CN105705960A - 磁传感器装置和用于磁传感器装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁传感器装置，其具有：沿第一中心纵轴线(10)取向的、具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)，和具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)，其中，该第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿第二中心纵轴线(14)延伸至该第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)，其中，所述第二中心纵轴线(14)位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内，并且其中，所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距(a1，a2)小于该第一磁芯结构(12)沿该第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％。此外，本发明涉及用于该磁传感器装置的制造方法。

Description

磁传感器装置和用于磁传感器装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种磁传感器装置。此外，本发明涉及一种用于磁传感器装置的制造方法。

背景技术

已知一种磁通门磁强计(Fluxgate-Magnetometer)，该磁通门磁强计例如在数字罗盘中使用。该也可称为弗斯特探针(Foerster-Sonde)的磁通门磁强计具有驱动线圈和探测线圈，它们围绕磁芯导向。在数字罗盘中，例如三个磁通门磁强计这样相对于彼此取向，使得磁芯的三个中心纵轴线相互垂直地取向。

发明内容

本发明提出一种具有权利要求1特征的磁传感器装置和一种具有权利要求10特征的用于磁传感器装置制造方法。

本发明能够实现，为此使用的线圈和磁芯结构布置在相对小的体积内的情况下，(几乎)无横向影响地测量一磁场的至少两个相互垂直取向的磁场分量。尤其，可以借助本发明来阻止被动测量元件磁化方向的不受控的翻转(Umklappens)或者说不受控制的定向对主动测量元件的测量值的干扰影响。基于借助本发明可减少/可消除的、测量元件相互的干扰影响，可以将测量元件的磁芯结构更靠近彼此地放置。这允许根据本发明的磁传感器装置的小型化，尽管它构造用于探测至少两个相互垂直取向的磁场分量。

由于小型化可以将多个磁传感器装置制造在一个作为共同的初始材料使用的晶片上。本发明由此减少用于制造磁传感器装置的制造成本。此外，磁传感器装置的小型化允许它的更轻的构造。此外，借助磁传感器装置的小型化可以明显地减少它的结构所需空间，从而提高磁传感器装置的可利用性。例如由于它的小的结构所需空间和它的轻的重量可以将磁传感器装置有利地使用在移动通讯器具、例如智能电话中。但要指出的是，根据本发明的磁传感器装置在许多其它的器具中也可以使用。

在一种有利的实施方式中，第二磁芯结构相对于第一磁芯结构这样布置，使得第二中心纵轴线位于一与第一中心纵轴线垂直地取向并且包括第一磁芯结构的第一重心的平面内。由此，可以将两个磁芯结构构造成T形结构。这也允许所述两个磁芯结构的一件式构造。

此外，第二磁芯结构可以相对于第一磁芯结构这样布置，使得第二中心纵轴线穿过第一磁芯结构的第一重心地走向。这允许磁传感器装置的附加的小型化，从而进一步地减少其结构所需空间。

在另外一种有利的实施方式中，磁传感器装置还包括一沿第三中心纵轴线取向的、具有至少一个第三线圈的第三磁芯结构，其中，所述至少一个第三线圈的线匝围绕该第三磁芯结构的第三中心纵轴线走向，并且其中，所述第三中心纵轴线垂直于所述第一中心纵轴线并且垂直于所述第二中心纵轴线地取向。由此，磁传感器装置也可以构造用于求取在所有空间方向上的磁场分量。

优选，所述第三磁芯结构相对于所述第一磁芯结构和所述第二磁芯结构这样布置，使得该第三磁芯结构相对于该第一磁芯结构的第一重心的间距小于该第一磁芯结构沿所述第一中心纵轴线的最大延伸的20％和/或所述第三磁芯结构相对于该第二磁芯结构的第二重心的间距小于该第二磁芯结构沿所述第二中心纵轴线的最大延伸的20％。以这样的方式保证，至少由第三磁芯结构和至少一个第三线圈构成的第三测量元件几乎不妨碍/不妨碍借助至少一个第一线圈实施的测量和/或者借助至少一个第二线圈实施的测量。同样以这样的方式可以保证，至少由第一磁芯结构和至少一个第一线圈构成第一测量元件和/或者由至少一个第二磁芯结构和至少一个第二线圈构成的第二测量元件几乎不妨碍/不妨碍借助所述至少一个第三线圈实施的测量。

作为替代或者补充的方案，第三磁芯结构这样相对于第一磁芯结构和第二磁芯结构布置，使得该第一磁芯结构相对于该第三磁芯结构的第三重心的间距小于该第三磁芯结构沿所述第三中心纵轴线的最大延伸的20％和/或该第二磁芯结构相对于该第三磁芯结构的第三重心的间距小于该第三磁芯结构沿所述第三中心纵轴线的最大延伸的20％。以这种方式也可以实现在开头的段落中描述的优点。

第三磁芯结构也可以这样相对于第一磁芯结构和第二磁芯结构布置，使得所述第三中心纵轴线位于一与所述第一中心纵轴线垂直地取向并且包括所述第一磁芯结构的第一重心的平面内或者位于一与所述第二中心纵轴线垂直地取向并且包括所述第二磁芯结构的第二重心的平面内。尤其，第三磁芯结构可以这样相对于第一磁芯结构和第二磁芯结构布置，使得第三中心纵轴线穿过该第一磁芯结构的第一重心或者该第二磁芯结构的第二重心地走向。在所有这里描述的情况中，可以将三个磁芯结构布置在相对较小的体积内。

在另外一种有利的实施方式中，至少一个驱动线圈和/或者至少一个探测线圈作为所述至少一个线圈布置在至少两个磁芯结构中的至少一个上。根据本发明的磁传感器装置可以由此也被构造成磁通门磁强计。

上述的优点也在实施相应的、用于磁传感器装置的制造方法时被保证。根据磁传感器装置的不同实施方式可以扩展构造制造方法。

附图说明

接下来借助附图解释本发明的其它特征和优点。附图示出：

图1a和1b磁传感器装置的第一实施方式的示意图；

图2磁传感器装置的第二实施方式的示意图；和

图3用于阐明磁传感器装置的制造方法的实施方式的流程图。

具体实施方式

图1a和1b示出磁传感器装置的第一实施方式的示意图。

图1a和1b中示意地示出的磁传感器装置具有一沿第一中心纵轴线10取向的第一磁芯结构12和一第二磁芯结构16，第二磁芯结构从第二磁芯结构16的第一端部面16a沿第二中心纵轴线14向第二磁芯结构16的第二端部面16b延伸。每个磁芯结构12和16构造有至少一个(示意地反映出)线圈18和20，其中，第一磁芯结构12的至少一个第一线圈18的线匝围绕第一中心纵轴线10走向而第二磁芯结构16的至少一个第二线圈20的线匝围绕第二中心纵轴线14走向。例如，可以在磁芯结构12和16上各布置/构造一个驱动线圈和一个探测线圈。然而，一个磁芯结构12和16也可以具有多个驱动线圈和/或者多个探测线圈。

具有至少一个第一线圈18的第一磁芯结构12可以作为第一测量元件使用。相应地，也可以将具有至少一个第二线圈20的第二磁芯结构16作为第二测量元件使用。基于至少一个第一线圈18的线匝构造，至少一个第一线圈18/第一测量元件的探测方向位于第一中心纵轴线10上。第二中心纵轴线14反映出至少一个第二线圈20/第二测量元件的探测方向。

第一端部面16a和第二端部面16b可以分别理解为第二磁芯结构16的质点面，所述质点面沿第二中心纵轴线14与第二磁芯结构16的(未绘出的)第二重心/中点最远地隔开间距。由此，第二磁芯结构16的一个端部上的如下所述的质点也可以称为第一端部面16a，所述质点在第二中心纵轴线14上的投影相对于第二磁芯结构16的第二重心/中点在第二中心纵轴线14上的投影具有第一最大间距。相应地，第二磁芯结构16的另一个端部上的如下所述的质点可称为第二端部面16b，所述质点在第二中心纵轴线14上的投影相对于第二磁芯结构16的第二重心/中点在第二中心纵轴线14上的投影具有第二最大间距。(第一最大间距和第二最大间距可以相等或者不相等。)

由此，也可以将第一端部面16a和第二端部面16b分别称为第二磁芯结构16的外部面或者端面。尤其，第一端部面16a和/或者第二端部面16b可以垂直于第二中心纵轴线14地取向。接下来将第一端部面16a理解为两个端部面16a和16b中更靠近第一磁芯结构12的第一重心S1的端部面。

第二磁芯结构16相对于第一磁芯结构12这样布置，使得第二中心纵轴线14位于垂直于第一中心纵轴线10取向的平面内。此外，第二磁芯结构16的第一端部面16a相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距a1小于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1的20％。第二磁芯结构16的第一端部面16a的间距a1是第二磁芯结构16的第一端部面16a的所有点到第一磁芯结构12的第一重心S1的最小间距。要明确地指出的是，第二磁芯结构16的第一端部面16a的间距a1不限定平均值，而是限定第二磁芯结构16的第一端部面16a的所有点到第一磁芯结构12的第一重心S1的距离的最小值。第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1可以理解为第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10延伸的最大长度。

由在之前的段落中描述的、第二磁芯结构16相对于第一磁芯结构12的布置得到的优点，在图1a和1b中示意地示出。为此，图1a至少部分地示出第一磁场的第一场线22，该第一磁场可借助对所述至少一个第一线圈18中的至少一个通电来产生或者说可通过第一测量元件生成。在图1b中示出第二磁场的第二场线24，该第二磁场可通过对所述至少一个第二线圈20中的至少一个通电来产生或者说可通过第二测量元件产生。

第一磁场的在图1a中示出的第一场线22在第二磁芯结构16的体积内部(几乎)垂直于第二中心纵轴线14地取向。由此，第一磁场的第一场线22在第一磁芯结构12的体积内部与所述至少一个第二线圈20的探测方向(基本上)正交地取向。也可以这么说，第一磁场的第一场线22在第一磁芯结构12的体积内部与第二测量元件的探测方向(几乎)正交。由此，第一磁场(作为干扰磁场)不/几乎不妨碍借助至少一个第二线圈20实施的测量。由此可以这么说，由第一测量元件在至少一个第二线圈20上产生的有效干扰磁场(几乎)为零。

如借助图1b可看到的那样，第二磁场的在第一磁芯结构12体积中的第二场线24有不为零的、平行于第一中心纵轴线10取向的分量。然而，第一磁芯结构12的内部的、平行于第一中心纵轴线10取向的分量在总的最大延伸L1上(基本上)平均抵消掉。由此，第一磁芯结构12中的第二磁场在最大延伸L1上的平均值的形成得出(几乎)为零。由此，第二磁场(作为干扰磁场)对借助至少一个第一线圈18实施的测量所产生的影响也可以被忽视。也可以这么说，由第二测量元件对第一测量元件施加的有效干扰磁场(几乎)为零。

磁芯结构12和16相对于彼此的有利布置，其中，第二磁芯结构16的第一端部面16a相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距a1至少小于最大延伸L1的20％，由此造成，第一测量元件既不对第二测量元件施加干扰磁场，第二测量元件也不引起对第一测量元件的干扰磁场。取而代之地，测量元件相互的干扰作用尽管它们布置得相对较近仍被减少/限制。

为更准确地阐明第二磁芯结构16相对于第一磁芯结构12的有利布置的优点，简短地探讨用于测量元件的另一布置可能性的例子。如果例如第二磁芯结构16布置在借助虚线26在图1a中标出的区域内，其中，第一磁芯结构12的第一重心S1和第二磁芯结构16的第一端部面16a之间的间距大约等于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1的一半，则第一测量元件会对第二测量元件施加显著的干扰磁场，所述干扰磁场在虚线区域26内具有未平均抵消掉的磁场分量。

与此相比，图1a和1b中示出的磁芯结构12和16相对于彼此的有利布置具有这样的优点：借助第一磁芯结构12和至少一个第一线圈18产生的磁场在第二磁芯结构16的体积内(几乎)没有沿第二中心纵轴线14的磁场分量(看图1a)。此外还要再次指出，磁场线24的平行于第一中心纵轴线10取向的分量在第一磁芯结构12体积内(基本上)平均抵消掉。

第二磁芯结构16尤其可以相对于第一磁芯结构12这样布置，使得第二磁芯结构16的第一端部面16a和第一重心S1之间的间距a1小于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1的15％，优选小于10％，更优选小于5％。磁芯结构12和16尤其可以这样相对于彼此布置，使得它们相互触碰，即，第二磁芯结构16的第一端部面16a和第一重心S1之间的间距等于第一磁芯结构12的宽度的一半(至少在第二磁芯结构16的接触区域上)。以这样的方式可以使由于干扰磁场引起的对测量的影响进一步地减少。

磁芯结构10和16可以分别一件式构成。然而要指出的是，概念“磁芯结构”12和16也可以理解为由多个磁芯组成的结构。磁芯结构12和16可以由此以极大的设计自由被制造。

在图1a和1b的实施方式中，第二磁芯结构16此外这样相对于第一磁芯结构12布置，使得第二中心纵轴线14位于垂直于第一中心纵轴线10取向并且包括第一磁芯结构12的第一重心S1的平面内。这保证了第二磁场线24关于垂直于第一中心纵轴线10取向并且包括第一重心S1的平面的对称性，该对称性造成第二场线24在第一磁芯结构12的体积内的平均抵消(Herausmitteln)。尤其，中心纵轴线10和14可以位于共同的(另外的)平面内。此外，第二中心纵轴线14可以穿过第一磁芯结构12的第一重心S1地走向。这也保证有利的无干扰磁场的测量。

图2示出磁传感器装置的第二实施方式的示意图。

在图2中示意地示出的磁传感器装置具有上面已经说明的磁芯结构12和16，它们具有各自的线圈18和20。在该实施方式中，第二磁芯结构16也这样相对第一磁芯结构12布置，使得第二中心纵轴线14位于垂直于第一中心纵轴线10取向的平面内。(在图2的实施方式中，第二中心纵轴线14垂直地从图形平面伸出，第一中心纵轴线10和第一端部面16a位于该图形平面内。)此外，第二磁芯结构16的第一端部面16a(的所有点)相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距a2小于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1的20％。再次要指出的是，第二磁芯结构16的第一端部面16a的间距a2不是平均值，而是第二磁芯结构16的第一端部面16a的所有点相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的最小距离。

图2的实施方式除了部件12、16、18和20外还包括沿第三中心纵轴线30取向的、具有至少一个第三线圈34的第三磁芯结构32。该第三中心纵轴线30垂直于第一中心纵轴线10并且垂直于第二中心纵轴线14地取向。至少一个第三线圈34的线匝围绕第三磁芯结构32的第三中心纵轴线30地走向。例如，至少一个驱动线圈和/或者至少一个探测线圈可以作为至少一个第三线圈34布置/构造在第三磁芯结构32上。具有至少一个第三线圈34的第三磁芯结构32由此可称为第三测量元件。

有利地，第三磁芯结构32相对第一磁芯结构12和第二磁芯结构16这样布置，使得第三磁芯结构32相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距小于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1的20％和/或第三磁芯结构32相对于第二磁芯结构16的第二重心的间距小于第二磁芯结构16沿第二中心纵轴线14的最大延伸的20％。第三磁芯结构32相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距(或者相对于第二磁芯结构16的第二重心)可以尤其小于第一磁芯结构12沿第一中心纵轴线10的最大延伸L1(或者第二磁芯结构16沿第二中心纵轴线14的最大延伸)的15％，优选小于10％，更优选小于5％。(第三磁芯结构32的间距在这种情况下应理解为第三磁芯结构32的所有质点的最小间距)。

替代地，第三磁芯结构32也可以相对第一磁芯结构12和第二磁芯结构16这样布置，使得第一磁芯结构12相对于第三磁芯结构32的第三重心S3的间距小于第三磁芯结构32沿第三中心纵轴线30的最大延伸L3的20％和/或第二磁芯结构16相对于第三磁芯结构32的第三重心S3的间距小于第三磁芯结构32沿第三中心纵轴线30的最大延伸L3的20％。第一磁芯结构12(或者第二磁芯结构16的)相对于第三磁芯结构32的第三重心S3的间距可以尤其小于第三磁芯结构32沿第三中心纵轴线30的最大延伸L3的15％，优选小于10％，更优选小于5％。(在这种情况下第一磁芯结构12/第二磁芯结构16的间距应理解为第一磁芯结构12/第二磁芯结构16的所有质点的最小间距。)

在前两个段落中描述的磁芯结构10、16和32的布置可能性分别保证借助线圈18，20和34的(几乎)无干扰磁场的测量。

在图2中示意地示出的实施方式中，第一磁芯结构12和第三磁芯结构32这样布置/构造成交叉结构，使得它们的中心纵轴线10和30位于共同的平面内。第三磁芯结构32相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的间距由此为零。(相应地，第一磁芯结构12相对于第三磁芯结构32的第三重心S3的间距也为零。)尤其，两个重心S1和S3可以重合。为建立图2中示意地示出的、两个磁芯结构12和32的布置，可以这样前后相继地沉积它们的材料，使得形成由两个磁芯结构12和32共有的中心磁芯区域36，两个剩余磁芯结构独立地连接在该中心磁芯区域上。

图2的磁芯结构12和32的有利布置造成，至少一个第一线圈18在第三磁芯结构32体积内的干扰磁场与第三磁芯结构的中心纵轴线30正交地取向，而借助至少一个第三线圈中的至少一个所产生的第三磁场具有(未绘出的)第三场线，该第三场线在第一磁芯结构12的体积内垂直于第一中心纵轴线10地走向。由此，借助所有部件的不受干扰磁场妨碍的测量是可能的。

例如，第二磁芯结构16这样相对于其他磁芯结构12和32布置，使得第二磁芯结构16的第一端部面16a位于被第一中心纵轴线10和第三中心纵轴线30展开的平面内。(在图2的例子中，中心纵轴线10和30和第一端部面16a位于图形平面内。)第二磁芯结构16相对于第一磁芯结构12的这种布置的优点可借助图1a和1b看出。由于第三磁芯结构32相对于第一中心纵轴线10的垂直取向和第三磁芯结构32在第一磁芯结构12上的靠近的布置，也保证了磁芯结构16和32的相同优点。

在所有上述实施方式中，线圈18、20和34(作为驱动线圈和/或探测线圈)可以是分开地能接触/能通电的和/或串联的。可以例如这样设计至少一个驱动线圈，使得借助所述至少一个驱动线圈的通电可至少局部地在各个驱动线圈的磁芯结构12、16或者32中产生磁场。所述至少一个驱动线圈可以尤其借助交流电信号通电。基于在各个磁芯结构12、16和32中产生的磁场与另外的磁场、例如地磁场的叠加，各个磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化(Ummagnetisierung)可能出现。借助在至少一个探测线圈中感应的电压，磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化可以是能探测的。接着，可以通过评估磁芯结构12、16和32的自发的交变磁化的时间点来确定所述另外的磁场的场强。

上述的实施方式由此有利地适用于构造2D或者3D磁场传感器。此外，可以将所有的实施方式与加速传感器结合。例如可以由传感器数据合并(Sensordatenfusion)来确定相对于磁北极的当前方向。因此，这些实施方式也适合于罗盘。

在上述的实施方式中，第二磁芯结构16的第一端部面16a(的所有点)相对于第一磁芯结构12的第一重心S1的(最小)间距称为a1或者a2。由此要表达的是，根据磁芯结构12和16相对于彼此的布置而定，第二磁芯结构16的第一端部面16a相对于第一重心S1的间距例如可以是第一端部面16a的中点的距离a1(看图1a)或者第一端部面16a的角点的距离a2(看图2)。但这里给出的例子应不被限制地解读。

图3示出用于解释磁传感器装置的制造方法的实施方式的流程图。

在下文中描述的制造方法适合于所有上述实施方式的制造。要指出的是，制造方法的可实施性不局限于这样的磁传感器装置的制造。

在方法步骤S1中，具有至少一个第一线圈的第一磁芯结构沿第一中心纵轴线这样取向/构成，使得该至少一个第一线圈的线匝围绕第一中心纵轴线走向。此外，在方法步骤S2中，具有至少一个第二线圈的第二磁芯结构沿第二中心纵轴线取向/构成，该第二中心纵轴线位于垂直于第一中心纵轴线取向的平面内。这样执行方法步骤S2，使得第二磁芯结构从第二磁芯结构的第一端部面沿第二中心纵轴线向第二磁芯结构的第二端部面延伸并且至少一个第二线圈的线匝围绕第二磁芯结构的第二中心纵轴线走向。(第一端部面和第二端部面的限定已经在上面说明。)在执行方法步骤S1和S2时保证，将第二磁芯结构相对于第一磁芯结构这样布置，使得第二磁芯结构的第一端部面相对于第一磁芯结构的第一重心的间距小于第一磁芯结构沿第一中心纵轴线的最大延伸的20％。

方法步骤S1和S2可以以任意的顺序或者同时被执行。在有利的扩展构造中还可以添加具有至少一个第三线圈的第三磁芯结构，其中，至少一个第三线圈的线匝围绕第三磁芯结构的第三中心纵轴线走向。第三磁芯结构的第三中心纵轴线垂直于第一中心纵轴线并且垂直于第二中心纵轴线取向。上面已经说明了三个磁芯结构相互的有利布置的可能性。

Claims (10)

1.磁传感器装置，其具有:

沿第一中心纵轴线(10)取向的、具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)，其中，所述至少一个第一线圈(18)的线匝围绕第一磁芯结构(12)的第一中心纵轴线(10)走向；和

具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)，其中，所述第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿第二中心纵轴线(14)延伸至该第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)并且所述至少一个第二线圈(20)的线匝围绕该第二磁芯结构(16)的第二中心纵轴线(14)走向；

其中，所述第二中心纵轴线(14)位于与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内，

其特征在于，

所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距(a1，a2)小于所述第一磁芯结构(12)沿该第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％。

2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中，第二磁芯结构(16)相对于第一磁芯结构(12)这样布置，使得第二中心纵轴线(14)位于一与第一中心纵轴线(10)垂直地取向并且包括第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的平面内。

3.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其中，所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得所述第二中心纵轴线(14)穿过该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)地走向。

4.根据以上权利要求之一所述的磁传感器装置，其中，所述磁传感器装置包括沿第三中心纵轴线(30)取向的、具有至少一个第三线圈(34)的第三磁芯结构(32)，其中，所述至少一个第三线圈(34)的线匝围绕第三磁芯结构(32)的第三中心纵轴线(30)走向，其中，该第三中心纵轴线(30)垂直于所述第一中心纵轴线(10)并且垂直于所述第二中心纵轴线(14)地取向。

5.根据权利要求4所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)这样布置，使得该第三磁芯结构(32)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距小于该第一磁芯结构(12)沿所述第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％和/或所述第三磁芯结构(30)相对于该第二磁芯结构(16)的第二重心的间距小于该第二磁芯结构(16)沿所述第二中心纵轴线(14)的最大延伸的20％。

6.根据权利要求4或者5所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得该第一磁芯结构(12)相对于该第三磁芯结构(32)的第三重心(S3)的间距小于该第三磁芯结构(32)沿所述第三中心纵轴线(30)的最大延伸(L3)的20％和/或该第二磁芯结构(16)相对于该第三磁芯结构(32)的第三重心(S3)的间距小于该第三磁芯结构(32)沿所述第三中心纵轴线(30)的最大延伸(L3)的20％。

7.根据权利要求4至6之一所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得所述第三中心纵轴线(30)位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向并且包括所述第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的平面内或者位于一与所述第二中心纵轴线(14)垂直地取向并且包括所述第二磁芯结构(16)的第二重心的平面内。

8.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其中，所述第三磁芯结构(32)这样相对于所述第一磁芯结构(12)和所述第二磁芯结构(16)布置，使得所述第三中心纵轴线(30)穿过该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)或者该第二磁芯结构(16)的第二重心地走向。

9.根据以上权利要求之一所述的磁传感器装置，其中，至少一个驱动线圈和/或者至少一个探测线圈作为所述至少一个线圈(18、20、34)布置在所述至少两个磁芯结构(12、16、32)中的至少一个上。

10.用于磁传感器装置的制造方法，其包括步骤：

使具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)沿第一中心纵轴线(10)这样取向，使得所述至少一个第一线圈(18)的线匝围绕所述第一中心纵轴线(10)走向(S1)；和

使具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)沿位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内的第二中心纵轴线(14)这样取向，使得该第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿所述第二中心纵轴线(14)延伸至第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)并且所述至少一个第二线圈(20)的线匝围绕所述第二磁芯结构(16)的第二中心纵轴线(14)走向(S2)；

其特征在于，

使第二磁芯结构(16)相对于第一磁芯结构(12)这样布置，使得所述第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距(a1，a2)小于该第一磁芯结构(12)沿所述第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％。