设为12比特(＝4096)，那么能够计数至约5μs的经过时 间。在该经过时间内平台以最大移动速度50mm/sec移动0.25μm。

如此，本实施方式的曝光装置100能够基于时钟周期预先设计曝光范围的长度。而且，曝光装置100能够通过设置多个基准位置且基于从各个基准位置起的经过时间而控 制电子束的照射，而曝光具有比该曝光范围更长的曝光范围的帧。

也就是说，曝光控制部140对于一个帧所包含的所有曝光范围，使阵列射束500的照射位置扫描，针对通过的每一个基准位置，基于从该基准位置起的经过时间控制电子 束的照射。也就是说，曝光控制部140通过在图5的示例所示的第1基准位置至接下来 的第2基准位置的曝光范围内，一边扫描阵列射束500的照射位置，一边控制多个电子 束的照射而进行曝光。

而且，在该帧中存在更多的基准位置的情况下，曝光控制部140使该帧的曝光继续进行(S360：No)，且为了曝光第2基准位置至第3基准位置的下一曝光范围，而返回 至带电粒子束的选择阶段S340。曝光控制部140重复S340至S350的动作直至该帧中 无阵列射束500的照射位置通过的基准位置为止。另外，在扫描控制部190扫描阵列射 束500的照射位置最后通过的基准位置至下一基准位置的曝光范围的期间，选择部160 可以执行与继该下一基准位置以后的下一曝光范围对应的电子束的选择及经过时间的 检测。由此，曝光控制部140能够在时间上连续地对相邻的曝光范围进行曝光。

曝光控制部140在该帧中不存在更多的基准位置的情况下，使该帧的曝光结束(S360：Yes)。而且，在存在接下来要曝光的帧的情况下(S370：No)，返回至S320， 使阵列射束500的照射位置移动至下一帧的起点，而执行该下一帧的曝光。曝光控制部 140重复S320至S360的动作直至无应曝光的帧为止。曝光控制部140在已无应曝光的 帧的情况下，使曝光结束(S370：Yes)。

如上所述，本实施方式的曝光装置100将阵列射束的能照射区域200分割为帧，针对每一帧沿线图的长度方向扫描阵列射束500的照射位置，并且重复控制多个电子束的 照射的曝光动作，从而对该能照射区域200进行曝光。曝光装置100通过利用平台装置 112使试样10移动而能够在试样10的表面上形成不同的多个能照射区域200，因此， 也能够利用一个电子柱部120对形成于试样10的表面的所有线图进行曝光。

图8表示形成于试样10的表面的线图802的一例。本实施方式的曝光装置100对 形成于此种线图802上的抗蚀剂中的切割图810所示的区域执行图3中说明的动作而进 行曝光。通过该曝光，能够去除切割图810的区域的抗蚀剂，因此，能够使位于该切割 图的线图802露出，且蚀刻该露出的线图802而形成微细的配线图等。

图9表示形成于试样10的表面的微细的配线图900的一例。根据本实施方式的曝光装置100，通过曝光预先形成有线图的试样10，能够形成更微细的配线图900。例如， 因为图8所示的线图802为单纯的线与空间图案，所以能够通过利用光曝光技术等而以 大致10nm左右的线宽及线间隔形成。而且，因为本实施方式的曝光装置100通过利用 使用电子束加工该线图802，所以能够形成(例如栅极电极等)只利用光曝光技术无法 执行的微细的配线图900。此外，通过利用光曝光技术等执行线图802的形成，能够减 少形成微细的配线图900之前的总加工时间。

此外，因为基于用于线图802的设计的网格配置切割图的坐标及阵列射束500的照射位置，所以曝光控制部140能够不进行复杂的反馈控制而以简便的控制动作执行微细 的曝光。另外，在以上说明中，本实施方式的曝光装置100作为使用电子束的电子束曝 光装置而进行了说明，但实施方式并不限定于此，也能同样地应用于使用各种带电粒子 束的曝光装置。此外，以切割图的曝光为例进行了说明，但并不限定于此，也能同样地 应用于通孔图案的曝光。

在以上本实施方式的曝光装置100中，说明了对形成有大致相同的线宽及线间隔的 线图的试样10进行曝光的情况。也可以代替所述情况，曝光装置100对形成有不同线 宽及不同线间隔的线图的试样10进行曝光。在基于网格形成有此种不同线宽及不同线 间隔的线图的情况下，曝光装置100能够与该网格对应地对线图的被指定的照射位置进 行曝光。

图10表示形成有不同线宽及不同线间隔的线图的试样10的一例。表示试样10具有第1部分、第2部分、及第3部分且各个部分形成有不同线宽及不同线间隔的线图的 示例。如此，即便在多个种类的线图形成于一个试样的情况下，也将各个线图设为使用 共用的网格而设计的线图。

图10表示如下示例：第1部分的线图802的线宽及线间隔为g，第2部分的线图 804的线宽为2g、线间隔为g，第3部分的线图806的线宽为3g、线间隔为2g。

如此，如果线图的宽度及间隔不同，那么与各个线图对应的切割图810、820、830的大小也分别不同。然而，在每一个线图是基于相同的网格800设计的情况下，每一个 切割图的Y坐标能够像图4及图5所说明的那样，以该网格800的离散的坐标表示。在 此情况下，本实施方式的曝光装置100使电子束的照射位置与间隔g的网格对应，因此， 即便是此种切割图也可以曝光。

图11表示使本实施方式的电子束的照射区域502与网格800对应地配置的示例。也就是说，图11表示像图5中所说明的那样，配置于从-Y方向侧数起第n个的电子束 Bn的照射区域位于从-Y方向侧数起第n条与第n+1条网格之间的示例。由此，例如， 在切割图位于第k条与第p条网格之间的情况下，曝光装置100能够通过使用第k个至 第(p－1)个电子束而对该切割图进行曝光。

也就是说，在此情况下，选择部160根据被指定的照射位置中的线图的宽度选择多个带电粒子束中的在宽度方向连续的至少一个带电粒子束。选择部160例如为了根据第 1部分的线图802的线宽g对切割该线图802的图案宽度2g的切割图进行曝光，而选择 阵列射束中的沿宽度方向排列的两个电子束。

此外，选择部160例如为了根据第2部分的线图804的线宽2g对切割该线图804 的图案宽度3g的切割图进行曝光，而选择阵列射束中的沿宽度方向排列的三个电子束。 同样地，选择部160为了根据第3部分的线图806的线宽3g对切割该线图806的图案 宽度4g的切割图进行曝光，而选择阵列射束中的沿宽度方向排列的四个电子束。如此， 选择部160根据m×g的线宽选择(m+1)个电子束。

此外，如图6及图7中所说明的那样，选择部160决定与所选择的电子束对应的经过时间而分别检测照射位置。由此，曝光控制部140能够通过一边扫描阵列射束500的 照射位置，一边控制电子束的照射，而分别对切割图810、820、及830进行曝光。另外， 在图11的示例中，曝光装置100也可以扫描与电子束的个数n对应的射束宽度n×g的 阵列射束，针对具有与该射束宽度n×g相当的帧宽的每个帧对试样10进行曝光。由此， 本实施方式的曝光装置100即便在试样10形成不同线宽及不同线间隔的线图，也能够 通过与照射位置对应地选择适当的电子束而曝光对应的切割图。

说明了以上本实施方式的曝光装置100在与经过时间对应的切割图的区域将选择部 160所选择的电子束照射至试样10的情况。除此以外，曝光装置100可以调节照射电子束的控制信号从而调整切割图的区域内的曝光量。也就是说，照射控制部170在将至少 一个带电粒子束照射至沿着线图的长度方向被指定的长度范围内的情况下，根据该范围 内的照射位置变更该至少一个带电粒子束的照射量。

图12表示调节本实施方式的照射控制部170产生的切割图的曝光量的控制信号的一例。图12与图7同样地，横轴表示时间，纵轴表示电压。在时点T7，为了将电子束 B2及B4照射至试样10，控制信号B2及B4从高状态切换为低状态。此外，在时点T9， 为了停止电子束B2及B4的照射，控制信号B2及B4从低状态切换为高状态。

同样地，在时点T8，为了将电子束B1及B3照射至试样10，控制信号B1及B3从 高状态切换为低状态，在时点T10，为了停止电子束B1及B3的照射，控制信号B1及 B3从低状态切换为高状态。于此，时点T7与T8的时间差、及时点T9与T10的时间差 均约等于与电子束的列的间隔δ对应的时间差(δ/V)。由此，电子束B1至B4在X轴 中在大致相同坐标开始照射，在大致相同坐标停止照射。也就是说，例如，电子束B1 至B4以曝光图11中的切割图832的方式被驱动。

如此，在使用多个电子束曝光切割图的情况下，有曝光区域的曝光面积越大则该曝 光区域的边界越不明了而模糊的倾向。因此，本实施方式的曝光装置100可以调节照射电子束的控制信号使曝光量减少，从而减少曝光区域的边界变得不明了的情况。

也就是说，照射控制部170在将至少一个带电粒子束照射至沿着线图的长度方向被 指定的长度范围的情况下，根据该范围内的照射位置变更是否将至少一个带电粒子束照 射至试样10。例如，照射控制部170在将电子束B2及B4照射至试样10而曝光的时点 T7至时点T9之间的期间，重复该电子束B2及B4的照射及停止。同样地，照射控制部 170在将电子束B1及B3照射至试样10而曝光的时点T8至时点T10之间的期间，重复 该电子束B1及B3的照射及停止。

如此，照射控制部170在照射电子束而曝光的期间，通过设置停止电子束的照射的期间，能够调节曝光区域整体的曝光量。于此，照射控制部170可以使多个带电粒子束 中的路径最接近的两个带电粒子束照射至试样10的时机错开。例如，照射控制部170 以在曝光期间停止电子束B1的照射的期间与停止电子束B2的照射的期间在时间上不重 叠的方式进行控制。由此，照射控制部170在曝光量区域内能够使不照射电子束的位置 分散，从而防止电子束的照射量局部地偏于一方。

图13表示执行图12所示的时序图所示的曝光量控制的选择部160的构成例。在图13中，对与图6所示的本实施方式的选择部160的动作大致相同的部件标注相同的符号 而省略说明。图13所示的经过时间运算电路166还包含曝光量调整电路168，除检测应 将射束选择电路164所选择的电子束设为ON状态及OFF状态的经过时间以外，还算出 用以控制曝光量的经过时间。

经过时间运算电路166例如像图12所示那样使用(数1)及(数2)式算出应将四 个电子束B1、B2、B3、B4设为ON状态及OFF状态的经过时间(DL1a、DL2a、DL3a、 DL4a、DL1b、DL2b、DL3b、DL4b)。而且，曝光量调整电路168在应设为ON状态的 经过时间至应设为OFF状态的经过时间之间的期间，进而设为ON状态及OFF状态而 算出调整曝光量的经过时间。如果将调整曝光量的经过时间设为DL11、DL12、DL13、… 等，则满足以下关系式。

(数3)

DL1a＜DL11＜DL12＜DL13＜…＜DL1b

DL2a＜DL21＜DL22＜DL23＜…＜DL2b

DL3a＜DL31＜DL32＜DL33＜…＜DL3b

DL4a＜DL41＜DL42＜DL43＜…＜DL4b

因为调整曝光量的经过时间还依存于抗蚀剂的材料等，所以优选为曝光装置100预 先观测相对于曝光量的曝光区域的边界的状态，将成为适当的曝光量的条件存储于存储 部150等。也可以代替所述情况，由用户使用CPU130等输入与调整曝光量的经过时间 对应的参数等。由此，经过时间运算电路166能够算出调节曝光区域的边界状态的经过 时间。

说明了以上本实施方式的曝光装置100在遮没部60根据供给至遮没电极64的电压切换是否使电子束偏向的情况。使用图14对具有此种功能的遮没部60的一例进行说明。

图14表示本实施方式的遮没部60的一例。遮没部60具有多个开口62、第1遮没 电极64a、第2遮没电极64b、共用电极66、以及电极配线68。

多个开口62使多个带电粒子束的每一个个别地通过。也就是说，理想为，多个开口62的数量以与作为射束阵列而输出的多个电子束对应的数量而设置于遮没部60。在 图14中，多个开口62在作为与线图的长度方向对应的方向的X方向上分为第1开口 62a及第2开口62b而示出。第1开口62a是在-X方向侧沿Y方向排列的多个开口62， 例如与图5中的电子束B1、B3、B5、及B7对应而形成。第2开口62b是在+X方向侧 沿Y方向排列的多个开口62，例如与图5中的电子束B2、B4、B6、及B8对应而形成。

第1遮没电极64a设置于第1开口62a中的与共用电极66相反侧的壁面。第2遮 没电极64b设置于第2开口62b中的与共用电极66相反侧的壁面。共用电极66是在X 方向上设置于第1开口62a与第2开口62b之间的壁面上的第1开口62a及第2开口62b 所共用的电极。此外，共用电极66可分别设置于沿Y方向排列的多个开口62中的相邻 的开口62之间。

电极配线68经由对应的放大器172而连接第1遮没电极64a及第2遮没电极64b 的每一个与照射控制部170。照射控制部170根据选择部160的选择而变更第1遮没电 极64a及第2遮没电极64b的电压，且分别切换电子束的ON状态及OFF状态。

如上所述，遮没部60具有沿Y方向排列成两列的多个开口62，因此，能够利用共 用电极66将多个开口62的每一个分离，并且使该多个开口62的Y坐标中的配置连续 地配置。由此，照射控制部170能够对与多个开口62的每一个对应的遮没电极个别地 供给分别切换电子束的ON状态及OFF状态的电压，而个别地进行控制。此外，通过多 个开口62的多个电子束能够设为使照射区域的Y坐标连续的阵列射束。也就是说，通 过该阵列射束的一次扫描，能够将Y坐标中的连续的电子束照射的范围为帧宽度的沿X 轴方向延伸的帧设为该阵列射束的能照射区域。

说明了以上本实施方式的遮没部60具有沿Y方向排列成两列的多个开口62的情况，但也可以代替所述情况而使遮没部60具有沿Y方向排列成三列以上的多个开口62。 在此情况下，也能够利用共用电极66将多个开口62的每一个分离并且使该多个开口62 的Y坐标中的配置连续地配置，因此，电子柱部120能够针对每个帧扫描阵列射束而对 试样10的表面进行曝光。

以上本实施方式的曝光装置100作为具备一个电子柱部120的单电子柱型的电子束 曝光装置进行了说明，但并不限定于此，曝光装置100也可以具备多个电子柱部120。 使用图15对此种具备多个电子柱部120的曝光装置100进行说明。

图15表示本实施方式的曝光装置100的变形例。在图15中，对与图1所示的本实 施方式的曝光装置100的动作大致相同的部件标注相同的符号而省略说明。本变形例的 曝光装置100具备多个电子柱部120、以及具有选择部160、照射控制部170及偏向量 决定部180的曝光控制部140。

另外，在本变形例的曝光装置100中，在使平台装置112移动而扫描阵列射束的照射位置的情况下，每一个曝光控制部140也可以不具有扫描控制部190。图15表示曝光 装置100具备一个平台部110、多个电子柱部120、一个CPU130、不具有扫描控制部 190的多个曝光控制部140、及一个扫描控制部190的示例。

多个电子柱部120的每一个分别连接于对应的曝光控制部140，而对试样10进行曝光。像图3等中所说明的那样，各个电子柱部120的动作是针对每个帧对能照射区域200 进行曝光。也就是说，扫描控制部190控制载置有试样10并使其移动的平台部110而 使试样10相对于多个电子柱部120移动，利用多个电子柱部120并列地对试样10照射 带电粒子束。

如此，本变形例的电子束曝光装置100能够利用多个电子柱部120并列地进行曝光， 因此，能够使曝光的处理量大幅地提高。此外，即便试样10为超过300mm的大口径的 半导体晶片等，也可以通过对应地增加电子柱部120的个数而防止处理量显著地降低。

另外，本变形例的曝光装置100存在多个电子柱部120输出的多个阵列射束的强度分别不同的情况。因此，曝光装置100可以在进行曝光之前预先测定从各个电子柱部120 输出的阵列射束的强度。此外，也可以修正各曝光控制部140中的经过时间以不使由多 个电子柱部120获得的多个曝光结果产生偏差。此外，也能以多个电子柱部120对一个 试样10上的属于不同半导体芯片的切割图分别进行曝光的方式，针对每个电子柱部120 定位阵列射束与该阵列射束要曝光的芯片的线图。

以上，使用实施方式对本发明进行了说明，但本发明的技术范围并不限定于所述实 施方式中记载的范围。本领域技术人员应当明白能够对所述实施方式施加各种变更或改 良。根据权利要求书的记载可明确此种加以变更或改良后的形态也能包含于本发明的技 术范围内。

应留意的是，权利要求书、说明书、及附图中所示的装置、系统、程序、及方法中 的动作、顺序、步骤、及阶段等各处理的执行顺序并未特别写明“之前”、“在……之前” 等，此外，只要并非在之后的处理中使用先前处理的输出，则能以任意的顺序实现。关 于权利要求书、说明书、及附图中的动作流程，即便为了方便起见而使用“首先”、“其 次”等进行说明，也并不表示必须以该顺序实施。

Claims (13)

1.一种曝光装置，所述曝光装置将带电粒子束照射在与基于网格预先形成在试样上的具有不同线宽和不同间距的多个线图中的线图对应的位置处，所述曝光装置具备：

射束产生部，在所述线图的宽度方向上产生照射位置不同的多个带电粒子束，其中所述照射位置被配置为与所述网格相对应；

扫描控制部，使所述多个带电粒子束的照射位置沿着所述线图的长度方向扫描；

选择部，在所述线图上的长度方向的被指定的照射位置选择所述多个带电粒子束中的至少一个带电粒子束，使其应照射至所述试样；以及

照射控制部，控制将所选择的所述至少一个带电粒子束照射至所述试样。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中所述选择部根据所述被指定的照射位置中的所述线图的宽度而选择所述多个带电粒子束中的在宽度方向上连续的所述至少一个带电粒子束。

3.根据权利要求1所述的曝光装置，其还具备载置所述试样并使其移动的平台部，

所述扫描控制部是在维持所述带电粒子束的通过路径的状态下利用所述平台部使所述试样沿所述线图的长度方向移动。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其还具备使所述多个带电粒子束偏向的偏向部，且

所述扫描控制部根据所述平台部所产生的所述试样的移动误差而调整所述带电粒子束的通过路径。

5.根据权利要求1所述的曝光装置，其中所述选择部根据所述多个带电粒子束的照射位置经过所述线图的长度方向上的预先规定的基准位置后的经过时间而检测所述被指定的照射位置。

6.根据权利要求5所述的曝光装置，其中所述选择部根据所述多个带电粒子束的照射位置在所述线图的长度方向上的多个基准位置中最后经过的基准位置、及经过该基准位置后的经过时间而检测所述被指定的照射位置。

7.根据权利要求1所述的曝光装置，其中所述照射控制部在将所述至少一个带电粒子束照射至沿着所述线图的长度方向被指定的长度范围内的情况下，根据该范围内的照射位置而变更所述至少一个带电粒子束的照射量。

8.根据权利要求7所述的曝光装置，其中所述照射控制部根据该范围内的照射位置而变更是否将所述至少一个带电粒子束照射至所述试样。

9.根据权利要求8所述的曝光装置，其中所述照射控制部使所述多个带电粒子束中的路径最接近的两个带电粒子束照射至所述试样的时机错开。

10.根据权利要求1所述的曝光装置，其还具备切换是否使所述多个带电粒子束的每一个照射至所述试样的遮没部，且

所述遮没部具有：

多个开口，使所述多个带电粒子束的每一个个别地通过；

共用电极，在与所述线图的长度方向对应的方向上设置于第一开口与第二开口之间的壁面且被所述第一开口及所述第二开口所共用；

第一遮没电极，设置于所述第一开口中的与所述共用电极相反侧的壁面；以及

第二遮没电极，设置于所述第二开口中的与所述共用电极相反侧的壁面。

11.根据权利要求10所述的曝光装置，其中所述照射控制部根据所述选择部的选择而变更所述第一遮没电极及所述第二遮没电极的电压。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的曝光装置，其具备多个所述射束产生部、所述选择部、及所述照射控制部，且

所述扫描控制部控制载置所述试样并使其移动的平台部，从而使所述试样相对于多个所述射束产生部移动，且

利用多个所述射束产生部并列地对所述试样照射带电粒子束。

13.一种曝光方法，用于将带电粒子束照射在与试样上的多个线图中的线图对应的位置处，所述曝光方法具备：

基于网格在所述试样上形成具有不同线宽和不同间距的所述多个线图；

射束产生阶段，在所述线图的宽度方向产生照射位置不同的多个带电粒子束，其中所述照射位置被配置为与所述网格相对应；

扫描控制阶段，使所述多个带电粒子束的照射位置沿着所述线图的长度方向扫描；

选择阶段，在所述线图上的长度方向的被指定的照射位置，选择所述多个带电粒子束中的至少一个带电粒子束，使其应照射至所述试样；以及

照射控制阶段，控制将所选择的所述至少一个带电粒子束照射至所述试样。