CN105656301A - 一种谐振控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种谐振控制装置，利用一侦测控制器连接一半桥谐振电路或一全桥谐振电路，此半桥谐振电路包含二电子开关与一谐振槽，全桥谐振电路包含四电子开关与一谐振槽。侦测控制器系接收二电子开关之间的节点之电压，由于电子开关具有寄生电容，当部分电子开关呈导通状态时，其对应之寄生电容会被放电而呈现低电压，使侦测控制器驱动其余电子开关呈关闭状态，以确保半桥谐振电路及全桥谐振电路中的电子开关皆能以上述交替式开关切换之方式运作，进而避免贯通效应产生。

Description

一种谐振控制装置

技术领域

本发明涉及一种控制装置，具体涉及一种谐振控制装置。

背景技术

在现今的电源产业中，切换式电源供应器大多使用一种半桥式架构的驱动器，用以驱动外部的负载电路；原因在于使用半桥式架构可以将感应磁场工作于第一与第三象限中，而如前向式或反驰式架构则只能工作在第一象限中，比较起来，半桥式架构的驱动器很明显在工作效率上高很多。

现有的半桥式驱动装置，大体皆设成如图1所示，包含一讯号控制器10、一第一电子开关12、一第二电子开关14与一谐振槽16，其中第一电子开关12与第二电子开关14皆为N通道金氧半场效晶体管。理论上，讯号控制器10控制第一电子开关12与第二电子开关14为交替式切换，即当第一电子开关12导通时，第二电子开关14关闭，使能量从高电压端VH储存于谐振槽16中，当第一电子开关12关闭时，第二电子开关14导通，使能量从谐振槽16中，释放于低电压端VL。然而，讯号控制器10其实并不稳定，在实际状况中，当第二电子开关14从导通状态欲变为关闭状态，但却仍是导通状态时，第一电子开关12亦会导通，使能量通往谐振槽16，造成第一电子开关12与第二电子开关14之间产生电流突波，以伤害第一电子开关12与第二电子开关14。此外，现有的全桥式驱动装置也有同样状况，全桥式驱动装置如图2所示，包含一讯号控制器18、一第一电子开关20、一第二电子开关22、一第三电子开关24、一第四电子开关26与一谐振槽28。理论上，讯号控制器18控制第一电子开关20与第二电子开关22呈现相同开关状态，并控制第三电子开关24与第四电子开关26呈现相同开关状态，且当第一电子开关20与第二电子开关22导通时，第三电子开关24与第四电子开关26关闭，使能量从高电压端VH透过第一电子开关20与第二电子开关22通往低电压端VL。当第一电子开关20与第二电子开关22关闭时，第三电子开关24与第四电子开关26导通，使能量从高电压端VH透过第三电子开关24与第四电子开关26通往低电压端VL。然而，讯号控制器18亦不稳定，在实际状况中，当第四电子开关26从导通状态欲变为关闭状态，但却仍是导通状态时，第一电子开关20亦会导通，使能量通往谐振槽16，造成第一电子开关20与第四电子开关26之间产生电流突波，以伤害第一电子开关20与第四电子开关26。同样地，当第二电子开关22从导通状态欲变为关闭状态，但却仍是导通状态时，第三电子开关24亦会导通，使能量通往谐振槽16，造成第二电子开关22与第三电子开关24之间产生电流突波，以伤害第二电子开关22与第三电子开关24。

因此，本发明是在针对上述的困扰，提出一种谐振控制装置，以解决现有所产生的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明旨在提供一种谐振控制装置，应用于半桥谐振电路或全桥谐振电路上，并于谐振电路中的二电子开关之间的节点连接一侦测控制器，以藉此侦测二电子开关之间的节点之电压。当部分电子开关呈导通状态时，其对应之寄生电容会被放电而呈现低电压，使侦测控制器驱动其余电子开关呈关闭状态，以确保半桥谐振电路及全桥谐振电路中的电子开关皆能以上述交替切换之方式运作，进而避免贯通效应产生。

为实现所述技术目的，本发明的方案是：一种谐振控制装置，包含一第一电子开关、一第二电子开关、一谐振槽、一侦测控制器与一讯号控制器。第一电子开关电性连接一高电压端与一节点，第二电子开关电性连接节点与一低电压端，第二电子开关具有一寄生电容，寄生电容之一端电性连接低电压端，另一端电性连接节点，低电压端例如为接地端。谐振槽电性连接节点，并储有谐振能量。侦测控制器电性连接低电压端、节点与第一电子开关，并接收节点之电压与一第一数字讯号。在第二电子开关呈导通状态时，节点之电压为低电压端之低电压，即接地电位，侦测控制器依据节点之电压提供低电压给第一电子开关，使第一电子开关呈关闭状态，且谐振槽利用谐振能量产生一谐振电流流经第二电子开关。在第二电子开关呈关闭状态时，谐振电流向寄生电容充电，以提升节点之电压至大于低电压的一默认电压值，侦测控制器依据默认电压值提供第一数字讯号给第一电子开关，使第一电子开关呈导通状态。讯号控制器具有第一端与第二端，第一端电性连接侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接第一电子开关，电隔离器阻挡高电压端之高电压通往讯号控制器，第二端电性连接第二电子开关。讯号控制器在一时间点于第一端产生第一数字讯号，并在时间点于第二端产生一第二数字讯号给第二电子开关，以依序控制第二电子开关呈导通状态与关闭状态。

作为优选，侦测控制器依据节点之电压提供低电压给第一电子开关之前，讯号控制器控制第一电子开关呈导通状态，以利用高电压端之高电压储存谐振能量于谐振槽中。

第一电子开关与第二电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，寄生电容为寄生汲源电容，第一数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号，第二数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号。

谐振槽更包含一第一谐振电感、一第二谐振电感与一谐振电容，第二谐振电感例如为一变压器之漏感。第一谐振电感电性连接节点，第二谐振电感串接第一谐振电感，并储有谐振能量。谐振电容串接第二谐振电感，并电性连接低电压端，第一谐振电感、第二谐振电感与谐振电容利用谐振能量产生谐振电流。

作为优选，侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管与一二极管。此P通道金氧半场效晶体管之闸极电性连接节点，汲极电性连接低电压端，源极电性连接第一电子开关，并接收第一数字讯号；在节点之电压为低电压时，此P信道金氧半场效晶体管提供低电压给第一电子开关；在节点之电压为默认电压值时，此P通道金氧半场效晶体管提供第一数字讯号给第一电子开关。此外，二极管之正极与负极分别电性连接闸极与节点。

作为优选，侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管与一二极管。此PNP双载子接面晶体管之基极透过一第一电阻电性连接节点，集极电性连接低电压端，射极电性连接第一电子开关，并透过一第二电阻电性连接基极，射极接收该第一数字讯号；在节点之电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管提供低电压给第一电子开关；在节点之电压为默认电压值时，PNP双载子接面晶体管提供第一数字讯号给第一电子开关。二极管之正极与负极分别电性连接第一电阻与节点。

本发明还提供一种谐振控制装置，包含一第一电子开关、一第二电子开关、一第三电子开关、一第四电子开关、一谐振槽、一第一侦测控制器、一第二侦测控制器与一讯号控制器。第一电子开关电性连接一高电压端与一第一节点，第二电子开关电性连接一低电压端，例如为接地端，第三电子开关电性连接高电压端与第二电子开关，第四电子开关电性连接低电压端与第一节点，且第三电子开关与第四电子开关之开关状态相同。第四电子开关具有一第一寄生电容，第一寄生电容之一端电性连接低电压端，另一端电性连接第一节点。谐振槽电性连接第一节点、第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关与第四电子开关。第一侦测控制器电性连接低电压端、第一节点、第一电子开关与第二电子开关，并接收第一节点之第一电压与一第一数字讯号。在第三电子开关与第四电子开关呈导通状态时，第一电压为低电压端之低电压，即接地电位，第一侦测控制器依据第一电压提供低电压给第一电子开关与第二电子开关，使第一电子开关与第二电子开关呈关闭状态，且高电压端产生一第一谐振电流，以依序流经第三电子开关、谐振槽、第四电子开关与低电压端。在第三电子开关与第四电子开关呈关闭状态时，第一谐振电流向第一寄生电容充电，以提升第一电压至大于低电压的一第一默认电压值，第一侦测控制器依据第一默认电压值提供第一数字讯号给第一电子开关与第二电子开关，使第一电子开关与第二电子开关呈导通状态。

作为优选，第一电子开关与第二电子开关接收第一数字讯号时，系皆依序呈导通状态及关闭状态。第二侦测控制器电性连接低电压端、第二电子开关与第三电子开关之间的一第二节点、第三电子开关与第四电子开关。第二电子开关具有一第二寄生电容，第二寄生电容之一端电性连接低电压端，另一端电性连接第二节点，谐振槽电性连接第二节点，第二侦测控制器接收第二节点之第二电压与一第二数字讯号；在第一电子开关与第二电子开关呈导通状态时，第二电压为低电压，且高电压端产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关、谐振槽、第二电子开关与低电压端，且第二侦测控制器依据第二电压提供低电压给第三电子开关与第四电子开关，使第三电子开关与第四电子开关呈关闭状态。在第一电子开关与第二电子开关呈关闭状态时，第二谐振电流向第二寄生电容充电，以提升第二电压至大于低电压的一第二默认电压值，且第二侦测控制器依据第二默认电压值提供第二数字讯号给第三电子开关与第四电子开关，使第三电子开关与第四电子开关呈导通状态。

讯号控制器具有第一端与第二端，第一端电性连接第一侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接第一电子开关与第二电子开关，第二端电性连接第二侦测控制器，并透过电隔离器电性连接第三电子开关与第四电子开关，电隔离器阻挡高电压端之电压通往讯号控制器。讯号控制器在一时间点于第一端产生第一数字讯号，并在此时间点于第二端产生第二数字讯号给第三电子开关与第四电子开关，以控制第三电子开关与第四电子开关依序皆呈导通状态、关闭状态与导通状态。

第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关与第四电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，第一寄生电容与第二寄生电容皆为寄生汲源电容，第一数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号，第二数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号、低准位电压讯号与高准位电压讯号。

谐振槽更包含一第一谐振电感、一第二谐振电感与一谐振电容，其中第二谐振电感例如为一变压器之漏感。第一谐振电感电性连接第二节点，第二谐振电感串接第一谐振电感，谐振电容串接第二谐振电感，并电性连接第一节点。第一谐振电流依序流经第一谐振电感、第二谐振电感与谐振电容，第二谐振电流依序流经谐振电容、第二谐振电感与第一谐振电感。

作为优选，第一侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管与一二极管。此P通道金氧半场效晶体管之闸极电性连接第一节点，汲极电性连接低电压端，源极电性连接第一电子开关与第二电子开关，并接收第一数字讯号；在第一电压为低电压时，P信道金氧半场效晶体管提供低电压给第一电子开关与第二电子开关；在第一电压为第一默认电压值时，P信道金氧半场效晶体管提供第一数字讯号给第一电子开关与第二电子开关。二极管之正极与负极分别电性连接闸极与第一节点。

作为优选，第一侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管与一二极管。PNP双载子接面晶体管之基极透过一第一电阻电性连接第一节点，集极电性连接低电压端，射极电性连接第一电子开关与第二电子开关，并透过一第二电阻电性连接基极，射极接收第一数字讯号；在第一电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管提供低电压给第一电子开关与第二电子开关；在第一电压为第一默认电压值时，PNP双载子接面晶体管提供第一数字讯号给第一电子开关与第二电子开关。二极管之正极与负极分别电性连接第一电阻与第一节点。

作为优选，第二侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管与一二极管。P通道金氧半场效晶体管之闸极电性连接第二节点，汲极电性连接低电压端，源极电性连接第三电子开关与第四电子开关，并接收第二数字讯号；在第二电压为低电压时，P信道金氧半场效晶体管提供低电压给第三电子开关与第四电子开关；在第二电压为第二默认电压值时，P信道金氧半场效晶体管提供第二数字讯号给第三电子开关与第四电子开关。二极管之正极与负极分别电性连接闸极与第二节点。

作为优选，第二侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管与一二极管。PNP双载子接面晶体管之基极透过一第一电阻电性连接第二节点，集极电性连接低电压端，射极电性连接第三电子开关与第四电子开关，并透过一第二电阻电性连接基极，射极接收第二数字讯号；在第二电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管提供低电压给第三电子开关与第四电子开关；在第二电压为第二默认电压值时，PNP双载子接面晶体管提供第二数字讯号给第三电子开关与第四电子开关。二极管之正极与负极分别电性连接第一电阻与第二节点。

本发明的有益效果，本发明侦测二串接之电子开关之间的节点电压，并在一电子开关呈导通状态时，使其对应之寄生电容进行放电而呈现低电压，进而驱动另一电子开关呈关闭状态，使二电子开关能以交替切换方式精准运作，以避免贯通效应产生而破坏电子开关。换句话说，无论讯号控制器是否有误发讯号，或是开关故障，或是开关动作延迟，本发明之侦测控制器都能确保开关不会因为同时开启而发生贯通现象。

附图说明

图1为现有技术之半桥式驱动装置之电路示意图一；

图2为现有技术之半桥式驱动装置之电路示意图二；

图3为本发明的谐振控制装置之第一实施例的电路示意图；

图4为本发明的第一初始数字讯号、第二初始数字讯号、第一数字讯号与第二数字讯号及第一电子开关与第二电子开关之开关状态之波形图；

图5为本发明的谐振控制装置之第二实施例的电路示意图；

图6为本发明的谐振控制装置之第三实施例的电路示意图；

图7为本发明的第一数字讯号与第二数字讯号及第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关与第四电子开关之开关状态之波形图；

图8为本发明的谐振控制装置之第四实施例的电路示意图。

附图符号说明：

10讯号控制器

12第一电子开关

14第二电子开关

16谐振槽

18讯号控制器

20第一电子开关

22第二电子开关

24第三电子开关

26第四电子开关

28谐振槽

30第一电子开关

32第二电子开关

34谐振槽

36侦测控制器

38讯号控制器

40寄生电容

41电隔离器

42第一谐振电感

44第二谐振电感

46谐振电容

48P通道金氧半场效晶体管

50二极管

52PNP双载子接面晶体管

54二极管

56第一电阻

58第二电阻

60第一电子开关

62第二电子开关

64第三电子开关

66第四电子开关

68谐振槽

70第一侦测控制器

72第二侦测控制器

74讯号控制器

76第一寄生电容

78第二寄生电容

79电隔离器

80第一谐振电感

82第二谐振电感

84谐振电容

86P通道金氧半场效晶体管

88二极管

90P通道金氧半场效晶体管

92二极管

94PNP双载子接面晶体管

96二极管

98第一电阻

100第二电阻

102PNP双载子接面晶体管

104二极管

106第一电阻

108第二电阻

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。

如图3所示，本发明所述的具体实施例为本发明之谐振控制装置之第一实施例应用在半桥谐振电路上，此谐振控制装置包含一第一电子开关30、一第二电子开关32、一谐振槽34、一侦测控制器36与一讯号控制器38，举例来说，第一电子开关30与第二电子开关32皆为N通道金氧半场效晶体管。第一电子开关30电性连接一高电压VH端与一节点N，第二电子开关32电性连接节点N与一低电压端VL，第二电子开关32具有一寄生电容40，例如为寄生汲源电容，寄生电容40之一端电性连接低电压端VL，另一端电性连接节点N，低电压端VL例如为接地端。谐振槽34电性连接节点N，并储有谐振能量。侦测控制器36电性连接低电压端VL、节点N与第一电子开关30，并接收节点N之电压与一第一数字讯号D1，例如为高准位电压讯号。在第二电子开关32呈导通状态时，节点N之电压为低电压端VL之低电压，即接地电位，侦测控制器36依据节点N之电压提供低电压VL给第一电子开关30，使第一电子开关30呈关闭状态，且谐振槽34利用谐振能量产生一谐振电流流经第二电子开关32。在第二电子开关32呈关闭状态时，谐振电流向寄生电容40充电，以提升节点N之电压至大于低电压的一默认电压值，侦测控制器36依据默认电压值提供第一数字讯号D1给第一电子开关30，使第一电子开关30呈导通状态。讯号控制器38具有第一端与第二端，第一端电性连接侦测控制器36，并透过一电隔离器41电性连接第一电子开关30，第二端电性连接第二电子开关32；电隔离器41阻挡高电压端VH之高电压通往讯号控制器36，避免高压端VH影响讯号控制器36。电隔离器41以变压器为例，在本发明中，可为1比1的变压器。讯号控制器38在一时间点于第一端产生第一数字讯号D1，并在时间点于第二端产生一第二数字讯号D2给第二电子开关32，以依序控制第二电子开关32呈导通状态与关闭状态。第二数字讯号D2例如包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号。为了让第一数字讯号D1以及第二数字讯号D2能够顺利传送，可适当地增加由晶体管组成的推挽式线路。

谐振槽34更包含一第一谐振电感42、一第二谐振电感44与一谐振电容46，第二谐振电感44例如为一变压器之漏感。第一谐振电感42电性连接节点N，第二谐振电感44串接第一谐振电感42，并储有谐振能量。谐振电容46串接第二谐振电感42，并电性连接低电压端VL，第一谐振电感42、第二谐振电感44与谐振电容46利用谐振能量产生谐振电流。

侦测控制器36更包含一P通道金氧半场效晶体管48与一二极管50。此P通道金氧半场效晶体管48之闸极电性连接节点N，汲极电性连接低电压端VL，源极透过电隔离器41电性连接第一电子开关30，且此源极电性连接讯号控制器38之第一端，并接收第一数字讯号D1。在节点N之电压为低电压时，此P信道金氧半场效晶体管48透过电隔离器41提供低电压给第一电子开关30。在节点N之电压为默认电压值时，此P通道金氧半场效晶体管48透过电隔离器41提供第一数字讯号D1给第一电子开关30。此外，二极管50之正极与负极分别电性连接P通道金氧半场效晶体管48之闸极与节点N。

以下介绍本发明之第一实施例之运作过程，请同时参阅图3与图4。首先，从时间点t0到时间点t1，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为高电压准位之第一初始数字讯号DI1与为低电压准位之第二初始数字讯号DI2，使第一电子开关30透过电隔离器41接收第一初始数字讯号DI1，且第二电子开关32接收第二初始数字讯号DI2，让第一电子开关30与第二电子开关32分别呈导通状态与关闭状态。此时，高电压端VH之高电压透过第一电子开关30、第一谐振电感42与谐振电容46储存谐振能量于第二谐振电感44中。

接着，从时间点t1到时间点t2，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为低电压准位之第一初始数字讯号DI1与为高电压准位之第二初始数字讯号DI2，使第一电子开关30透过电隔离器41接收第一初始数字讯号DI1，且第二电子开关32第二初始数字讯号DI2，让第一电子开关30与第二电子开关32分别呈关闭状态与导通状态。此时，第一谐振电感42、第二谐振电感44与谐振电容46利用谐振能量产生谐振电流，以流经第二电子开关32，并使节点N之电压为低电压端VL之低电压。

再来，从时间点t2到时间点t3，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2，以分别取代第一初始数字讯号DI1与第二初始数字讯号DI2。第二电子开关32接收第二数字讯号D2，故呈导通状态。由于节点N之电压为低电压端VL之低电压，P信道金氧半场效晶体管48导通，第一数字讯号无法为高准位电压讯号，第一电子开关30因此呈关闭状态，且第一谐振电感42、第二谐振电感44与谐振电容46依然利用谐振能量产生谐振电流流经第二电子开关32。在一种情况，第一数字讯号D1与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。

最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。在实际情况，第二数字讯号D2被切换到低准位电压讯号与第一数字讯号D1被切换到高准位电压讯号之间还有一段时间，由于此时间很短，在图4中便被省略。在此段时间内，第二电子开关32接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态，则谐振电流向寄生电容40充电，以提升节点N之电压至大于低电压的默认电压值。此段时间后，第一数字讯号D1被切换成高准位电压讯号，P信道金氧半场效晶体管48被切换状态，第一数字讯号D1透过电隔离器41被提供给第一电子开关30，使第一电子开关30呈导通状态。如此一来，利用侦测控制器36侦测节点N之电压，便可使第一电子开关30与第二电子开关32呈现交替式开关切换而避免贯通(shootthrough)效应产生。且在时间点t4后，第一数字讯号D1亦可呈低准位电压讯号。

除了上述之外，在开机时，讯号控制器38若先导通第二电子开关32，可能会发生第二电子开关32还未关闭，第一电子开关30便被开启的情况，而发生贯通(shootthrough)效应，此时，本发明的侦测控制器36能够侦测到寄生电容40尚未被充电到预定值，避免第一电子开关30跟第二电子开关同时被打开。另外，本发明采用第一初始数字讯号DI1以及第一数字讯号D1，第二初始数字讯号DI2以及第二数字讯号D2，系为了方便说明，并非限定讯号控制器38会去区别第一初始数字讯号DI1以及第一数字讯号D1，或是区别第二初始数字讯号DI2以及第二数字讯号D2。

如图5所示，本发明之谐振控制装置之第二实施例亦应用在半桥谐振电路上。第二实施例与第一实施例差别在于侦测控制器36。在第二实施例中，侦测控制器36更包含一PNP双载子接面晶体管52与一二极管54。此PNP双载子接面晶体管52之基极透过一第一电阻56电性连接节点N，集极电性连接低电压端VL，射极透过电隔离器41电性连接第一电子开关30，且此射极电性连接讯号控制器38之第一端，并透过一第二电阻58电性连接基极，以接收第一数字讯号D1。在节点N之电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管52透过电隔离器41提供低电压给第一电子开关30。在节点N之电压为默认电压值时，PNP双载子接面晶体管52透过电隔离器41提供第一数字讯号D1给第一电子开关30。此外，二极管54之正极与负极分别电性连接第一电阻56与节点N。

以下介绍本发明之第二实施例之运作过程，请同时参阅图5与图4。从时间点t0到时间点t2的运作与第一实施例相同，于此不再赘述。从时间点t2到时间点t3，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2，以分别取代第一初始数字讯号DI1与第二初始数字讯号DI2。第二电子开关32接收第二数字讯号D2，故呈导通状态。由于节点N之电压为低电压端VL之低电压，PNP双载子接面晶体管52导通，第一数字讯号D1无法为高准位电压讯号，第一电子开关30因此呈关闭状态，且第一谐振电感42、第二谐振电感44与谐振电容46依然利用谐振能量产生谐振电流流经第二电子开关32。在一种情况，第一数字讯号D1与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。

最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器38于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。在实际情况，第二数字讯号D2被切换到低准位电压讯号与第一数字讯号D1被切换到高准位电压讯号之间还有一段时间，由于此时间很短，在图4便省略。在此段时间内，第二电子开关32接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态，则谐振电流向寄生电容40充电，以提升节点N之电压至大于低电压的默认电压值。此段时间后，第一数字讯号D1被切换成高准位电压讯号，PNP双载子接面晶体管52被切换状态，第一数字讯号D1透过电隔离器41被提供给第一电子开关30，使第一电子开关30呈导通状态。如此一来，利用侦测控制器36侦测节点N之电压，便可使第一电子开关30与第二电子开关32呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。且在时间点t4后，第一数字讯号D1亦可呈低准位电压讯号。

如图6所示，本发明之谐振控制装置之第三实施例应用在全桥谐振电路上，此谐振控制装置包含一第一电子开关60、一第二电子开关62、一第三电子开关64、一第四电子开关66、一谐振槽68、一第一侦测控制器70、一第二侦测控制器72与一讯号控制器74，其中第一电子开关60、第二电子开关62、第三电子开关64与第四电子开关66例如皆为N通道金氧半场效晶体管。第一电子开关60电性连接一高电压端VH与一第一节点N1，第二电子开关62电性连接一低电压端VL，例如为接地端，第三电子开关64电性连接高电压端VH与第二电子开关62，第四电子开关66电性连接低电压端VL与第一节点N1，且第三电子开关64与第四电子开关66之开关状态相同。第四电子开关66具有一第一寄生电容76，例如为寄生汲源电容。第一寄生电容76之一端电性连接低电压端VL，另一端电性连接第一节点N1。谐振槽68电性连接第一节点N1、第一电子开关60、第二电子开关62、第三电子开关64与第四电子开关66。第一侦测控制器70电性连接低电压端VL、第一节点N1、第一电子开关60与第二电子开关62，并接收第一节点N1之第一电压与一第一数字讯号D1。在第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态时，第一电压为低电压端VL之低电压，即接地电位，第一侦测控制器70依据第一电压提供低电压给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈关闭状态，且高电压端VH产生一第一谐振电流，以依序流经第三电子开关64、谐振槽68、第四电子开关66与低电压端VL。在第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态时，第一谐振电流向第一寄生电容76充电，以提升第一电压至大于低电压的一第一默认电压值，第一侦测控制器70依据第一默认电压值提供第一数字讯号D1给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态。

第一电子开关60与第二电子开关62接收第一数字讯号D1时，系皆依序呈导通状态及关闭状态，第一数字讯号D1例如包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号。第二侦测控制器72电性连接低电压端VL、第二电子开关62与第三电子开关64之间的一第二节点N2、第三电子开关64与第四电子开关66。第二电子开关62具有一第二寄生电容78，例如为寄生汲源电容。第二寄生电容78之一端电性连接低电压端VL，另一端电性连接第二节点N2，谐振槽68电性连接第二节点N2，第二侦测控制器72接收第二节点N2之第二电压与一第二数字讯号D2，第二数字讯号D2例如包含依序出现之高准位电压讯号、低准位电压讯号与高准位电压讯号。在第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态时，第二电压为低电压，且高电压端VH产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关60、谐振槽68、第二电子开关62与低电压端VL，且第二侦测控制器72依据第二电压提供低电压给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态。在第一电子开关60与第二电子开关62呈关闭状态时，第二谐振电流向第二寄生电容78充电，以提升第二电压至大于低电压的一第二默认电压值，且第二侦测控制器72依据第二默认电压值提供第二数字讯号D2给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态。

讯号控制器74具有第一端与第二端，第一端电性连接第一侦测控制器70，并透过一电隔离器79电性连接第一电子开关60与第二电子开关62，第二端电性连接第二侦测控制器72，并透过电隔离器79电性连接第三电子开关64与第四电子开关66，其中，第一电子开关60与第二电子开关62的接脚不同，第三电子开关64与第四电子开关66的接脚不同，以适当地隔离彼此。在此电隔离器79亦以变压器为例。电隔离器79阻挡高电压端VH之电压通往讯号控制器74。讯号控制器74在一时间点于第一端产生第一数字讯号D1，并在此时间点于第二端产生第二数字讯号D2，将其透过电隔离器79给第三电子开关64与第四电子开关66，以控制第三电子开关64与第四电子开关66依序皆呈导通状态、关闭状态与导通状态。为了让第一数字讯号D1以及第二数字讯号D2能够顺利传送，可适当地增加由晶体管组成的推挽式线路。

谐振槽68更包含一第一谐振电感80、一第二谐振电感82与一谐振电容84，其中第二谐振电感82例如为一变压器之漏感。第一谐振电感80电性连接第二节点N2，第二谐振电感82串接第一谐振电感80，谐振电容84串接第二谐振电感82，并电性连接第一节点N1。第一谐振电流依序流经第一谐振电感80、第二谐振电感82与谐振电容84，第二谐振电流依序流经谐振电容84、第二谐振电感82与第一谐振电感80。

第一侦测控制器70更包含一P通道金氧半场效晶体管86与一二极管88。此P通道金氧半场效晶体管86之闸极电性连接第一节点N1，汲极电性连接低电压端VL，源极电性连接讯号控制器74之第一端，且此源极透过电隔离器79电性连接第一电子开关60与第二电子开关62，并接收第一数字讯号D1。在第一电压为低电压时，P信道金氧半场效晶体管86透过电隔离器79提供低电压给第一电子开关60与第二电子开关62。在第一电压为第一默认电压值时，P信道金氧半场效晶体管86透过电隔离器79提供第一数字讯号D1给第一电子开关60与第二电子开关62。二极管88之正极与负极分别电性连接P通道金氧半场效晶体管86之闸极与第一节点N1。

第二侦测控制器72更包含一P通道金氧半场效晶体管90与一二极管92。P通道金氧半场效晶体管90之闸极电性连接第二节点N2，汲极电性连接低电压端VL，源极电性连接讯号控制器74之第二端，且此源极透过电隔离器79电性连接第三电子开关64与第四电子开关66，并接收第二数字讯号D2。在第二电压为低电压时，P信道金氧半场效晶体管90透过电隔离器79提供低电压给第三电子开关64与第四电子开关66。在第二电压为第二默认电压值时，P信道金氧半场效晶体管90透过电隔离器79提供第二数字讯号D2给第三电子开关64与第四电子开关66。二极管92之正极与负极分别电性连接P通道金氧半场效晶体管90之闸极与第二节点N2。

以下介绍本发明之第三实施例之运作过程，请同时参阅图6与图7。首先，从时间点t0到时间点t1，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈导通状态。此时，由于第一电压为低电压端VL之低电压，P信道金氧半场效晶体管86导通，第一数字讯号D1无法为高准位电压讯号，第一电子开关60与第二电子开关62呈关闭状态，且高电压端VH产生第一谐振电流，以依序流经第三电子开关64、第一谐振电感80、第二谐振电感82、谐振电容84、第四电子开关66与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号D1与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器74可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的装置能够避免第一电子开关60与第二电子开关62开启，进而避免贯通(shootthrough)现象的发生。

接着，从时间点t1到时间点t2，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态。此时，第一谐振电流向第一寄生电容76充电，以提升第一电压至大于低电压的第一默认电压值，P信道金氧半场效晶体管86依据第一默认电压值透过电隔离器79提供第一数字讯号D1给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态。

再来，从时间点t2到时间点t3，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈导通状态。此时，由于第二电压为低电压，P信道金氧半场效晶体管90导通，使第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态。另外，高电压端VH产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关60、谐振电容84、第二谐振电感82、第一谐振电感80、第二电子开关62与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号D1与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。

最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈关闭状态。第一电子开关60与第二电子开关62关闭后还有一段时间，由于此时间很短，在图7中便被省略。此时间内，第二谐振电流向第二寄生电容78充电，以提升第二电压至大于低电压的第二默认电压值。接着，第二数字讯号D2被切换成高准位电压讯号，P信道金氧半场效晶体管90被切换状态，第二数字讯号D2透过电隔离器41被提供给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态。如此一来，利用第一侦测控制器70侦测第一节点N1之第一电压，便可使第三电子开关64与第二电子开关62呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。同时，利用第二侦测控制器72侦测第二节点N2之第二电压，亦使第一电子开关60与第四电子开关66呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。

以下请参阅图8。本发明之谐振控制装置之第二实施例亦应用在全桥谐振电路上。第四实施例与第三实施例差别在于第一侦测控制器70与第二侦测控制器72。在第四实施例中，第一侦测控制器70更包含一PNP双载子接面晶体管94与一二极管96。PNP双载子接面晶体管94之基极透过一第一电阻98电性连接第一节点N1，集极电性连接低电压端VL，射极电性连接讯号控制器74之第一端，且此射极透过电隔离器79电性连接第一电子开关60与第二电子开关62，并透过一第二电阻100电性连接基极，射极接收第一数字讯号D1。在第一电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供低电压给第一电子开关60与第二电子开关62。在第一电压为第一默认电压值时，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供第一数字讯号D1给第一电子开关60与第二电子开关62。二极管96之正极与负极分别电性连接第一电阻98与第一节点N1。

第二侦测控制器72更包含一PNP双载子接面晶体管102与一二极管104。PNP双载子接面晶体管102之基极透过一第一电阻106电性连接第二节点N2，集极电性连接低电压端VL，射极电性连接讯号控制器74之第二端，且此射极透过电隔离器79电性连接第三电子开关64与第四电子开关66，并透过一第二电阻108电性连接基极，射极接收第二数字讯号D2。在第二电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管102透过电隔离器79提供低电压给第三电子开关64与第四电子开关66。在第二电压为第二默认电压值时，PNP双载子接面晶体管102透过电隔离器79提供第二数字讯号D2给第三电子开关64与第四电子开关66。二极管104之正极与负极分别电性连接第一电阻106与第二节点N2。

以下介绍本发明之第四实施例之运作过程，请同时参阅图8与图7。从时间点t0到时间点t1的运作与第三实施例相同，于此不再赘述。从时间点t1到时间点t2，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态。此时，第一谐振电流向第一寄生电容76充电，以提升第一电压至大于低电压的第一默认电压值，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供第一数字讯号D1给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态。

再来，从时间点t2到时间点t3，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈导通状态。此时，由于第二电压为低电压，PNP双载子接面晶体管102导通，使第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态。另外，高电压端VH产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关60、谐振电容84、第二谐振电感82、第一谐振电感80、第二电子开关62与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号D1与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，该讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。

最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号D1与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈关闭状态。第一电子开关60与第二电子开关62关闭后还有一段时间，由于此时间很短，在图7中便被省略。此时间内，第二谐振电流向第二寄生电容78充电，以提升第二电压至大于低电压的第二默认电压值。接着，第二数字讯号D2被切换成高准位电压讯号，PNP双载子接面晶体管102被切换状态，第二数字讯号D2透过电隔离器41被提供给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态。如此一来，利用第一侦测控制器70侦测第一节点N1之第一电压，便可使第三电子开关64与第二电子开关62呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。同时，利用第二侦测控制器72侦测第二节点N2之第二电压，亦使第一电子开关60与第四电子开关66呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。

在本发明的全桥架构实施例中，一个侦测控制器系对应两个开关，但在实际操作时，可依照需求增加，一个侦测控制器对应一个开关。

综上所述，本发明侦测二串接之电子开关之间的节点电压，并在一电子开关呈导通状态时，使其对应之寄生电容进行放电而呈现低电压，进而驱动另一电子开关呈关闭状态，使二电子开关能以交替切换方式精准运作，以避免贯通效应产生而破坏电子开关。换句话说，无论讯号控制器是否有误发讯号，或是开关故障，或是开关动作延迟，本发明之侦测控制器都能确保开关不会因为同时开启而发生贯通现象。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本发明技术方案的保护范围之内。

Claims (25)

1.一种谐振控制装置，其特征在于：包括一第一电子开关，电性连接一高电压端与一节点；

一第二电子开关，电性连接所述节点与一低电压端，所述第二电子开关具有一寄生电容，所述寄生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述节点；

一谐振槽，电性连接所述节点，并储有谐振能量；以及

一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述节点与所述第一电子开关，并接收所述节点之所述电压，在所述第二电子开关呈导通状态时，所述节点之电压为所述低电压端之低电压，所述侦测控制器依据所述节点之所述电压提供所述低电压给所述第一电子开关，使所述第一电子开关呈关闭状态，且所述谐振槽利用所述谐振能量产生一谐振电流流经所述第二电子开关。

2.根据权利要求1所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第二电子开关呈关闭状态时，所述谐振电流向所述寄生电容充电，以提升所述节点之所述电压至大于所述低电压的一默认电压值，所述侦测控制器依据所述默认电压值提供一第一数字讯号给所述第一电子开关，使所述第一电子开关呈导通状态。

3.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：更包含一讯号控制器，其系具有第一端与第二端，所述第一端电性连接所述侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接所述第一电子开关，所述电隔离器阻挡所述高电压端之高电压通往所述讯号控制器，所述第二端电性连接所述第二电子开关，所述讯号控制器在一时间点于所述第一端产生所述第一数字讯号，并在所述时间点于所述第二端产生一第二数字讯号给所述第二电子开关，以依序控制所述第二电子开关呈所述导通状态与关闭状态。

4.根据权利要求3所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一电子开关与所述第二电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，所述寄生电容为寄生汲源电容，所述第一数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号，所述第二数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号。

5.根据权利要求1所述的谐振控制装置，其特征在于：所述谐振槽更包含：

一第一谐振电感，电性连接所述节点；

一第二谐振电感，串接所述第一谐振电感，并储有所述谐振能量；以及

一谐振电容，串接所述第二谐振电感，并电性连接所述低电压端，所述第一谐振电感、所述第二谐振电感与所述谐振电容利用所述谐振能量产生所述谐振电流。

6.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管，其闸极电性连接所述节点，汲极电性连接所述低电压端，源极电性连接所述第一电子开关，并接收所述第一数字讯号；在所述节点之所述电压为所述低电压时，所述P信道金氧半场效晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关；在所述节点之所述电压为所述默认电压值时，所述P通道金氧半场效晶体管提供所述第一数字讯号给所述第一电子开关。

7.根据权利要求6所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述闸极与所述节点。

8.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管，其基极透过一第一电阻电性连接所述节点，集极电性连接所述低电压端，射极电性连接所述第一电子开关，并透过一第二电阻电性连接所述基极，所述射极接收所述第一数字讯号；在所述节点之所述电压为所述低电压时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关；在所述节点之所述电压为所述默认电压值时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述第一数字讯号给所述第一电子开关。

9.根据权利要求8所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述第一电阻与所述节点。

10.一种谐振控制装置，其特征在于：一第一电子开关，电性连接一高电压端与一第一节点；

一第二电子开关，电性连接一低电压端；

一第三电子开关，电性连接所述高电压端与所述第二电子开关；

一第四电子开关，电性连接所述低电压端与所述第一节点，所述第三电子开关与所述第四电子开关之开关状态相同，所述第四电子开关具有一第一寄生电容，所述第一寄生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述第一节点；

一谐振槽，电性连接所述第一节点、所述第一电子开关、所述第二电子开关、所述第三电子开关与所述第四电子开关；以及

一第一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述第一节点、所述第一电子开关与所述第二电子开关，并接收所述第一节点之第一电压，在所述第三电子开关与所述第四电子开关呈导通状态时，所述第一电压为所述低电压端之低电压，所述第一侦测控制器依据所述第一电压提供所述低电压给所述第一电子开关与所述第二电子开关，使所述第一电子开关与所述第二电子开关呈关闭状态，且所述高电压端产生一第一谐振电流，以依序流经所述第三电子开关、所述谐振槽、所述第四电子开关与所述低电压端。

11.根据权利要求10所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第三电子开关与所述第四电子开关呈关闭状态时，所述第一谐振电流向所述第一寄生电容充电，以提升所述第一电压至大于所述低电压的一第一默认电压值，所述第一侦测控制器依据所述第一默认电压值提供一第一数字讯号给所述第一电子开关与所述第二电子开关，使所述第一电子开关与所述第二电子开关呈导通状态。

12.根据权利要求11所述的谐振控制装置，其特征在于：更包含一第二侦测控制器，其系电性连接所述低电压端、所述第二电子开关与所述第三电子开关之间的一第二节点、所述第三电子开关与所述第四电子开关，所述第二电子开关具有一第二寄生电容，所述第二寄生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述第二节点，所述谐振槽电性连接所述第二节点，所述第二侦测控制器接收所述第二节点之第二电压；在所述第一电子开关与所述第二电子开关呈所述导通状态时，所述第二电压为所述低电压，且所述高电压端产生一第二谐振电流，以依序流经所述第一电子开关、所述谐振槽、所述第二电子开关与所述低电压端，且所述第二侦测控制器依据所述第二电压提供所述低电压给所述第三电子开关与所述第四电子开关，使所述第三电子开关与所述第四电子开关呈关闭状态。

13.根据权利要求12所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一电子开关与所述第二电子开关呈所述关闭状态时，所述第二谐振电流向所述第二寄生电容充电，以提升所述第二电压至大于所述低电压的一第二默认电压值，且所述第二侦测控制器依据所述第二默认电压值提供一第二数字讯号给所述第三电子开关与所述第四电子开关，使所述第三电子开关与所述第四电子开关呈导通状态。

14.根据权利要求13所述的谐振控制装置，其特征在于：更包含一讯号控制器，其系具有第一端与第二端，所述第一端电性连接所述第一侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接所述第一电子开关与所述第二电子开关，所述第二端电性连接所述第二侦测控制器，并透过所述电隔离器电性连接所述第三电子开关与所述第四电子开关，所述电隔离器阻挡所述高电压端之电压通往所述讯号控制器，所述讯号控制器在一时间点于所述第一端产生所述第一数字讯号，并在所述时间点于所述第二端产生所述第二数字讯号给所述第三电子开关与所述第四电子开关，以控制所述第三电子开关与所述第四电子开关皆依序呈所述导通状态、所述关闭状态与所述导通状态。

15.根据权利要求14所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一电子开关、所述第二电子开关、所述第三电子开关与所述第四电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，所述第一寄生电容与所述第二寄生电容皆为寄生汲源电容，所述第一数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号，所述第二数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号、低准位电压讯号与高准位电压讯号。

16.根据权利要求15所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一电子开关、所述第二电子开关、所述第三电子开关与所述第四电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，所述第一寄生电容与所述第二寄生电容皆为寄生汲源电容，所述第一数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号与低准位电压讯号，所述第二数字讯号包含依序出现之高准位电压讯号、低准位电压讯号与高准位电压讯号。

17.根据权利要求14所述的谐振控制装置，其特征在于：所述谐振槽更包含：

一第一谐振电感，电性连接所述第二节点；

一第二谐振电感，串接所述第一谐振电感；以及

一谐振电容，串接所述第二谐振电感，并电性连接所述第一节点，所述第一谐振电流依序流经所述第一谐振电感、所述第二谐振电感与所述谐振电容，所述第二谐振电流依序流经所述谐振电容、所述第二谐振电感与所述第一谐振电感。

18.根据权利要求11所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管，其闸极电性连接所述第一节点，汲极电性连接所述低电压端，源极电性连接所述第一电子开关与所述第二电子开关，并接收所述第一数字讯号；在所述第一电压为所述低电压时，所述P信道金氧半场效晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关与所述第二电子开关；在所述第一电压为所述第一默认电压值时，所述P通道金氧半场效晶体管提供所述第一数字讯号给所述第一电子开关与所述第二电子开关。

19.根据权利要求18所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述闸极与所述第一节点。

20.根据权利要求11所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管，其基极透过一第一电阻电性连接所述第一节点，集极电性连接所述低电压端，射极电性连接所述第一电子开关与所述第二电子开关，并透过一第二电阻电性连接所述基极，所述射极接收所述第一数字讯号；在所述第一电压为所述低电压时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关与所述第二电子开关；在所述第一电压为所述第一默认电压值时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述第一数字讯号给所述第一电子开关与所述第二电子开关。

21.根据权利要求20所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第一侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述第一电阻与所述第一节点。

22.根据权利要求14所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第二侦测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管，其闸极电性连接所述第二节点，汲极电性连接所述低电压端，源极电性连接所述第三电子开关与所述第四电子开关，并接收所述第二数字讯号；在所述第二电压为所述低电压时，所述P信道金氧半场效晶体管提供所述低电压给所述第三电子开关与所述第四电子开关；在所述第二电压为所述第二默认电压值时，所述P通道金氧半场效晶体管提供所述第二数字讯号给所述第三电子开关与所述第四电子开关。

23.根据权利要求22所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第二侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述闸极与所述第二节点。

24.根据权利要求14所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第二侦测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管，其基极透过一第一电阻电性连接所述第二节点，集极电性连接所述低电压端，射极电性连接所述第三电子开关与所述第四电子开关，并透过一第二电阻电性连接所述基极，所述射极接收所述第二数字讯号；在所述第二电压为所述低电压时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述低电压给所述第三电子开关与所述第四电子开关；在所述第二电压为所述第二默认电压值时，所述PNP双载子接面晶体管提供所述第二数字讯号给所述第三电子开关与所述第四电子开关。

25.根据权利要求24所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第二侦测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述第一电阻与所述第二节点。