CN105655866B - 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 - Google Patents

一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105655866B
CN105655866B CN201610069089.6A CN201610069089A CN105655866B CN 105655866 B CN105655866 B CN 105655866B CN 201610069089 A CN201610069089 A CN 201610069089A CN 105655866 B CN105655866 B CN 105655866B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
active area
terahertz
laser
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610069089.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105655866A (zh
Inventor
刘俊岐
王涛
李媛媛
刘峰奇
王利军
张锦川
翟慎强
刘舒曼
卓宁
王占国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN201610069089.6A priority Critical patent/CN105655866B/zh
Publication of CN105655866A publication Critical patent/CN105655866A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105655866B publication Critical patent/CN105655866B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。

Description

一种太赫兹半导体激光器及其制造方法
技术领域
本发明涉及太赫兹波段光源技术领域，尤其涉及一种太赫兹半导体激光器及其制造方法。
背景技术
太赫兹量子级联激光器是一种小型、高效率的太赫兹半导体激光光源，其在天文学、生物医学、环境科学、安全检测、自由空间光通信等方面具有重要的潜在应用，近年来受到广泛的关注。高的输出功率、高的工作温度和良好的光束特性一直以来都是太赫兹半导体激光器研究中需要解决的重要课题。太赫兹半导体激光器主要采用两种波导结构：双面金属波导和半绝缘等离子体波导。双面金属波导结构由于具有很高的光限制因子，降低了激光器的激射阈值，减少了注入功率消耗，使得器件的工作温度相比于半绝缘等离子体波导能得到大大的提升。但是由于其在器件外延层方向的亚波长尺寸和高的腔面反射率，使得双面金属波导器件相较于半绝缘等离子体波导器件具有大的远场发散角和较低的输出功率，即使采用在激光器发光端面增加Si透镜等方法来改善远场发散角和输出功率，器件实际获得的远场发散角与输出功率也不能与半绝缘等离子体波导器件相比。这也限制了双面金属波导太赫兹半导体激光器边发射器件的实用性。因此，对于大功率的太赫兹半导体激光器，通常采用半绝缘等离子体波导结构。这种波导结构由于激光模式可以分布到半绝缘衬底层中，增大了外延层方向光场分布尺度，降低了腔面的反射率，大大增加了输出功率。但是另一方面，这种结构使得激光器的上下电极在同一侧面，封装时激光器难以实现倒装焊，较厚的衬底影响了器件有源区的散热。同时，太赫兹半导体激光器有源区采用多重复周期的量子级联材料结构，由几百对超薄(nm量级)的量子阱/垒对组成，有源区纵向热导率远远小于横向。如何实现半绝缘等离子体波导结构的太赫兹半导体激光器的倒装焊以及如何充分利用高热导率的横向辅助散热，一直以来都是研究者追寻的目标。
发明内容
鉴于以上技术问题，本发明的主要目的在于提供一种能够有效改善有源区散热的太赫兹半导体激光器。该激光器采用基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉的倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和改善光束质量。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，本发明提供了一种太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层1、半绝缘衬底层2、高掺杂半导体层3以及结构相同的两个台面，所述两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为所述太赫兹半导体激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面11，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。
作为优选，所述两个台面均包括：
一激光器有源区4，位于所述高掺杂半导体层3之下；
一绝缘层5，所述绝缘层5包覆在所述激光器有源区4的外表面；
一金属接触层6，所述金属接触层6生长在所述绝缘层5的外表面；
一金属电镀层7，所述金属电镀层7生长在所述金属接触层6的外表面；
一分布反馈光栅区8，所述分布反馈光栅区8由金属和半导体共同组成，紧邻所述激光器有源区4且位于所述激光器有源区4之下；
一图形化金属键合层9，所述图形化金属键合层9位于所述金属电镀层7之下；
一高热导率热沉10，所述高热导率热沉10位于所述图形化金属键合层9之下。
作为优选，所述金属亚波长光栅层1为具有亚波长图形结构的超薄金属层，具有表面等离子体的性质，用于改善光束质量。
作为优选，所述激光器有源区4为太赫兹量子级联结构，包括多个级联重复周期。
作为优选，在作为所述太赫兹半导体激光器的有源区结构的台面上，所述绝缘层5上开有分别供上下电极注入的窗口。
作为优选，所述金属接触层6在两个台面部分相互隔离、互不相连；所述金属电镀层7为选区电镀工艺制作的金属层，用于横向辅助散热。
作为优选，所述分布反馈光栅区8为金属-半导体复合结构的二级及以上级分布反馈布拉格光栅，用于形成垂直面发射。
作为优选，所述图形化金属键合层9为蒸发在高热导率热沉10上的图形化金属结构，用于键合激光器芯片和热沉；所述高热导率热沉10的材料为SiC、金刚石、蓝宝石或AlN。
作为本发明的另一个方面，本发明还提供了一种太赫兹半导体激光器的制造方法，包括以下步骤：
在半绝缘衬底层上通过分子束外延法在其上生长高掺杂半导体层；
在所述高掺杂半导体层上采用分子束外延法生长激光器有源区；所述激光器有源区采用太赫兹量子级联结构，共生长100-200个重复级联周期；
在所述激光器有源区上深度腐蚀形成结构相同的两个台面，其中一个作为所述太赫兹半导体激光器的有源区组件，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现；
继续在所述两个台面上形成绝缘层、金属接触层、金属电镀层和图形化金属键合层，区别仅在于在所述作为有源区组件的台面上在所述绝缘层上开出预留的窗口，且在所述紧邻所述激光器有源区且位于所述激光器有源区之下的位置处形成一分布反馈光栅区。
作为优选，所述制造方法还包括以下步骤：
采用带胶剥离的方法在所述半绝缘衬底层表面制作金属亚波长光栅层；
将所述两个台面与高热导率热沉采用热压的方法键合在一起；其中所述高热导率热沉的材料为SiC、金刚石、蓝宝石或AlN。
从上述技术方案可以看出，本发明的太赫兹半导体激光器具有以下有益效果：器件采用有源区横向电镀辅助散热金属层和图形化热沉的倒装焊结构，利用这种结构可大大改善激光器有源区的散热；基于倒装焊结构，器件可形成衬底面发射输出功率，同时可以大大改善太赫兹激光发射效率和光束质量。
附图说明
为了进一步说明本发明的特征和效果，下面结合附图对本发明做进一步的说明，其中：
图1是本发明的太赫兹半导体激光器的横截面示意图；
图2是两个重复周期的量子级联材料能带示意图；
图3是图1中所示光栅区的局部示意图；
图4是本发明的高热导率图形化热沉的俯视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。其中需要说明的是，本发明中的“上”、“下”、“内”、“外”仅用于相对参照平面表示各个层之间的相对位置关系，不用于表示实际中的上下和内外关系，实际元器件可以根据具体需要正序安装或倒序安装。
太赫兹半导体激光器作为一种小型、高效率的相干太赫兹光源具有巨大的应用前景。为了实现大的功率输出通常采用半绝缘等离子体波导结构。对于这种太赫兹激光器来说，大电流注入导致的有源区热积累是限制其性能的主要因素之一。本发明提出基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊的太赫兹半导体激光器，其独特之处在于利用选区微尺度电镀方法形成横向辅助散热金属层结构和利用图形化衬底倒装贴片方法形成半绝缘等离子体波导结构的倒装焊。
更具体地，本发明公开了一种太赫兹半导体激光器，包括结构相同的两个台面，其中所述两个台面均依次包括：
一激光器有源区，位于所述高掺杂半导体层之下；
一绝缘层，所述绝缘层生长在所述激光器有源区外表面；
一金属接触层，所述金属接触层生长在所述绝缘层外表面；
一金属电镀层，所述金属电镀层生长在所述金属接触层的外表面；
一分布反馈光栅区，所述分布反馈光栅区由金属和半导体共同组成，位于所述激光器有源区之下；
一图形化金属键合层，所述图形化金属键合层位于所述金属电镀层之下；
一高热导率热沉，位于所述图形化金属键合层之下。
其中所述的结构相同的二个台面由外延层深度腐蚀形成，其中之一作为激光器有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否电流注入来实现。
其中所述的金属亚波长光栅层为具有亚波长图形结构的超薄金属层，具有表面等离子体的性质。
其中，所述的半绝缘衬底层为III-V族半导体材料。
其中，所述的高掺杂半导体层为III-V族半导体材料，掺杂浓度大于2×1018cm-3，层厚不超过0.2μm。
其中，所述的激光器有源区为太赫兹量子级联结构，包括多个级联重复周期。
其中，所述的绝缘层开有分别供上下电极注入的窗口。
其中，所述的金属接触层在两个台面部分相互隔离、互不相连。
其中，所述的金属电镀层为选区电镀工艺制作的金属层，用于横向辅助散热。
其中，所述的分布反馈光栅区为金属-半导体复合结构的二级及以上级分布反馈布拉格光栅，用于形成垂直面发射。
其中，所述的图形化金属键合层为蒸发在高热导率热沉上的图形化金属结构，用于键合激光器芯片和热沉。
其中，所述高热导率热沉的材料为SiC、金刚石、蓝宝石(Al2O3)或AlN等。
如图1所示，本发明还公开了一种太赫兹半导体激光器的制造方法，具体实施步骤包括：
选择GaAs作为半绝缘衬底层2的材料，采用分子束外延的方法在其上生长高掺杂半导体层3，材料为GaAs，厚度600nm，掺杂材料为Si，掺杂量为2×1018cm-3。
在高掺杂半导体层3上采用分子束外延的方法生长激光器有源区4，该有源区采用太赫兹量子级联结构，共生长100-200个重复的级联周期。2个重复周期的量子级联材料的能带示意图见图2。
在激光器有源区4上生长表面高掺杂半导体层，材料为GaAs，厚度200nm，掺杂材料为Si，掺杂量为5×1018cm-3。此层较薄，所以在图1中未标出。
利用光刻和湿法腐蚀的方法制作激光器条形台面结构，刻蚀深度到达高掺杂半导体层3截止。然后采用化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积的方法在台面表面制备绝缘层5，材料为SiO2，厚度200-400nm。
采用光刻和湿法腐蚀的方法在绝缘层5上开出预留的窗口。这些分布在激光器台面的顶部(电极支撑台面顶部不开窗口)和台面之间的沟道中。
采用带胶剥离的方法蒸发金属接触层6，使上下电极互不相连。
在激光器台面上绝缘层5窗口中采用光刻、腐蚀的方法制作二级布拉格分布反馈光栅，光栅由金属和半导体层共同组成，形成分布反馈光栅区8，光栅深度超过高掺杂半导体层3。该光栅区结构如图3所示。
采用选区电镀技术在金属接触层6上制作金属电镀层7，电镀金属为Au，厚度大于5μm。
采用热熔胶将电镀好的材料台面朝下粘合在载玻片上，进行衬底减薄。然后采用带胶剥离的方法在减薄后的衬底表面制作金属亚波长光栅层1。
在高热导率热沉10(材料可选SiC)上采用带胶蒸发、剥离的方法制作与激光器台面图形相对应的金属键合层9。图形化的高热导率热沉10的俯视图如图4所示。
将激光器台面与带有高热导率热沉10采用热压的方法键合在一起，可采用In-Au键合工艺。键合后上下电极分别引线。
至此，已经结合附图对本实施例进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明一种能够高效散热的太赫兹半导体激光器有了清楚的认识。
此外，上述对各元件、方法的定义并不仅限于实施方式中提到的各种具体结构、形状或方法，本领域的普通技术人员可对其进行简单地熟知地替换。
经过试验测试，本发明的激光器结构既能改善器件有源区的散热，又能实现衬底方向垂直面发射，从而改善太赫兹半导体激光器的输出功率、温度特性以及光谱特性。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层(1)、半绝缘衬底层(2)、高掺杂半导体层(3)以及结构相同的两个台面，所述两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为所述太赫兹半导体激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面(11)，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现；
其中，所述两个台面均包括：
一激光器有源区(4)，位于所述高掺杂半导体层(3)之下；
一绝缘层(5)，包覆在所述激光器有源区(4)的外表面；
一金属接触层(6)，所述金属接触层(6)生长在所述绝缘层(5)的外表面；
一金属电镀层(7)，所述金属电镀层(7)生长在所述金属接触层(6)的外表面；
一图形化金属键合层(9)，所述图形化金属键合层(9)位于所述金属电镀层(7)之下；
一高热导率热沉(10)，所述高热导率热沉(10)位于所述图形化金属键合层(9)之下；
其中，作为所述太赫兹半导体激光器的有源区结构的台面还包括一分布反馈光栅区(8)，所述分布反馈光栅区(8)由金属和半导体共同组成，紧邻所述激光器有源区(4)且位于所述激光器有源区(4)之下；
其中，所述金属接触层(6)在两个台面部分相互隔离、互不相连；所述金属电镀层(7)为选区电镀工艺制作的金属层，用于横向辅助散热。
2.如权利要求1所述的太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述金属亚波长光栅层(1)为具有亚波长图形结构的超薄金属层，具有表面等离子体的性质，用于改善光束质量。
3.如权利要求1所述的太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述激光器有源区(4)为太赫兹量子级联结构，包括多个级联重复周期。
4.如权利要求1所述的太赫兹半导体激光器，其特征在于，在作为所述太赫兹半导体激光器的有源区结构的台面上，所述绝缘层(5)上开有分别供上下电极注入的窗口。
5.如权利要求1所述的太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述分布反馈光栅区(8)为金属-半导体复合结构的二级及以上级分布反馈布拉格光栅，用于形成垂直面发射。
6.如权利要求1所述的太赫兹半导体激光器，其特征在于，所述图形化金属键合层(9)为蒸发在高热导率热沉(10)上的图形化金属结构，用于键合激光器芯片和热沉；所述高热导率热沉(10)的材料为SiC、金刚石、蓝宝石或AlN。
7.一种太赫兹半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半绝缘衬底层上通过分子束外延法在其上生长高掺杂半导体层；
在所述高掺杂半导体层上采用分子束外延法生长激光器有源区；所述激光器有源区采用太赫兹量子级联结构，共生长100-200个重复级联周期；
在所述激光器有源区上深度腐蚀形成结构相同的两个台面，其中一个作为所述太赫兹半导体激光器的有源区组件，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现；
继续在所述两个台面上均形成绝缘层、金属接触层、金属电镀层和图形化金属键合层，区别仅在于在所述作为有源区组件的台面上在所述绝缘层上开出预留的窗口，且在紧邻所述作为太赫兹半导体激光器的有源区组件的台面的激光器有源区且位于所述激光器有源区之下的位置处形成一分布反馈光栅区；其中，所述金属接触层在两个台面部分相互隔离、互不相连；所述金属电镀层为选区电镀工艺制作的金属层，用于横向辅助散热；
将所述两个台面与高热导率热沉采用热压的方法键合在一起，键合后从上下电极分别引线，由此得到所述太赫兹半导体激光器。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括以下步骤：
采用带胶剥离的方法在所述半绝缘衬底层背对高掺杂半导体层的一侧表面制作金属亚波长光栅层；
其中，所述高热导率热沉的材料为SiC、金刚石、蓝宝石或AlN。
CN201610069089.6A 2016-02-01 2016-02-01 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 Active CN105655866B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610069089.6A CN105655866B (zh) 2016-02-01 2016-02-01 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610069089.6A CN105655866B (zh) 2016-02-01 2016-02-01 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105655866A CN105655866A (zh) 2016-06-08
CN105655866B true CN105655866B (zh) 2018-11-27

Family

ID=56489175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610069089.6A Active CN105655866B (zh) 2016-02-01 2016-02-01 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105655866B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108199256B (zh) * 2018-01-11 2020-01-21 长春理工大学 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
CN108631149B (zh) * 2018-04-23 2019-10-25 中国科学院半导体研究所 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法
CN110904412B (zh) * 2019-12-16 2021-11-30 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法
CN112636177B (zh) * 2020-12-18 2022-06-24 中国科学院半导体研究所 改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101345393A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法
US8149890B2 (en) * 2008-12-04 2012-04-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Multiple distributed feedback laser devices
JP5201544B2 (ja) * 2006-06-30 2013-06-05 独立行政法人情報通信研究機構 量子カスケードレーザ
CN103972791A (zh) * 2014-05-15 2014-08-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器
CN104538844A (zh) * 2015-01-27 2015-04-22 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602005024105D1 (de) * 2005-03-28 2010-11-25 Nat Inst Inf & Comm Tech Quantenkaskadenlaser

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5201544B2 (ja) * 2006-06-30 2013-06-05 独立行政法人情報通信研究機構 量子カスケードレーザ
CN101345393A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法
US8149890B2 (en) * 2008-12-04 2012-04-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Multiple distributed feedback laser devices
CN103972791A (zh) * 2014-05-15 2014-08-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器
CN104538844A (zh) * 2015-01-27 2015-04-22 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105655866A (zh) 2016-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105655866B (zh) 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法
CN104466617B (zh) 太赫兹光源芯片、光源器件、光源组件及其制造方法
CN101859983B (zh) 带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法
US10193303B2 (en) Semiconductor laser diode, method for producing a semiconductor laser diode and semiconductor laser diode arrangement
CN104538844B (zh) 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法
WO2010095531A1 (ja) 半導体発光ダイオード
CN102694341A (zh) 一种刻蚀散热增强型垂直腔面发射激光器
US11004893B2 (en) Photonic integrated device and manufacturing method thereof
CN108061981A (zh) 太赫兹调制器及其制备方法
CN107579139B (zh) 一种垂直结构半导体器件的制造方法
Ren et al. Research progress of III–V laser bonding to Si
CN104577706B (zh) 一种高效侧向导热的量子级联激光器结构及其制备方法
CN109244825B (zh) 带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法
CN103824920B (zh) 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法
US10115864B2 (en) Optoelectronic device with light-emitting diodes and an improved radiation pattern
WO2013001781A1 (ja) 窒化物系半導体発光素子
JP5746439B2 (ja) 発光素子およびその製造方法
CN112382664A (zh) 一种倒装mosfet器件及其制作方法
CN112382665A (zh) 一种氧化镓基mosfet器件及其制作方法
KR101137514B1 (ko) 나노 입자를 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
CN111106212A (zh) 垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法
CN105552714A (zh) 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法
CN112636177B (zh) 改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构
CN101540358B (zh) 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的制作方法
JP2013239751A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant