CN105676983A - 主板供电电路 - Google Patents
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Abstract
一种主板供电电路,包括一微控制单元、一整流电路及一电压转换电路,所述电压转换电路包括若干开关单元和一变压器,所述变压器包括一第一输入线圈、一第二输入线圈及一输出线圈,所述微控制单元用以输出控制信号给所述电压转换电路,所述整流电路接收一交流电压,并将所述交流电压转换为一直流电压,所述电压转换电路接收所述直流电压,并根据接收到的控制信号通过相应的开关单元选择所述直流电压流经所述第一输入线圈或所述第二输入线圈,所述变压器将所述直流电压降压至一较小的直流电压,所述输出线圈输出所述较小的直流电压给一主板供电。
Description
技术领域
本发明涉及一种主板供电电路,特别涉及一种具有多工作模式的主板供电电路。
背景技术
在现今的台式电脑中通常采用开关电源对电脑主板进行供电,传统的开关电源接收一交流电压,并通过多个不同的电压转换电路将交流电压转换为多路直流电压,从而为电脑主板上的多个不同的负载供电。由于每路直流电压输出均需要单独的电压转换电路进行转换,增加了元件数量和电路的复杂程度,提高了生产成本。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种具有多工作模式的主板供电电路。
一种主板供电电路,包括一微控制单元、一整流电路及一电压转换电路,所述电压转换电路包括若干开关单元和一变压器,所述变压器包括一第一输入线圈、一第二输入线圈及一输出线圈,所述微控制单元用以输出控制信号给所述电压转换电路,所述整流电路接收一交流电压,并将所述交流电压转换为一直流电压,所述电压转换电路接收所述直流电压,并根据接收到的控制信号通过相应的开关单元选择所述直流电压流经所述第一输入线圈或所述第二输入线圈,所述变压器将所述直流电压降压至一较小的直流电压,所述输出线圈输出所述较小的直流电压给一主板供电。
与现有技术相比,在上述主板供电电路中,所述电压转换电路接收所述直流电压,并根据接收到的控制信号通过相应的开关单元选择所述直流电压流经所述第一输入线圈或所述第二输入线圈,所述变压器将所述直流电压降压至较小的直流电压,所述输出线圈输出所述较小的直流电压给一主板供电,进而提供给主板不同的电压工作模式。
附图说明
图1是本发明主板供电电路的一较佳实施方式的框图。
图2是图1中主板供电电路的电路图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,在本发明的一较佳实施方式中,一主板供电电路包括一微控制单元10、一整流电路20、一升压电路30及一电压转换电路40。
所述微控制单元10包括若干控制信号输出端P1.0-P1.4,所述微控制单元10在若干控制信号输出端P1.0-P1.4分别输出高低电位的控制信号。
所述整流电路20包括一第一二极管D1、一第二二极管D2、一第三二极管D3、一第四二极管D4及一电阻R。所述第一二极管D1的阳极和所述第二二极管D2的阴极电性连接一交流电压的火线输出端F。所述第三二极管D3的阳极和所述第四二极管D4的阴极电性连接所述交流电压的零线输出端N。所述第一二极管D1的阴极电性连接所述第三二极管D3的阴极。所述第二二极管D2的阳极和所述第四二极管D4的阳极电性相连后经由所述电阻R接地。
所述升压电路30包括一第一场效应晶体管Q1、一电感L及一第五二极管D5。所述第一场效应晶体管Q1的栅极电性连接所述控制信号输出端P1.0。所述第一场效应晶体管Q1的源极接地。所述第一场效应晶体管Q1的漏极经由所述电感L电性连接所述第一二极管D1的阴极和所述第三二极管D3的阴极之间的连接节点。所述第一场效应晶体管Q1的漏极电性连接所述第五二极管D5的阳极。其中,所述第一场效应晶体管Q1为N沟道场效应晶体管。
所述电压转换电路40包括一第二场效应晶体管Q2、一第三场效应晶体管Q3、一第四场效应晶体管Q4、一第五场效应晶体管Q5、一变压器T、一第六二极管D6、一第七二极管D7、一第八二极管D8、一第一电容C1、一第二电容C2及一第三电容C3。所述变压器T包括一第一输入线圈M1、一第二输入线圈M2及一输出线圈M3。所述第二场效应晶体管Q2的栅极电性连接所述控制信号输出端P1.1。所述第二场效应晶体管Q2的漏极电性连接所述第六二极管D6的阴极。所述第六二极管D6的阳极电性连接所述第一二极管D1的阴极和所述第三二极管D3的阴极之间的连接节点。所述第二场效应晶体管Q2的源极经由所述第一输入线圈M1电性连接所述第三场效应晶体管Q3的源极。所述第三场效应晶体管Q3的栅极电性连接所述控制信号输出端P1.2。所述第三场效应晶体管Q3的漏极电性连接所述第五二极管D5的阴极。所述第三场效应晶体管Q3的漏极经由所述第一电容C1接地。
所述第三场效应晶体管Q3的源极经由所述第二输入线圈M2电性连接所述第四场效应晶体管Q4的漏极。所述第四场效应晶体管Q4的栅极电性连接所述控制信号输出端P1.3。所述第四场效应晶体管Q4的源极接地。所述第五场效应晶体管Q5的栅极电性连接所述控制信号输出端P1.4。所述第五场效应晶体管Q5的源极经由所述第三电容C3接地。所述第五场效应晶体管Q5的漏极电性连接所述第七二极管D7的阴极和所述第八二极管D8的阴极。所述第七二极管D7的阴极和所述第八二极管D8的阴极电性相连后经由所述第二电容C2接地。所述第七二极管D7的阳极经由所述输出线圈M3电性连接所述第八二极管D8的阳极。所述第八二极管D8的阳极接地。其中,所述第二场效应晶体管Q2、所述第三场效应晶体管Q3、所述第四场效应晶体管Q4及所述第五场效应晶体管Q5为N沟道场效应晶体管。
工作时,当主板处于待机模式下且所述交流电压在所述火线输出端F和所述零线输出端N的输出电压较高时,所述微控制单元10分别在控制信号输出端P1.0、P1.2、P1.4输出低电位的控制信号,所述微控制单元10分别在控制信号输出端P1.1、P1.3输出高电位的控制信号。所述第一场效应晶体管Q1、所述第三场效应晶体管Q3及所述第五场效应晶体管Q5分别截止,所述第二场效应晶体管Q2和所述第四场效应晶体管Q4分别导通。此时所述升压电路30不工作,所述交流电压经由所述整流电路20被转换为一直流电压。所述直流电压顺次流经所述第六二极管D6、所述第二场效应晶体管Q2、所述第一输入线圈M1、所述第二输入线圈M2及所述第四场效应晶体管Q4。所述直流电压经由所述第一输入线圈M1和所述第二输入线圈M2的降压作用后被降压至一较小的直流电压。所述输出线圈M3输出所述较小的直流电压,并经由所述第七二极管D7给所述第二电容C2充电。当所述第二电容C2充满电后,所述第七二极管D7的阴极和所述第二电容C2之间的连接节点输出主板所需的待机电压。
当主板处于待机模式下且所述交流电压在所述火线输出端F和所述零线输出端N的输出电压较低时,所述微控制单元10分别在控制信号输出端P1.0、P1.1、P1.4输出低电位的控制信号,所述微控制单元10分别在控制信号输出端P1.2、P1.3输出高电位的控制信号。所述第一场效应晶体管Q1、所述第二场效应晶体管Q2及所述第五场效应晶体管Q5分别截止,所述第三场效应晶体管Q3和所述第四场效应晶体管Q4分别导通。此时所述升压电路30不工作,所述整流电路20输出的直流电压顺次流经所述第三场效应晶体管Q3、所述第二输入线圈M2及所述第四场效应晶体管Q4。所述直流电压经由所述第二输入线圈M2的降压作用后被降压至较小的直流电压。所述输出线圈M3输出所述较小的直流电压,并经由所述第七二极管D7给所述第二电容C2充电。当所述第二电容C2充满电后,所述第七二极管D7的阴极和所述第二电容C2之间的连接节点输出主板所需的待机电压。
当主板处于开机模式下,所述微控制单元10分别在控制信号输出端P1.0、P1.1、P1.3、P1.4输出高电位的控制信号,所述微控制单元在控制信号输出端P1.2输出低电位的控制信号。所述第一场效应晶体管Q1、所述第二场效应晶体管Q2、所述第四场效应晶体管Q4及所述第五场效应晶体管Q5分别导通,所述第三场效应晶体管Q3截止。此时所述升压电路30工作,所述整流电路20输出的直流电压经由所述电感L和所述第五二极管D5的升压作用被升压至一较高的直流电压。所述较高的直流电压顺次流经所述第二场效应晶体管Q2、所述第一输入线圈M1、所述第二输入线圈M2及所述第四场效应晶体管Q4。所述较高的直流电压经由所述第一输入线圈M1和所述第二输入线圈M2的降压作用后被降压至较小的直流电压。所述输出线圈M3输出所述较小的直流电压,并经由所述第七二极管D7给所述第二电容C2充电。当所述第二电容C2充满电后,所述第七二极管D7的阴极和所述第二电容C2之间的连接节点输出主板所需的待机电压。所述输出线圈M3输出的较小的直流电压经由所述第五场效应晶体管Q5给所述第三电容C3充电。当所述第三电容C3充满电后,所述第五场效应晶体管Q5的源极和所述第三电容C3之间的连接节点输出主板所需的主工作电压。
Claims (8)
1.一种主板供电电路,包括一微控制单元、一整流电路及一电压转换电路,其特征在于:所述电压转换电路包括若干开关单元和一变压器,所述变压器包括一第一输入线圈、一第二输入线圈及一输出线圈,所述微控制单元用以输出控制信号给所述电压转换电路,所述整流电路接收一交流电压,并将所述交流电压转换为一直流电压,所述电压转换电路接收所述直流电压,并根据接收到的控制信号通过相应的开关单元选择所述直流电压流经所述第一输入线圈或所述第二输入线圈,所述变压器将所述直流电压降压至一较小的直流电压,所述输出线圈输出所述较小的直流电压给一主板供电。
2.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述整流电路包括一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管、一第四二极管及一电阻,所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极电性连接所述交流电压的火线输出端,所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极电性连接所述交流电压的零线输出端,所述第一二极管的阴极电性连接所述第三二极管的阴极,所述第二二极管的阳极和所述第四二极管的阳极电性相连后经由所述电阻接地。
3.如权利要求2所述的主板供电电路,其特征在于:所述升压电路包括一第一场效应晶体管、一电感及一第五二极管,所述第一场效应晶体管的栅极电性连接所述微控制单元以接收所述控制信号,所述第一场效应晶体管的源极接地,所述第一场效应晶体管的漏极经由所述电感电性连接所述第一二极管的阴极和所述第三二极管的阴极之间的连接节点,所述第一场效应晶体管的漏极电性连接所述第五二极管的阳极。
4.如权利要求3所述的主板供电电路,其特征在于:所述第一场效应晶体管为N沟道场效应晶体管。
5.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述若干开关单元包括一第二场效应晶体管、一第三场效应晶体管、一第四场效应晶体管及一第五场效应晶体管,所述电压转换电路还包括一第六二极管、一第七二极管、一第八二极管、一第一电容、一第二电容及一第三电容,所述第二场效应晶体管的栅极电性连接所述微控制单元以接收所述控制信号,所述第二场效应晶体管的漏极电性连接所述第六二极管的阴极,所述第六二极管的阳极接收所述直流电压,所述第二场效应晶体管的源极经由所述第一输入线圈电性连接所述第三场效应晶体管的源极,所述第三场效应晶体管的栅极电性连接所述微控制单元以接收所述控制信号,所述第三场效应晶体管的漏极经由所述第一电容接地。
6.如权利要求5所述的主板供电电路,其特征在于:所述第三场效应晶体管的源极经由所述第二输入线圈电性连接所述第四场效应晶体管的漏极,所述第四场效应晶体管的栅极电性连接所述微控制单元以接收所述控制信号,所述第四场效应晶体管的源极接地,所述第五场效应晶体管的栅极电性连接所述微控制单元以接收所述控制信号,所述第五场效应晶体管的源极经由所述第三电容接地,所述第五场效应晶体管的漏极电性连接所述第七二极管的阴极和所述第八二极管的阴极,所述第七二极管的阴极和所述第八二极管的阴极电性相连后经由所述第二电容接地,所述第七二极管的阳极经由所述输出线圈电性连接所述第八二极管的阳极,所述第八二极管的阳极接地。
7.如权利要求6所述的主板供电电路,其特征在于:所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管、所述第四场效应晶体管及所述第五场效应晶体管为N沟道场效应晶体管。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的主板供电电路,其特征在于:所述微控制单元包括若干控制信号输出端,所述微控制单元在若干控制信号输出端分别输出高低电位的控制信号。
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