CN105704857A - Led控制芯片和led恒流控制电路 - Google Patents

Led控制芯片和led恒流控制电路 Download PDF

Info

Publication number
CN105704857A
CN105704857A CN201610091295.7A CN201610091295A CN105704857A CN 105704857 A CN105704857 A CN 105704857A CN 201610091295 A CN201610091295 A CN 201610091295A CN 105704857 A CN105704857 A CN 105704857A
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
led
module
peak value
power switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610091295.7A
Other languages
English (en)
Inventor
宗强
刘准
殷忠
吴寿化
管磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI CHIP HOPE MICRO-ELECTRONICS Ltd
Original Assignee
WUXI CHIP HOPE MICRO-ELECTRONICS Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI CHIP HOPE MICRO-ELECTRONICS Ltd filed Critical WUXI CHIP HOPE MICRO-ELECTRONICS Ltd
Priority to CN201610091295.7A priority Critical patent/CN105704857A/zh
Publication of CN105704857A publication Critical patent/CN105704857A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED恒流控制电路，包括：整流电路、输入电容Cin、LED控制芯片、滤波电容C111、电流峰值采样电阻R1、电流平均值采样电阻R2、主功率电感L112、续流二极管D114、电容C113；其中，LED控制芯片包括：高压供电模块、基准电压源、驱动逻辑模块、主功率开关管Q101、峰值电流控制模块和恒流控制环路；进一步地，恒流控制环路包括运算放大器U301和U307、比较器U306、NMOS管Q302和Q305、PMOS管Q308和Q309、电阻R303和R310、电容C304；本发明的优点在于元器件少，控制方式相对简单，可靠性强。

Description

LED控制芯片和LED恒流控制电路
技术领域
本发明涉及一种LED驱动电源，尤其是一种LED恒流控制电路。
背景技术
LED驱动电源的目的是为了给LED灯珠提供恒定的输出电流。低成本，小体积在LED灯越来越普及的今天逐渐成为一种趋势。非隔离型的LED驱动电源因为其转换效率高，原器件少等原因，成为目前LED驱动电源的一种主流方式。
图1为传统的非隔离型LED驱动电路。212为主功率电感，210为主功率开关管，211为峰值电流检测电阻。当212中的电流到达一定值时，211上的电压超过内部基准电压，控制芯片200通过峰值电流控制单元205，开关信号产生单元204和驱动单元201来关断主功率开关管210。214为辅助绕组，215与216为辅助绕组的分压电阻，215与216的公共端接入控制芯片200的比较器202，当主功率电感212中电流变为零时，所述215和216的公共端电压降为零，比较器202输出信号ZXC，通过开关信号产生单元204和驱动单元201打开开关管。
图1所示的非隔离型的LED驱动电源主要是降压型的BUCK方式，采用临界断续的控制方式，在输出电流比较大的场合，临界断续控制方式的优点是控制方式简单，电感内的电流应力不大。但是当临界断续控制方式用在高压小电流的场合时，因其电感量太大，造成了整个驱动电源体积的提升和成本的增加。
针对目前市场上越来越多的高压小电流，尤其是灯丝灯的应用场合，不少的LED芯片厂开始趋向于断续控制方式来设计LED驱动电源。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种LED控制芯片和应用该LED控制芯片的LED恒流控制电路，适用于高压小电流小体积的LED驱动场合。本发明采用的技术方案是：
一种LED控制芯片，包括：高压供电模块、基准电压源、驱动逻辑模块、主功率开关管Q101、峰值电流控制模块和恒流控制环路；
所述高压供电模块的输入端和主功率开关管Q101的电流输入端作为LED控制芯片的漏端，用于外接整流后的输入电压；
高压供电模块用于降压转换，提供LED控制芯片内部的供电电压VDD；高压供电模块的输出端接基准电压源；
所述基准电压源的地端接LED控制芯片的芯片地，基准电压源用于产生基准电压Vref、Vref1和Vref2，并分别给峰值电流控制模块提供基准电压Vref，给恒流控制环路提供基准电压Vref1和Vref2；
主功率开关管Q101的电流输出端作为LED控制芯片的源端，并且连接峰值电流控制模块的采样端，峰值电流控制模块的采样端用于外接电流峰值采样电阻；峰值电流控制模块的输出端接驱动逻辑模块的一个输入端；
恒流控制环路具有一个采样端，用于外接电流平均值采样电阻；恒流控制环路的输出端接驱动逻辑模块的另一个输入端；
驱动逻辑模块的输出端接主功率开关管Q101的控制端；
当主功率开关管Q101开通时，流过主功率开关管Q101的电流开始上升；当主功率开关管Q101的电流到达所述峰值电流控制模块设定的基准时，所述峰值电流控制模块输出开关关断信号，通过所述驱动逻辑模块关断所述主功率开关管Q101；当恒流控制环路探测到连接的电流平均值采样电阻在一个开关周期内的电压平均值低于所述恒流控制环路设定的基准值时，所述恒流控制环路输出控制信号，通过所述驱动逻辑模块重新打开所述主功率开关管Q101。
进一步地，恒流控制环路包括运算放大器U301和U307、比较器U306、NMOS管Q302和Q305、PMOS管Q308和Q309、电阻R303和R310、电容C304；
运算放大器U301的同相输入端用于连接电流平均值采样电阻上的采样电压CS，输出端接NMOS管Q302的栅极，NMOS管Q302的源极接运算放大器U301的反相输入端和电阻R303的一端，电阻R303的另一端接芯片地；
运算放大器U307的同相输入端接基准电压Vref1，输出端接NMOS管Q305的栅极；NMOS管Q305的源极接运算放大器U307的反相输入端和电阻R310的一端，电阻R310的另一端接芯片地；
PMOS管Q308和Q309的源极相接并连接供电电压VDD，栅极也相接；PMOS管Q308的栅极接漏极，并连接NMOS管Q302的漏极；
PMOS管Q309的漏极接电容C304的一端、NMOS管Q305的漏极和比较器U306的反相输入端；
电容C304的另一端接芯片地；比较器U306的同相输入端接基准电压Vref2，输出端接驱动逻辑模块。
进一步地，峰值电流控制模块包括一个比较器U401，比较器U401的反相输入端接基准电压Vref，同相输入端接主功率开关管Q101的电流输出端，以及用于外接电流峰值采样电阻；比较器U104的输出端接驱动逻辑模块。
进一步地，主功率开关管Q101采用NMOS管，Q101的漏极为电流输入端，源极为电流输出端，栅极为控制端。
进一步地，高压供电模块还具有一个外接滤波电容端，用于连接LED控制芯片外的滤波电容。
本发明提供的一种LED恒流控制电路，包括上述中任一项所述LED控制芯片，以及整流电路、输入电容Cin、电流峰值采样电阻R1、电流平均值采样电阻R2、主功率电感L112、续流二极管D114、电容C113；
整流电路的正输出端接输入电容Cin的一端以及LED控制芯片的漏端；整流电路的负输出端接输入电容Cin的另一端和电路地；
LED控制芯片的源端内接峰值电流控制模块的采样端并外接电流峰值采样电阻R1的一端和续流二极管D114的阴极；电阻R1的另一端接电流平均值采样电阻R2的一端，以及恒流控制环路106的采样端；电流平均值采样电阻R2的另一端接主功率电感L112的一端和芯片地；主功率电感L112的另一端接电容C113的一端，并用于连接LED灯的正极；电容C113的另一端和续流二极管D114的阳极接线路地，并用于连接LED灯的负极。
进一步地，高压供电模块还具有一个外接滤波电容端，通过滤波电容C111接芯片地。
本发明的优点在于：本发明适用于高压小电流的LED驱动应用场合，元器件较少，电路简洁可靠，控制方式相对简单；是一种优秀的LED恒流控制电路。
附图说明
图1为传统的非隔离型LED驱动电路示意图。
图2为本发明的非隔离型LED驱动电路示意图。
图3为本发明的LED驱动电路中恒流控制环路的实现电路图。
图4为本发明的峰值电流控制模块的实现电路图。
图5为本发明电路关键点的工作波形图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
本发明提供一种LED恒流控制电路，如图2所示，包括：整流电路、、输入电容Cin、LED控制芯片100、滤波电容C111、电流峰值采样电阻R1、电流平均值采样电阻R2、主功率电感L112、续流二极管D114、电容C113；
其中，LED控制芯片100包括：高压供电模块103、基准电压源105、驱动逻辑模块102、主功率开关管Q101、峰值电流控制模块104和恒流控制环路106；
整流电路采用全桥整流电路，包括二极管D1～D4；整流电路的正输出端接输入电容Cin的一端以及LED控制芯片的漏端（图2中的DRAIN端）；整流电路的负输出端接输入电容Cin的另一端和电路地；LED控制芯片的源端（图2中的S端）内接峰值电流控制模块104的采样端并外接电流峰值采样电阻R1的一端和续流二极管D114的阴极；电阻R1的另一端接电流平均值采样电阻R2的一端，以及恒流控制环路106的采样端；电流平均值采样电阻R2的另一端接主功率电感L112的一端和芯片地；主功率电感L112的另一端接电容C113的一端，并用于连接LED灯的正极；电容C113的另一端和续流二极管D114的阳极接线路地，并用于连接LED灯的负极。高压供电模块103还具有一个外接滤波电容端，通过滤波电容C111接芯片地。
本文中的芯片地是指LED控制芯片100的地；电路地是指整个LED恒流控制电路的地。
在LED控制芯片100中，主功率开关管Q101采用NMOS管；Q101的漏极为电流输入端，源极为电流输出端，栅极为控制端。
所述高压供电模块103的输入端和主功率开关管Q101的漏极作为LED控制芯片的漏端，用于外接整流后的输入电压；
高压供电模块103用于降压转换，提供LED控制芯片100内部的供电电压VDD；高压供电模块103的输出端接基准电压源105；高压供电模块103是较为成熟的电路，本文不作具体展开描述，其可以将市电整流后的高压直流电进行DC-DC降压转换。
所述基准电压源105的地端接LED控制芯片的芯片地，基准电压源１０５用于产生基准电压Vref、Vref1和Vref2，并分别给峰值电流控制模块104提供基准电压Vref，给恒流控制环路106提供基准电压Vref1和Vref2；
主功率开关管Q101的源极作为LED控制芯片的源端，并且内部连接峰值电流控制模块104的采样端，峰值电流控制模块104的采样端用于外接电流峰值采样电阻R1；峰值电流控制模块104的输出端接驱动逻辑模块102的一个输入端；峰值电流控制模块104输出开关关断信号“OFF”；
恒流控制环路106具有一个采样端，用于外接电流平均值采样电阻R2；恒流控制环路106的输出端接驱动逻辑模块102的另一个输入端；恒流控制环路106输出控制信号“ON”；
驱动逻辑模块102的输出端接主功率开关管Q101的栅极；驱动逻辑模块102输出PWM控制信号至主功率开关管Q101；
当所述主功率开关管Q101开通时，流经主功率电感L112和流经主功率开关管Q101的电流开始随时间线性上升，并且所述两个电流相等，当所述主功率开关管Q101的电流到达所述峰值电流控制模块104设定的基准时，所述峰值电流控制模块104输出开关关断信号“OFF”，通过所述驱动逻辑模块102拉低信号“PWM”关断所述主功率开关管Q101。此时主功率电感L112的电流开始随时间线性下降，所述电流平均值采样电阻R2上的采样电压CS也随时间线性下降，所述续流二极管D114导通。当恒流控制环路106探测到电流平均值采样电阻R2在一个开关周期内的电压平均值低于所述恒流控制环路106设定的基准值时，所述恒流控制环路106输出“ON”信号，通过所述驱动逻辑模块102，拉高“PWM”信号，重新打开所述主功率开关管Q101。
图3为本发明中恒流控制环路106的实现电路；恒流控制环路106包括运算放大器U301和U307、比较器U306、NMOS管Q302和Q305、PMOS管Q308和Q309、电阻R303和R310、电容C304；
运算放大器U301的同相输入端用于连接电流平均值采样电阻R2上的采样电压CS，输出端接NMOS管Q302的栅极，NMOS管Q302的源极接运算放大器U301的反相输入端和电阻R303的一端，电阻R303的另一端接芯片地；运放U301，NMOS管Q302和电阻R303组成电压转电流的结构，转出的电流通过PMOS管Q308,Q309组成的电流镜结构给电容C304充电。
运算放大器U307的同相输入端接基准电压Vref1，输出端接NMOS管Q305的栅极；NMOS管Q305的源极接运算放大器U307的反相输入端和电阻R310的一端，电阻R310的另一端接芯片地；流过NMOS管Q305的电流受到基准电压Vref1控制，是不变的；流过NMOS管Q302的电流受到采样电压CS的控制；
PMOS管Q308和Q309的源极相接并连接供电电压VDD，栅极也相接；PMOS管Q308的栅极接漏极，并连接NMOS管Q302的漏极；PMOS管Q309的漏极接电容C304的一端、NMOS管Q305的漏极和比较器U306的反相输入端；电容C304的另一端接芯片地；比较器U306的同相输入端接基准电压Vref2，输出端接驱动逻辑模块102。
当图2所述的主功率开关管Q101开通时，电流平均值采样电阻R2上的CS电压上升，所述电容C304电压上升；当所述主功率开关管Q101关断时，采样电压CS下降，当采样电压CS下降到低于内部所设定的阈值时，所述电容C304电压开始下降，当其电压下降到Vref2时，比较器U306输出高电位的“ON”信号，通过图2所述的驱动逻辑模块102打开所述主功率开关管Q101。
如图4所示，峰值电流控制模块104包括一个比较器U401，比较器U401的反相输入端接基准电压Vref，同相输入端接主功率开关管Q101的源极，以及用于外接电流峰值采样电阻R1；比较器U104的输出端接驱动逻辑模块102。当图2中电流峰值采样电阻R1左侧的采样电压高于基准电压Vref时，比较器U401输出信号“OFF”，通过图2所述的驱动逻辑模块102关断所述的主功率开关管Q101。
图5为本发明电路关键点的工作波形图。CS为所述平均电流采样电阻R2上的采样电压，PWM为所述主功率开关管Q101的控制信号，当PWM为高时，所述主功率开关管Q101处于导通状态，当PWM为低时，所述主功率开关管Q101处于关断状态。ON为PWM变高控制信号，OFF为PWM变低控制信号。RAMP信号为图3中所述电容C304的电压信号。当所述主功率开关管Q101开通时，CS信号线性上升，当CS信号大于内部所设定的平均电流基准时，RAMP信号也开始上升。当所述主功率开关管Q101漏源电流高于芯片内部设定的峰值电流基准时，OFF信号变高，拉低PWM信号，所述主功率开关管Q101关断。

Claims (7)

1.一种LED控制芯片(100)，其特征在于，包括：高压供电模块(103)、基准电压源(105)、驱动逻辑模块(102)、主功率开关管Q101、峰值电流控制模块(104)和恒流控制环路(106)；
所述高压供电模块(103)的输入端和主功率开关管Q101的电流输入端作为LED控制芯片的漏端，用于外接整流后的输入电压；
高压供电模块(103)用于降压转换，提供LED控制芯片(100)内部的供电电压VDD；高压供电模块(103)的输出端接基准电压源(105)；
所述基准电压源(105)的地端接LED控制芯片的芯片地，基准电压源(105)用于产生基准电压Vref、Vref1和Vref2，并分别给峰值电流控制模块(104)提供基准电压Vref，给恒流控制环路(106)提供基准电压Vref1和Vref2；
主功率开关管Q101的电流输出端作为LED控制芯片的源端，并且连接峰值电流控制模块(104)的采样端，峰值电流控制模块(104)的采样端用于外接电流峰值采样电阻；峰值电流控制模块(104)的输出端接驱动逻辑模块(102)的一个输入端；
恒流控制环路(106)具有一个采样端，用于外接电流平均值采样电阻；恒流控制环路(106)的输出端接驱动逻辑模块(102)的另一个输入端；
驱动逻辑模块(102)的输出端接主功率开关管Q101的控制端；
当主功率开关管Q101开通时，流过主功率开关管Q101的电流开始上升；当主功率开关管Q101的电流到达所述峰值电流控制模块(104)设定的基准时，所述峰值电流控制模块(104)输出开关关断信号，通过所述驱动逻辑模块(102)关断所述主功率开关管Q101；当恒流控制环路探测到连接的电流平均值采样电阻在一个开关周期内的电压平均值低于所述恒流控制环路设定的基准值时，所述恒流控制环路输出控制信号，通过所述驱动逻辑模块重新打开所述主功率开关管Q101。
2.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：
恒流控制环路(106)包括运算放大器U301和U307、比较器U306、NMOS管Q302和Q305、PMOS管Q308和Q309、电阻R303和R310、电容C304；
运算放大器U301的同相输入端用于连接电流平均值采样电阻上的采样电压CS，输出端接NMOS管Q302的栅极，NMOS管Q302的源极接运算放大器U301的反相输入端和电阻R303的一端，电阻R303的另一端接芯片地；
运算放大器U307的同相输入端接基准电压Vref1，输出端接NMOS管Q305的栅极；NMOS管Q305的源极接运算放大器U307的反相输入端和电阻R310的一端，电阻R310的另一端接芯片地；
PMOS管Q308和Q309的源极相接并连接供电电压VDD，栅极也相接；PMOS管Q308的栅极接漏极，并连接NMOS管Q302的漏极；
PMOS管Q309的漏极接电容C304的一端、NMOS管Q305的漏极和比较器U306的反相输入端；
电容C304的另一端接芯片地；比较器U306的同相输入端接基准电压Vref2，输出端接驱动逻辑模块102。
3.如权利要求1所述的LED控制芯片100，其特征在于：
峰值电流控制模块(104)包括一个比较器U401，比较器U401的反相输入端接基准电压Vref，同相输入端接主功率开关管Q101的电流输出端，以及用于外接电流峰值采样电阻；比较器U104的输出端接驱动逻辑模块(102)。
4.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：
主功率开关管Q101采用NMOS管，Q101的漏极为电流输入端，源极为电流输出端，栅极为控制端。
5.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：
高压供电模块(103)还具有一个外接滤波电容端，用于连接LED控制芯片外的滤波电容。
6.一种LED恒流控制电路，其特征在于：包括如权利要求1～4中任一项所述LED控制芯片，以及整流电路、输入电容Cin、电流峰值采样电阻R1、电流平均值采样电阻R2、主功率电感L112、续流二极管D114、电容C113；
整流电路的正输出端接输入电容Cin的一端以及LED控制芯片的漏端；整流电路的负输出端接输入电容Cin的另一端和电路地；
LED控制芯片的源端内接峰值电流控制模块104的采样端并外接电流峰值采样电阻R1的一端和续流二极管D114的阴极；电阻R1的另一端接电流平均值采样电阻R2的一端，以及恒流控制环路(106)的采样端；电流平均值采样电阻R2的另一端接主功率电感L112的一端和芯片地；主功率电感L112的另一端接电容C113的一端，并用于连接LED灯的正极；电容C113的另一端和续流二极管D114的阳极接线路地，并用于连接LED灯的负极。
7.如权利要求6所述的LED恒流控制电路，其特征在于：
高压供电模块(103)还具有一个外接滤波电容端，通过滤波电容C111接芯片地。
CN201610091295.7A 2016-02-18 2016-02-18 Led控制芯片和led恒流控制电路 Pending CN105704857A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610091295.7A CN105704857A (zh) 2016-02-18 2016-02-18 Led控制芯片和led恒流控制电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610091295.7A CN105704857A (zh) 2016-02-18 2016-02-18 Led控制芯片和led恒流控制电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105704857A true CN105704857A (zh) 2016-06-22

Family

ID=56222980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610091295.7A Pending CN105704857A (zh) 2016-02-18 2016-02-18 Led控制芯片和led恒流控制电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105704857A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107592702A (zh) * 2017-09-18 2018-01-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率调节电路和led灯驱动装置
CN108040398A (zh) * 2017-12-28 2018-05-15 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性的led线性恒流照明模组
CN108124362A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种开关电源和亮度调节装置
CN108376967A (zh) * 2018-02-23 2018-08-07 扬州海通电子科技有限公司 一种多路输出低压差过流保护器
CN108931682A (zh) * 2018-07-27 2018-12-04 上海艾为电子技术股份有限公司 一种恒流控制电路及其开关充电芯片
CN110035581A (zh) * 2019-04-22 2019-07-19 上海芯荃微电子科技有限公司 慢计时模块
CN111800903A (zh) * 2020-08-05 2020-10-20 深圳市明微电子股份有限公司 Led恒流驱动电路及led驱动系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101572973A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 改善峰值电流控制led恒流驱动中电流精度的电路及方法
CN103296904A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 黄煜梅 功率因数校正恒流控制器及控制方法
US20140009080A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd Inductor current detection circuit and led driver
CN104619077A (zh) * 2014-12-18 2015-05-13 无锡市芯茂微电子有限公司 一种led恒流控制电路及其控制方法
CN205408217U (zh) * 2016-02-18 2016-07-27 无锡市芯茂微电子有限公司 Led控制芯片和led恒流控制电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101572973A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 改善峰值电流控制led恒流驱动中电流精度的电路及方法
CN103296904A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 黄煜梅 功率因数校正恒流控制器及控制方法
US20140009080A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd Inductor current detection circuit and led driver
CN104619077A (zh) * 2014-12-18 2015-05-13 无锡市芯茂微电子有限公司 一种led恒流控制电路及其控制方法
CN205408217U (zh) * 2016-02-18 2016-07-27 无锡市芯茂微电子有限公司 Led控制芯片和led恒流控制电路

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107592702A (zh) * 2017-09-18 2018-01-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率调节电路和led灯驱动装置
CN107592702B (zh) * 2017-09-18 2024-04-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率调节电路和led灯驱动装置
CN108124362A (zh) * 2017-12-15 2018-06-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种开关电源和亮度调节装置
CN108124362B (zh) * 2017-12-15 2019-11-01 上海艾为电子技术股份有限公司 一种开关电源和亮度调节装置
CN108040398A (zh) * 2017-12-28 2018-05-15 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性的led线性恒流照明模组
CN108376967A (zh) * 2018-02-23 2018-08-07 扬州海通电子科技有限公司 一种多路输出低压差过流保护器
CN108931682A (zh) * 2018-07-27 2018-12-04 上海艾为电子技术股份有限公司 一种恒流控制电路及其开关充电芯片
CN108931682B (zh) * 2018-07-27 2024-05-24 上海艾为电子技术股份有限公司 一种恒流控制电路及其开关充电芯片
CN110035581A (zh) * 2019-04-22 2019-07-19 上海芯荃微电子科技有限公司 慢计时模块
CN110035581B (zh) * 2019-04-22 2023-10-13 上海芯荃微电子科技有限公司 慢计时模块
CN111800903A (zh) * 2020-08-05 2020-10-20 深圳市明微电子股份有限公司 Led恒流驱动电路及led驱动系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105704857A (zh) Led控制芯片和led恒流控制电路
CN104619077B (zh) 一种led恒流控制电路及其控制方法
CN103491682B (zh) 一种控制峰值电流的线性开关恒流led驱动电路
CN103269550B (zh) 一种led电流纹波消除驱动电路
CN103096599B (zh) Led调光驱动装置及方法
CN106961768B (zh) 一种主动式填谷电路模式的led线性恒流驱动电路
CN105337485B (zh) 功率因数校正电路、发光二极管驱动电路和照明设备
CN203313490U (zh) 一种led电流纹波消除驱动电路
CN103533721A (zh) 脉冲式电流led驱动电路
CN102811530A (zh) 一种升压型led驱动电路及灯具
CN102548095B (zh) 一种灯具及其驱动电路
CN103036411B (zh) 电荷泵电路
CN204482092U (zh) 一种智能同步整流的非隔离降压型led驱动电路
CN102811531A (zh) 一种降压型led驱动电路及灯具
CN203814013U (zh) 单端过零检测的led驱动电路
CN205408217U (zh) Led控制芯片和led恒流控制电路
CN202889703U (zh) 一种直流调光型led驱动电路
CN201928486U (zh) 一种pwm调光led驱动电路
CN105916239A (zh) 一种用于线性恒流驱动led的过压自适应调整电路
CN106354075A (zh) 一种具有背光屏遥控器控制电路
CN103796389B (zh) 最大亮度提升模块、可控硅调光led驱动电路及系统
CN104185345A (zh) 一种用于led恒流驱动电路的控制装置
CN205017636U (zh) 一种用于led恒流驱动电路的峰值电流检测电路
CN204482133U (zh) 一种led恒压恒流驱动电路
CN104393755A (zh) 高效率升压电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 518129, Guangdong Province, Longgang District, Bantian District, Shenzhen street, snow Gang Road, south section No. 1007 Regal Garden Wing Hing Building, No. 201-29

Applicant after: Shenzhen Xinmao Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 214131 Jiangsu City, Wuxi province Binhu District, Gao Lang Road, building B1, floor 999,

Applicant before: Wuxi Chip Hope Micro-Electronics Ltd.

CI02 Correction of invention patent application
CI02 Correction of invention patent application

Correction item: Applicant|Address

Correct: Shenzhen core Dms Microelectronic Ltd|518129, Guangdong Province, Longgang District, Bantian District, Shenzhen street, snow Gang Road, south section No. 1007 Regal Garden Wing Hing Building, No. 201-29

False: Shenzhen core Dms Microelectronic Ltd|518129, Guangdong Province, Longgang District, Bantian District, Shenzhen street, snow Gang Road, south section No. 1007 Regal Garden Wing Hing Building, No. 201-29

Number: 35-02

Volume: 33

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160622