CN105655969B - 一种可自适应通断的高速接口保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,在所述端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源。本发明的一种可自适应通断的高速接口保护电路设置在输入端子的信号线到后级芯片之间,该保护电路可以自适应控制,在电源掉电或输入存在负高压干扰或输入存在正高压干扰或输入存在正负高压干扰和正常信号输入时自适应的接通或断开开关,使干扰信号不能通过开关到达后级芯片,达到保护后级芯片的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种保护电路,尤其涉及一种可自适应通断的高速接口保护电路。
背景技术
对电视机、手机、机顶盒中的视频端子等高速信号端子的接口保护常见的保护电路是采用二极管嵌位电路,并用电容滤波电路防外界静电等干扰信号。其存在的缺点为:不能将接口输入信号和后级芯片电路之间的连接切断,造成关机或切断电源时外界干扰也会对后级芯片造成损坏;用两个二极管将信号输入线和电源及地连接,对交流通路两个二极管的结电容并联增大,限制了信号的带宽;尤其重要的是,对视频等高速信号,由于采用的滤波电路的带宽较宽,当二极管损坏时,整个保护电路的功能将大大降低,使后级芯片很容易被干扰信号损坏,从而使产品的使用寿命缩短。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷,提供一种可自适应通断的高速接口保护电路。
本发明通过下述方案实现:
一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,在所述输入端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有三极管T1、MOS管M1、电容C1和二极管D3,所述三极管T1与8V电源连接,所述三极管T1还与接地端对应连接,在所述电容C1和二极管D3之间还并联连接有二极管D1、二极管D2和电阻R5,所述二极管D1、二极管D2为串接关系
所述三极管T1与电源之间串接有电阻R3,所述三极管T1直接与接地端对应连接或者通过电阻R2与接地端对应连接,所述三极管T1通过电阻R1与输入端子对应连接,在所述电容C1和二极管D3之间连接有电阻R4和电源。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有电容C2、三极管T2和MOS管M2,所述三极管T2的另外两端分别与8V电源和接地端对应电连接。
在所述三极管T2与8V电源之间串接有电阻R22,在所述三极管T2与电容C2之间串接有电阻R23,在所述8V电源与电容C2之间串接有电阻R21,在所述8V电源与电容C2之间还设有与电阻R21并联的二极管D3、二极管D4,所述二极管D3与二极管D4为串接关系。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有电容C3、三极管T3、MOS管M3、电容C4、三极管T4和MOS管M4。
在所述三极管T3与8V电源之间串接有电阻R32,在所述8V电源与电容C3之间串接有电阻R31,在所述电容C3与三极管T3之间串接有电阻R33,在所述三极管T4与8V电源之间串接有电阻R34,在所述三极管T4与电容C4之间串接有电阻R35,在所述三极管T4与接地端之间串接有电阻R36。
所述输入端子为视频端子或其他高速端子。
所述后级芯片连接到DSP或其他处理芯片。
所述后级芯片连接到或其他处理芯片。
本发明的有益效果为:本发明的一种可自适应通断的高速接口保护电路设置在输入端子的信号线到后级芯片之间,该保护电路可以自适应控制,在电源掉电或输入存在负高压干扰或输入存在正正压干扰或输入存在正负高压干扰和正常信号输入时自适应的接通或断开开关,使干扰信号不能通过开关到达后级芯片,达到保护后级芯片的目的。
附图说明
图1为本发明的电路连接图;
图2为本发明又一实施例的电路连接图;
图3为本发明又一实施例的电路连接图。
具体实施方式
下面结合图1-3和具体实施例对本发明进一步说明:
实施例1
如图1所示,一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,在所述端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源;。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有三极管T1、MOS管M1、电容C1和二极管D3,所述三极管T1与8V电源连接,所述三极管T1还与接地端对应连接,在所述电容C1和二极管D3之间还并联连接有二极管D1、二极管D2和电阻R5,所述二极管D1、二极管D2为串接关系。
所述三极管T1与电源之间串接有电阻R3,所述三极管T1直接与接地端对应连接或者通过电阻R2与接地端对应连接,所述三极管T1通过电阻R1与输入端子对应连接,在所述电容C1和二极管D3之间连接有电阻R4和电源。
所述输入端子为视频端子或其他高速端子。
所述后级芯片连接到DSP或其他处理芯片。
当电路电源切断时,8V电源的电压为0v,MOS管M1将关断,将输入端子和后级芯片之间隔开,保护后级芯片;
当电路电源正常时,如果输入端子线路上存在高压,则三极管T1导通,使MOS管M1关断,将输入端子和后级芯片之间隔开,保护后级芯片;
二极管D1、二极管D2为串接关系,则其与电容C1串联,则其结电容串联,总的对地结电容减小。
当输入端子上有负电压干扰时,首先二极管D1、二极管D2对其嵌位,而二极管D3反向截止,使干扰不能进入后级芯片,保护后级芯片;
如果MOS管M1或二极管D3损坏,则输入端子和后级芯片之间断开,使后级芯片得到保护。
实施例2
如图2所示,一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,在所述端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有电容C2、三极管T2和MOS管M2,所述三极管T2的另外两端分别与8V电源和接地端对应电连接。
在所述三极管T2与8V电源之间串接有电阻R22,在所述三极管T2与电容C2之间串接有电阻R23,在所述8V电源与电容C2之间串接有电阻R21,在所述8V电源与电容C2之间还设有与电阻R21并联的二极管D3、二极管D4,所述二极管D3与二极管D4为串接关系。
所述输入端子为视频端子或其他高速端子。
所述后级芯片连接到DSP或其他处理芯片。
当电路电源切断时,8V电源的电压为0v,M2关断,将端子输入电路和后级芯片隔开,保护后级电路;
当电路电源正常时,如果输入端子线路上存在负高压,则M2关断,将端子输入电路和后级芯片隔开,保护后级电路;D3、D4串接,则其结电容串联,总电容减小,扩展了可传输的信号带宽;当输入端子上有正电压干扰时,首先D3、D4对其嵌位,使干扰不能进入后级芯片;如果M2损坏则端子输入信号和后级芯片断开,使后级芯片得到保护。
实施例3
如图3所示,一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,在所述端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源。
在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有电容C3、三极管T3、MOS管M3、电容C4、三极管T4和MOS管M4。
在所述三极管T3与8V电源之间串接有电阻R32,在所述8V电源与电容C3之间串接有电阻R31,在所述电容C3与三极管T3之间串接有电阻R33,在所述三极管T4与8V电源之间串接有电阻R34,在所述三极管T4与电容C4之间串接有电阻R35,在所述三极管T4与接地端之间串接有电阻R36。
所述输入端子为视频端子或其他高速端子。
所述后级芯片连接到DSP或其他处理芯片。
当电路电源切断时,8V电源为0v,M3和M4都关断,将端子输入电路和后级芯片隔开,保护后级电路;
当电路电源正常时,如果输入端子线路上存在负高压,则M3关断,而如果输入端子线路上存在正高压,则M4关断,将端子输入电路和后级芯片隔开,保护后级电路;如果M3或M4损坏则端子输入信号和后级芯片断开,使后级芯片得到保护。
本发明的MOS管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。其中M1和M4为N沟道增强型MOS管;M2和M3为P沟道增强型MOS管。
本发明的一种可自适应通断的高速接口保护电路设置在输入端子的信号线到后级芯片之间,该保护电路可以自适应控制,在电源掉电或输入存在负高压干扰或输入存在正正压干扰或输入存在正负高压干扰和正常信号输入时自适应的接通或断开开关,使干扰信号不能通过开关到达后级芯片,达到保护后级芯片的目的。
尽管已经对本发明的技术方案做了较为详细的阐述和列举,应当理解,对于本领域技术人员来说,对上述实施例做出修改或者采用等同的替代方案,这对本领域的技术人员而言是显而易见,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。
Claims (3)
1.一种可自适应通断的高速接口保护电路,包括输入端子和后级芯片,其特征在于:在所述输入端子和后级芯片之间串接有MOS管、三极管和电容,所述三极管的两端分别接地和8V电源;在所述输入端子和后级芯片之间依次串接有三极管T1、MOS管M1、电容C1和二极管D3,所述三极管T1与8V电源连接,所述三极管T1还与接地端对应连接,在所述电容C1和二极管D3之间还并联连接有二极管D1、二极管D2和电阻R5,所述二极管D1、二极管D2为串接关系。
2.根据权利要求1所述的一种可自适应通断的高速接口保护电路,其特征在于:所述输入端子为视频端子或其他高速端子。
3.根据权利要求1所述的一种可自适应通断的高速接口保护电路,其特征在于:所述后级芯片连接到DSP或其他处理芯片。
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