CN105679868A - 一种硅基薄膜太阳能电池 - Google Patents
一种硅基薄膜太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105679868A CN105679868A CN201610235196.1A CN201610235196A CN105679868A CN 105679868 A CN105679868 A CN 105679868A CN 201610235196 A CN201610235196 A CN 201610235196A CN 105679868 A CN105679868 A CN 105679868A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- thin
- film
- titanium dioxide
- film solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 33
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 9
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000003677 Sheet moulding compound Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007560 sedimentation technique Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池，包含二氧化钛背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料；封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装，所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层，所述外层表面经过等离子处理，所述外层为BMC层或SMC层，所述基层为PET蜂窝层，所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成，所述含氟涂层的表面经过等离子处理。有效地提高电池效率，同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺，降低电池的制备成本，并可广泛用于实际的批量工业生产中。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。
背景技术
硅基薄膜太阳能电池由于其技术成熟、环境友好、制备成本低、可制备于柔性衬底上、可制备透光型电池等诸多优点而被广泛地进行批量生产并应用于地面太阳能电站以及光伏幕墙、屋顶电站等光伏建筑一体化(BIPV)等。对于高效率硅基薄膜太阳能电池来说，尽量多地吸收入射光可以产生高的光生电流，陷光技术是最重要、最有效的光管理技术，可以使硅基薄膜太阳能电池有效地吸收入射光。在硅基薄膜太阳能电池结构的背透明电极上沉积一层背二氧化钛(TiO2)薄膜同样可以有效地对入射光进行反射从而有效地增加光电流，提高电池的转换效率。电池的效率和制备成本存在着一定平衡，对于如上所述的具有反射特性的二氧化钛薄膜，它们的沉积工艺主要都是在制备好的硅基薄膜太阳能电池上进行，其沉积工艺在一定程度上决定硅基薄膜太阳能电池的膜层材料的特性和电池效率。此外，连续沉积工艺也影响着生产节拍和产能，在一定程度上增加了电池的制备成本,从而制约着硅基薄膜太阳能电池的发展和企业的竞争实力。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，使得高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后通过层压工艺将两者进行封装，这样将有效地提高电池效率，同时提高了节拍、增加了产能、降低电池的制备成本，解决背景技术存在的上述问题。
本发明的技术方案是：一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，包含二氧化钛背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料；封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装，，所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层，所述外层表面经过等离子处理，所述外层为BMC层或SMC层，所述基层为PET蜂窝层，所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成，所述含氟涂层的表面经过等离子处理。
所述的二氧化钛背反射薄膜至少包含一层二氧化钛薄膜，制备在封装背板上，背反射薄膜的膜厚控制在100纳米到500微米之间。
所述的基层材料为玻璃、或者不锈钢、或者有机聚合物材料。
所述的硅基薄膜电池为硅基薄膜太阳能电池，包括所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。
所述的透明前基板为玻璃或者聚酯膜。
所述的封装材料为在可见光区平均光透过率大于10％的有机聚合物材料。
本发明的积极效果：将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后通过层压工艺将两者进行封装，这样将有效地提高电池效率，同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺，降低电池的制备成本，并可广泛用于实际的批量工业生产中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例结构示意图；图2是本发明背板的结构示意图。
图中：透明前基板1、硅基薄膜电池2、封装材料3、二氧化钛背反射薄膜4、封装背板5。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(1)和封装材料(3)，在封装背板上制备至少包含一层二氧化钛薄膜，制备在封装背板上；封装背板上的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装，所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层，所述外层表面经过等离子处理，所述外层为BMC层或SMC层，所述基层为PET蜂窝层，所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成，所述含氟涂层的表面经过等离子处理，本发明在基层5-1的两个表面采用流延工艺流延出SMC或BMC树脂，分别形成外层5-2。SMC是指片状模塑料，BMC是指团状模塑料，其具有优良的耐腐蚀性能，较强的刚性，其机械性能可以与部分金属材料媲美。在两个外层5-2的外表面还具有含氟涂层5-3。含氟涂层5-3具有很好的耐候性，耐水性，氧阻隔性，并且有自清洁性，非常适合做太阳电池背板的最外层。
本发明实施例更具体的制备方法如下：
1.在封装背板上沉积二氧化钛背反射薄膜
(1)将封装背板放置在清洗设备中，加入清洗剂进行清洗，然后依次经过去离子水冲洗、氮气吹干；(2)在清洗完的封装背板上制备高反射二氧化钛背反射薄膜，膜厚控制在100纳米到500微米之间；
2.硅基薄膜电池的制备
(1)将透明前基板放置在清洗设备中，加入清洗剂进行清洗，然后依次经过去离子水冲洗、氮气吹干；(2)制备前透明电极；(3)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备硅基薄膜电池；(4)制备背透明电极；
3.制备完成新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池
将上述制备有二氧化钛背反射薄膜的封装背板与完成硅基薄膜太阳能电池制备的透明前基板进行层压工艺，采用有机聚合物封装材料进行层压封装，同时引出电池正负电极，从而形成新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池。
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是：包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(1)和封装材料(3)；封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明的积极效果：将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后通过层压工艺将两者进行封装，这样将有效地提高电池效率，同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺，降低电池的制备成本，并可广泛用于实际的批量工业生产中。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种硅基薄膜太阳能电池，其特征在于：包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(1)和封装材料(3)；封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装，所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层，所述外层表面经过等离子处理，所述外层为BMC层或SMC层，所述基层为PET蜂窝层，所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成，所述含氟涂层的表面经过等离子处理。
2.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，其特征为：所述的二氧化钛背反射薄膜至少包含一层二氧化钛薄膜，制备在封装背板上，背反射薄膜的膜厚控制在100纳米到500微米之间。
3.根据权利要求1或2所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，其特征为：所述的基层材料为玻璃、或者不锈钢、或者有机聚合物材料。
4.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，其特征为：所述的硅基薄膜电池为硅基薄膜太阳能电池，包括所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。
5.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，其特征为：所述的透明前基板为玻璃或者聚酯膜。
6.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，其特征为：所述的封装材料为在可见光区平均光透过率大于10％的有机聚合物材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610235196.1A CN105679868A (zh) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 一种硅基薄膜太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610235196.1A CN105679868A (zh) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 一种硅基薄膜太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105679868A true CN105679868A (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=56309115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610235196.1A Pending CN105679868A (zh) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 一种硅基薄膜太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105679868A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252436A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-21 | 宁波嘉宁电池科技有限责任公司 | 一种基于硅材质的电池材料 |
| CN108400186A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-08-14 | 江阴四方游泳康复产业股份有限公司 | 一种smc整体式光伏组件、制造方法及应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102376805A (zh) * | 2011-10-18 | 2012-03-14 | 江苏科技大学 | 一种太阳能电池背板及其制备方法 |
| CN102637763A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-08-15 | 江苏科技大学 | 一种耐候性能优良的太阳能电池背板及其制备方法 |
| CN102694080A (zh) * | 2012-06-18 | 2012-09-26 | 保定天威薄膜光伏有限公司 | 一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池 |
| CN103187471A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种刚性太阳电池背板及其加工工艺 |
-
2016
- 2016-04-14 CN CN201610235196.1A patent/CN105679868A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102376805A (zh) * | 2011-10-18 | 2012-03-14 | 江苏科技大学 | 一种太阳能电池背板及其制备方法 |
| CN103187471A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种刚性太阳电池背板及其加工工艺 |
| CN102637763A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-08-15 | 江苏科技大学 | 一种耐候性能优良的太阳能电池背板及其制备方法 |
| CN102694080A (zh) * | 2012-06-18 | 2012-09-26 | 保定天威薄膜光伏有限公司 | 一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252436A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-21 | 宁波嘉宁电池科技有限责任公司 | 一种基于硅材质的电池材料 |
| CN108400186A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-08-14 | 江阴四方游泳康复产业股份有限公司 | 一种smc整体式光伏组件、制造方法及应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102694080A (zh) | 一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池 | |
| CN205050854U (zh) | 一种银色太阳能电池背板及其组件 | |
| CN105679868A (zh) | 一种硅基薄膜太阳能电池 | |
| CN111477751A (zh) | 一种柔性太阳能电池及其制备方法 | |
| CN201181710Y (zh) | 一种其上镀有增透膜的太阳能光伏电池 | |
| CN101404298B (zh) | 一种光伏组件及其生产工艺和应用 | |
| CN103227226B (zh) | 一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池 | |
| CN201323204Y (zh) | 一种背点接触异质结太阳能电池 | |
| CN202434531U (zh) | 一种用于晶体硅太阳能电池组件封装的超白压花玻璃 | |
| CN203503670U (zh) | 高利用率双玻组件 | |
| CN101510567B (zh) | 应用在建筑上的太阳能薄膜电池组件 | |
| CN104377251B (zh) | 一种多尺度陷光的柔性大面积叠层太阳能电池及制备方法 | |
| CN106784079A (zh) | 双面异质结电池模块及其制作方法 | |
| CN107154444A (zh) | 一种集中电站的双玻璃光伏组件 | |
| CN109950349A (zh) | 一种双面发电光伏中空玻璃及制作方法 | |
| CN103187471B (zh) | 一种刚性太阳电池背板及其加工工艺 | |
| CN210156430U (zh) | 太阳能电池组件 | |
| CN102034615B (zh) | 一种设有光反射层的染料敏化太阳能电池的制备方法 | |
| CN209298135U (zh) | 一种太阳能电池的封装结构及太阳能电池封装组件 | |
| CN209658212U (zh) | 一种具有微结构的胶膜组件 | |
| CN103337524B (zh) | 自洁高效太阳能电池 | |
| CN102842630A (zh) | 一种单晶硅太阳能电池组件 | |
| CN202816987U (zh) | 一种太阳能电池组件封装结构 | |
| CN207489883U (zh) | 一种多晶硅组件 | |
| CN207441729U (zh) | 一种太阳能电池组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160615 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |