CN105675530A - 集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 - Google Patents
集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105675530A CN105675530A CN201610043556.8A CN201610043556A CN105675530A CN 105675530 A CN105675530 A CN 105675530A CN 201610043556 A CN201610043556 A CN 201610043556A CN 105675530 A CN105675530 A CN 105675530A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- sensitive element
- pzt
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 38
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 230000035987 intoxication Effects 0.000 description 2
- 231100000566 intoxication Toxicity 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003034 coal gas Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000618 nitrogen fertilizer Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 wherein Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明涉及红外气体探测器的敏感元件，具体是一种集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件，进一步提高了热释电薄膜型红外气体探测器的检测性能。所述敏感元件由两块敏感元基片加工获得，其加工方法包括：1、加工第一敏感元基片；2、加工第二敏感元基片；3、加工敏感元件。加工工艺合理，所得敏感元件具备良好的热吸收性能和热响应性能，能用于构建高性能红外气体探测器，满足环境安全、煤矿生产安全、以及危化品气体储运、煤气管道防泄、森林火灾防护、工业安全生产等领域中的监测需要。
Description
技术领域
本发明涉及红外气体探测器的敏感元件，具体是一种集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件。
背景技术
目前，人们的生产、生活环境中充斥着各种各样的气体，部分有毒有害气体、易燃易爆气体会因气体泄漏或过量引起各种事故，危害人们的生产、生活。例如：工业矿井生产中产生的CH4、CO易造成矿井瓦斯爆炸事故发生，氮肥生产和锅炉燃烧中产生的附加废气CO常造成工人中毒事故发生，石化储运站、煤气站等场所及危化品运输过程中，有毒易燃气体泄露会导致中毒事故或爆炸事故发生，还有日常生活中的汽车尾气、室内装修污染会对我们的身体造成伤害等等。有效说明了监测有毒有害气体、易燃易爆气体的必要性。
以瓦斯气体的检测来说，目前国内各大煤矿所用的瓦斯报警系统已有一定的规模，普遍采用以热催化元件、光学干涉元件实现的瓦斯气体检测传感器，但经长期使用发现，其检测精度低、检测范围窄，对高浓度瓦斯会检测错误，其它气体的交叉敏感也会对其造成干扰，导致无效判断，而且这些瓦斯气体检测传感器一致性、互换性差，需要经常校准，使用不方便；因此，急需研究和开发新型气体检测传感器来克服上述问题。
当然，除了上述以热催化元件、光学干涉元件实现的气体检测方法外，现有气体检测方法还有很多，其中以红外吸收原理检测气体的方法在国内外较为先进。它克服了以往检测方法容易中毒老化、受环境因素影响等缺点,同时它还具有灵敏度高、响应速度快、选择性好等优点。并且随着近年来红外发光器件和红外探测技术的长足发展，高效、低电压、体积小的器件不断出现，为小型红外气体探测器的研制创造了条件。
红外气体探测器所用热释电材料有单晶、陶瓷、薄膜等种类。单晶热释电晶体的热释电系数高、介质损耗小，至今性能最好的热释电探测器大多选用单晶制作，如TGS、LATGS、LiTaO3等；陶瓷热释电晶体成本较低，但响应较慢，如入侵报警用PZT陶瓷探测器工作频率为0.2～5Hz；薄膜热释电材料可以用溅射法、液相外延等方法制备，可以做得很薄，对于制作高性能的热释电探测器十分有利。与其它陶瓷片式探测器相比较，热释电薄膜型探测器具有红外吸收波谱区域宽、加工成本低、可在室温下工作等优点；近些年，广泛研究和应用的热释电薄膜有：应用于微电子技术方面的PbZrTiO3（PZT）薄膜、被广泛用在热释电探测器敏感元件上的PbTiO3（PT）薄膜，等等。如何改进现有热释电薄膜于红外气体探测器上的应用，使其达到更好的检测性能，是目前本领域研究人员的重点研究方向。
发明内容
本发明为了进一步提高热释电薄膜型红外气体探测器的检测性能，提供了一种集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件。
本发明是采用如下技术方案实现的：集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件，所述敏感元件由两块敏感元基片加工获得，其加工方法如下：
1、加工第一敏感元基片
1）、采用溅射工艺技术在SOI基底片上依次溅射Ti层、Pt层，形成上电极；其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
2）、采用溶胶-凝胶加工工艺在上电极上交替制备PT薄膜和PZT薄膜，形成PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层，所述热释电薄膜组合层厚度小于等于1μm；
3）、对PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层涂胶、曝光、显影，光刻图形化PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层；
4）、采用溅射工艺技术在PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层上依次溅射Pt层和Ti层，并使用剥离工艺，形成下电极，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm，得到第一敏感元基片；
2、加工第二敏感元基片
1）、先采用等离子体增强化学气相沉积法在硅基底片上沉积Si3N4薄膜；然后采用湿氧氧化工艺在Si3N4薄膜上生长SiO2薄膜，形成Si3N4/SiO2热隔离层；其中，Si3N4薄膜厚度为150nm，SiO2薄膜厚度为500nm；
2）、采用溅射工艺技术在Si3N4/SiO2热隔离层上依次溅射Pt层、Ti层，并使用剥离工艺，形成与第一敏感元基片下电极位置对应的下电极，得到第二敏感元件基片，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
3、加工敏感元件
1）、翻转第一敏感元基片，采用金属键合技术，将第一敏感元基片的下电极与第二敏感元基片的下电极进行键合，得到敏感元件半成品；
2）、采用湿法腐蚀工艺，依次腐蚀敏感元件半成品中第一敏感元基片SOI基底片的硅衬底和SiO2层，保留第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅；
3）、采用反应离子刻蚀技术，将第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅加工成锥状森林形貌结构的黑硅纳米结构吸收层，即红外敏感吸收层，得到敏感元件。
所述溅射工艺技术、溶胶-凝胶加工工艺、涂胶、曝光、显影、光刻图形化、剥离工艺、等离子体增强化学气相沉积法、湿氧氧化工艺、金属键合技术、湿法腐蚀工艺、反应离子刻蚀技术皆为现有技术。
本发明以多层PT薄膜和PZT薄膜交替设置构成的PT/PZT/PT～PT/PZT/PT多层薄膜结构作为敏感元件的热敏感层，与单一PT薄膜作热敏感层相比，具有较好的表面致密性、好的结晶性能和较小的残余应力，能够获取高性能热响应，满足高精度红外探测器对其敏感元件热响应性能的高标准要求，利于实现基于热释电薄膜的高精度红外探测器。
本发明采用具有锥状森林形貌结构的黑硅纳米结构吸收层作为红外探测器敏感元件的红外敏感吸收层，首先黑硅本身对红外光的吸收能力及吸收灵敏度要优于碳黑、金黑、银黑、铂黑等应用于红外探测器敏感元件的吸收材料；第二黑硅纳米结构吸收层设计为锥状森林结构，以进一步提高黑硅吸收层的热吸收性能，利于进一步提高红外探测器的检测精度。本发明中具有锥状森林形貌结构的黑硅纳米结构吸收层是通过腐蚀技术腐蚀SOI材料的硅衬底及二氧化硅层，保留顶层硅，最后采用反应离子刻蚀技术将SOI材料的顶层硅加工成锥状森林形貌结构，其加工方法极具独创性，利于实现红外气体探测器的更新换代。
本发明结构及加工工艺合理，具备良好的热吸收性能和热响应性能，能用于构建高性能红外气体探测器，满足环境安全、煤矿生产安全、以及危化品气体储运、煤气管道防泄、森林火灾防护、工业安全生产、蔬菜大棚种植等领域中的监测需要。
附图说明
图1为本发明所述敏感元件的加工工艺流程示意图；
图2为双元结构的结构示意图；
图3为应用本发明所述敏感元件的红外探测器的结构示意图；
图4为本发明所述敏感元件用外部输出电路的电路原理图；
图中：1-上电极；2-PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层；3-下电极；4-第一敏感元基片；5-硅基底片；6-Si3N4薄膜；7-SiO2薄膜；8-下电极；9-第二敏感元件基片；10-敏感元件半成品；11-黑硅纳米结构吸收层；12-敏感元件；13-TO-5型金属壳体；14-CaF2滤光片。
具体实施方式
集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件，所述敏感元件由两块敏感元基片加工获得，其加工方法如下（如图1所示）：
1、加工第一敏感元基片
1）、采用溅射工艺技术在SOI基底片上依次溅射Ti层、Pt层，形成上电极1；其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
2）、采用溶胶-凝胶加工工艺在上电极上交替制备PT薄膜和PZT薄膜，形成PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层2，所述热释电薄膜组合层厚度小于等于1μm；所述PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层2的PT薄膜和PZT薄膜共11层，且每一层50nm；
3）、对PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层2涂胶、曝光、显影，光刻图形化PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层；
4）、采用溅射工艺技术在PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层2上依次溅射Pt层和Ti层，并使用剥离工艺，形成下电极3，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm，得到第一敏感元基片4；
2、加工第二敏感元基片
1）、先采用等离子体增强化学气相沉积法在硅基底片5上沉积Si3N4薄膜6；然后采用湿氧氧化工艺在Si3N4薄膜6上生长SiO2薄膜7，形成Si3N4/SiO2热隔离层；其中，Si3N4薄膜厚度为150nm，SiO2薄膜厚度为500nm；所述Si3N4/SiO2热隔离层用于减小热损耗，达到提高红外探测器探测率的目的；
2）、采用溅射工艺技术在Si3N4/SiO2热隔离层上依次溅射Pt层、Ti层，并使用剥离工艺，形成与第一敏感元基片下电极3位置对应的下电极8，得到第二敏感元件基片9，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
3、加工敏感元件
1）、翻转第一敏感元基片4，采用金属键合技术，将第一敏感元基片4的下电极3与第二敏感元基片9的下电极8进行键合，得到敏感元件半成品10；
2）、采用湿法腐蚀工艺，依次腐蚀敏感元件半成品10中第一敏感元基片SOI基底片的硅衬底和SiO2层，保留第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅；
3）、采用反应离子刻蚀技术，将第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅加工成锥状森林形貌结构的黑硅纳米结构吸收层11，即红外敏感吸收层，得到敏感元件12。
具体应用时，所述敏感元件采用如图2所示的双元结构串联连接，即两敏感元件12反极性串联，这样，能够抑制一些共模干扰信号，如由多层薄膜产生的压电信号、由于机械振动产生的加速度信号；通过采用双元结构串联，两敏感元件的直接感应极化相反，因此，环境温度的改变以及外界阳光所带来的影响也能被相互抵消，从而提高探测器的检测精度。
在以本发明所述敏感元件实现红外探测器时，将本发明所述敏感元件与外部输出电路进行连接，共同真空封装入TO-5型金属壳体13内。其中，如图3所示，TO-5型金属壳体13顶部开设窗口，并通过环氧树脂于窗口处固定CaF2滤光片14，共同构成红外辐射窗口，红外辐射选择性通过红外辐射窗口后，直射于本发明所述敏感元件12的红外敏感吸收层上；外部输出电路可以采用JFET场效应管实现，如图4所示。
Claims (2)
1.一种集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件，其特征在于：所述敏感元件由两块敏感元基片加工获得，其加工方法如下：
1、加工第一敏感元基片
1）、采用溅射工艺技术在SOI基底片上依次溅射Ti层、Pt层，形成上电极(1)；其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
2）、采用溶胶-凝胶加工工艺在上电极上交替制备PT薄膜和PZT薄膜，形成PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层(2)，所述热释电薄膜组合层厚度小于等于1μm；
3）、对PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层(2)涂胶、曝光、显影，光刻图形化PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层；
4）、采用溅射工艺技术在PT/PZT/PT～PT/PZT/PT热释电薄膜组合层(2)上依次溅射Pt层和Ti层，并使用剥离工艺，形成下电极(3)，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm，得到第一敏感元基片(4)；
2、加工第二敏感元基片
1）、先采用等离子体增强化学气相沉积法在硅基底片(5)上沉积Si3N4薄膜(6)；然后采用湿氧氧化工艺在Si3N4薄膜(6)上生长SiO2薄膜(7)，形成Si3N4/SiO2热隔离层；其中，Si3N4薄膜厚度为150nm，SiO2薄膜厚度为500nm；
2）、采用溅射工艺技术在Si3N4/SiO2热隔离层上依次溅射Pt层、Ti层，并使用剥离工艺，形成与第一敏感元基片下电极(3)位置对应的下电极(8)，得到第二敏感元件基片(9)，其中，Ti层厚度为80nm，Pt层厚度为150nm；
3、加工敏感元件
1）、翻转第一敏感元基片(4)，采用金属键合技术，将第一敏感元基片(4)的下电极(3)与第二敏感元基片(9)的下电极(8)进行键合，得到敏感元件半成品(10)；
2）、采用湿法腐蚀工艺，依次腐蚀敏感元件半成品(10)中第一敏感元基片SOI基底片的硅衬底和SiO2层，保留第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅；
3）、采用反应离子刻蚀技术，将第一敏感元基片SOI基底片的顶层硅加工成锥状森林形貌结构的黑硅纳米结构吸收层(11)，即红外敏感吸收层，得到敏感元件(12)。
2.根据权利要求1所述的集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件，其特征在于：所述敏感元件采用双元结构串联连接，即两敏感元件(12)反极性串联。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610043556.8A CN105675530A (zh) | 2016-01-24 | 2016-01-24 | 集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610043556.8A CN105675530A (zh) | 2016-01-24 | 2016-01-24 | 集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105675530A true CN105675530A (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=56302130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610043556.8A Pending CN105675530A (zh) | 2016-01-24 | 2016-01-24 | 集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105675530A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098311A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-06 | 中北大学 | 一种提高红外吸收效率的多层红外隐身纳米结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102830086A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 中北大学 | 基于黑硅吸收层及多层组合膜结构的红外探测器敏感元件 |
| CN104458006A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 一种热释电红外探测器敏感元件及其制造方法 |
| CN105006499A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-28 | 电子科技大学 | 一种基于fpc柔性衬底的热补偿型热释电红外单元探测器 |
-
2016
- 2016-01-24 CN CN201610043556.8A patent/CN105675530A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102830086A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 中北大学 | 基于黑硅吸收层及多层组合膜结构的红外探测器敏感元件 |
| CN104458006A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 一种热释电红外探测器敏感元件及其制造方法 |
| CN105006499A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-28 | 电子科技大学 | 一种基于fpc柔性衬底的热补偿型热释电红外单元探测器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| TAN QIU-LIN, ETC.: "Design, fabrication and characterization of pyroelectric thin film and its application for infrared gas sensors", 《MICROELECTRONICS JOURNAL》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098311A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-06 | 中北大学 | 一种提高红外吸收效率的多层红外隐身纳米结构 |
| CN110098311B (zh) * | 2019-05-17 | 2022-06-14 | 中北大学 | 一种提高红外吸收效率的多层红外隐身纳米结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102830086A (zh) | 基于黑硅吸收层及多层组合膜结构的红外探测器敏感元件 | |
| Comini et al. | Solid state gas sensing | |
| CN103708406B (zh) | 一种可隔离封装应力的谐振式红外探测器结构及制作方法 | |
| CN109870255B (zh) | 法珀传感器及其制造方法 | |
| CN101639391B (zh) | 带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法 | |
| CN109540841B (zh) | 光纤法布里-玻罗氢气传感器、制作方法及其检测方法 | |
| WO2006137913A3 (en) | Remote sensor and in-situ sensor system for improved detection of chemicals in the atmosphere | |
| CN104465850B (zh) | 基于石墨烯吸收层的热释电红外探测器及其制造方法 | |
| US20150020577A1 (en) | Gas sensor | |
| Yamashita et al. | Miniaturized infrared sensor using silicon diaphragm based on Golay cell | |
| CN101872797A (zh) | 一种基于微桥谐振器的新型红外探测器结构及制作方法 | |
| CN103543183B (zh) | 基于微通道板三维结构的高灵敏度气体传感器制作方法 | |
| CN103854404A (zh) | 被动式红外探测报警器 | |
| CN108313972B (zh) | 一种氢气传感器及其加工方法和用途 | |
| CN103364120A (zh) | 银锡共晶真空键合金属应变式mems压力传感器及其制造方法 | |
| Hossain et al. | Piezoresistive nanomechanical humidity sensors using internal stress in-plane of Si-polymer composite membranes | |
| CN105675530A (zh) | 集成黑硅纳米结构吸收层及多层组合膜结构的敏感元件 | |
| CN203759812U (zh) | 被动式红外探测报警器 | |
| CN103852171B (zh) | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | |
| Yoo et al. | Fabrication, characterization and application of a microelectromechanical system (MEMS) thermopile for non-dispersive infrared gas sensors | |
| CN203551501U (zh) | 基于微通道板三维结构的高灵敏度气体传感器 | |
| CN101881668A (zh) | 一种电桥结构的红外温度传感器 | |
| CN102662002A (zh) | 半导体薄膜、气体传感器及其制作方法 | |
| Spannhake et al. | Micro-fabrication of gas sensors | |
| CN107941391A (zh) | 一种用于薄膜体声波压力传感器的无线无源温度补偿方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160615 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |