CN105680679A - 驱动器输出过流保护电路及其保护方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种驱动器输出过流保护电路及其保护方法，解决了现有技术的不足，技术方案为：包括弱电电源、选通信号电路、检测信号电路、第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关的控制端和第二选通开关分别与所述选通信号电路的输出端连接，检测信号电路的第一输入端与驱动器负输出端连接，检测信号电路的第二输入端与负载连接，检测信号电路的输出端与选通信号电路输入端连接，所述第一选通开关的第一端与驱动器正输出端连接，所述第一选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，所述第二选通开关的第一端与负载串联连接，所述第二选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，选通信号电路由弱电电源供电。

Description

驱动器输出过流保护电路及其保护方法

技术领域

本发明涉及到开关电源技术领域，尤其是针对驱动器输出过流的问题，提供的一种驱动器输出过流保护电路及其保护方法。

背景技术

以LED为代表的小型电气元件收到过流影响很大，特别是LED，在收到过流冲击时容易造成不可逆的器件损伤，而现有技术中，LED驱动器在输出开路状态时保持在恒定的空载电压，而且空载电压一般大于满载状态下的输出电压。实验得知，满载状态和轻载状态下，驱动器输入开关导通时，在驱动器输出位置(即在LED负载位置)不会产生过电流(可定义超过LED负载额定电流的电流为过电流，过电流会对LED负载造成不可恢复的损伤)；驱动器输入开关导通后，保持空载状态，此时接通LED负载，LED负载上承受过电流。尤其是对于轻载LED负载，产生的冲击电流可能会达到LED额定电流的数倍。LED驱动器输入开关导通后，LED负载切除和LED负载接通，称为LED热插拔，在这个切换负载的过程中，LED负载都会承受过电流。尤其是在小负载的状态下进行LED热插拔会有更大的过电流，对LED负载造成致命的损害。

因为驱动器输出开路时，驱动器输出电压稳定在一个恒定的电压(空载电压)，驱动器的输出电解储存大量能量，接通负载时，电解储存的能量通过负载释放掉，可以认为输出电解储存的能量是热插拔过程中驱动器对负载产生过电流的主要原因。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术热插拔过程中驱动器对负载产生过电流导致以LED为代表的小型电气元件容易造成不可逆的器件损伤的问题，提供一种驱动器输出过流保护电路及其保护方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种驱动器输出过流保护电路，驱动器正输出端与驱动器负输出端之间连接有电容，驱动器正输出端通过开关S或热插拔接口与负载的正输入端连接，负载的负输入端与驱动器负输出端连接，驱动器负输出端接地，包括弱电电源、选通信号电路、检测信号电路、第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关的控制端和第二选通的控制端开关分别与所述选通信号电路的输出端连接，检测信号电路的第一输入端与驱动器负输出端连接，检测信号电路的第二输入端与负载连接，检测信号电路的输出端与选通信号电路输入端连接，所述第一选通开关的第一端与驱动器正输出端连接，所述第一选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，所述第二选通开关的第一端与负载串联连接，所述第二选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，选通信号电路由弱电电源供电。本发明在驱动器电路的输出位置加入过流保护环节。在负载一般是指额定LED负载或者轻LED负载，(但是也不限定与LED负载，也可以是其他小型电气元件)接通的瞬间，旁路通道导通，将输出电解电容的能量释放掉，驱动器输出处于短路保护状态，延迟一段时间断开旁路通道，负载能够正常启动，既克服了接通负载的大电流冲击，又能保证驱动器的正常工作，使系统的稳定性和可靠性得到提升。本发明中的驱动器常用的是变压器，驱动器的正输出端一般是指主变压器二次侧高电压节点，驱动器的负输出端一般是指主变压器二次侧低电压节点。本发明中的弱电电源由驱动器辅助输出端供给。

作为优选，所述第一选通开关选用场效应管Q1，所述第二选通开关选用场效应管Q2。本发明采用场效应管，主要是场效应管比较适应本电路，但是除了场效应管外也可以选用其他的可控开关，包括三极管或者其他集成开关芯片等形式。即在正常负载接通后，保证MOS管Q1率先导通，将电解电容积攒的能量释放，电路处于短路保护状态，在MOS管Q1关断前，将MOS管Q2导通，即可实现负载的正常启动，不会对LED负载产生过大的冲击电流。同时需保证负载接通后，再接通驱动器的输入开关时，负载能够正常工作。

作为优选，所述选通信号电路包括第一NE555芯片和第二NE555芯片、电容C2、电容C11、电容C21、电容C22、电阻R11、电阻R13、电阻R21、二极管D42，第一NE555芯片的GND端通过电容C11接地并与第一NE555芯片的TH端连接，第一NE555芯片的TH端与第一NE555芯片的DIS端连接，第一NE555芯片的TH端通过电阻R11与弱电电源连接，第一NE555芯片的Vc端通过电容C2接地，第一NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第一NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第一NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第一NE555芯片的OUT端通过电阻R13与驱动器的负输出端连接，第一NE555芯片的OUT端还与场效应管Q1的栅极连接，第二NE555芯片的GND端接地并通过电容C21与第二NE555芯片的TH端连接，第二NE555芯片的TH端与第二NE555芯片的DIS端连接，第二NE555芯片的TH端通过电阻R21与弱电电源连接，第二NE555芯片的Vc端通过电容C22接地，第二NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第二NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第二NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第二NE555芯片的OUT端通过电阻R2与二极管D42的阳极连接，二极管D42的阴极与场效应管Q2的栅极连接，二极管D42的阴极还分别通过电阻R1和电容C1接地。该电路中，开关S闭合前，电解电容C1处于高储能状态。在开关S闭合时，由于MOS管Q2未导通，在MOS管的漏极处呈现高压，在三极管Q31的集电极呈现低电平，第一NE555定时器的输出信号呈现高电平，MOS管Q1和MOS管Q2依次导通。NE555定时器只是较佳选择，选用程度较高，但是也可以选用其他类似的定时器或者采用556封装形式，相应的方案应该被认为是等同替换。

作为优选，所述检测信号电路包括比较器U1、电阻R42、电阻R43、电阻R5、二极管D41、三极管Q41、电阻R32、电阻R33和三极管Q31，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R43与比较器U1的负输入端连接，比较器U1的负输入端通过电阻R42与弱电电源连接，比较器U1的正输入端与电阻RS的第二端连接，比较器U1的输出端与三极管Q41的基极连接，三极管Q41的集电极与弱电电源连接，三极管Q41的发射极通过二极管D41与场效应管Q2的栅极连接，三极管Q31的基极通过电阻R32与负载连接，三极管Q31的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q31的集电极通过电阻R33与弱电电源连接，三极管Q31的集电极与第一NE555芯片的TR端连接，三极管Q31的集电极还与第二NE555芯片的TR端连接。在第一NE555芯片，也可以选用其他类似定时器输出点处于低电平时，Q2已然导通，驱动器负载能够正常启动。在检测到比较器的正输入端电压高于负输入端电压时，比较器输出高电平，二极管D41导通。在第二NE555芯片的输出信号关断后，MOS管Q2的栅极信号是一直存在，MOS管Q2一直导通，负载正常工作。在负载某时断开之后，由于比较器的正输入端电压降低，迫使比较器输出为低电平，MOS管Q2关断。正常状态下接通驱动器的输入开关，驱动器亦正常工作，接通各种电压等级的LED负载，负载不再承受过电流的冲击，有效保护LED负载。

作为优选，所述选通信号电路为单片机，所述弱电电源通过稳压芯片与单片机电源端连接，单片机分别与检测信号电路的第一输出端以及检测信号电路的第二输出端连接，单片机的一个输出端通过电阻R1与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的栅极通过电阻R2接地，单片机的另一个输出端通过电阻R6与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的栅极通过电阻R7接地，所述单片机的输出端均为PWM信号输出端。利用单片机控制电路，只需检测MOS管Q2的漏极电压和采样电阻Rs电压即可检测到开关S的闭合和断开，模拟LED热插拔过程。单片机初始化后，检测到A点出现高电平，即代表开关S闭合，依次导通Q1、Q2，即PWM1和PWM2输出电压高于MOS管的阈值电压即可，同时需满足在Q1关断前保证Q2已经导通；A点一直未出现高电平，表示S一直未闭合，软件一直循环检测。电路正常工作后，采样电阻E点电压升高，表示LED负载正常工作，一旦检测到E点出现低电平，代表开关S断开，需降低Q2栅极电压，即PWM2引脚输出低电平，迫使Q2关断，模拟LED热插拔过程，有效保护LED负载。

作为优选，所述检测信号电路包括比较器U1A、电阻Rs、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R9和三极管Q3，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R4与比较器U1A的负输入端连接，比较器U1A的负输入端通过电阻R3与弱电电源连接，比较器U1A的输出端通过电阻R5接地，比较器的输出端作为检测信号电路的第二输出端与单片机连接，三极管Q3的基极通过电阻R8与负载连接，三极管Q3的集电极通过电阻R9与弱电电源连接，三极管Q3的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q3的集电极作为检测信号电路的第一输出端与单片机连接。

作为优选，所述电阻R11的电阻值与所述电容C11的电容值的乘积小于所述电阻R21的电阻值与所述电容C21的电容值的乘积，所述比较器U1的选型符合：

Ucc×(R43/(R43+R42))＜Rs×IRMS，其中，Ucc表示弱电电源输出电压，超过场效应管的栅极阈值电压，Rs表示比较器正输入端的采样电阻值，IRMS表示驱动器的额定输出电流有效值，R42和R43均为对应电阻的电阻值。

一种驱动器输出过流保护方法，适用于如权利要求6所述的驱动器输出过流保护电路，首先包括单片机在内的设备初始化，然后执行以下步骤：

步骤一：，单片机通过检测信号电路获取负载与场效应管Q2之间的电压，

步骤二：若检测到负载与场效应管Q2之间的电压为高电压则执行步骤三，否则执行步骤五，

步骤三，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1关断，

步骤四：单片机通过检测信号电路获取比较器U1A正输入端处的电压，若比较器U1A正输入端处输入为高电平则重复执行步骤四，若比较器U1A正输入端处输入为低电平则执行步骤五，

步骤五：单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2关断，然后重新执行步骤一。

作为优选，所述延迟时间为0.8ms至1.2ms。

本发明的实质性效果是：在驱动器电路的输出位置加入过流保护环节。在负载接通的瞬间，旁路通道导通，将输出电解电容的能量释放掉，驱动器输出处于短路保护状态，延迟一段时间断开旁路通道，负载能够正常启动，既克服了接通负载的大电流冲击，又能保证驱动器的正常工作，使系统的稳定性和可靠性得到提升。

附图说明

图1是普通的驱动器输出部分电路原理图；

图2是本发明提出驱动器输出过流保护的主电路图；

图3是本发明驱动器输出过流保护时序图；

图4是本发明提出的驱动器输出过流保护电路连接图；

图5是本发明提出的驱动器过流输出保护软件控制电路连接图；

图6是驱动器输出过流保护软件控制流程图。

具体实施方式

下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体说明。

实施例1：

一种驱动器输出过流保护电路(参见附图2至4)，克服了现有技术(参见附图1)的技术缺陷，本实施例中，驱动器正输出端与驱动器负输出端之间连接有电容，驱动器正输出端通过开关S或热插拔接口与负载的正输入端连接，负载的负输入端与驱动器负输出端连接，驱动器负输出端接地，包括弱电电源、选通信号电路、检测信号电路、第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关的控制端和第二选通的控制端开关分别与所述选通信号电路的输出端连接，检测信号电路的第一输入端与驱动器负输出端连接，检测信号电路的第二输入端与负载连接，检测信号电路的输出端与选通信号电路输入端连接，所述第一选通开关的第一端与驱动器正输出端连接，所述第一选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，所述第二选通开关的第一端与负载串联连接，所述第二选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，选通信号电路由弱电电源供电。

所述第一选通开关选用场效应管Q1，所述第二选通开关选用场效应管Q2。本发明采用场效应管，主要是场效应管比较适应本电路，但是除了场效应管外也可以选用其他的可控开关，包括三极管或者其他集成开关芯片等形式。即在正常负载接通后，保证MOS管Q1率先导通，将电解电容积攒的能量释放，电路处于短路保护状态，在MOS管Q1关断前，将MOS管Q2导通，即可实现负载的正常启动，不会对LED负载产生过大的冲击电流。同时需保证负载接通后，再接通驱动器的输入开关时，负载能够正常工作。所述选通信号电路包括第一NE555芯片和第二NE555芯片、电容C2、电容C11、电容C21、电容C22、电阻R11、电阻R13、电阻R21、二极管D42，第一NE555芯片的GND端通过电容C11接地并与第一NE555芯片的TH端连接，第一NE555芯片的TH端与第一NE555芯片的DIS端连接，第一NE555芯片的TH端通过电阻R11与弱电电源连接，第一NE555芯片的Vc端通过电容C2接地，第一NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第一NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第一NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第一NE555芯片的OUT端通过电阻R13与驱动器的负输出端连接，第一NE555芯片的OUT端还与场效应管Q1的栅极连接，第二NE555芯片的GND端接地并通过电容C21与第二NE555芯片的TH端连接，第二NE555芯片的TH端与第二NE555芯片的DIS端连接，第二NE555芯片的TH端通过电阻R21与弱电电源连接，第二NE555芯片的Vc端通过电容C22接地，第二NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第二NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第二NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第二NE555芯片的OUT端通过电阻R2与二极管D42的阳极连接，二极管D42的阴极与场效应管Q2的栅极连接，二极管D42的阴极还分别通过电阻R1和电容C1接地。

所述检测信号电路包括比较器U1、电阻R42、电阻R43、电阻R5、二极管D41、三极管Q41、电阻R32、电阻R33和三极管Q31，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R43与比较器U1的负输入端连接，比较器U1的负输入端通过电阻R42与弱电电源连接，比较器U1的正输入端与电阻RS的第二端连接，比较器U1的输出端与三极管Q41的基极连接，三极管Q41的集电极与弱电电源连接，三极管Q41的发射极通过二极管D41与场效应管Q2的栅极连接，三极管Q31的基极通过电阻R32与负载连接，三极管Q31的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q31的集电极通过电阻R33与弱电电源连接，三极管Q31的集电极与第一NE555芯片的TR端连接，三极管Q31的集电极还与第二NE555芯片的TR端连接。所述电阻R11的电阻值与所述电容C11的电容值的乘积小于所述电阻R21的电阻值与所述电容C21的电容值的乘积，所述比较器U1的选型符合：

Ucc×(R43/(R43+R42))＜Rs×IRMS，其中，Ucc表示弱电电源输出电压，超过场效应管的栅极阈值电压，Rs表示比较器正输入端的采样电阻值，IRMS表示驱动器的额定输出电流有效值，R42和R43均为对应电阻的电阻值。

本实施例在驱动器电路的输出位置加入过流保护环节。在负载一般是指额定LED负载或者轻LED负载，(但是也不限定与LED负载，也可以是其他小型电气元件)接通的瞬间，旁路通道导通，将输出电解电容的能量释放掉，驱动器输出处于短路保护状态，延迟一段时间断开旁路通道，负载能够正常启动，既克服了接通负载的大电流冲击，又能保证驱动器的正常工作，使系统的稳定性和可靠性得到提升。本实施例中的驱动器常用的是变压器，驱动器的正输出端一般是指主变压器二次侧高电压节点，驱动器的负输出端一般是指主变压器二次侧低电压节点。本实施例中的弱电电源由驱动器辅助输出端供给。本实施例采用场效应管，主要是场效应管比较适应本电路，但是除了场效应管外也可以选用其他的可控开关，包括三极管或者其他集成开关芯片等形式。要求即在正常负载接通后，保证MOS管Q1率先导通，将电解电容积攒的能量释放，电路处于短路保护状态，在MOS管Q1关断前，将MOS管Q2导通，即可实现负载的正常启动，不会对LED负载产生过大的冲击电流。同时需保证负载接通后，再接通驱动器的输入开关时，负载能够正常工作。在本实施例中，第一NE555芯片，也可以选用其他类似定时器输出点处于低电平时，场效应管Q2已然导通，驱动器负载能够正常启动。在检测到比较器的正输入端电压高于负输入端电压时，比较器输出高电平，二极管D41导通。在第二NE555芯片的输出信号关断后，MOS管Q2的栅极信号是一直存在，MOS管Q2一直导通，负载正常工作。在负载某时断开之后，由于比较器的正输入端电压降低，迫使比较器输出为低电平，MOS管Q2关断。正常状态下接通驱动器的输入开关，驱动器亦正常工作，接通各种电压等级的LED负载，负载不再承受过电流的冲击，有效保护LED负载。该电路中，开关S闭合前，电解电容C1处于高储能状态。在开关S闭合时，由于MOS管Q2未导通，在MOS管的漏极处呈现高压，在三极管Q31的集电极呈现低电平，第一NE555定时器的输出信号呈现高电平，MOS管Q1和MOS管Q2依次导通。NE555定时器只是较佳选择，选用程度较高，但是也可以选用其他类似的定时器或者采用556封装形式，相应的方案应该被认为是等同替换。

实施例2：

本实施例(参见附图5)与实施例1基本思路和原理相同，应用范围相似，不同之处在于：所述选通信号电路为单片机，所述弱电电源通过稳压芯片与单片机电源端连接，单片机分别与检测信号电路的第一输出端以及检测信号电路的第二输出端连接，单片机的一个输出端通过电阻R1与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的栅极通过电阻R2接地，单片机的另一个输出端通过电阻R6与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的栅极通过电阻R7接地，所述单片机的输出端均为PWM信号输出端。所述检测信号电路包括比较器U1A、电阻Rs、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R9和三极管Q3，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R4与比较器U1A的负输入端连接，比较器U1A的负输入端通过电阻R3与弱电电源连接，比较器U1A的输出端通过电阻R5接地，比较器的输出端作为检测信号电路的第二输出端与单片机连接，三极管Q3的基极通过电阻R8与负载连接，三极管Q3的集电极通过电阻R9与弱电电源连接，三极管Q3的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q3的集电极作为检测信号电路的第一输出端与单片机连接。利用单片机控制电路，只需检测MOS管Q2的漏极电压和采样电阻Rs电压即可检测到开关S的闭合和断开，模拟LED热插拔过程。单片机初始化后，检测到A点出现高电平，即代表开关S闭合，依次导通Q1、Q2，即PWM1和PWM2输出电压高于MOS管的阈值电压即可，同时需满足在Q1关断前保证Q2已经导通；A点一直未出现高电平，表示S一直未闭合，软件一直循环检测。电路正常工作后，采样电阻E点电压升高，表示LED负载正常工作，一旦检测到E点出现低电平，代表开关S断开，需降低Q2栅极电压，即PWM2引脚输出低电平，迫使Q2关断，模拟LED热插拔过程，有效保护LED负载。

一种驱动器输出过流保护方法，适用于如实施例2所述的驱动器输出过流保护电路，首先包括单片机在内的设备初始化，然后执行以下步骤：

步骤一：，单片机通过检测信号电路获取负载与场效应管Q2之间的电压，

步骤二：若检测到负载与场效应管Q2之间的电压为高电压则执行步骤三，否则执行步骤五，

步骤三，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1关断，

步骤四：单片机通过检测信号电路获取比较器U1A正输入端处的电压，若比较器U1A正输入端处输入为高电平则重复执行步骤四，若若比较器U1A正输入端处输入为低电平则执行步骤五，

步骤五：单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2关断，然后重新执行步骤一。作为优选，所述延迟时间为0.8ms至1.2ms。

本申请中所述实施例在驱动器电路的输出位置加入过流保护环节。在负载接通的瞬间，旁路通道导通，将输出电解电容的能量释放掉，驱动器输出处于短路保护状态，延迟一段时间断开旁路通道，负载能够正常启动，既克服了接通负载的大电流冲击，又能保证驱动器的正常工作，使系统的稳定性和可靠性得到提升。

以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。

Claims (9)

1.一种驱动器输出过流保护电路，驱动器正输出端与驱动器负输出端之间连接有电容，驱动器正输出端通过开关S或热插拔接口与负载的正输入端连接，负载的负输入端与驱动器负输出端连接，驱动器负输出端接地，其特征在于：包括弱电电源、选通信号电路、检测信号电路、第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关的控制端和第二选通的控制端开关分别与所述选通信号电路的输出端连接，检测信号电路的第一输入端与驱动器负输出端连接，检测信号电路的第二输入端与负载连接，检测信号电路的输出端与选通信号电路输入端连接，所述第一选通开关的第一端与驱动器正输出端连接，所述第一选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，所述第二选通开关的第一端与负载串联连接，所述第二选通开关的第二端与驱动器负输出端连接，选通信号电路由弱电电源供电。

2.根据权利要求1所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述第一选通开关选用场效应管Q1，所述第二选通开关选用场效应管Q2。

3.根据权利要求2所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述选通信号电路包括第一NE555芯片和第二NE555芯片、电容C2、电容C11、电容C21、电容C22、电阻R11、电阻R13、电阻R21、二极管D42，第一NE555芯片的GND端通过电容C11接地并与第一NE555芯片的TH端连接，第一NE555芯片的TH端与第一NE555芯片的DIS端连接，第一NE555芯片的TH端通过电阻R11与弱电电源连接，第一NE555芯片的Vc端通过电容C2接地，第一NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第一NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第一NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第一NE555芯片的OUT端通过电阻R13与驱动器的负输出端连接，第一NE555芯片的OUT端还与场效应管Q1的栅极连接，第二NE555芯片的GND端接地并通过电容C21与第二NE555芯片的TH端连接，第二NE555芯片的TH端与第二NE555芯片的DIS端连接，第二NE555芯片的TH端通过电阻R21与弱电电源连接，第二NE555芯片的Vc端通过电容C22接地，第二NE555芯片的VDD端与弱电电源连接，第二NE555芯片的MR端与弱电电源连接，第二NE555芯片的TR端与检测信号电路的第一输出端连接，第二NE555芯片的OUT端通过电阻R2与二极管D42的阳极连接，二极管D42的阴极与场效应管Q2的栅极连接，二极管D42的阴极还分别通过电阻R1和电容C1接地。

4.根据权利要求3所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述检测信号电路包括比较器U1、电阻R42、电阻R43、电阻R5、二极管D41、三极管Q41、电阻R32、电阻R33和三极管Q31，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R43与比较器U1的负输入端连接，比较器U1的负输入端通过电阻R42与弱电电源连接，比较器U1的正输入端与电阻RS的第二端连接，比较器U1的输出端与三极管Q41的基极连接，三极管Q41的集电极与弱电电源连接，三极管Q41的发射极通过二极管D41与场效应管Q2的栅极连接，三极管Q31的基极通过电阻R32与负载连接，三极管Q31的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q31的集电极通过电阻R33与弱电电源连接，三极管Q31的集电极与第一NE555芯片的TR端连接，三极管Q31的集电极还与第二NE555芯片的TR端连接。

5.根据权利要求2所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述选通信号电路为单片机，所述弱电电源通过稳压芯片与单片机电源端连接，单片机分别与检测信号电路的第一输出端以及检测信号电路的第二输出端连接，单片机的一个输出端通过电阻R1与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的栅极通过电阻R2接地，单片机的另一个输出端通过电阻R6与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的栅极通过电阻R7接地，所述单片机的输出端均为PWM信号输出端。

6.根据权利要求5所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述检测信号电路包括比较器U1A、电阻Rs、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R9和三极管Q3，电阻Rs的第一端与驱动器的负输出端连接，电阻Rs的第二端通过场效应管Q2与负载连接，电阻Rs的第一端通过电阻R4与比较器U1A的负输入端连接，比较器U1A的负输入端通过电阻R3与弱电电源连接，比较器U1A的输出端通过电阻R5接地，比较器的输出端作为检测信号电路的第二输出端与单片机连接，三极管Q3的基极通过电阻R8与负载连接，三极管Q3的集电极通过电阻R9与弱电电源连接，三极管Q3的发射极与驱动器的负输出端连接，三极管Q3的集电极作为检测信号电路的第一输出端与单片机连接。

7.根据权利要求4所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：所述电阻R11的电阻值与所述电容C11的电容值的乘积小于所述电阻R21的电阻值与所述电容C21的电容值的乘积，所述比较器U1的选型符合：

Ucc×(R43/(R43+R42))＜Rs×IRMS，其中，Ucc表示弱电电源输出电压，超过场效应管的栅极阈值电压，Rs表示比较器正输入端的采样电阻值，IRMS表示驱动器的额定输出电流有效值，R42和R43均为对应电阻的电阻值。

8.一种驱动器输出过流保护方法，适用于如权利要求6所述的驱动器输出过流保护电路，其特征在于：首先包括单片机在内的设备初始化，然后执行以下步骤：

步骤一：，单片机通过检测信号电路获取负载与场效应管Q2之间的电压，

步骤二：若检测到负载与场效应管Q2之间的电压为高电压则执行步骤三，否则执行步骤五，

步骤三，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2导通，延迟设定时间后，单片机发出控制信号至场效应管Q1，场效应管Q1关断，

步骤四：单片机通过检测信号电路获取比较器U1A正输入端处的电压，若比较器U1A正输入端处输入为高电平则重复执行步骤四，若比较器U1A正输入端处输入为低电平则执行步骤五，

步骤五：单片机发出控制信号至场效应管Q2，场效应管Q2关断，然后重新执行步骤一。

9.根据权利要求8所述的驱动器输出过流保护方法，其特征在于：所述延迟时间为0.8ms至1.2ms。