CN105653852A - 计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,提供一种计算变磷(P)组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法;提出了计算由GaAs1-xPx-GaAs-GaAs1-xPx组成的单量子阱,并利用薛定谔方程、变分法、以及流体力学来计算量子阱的发射波长,并得到GaAsP中的磷(P)组分与发射波长的关系图;本发明主要应用于在设计激光器时,确定量子阱在不同磷(P)组分处的发射波长。
Description
技术领域
本发明涉及一种量子阱发射波长的计算方法,具体涉及一种计算变磷(P)组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,本发明属于物理电子学领域。
背景技术
随着金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)、分子束外延(MBE)等超薄外延生长技术的不断发展,国际上在半导体方面的研究已由50年代的PN结工程逐步转向80年代利用量子阱效应和应变效应工程,这使我们克服了在某些应用方面过去被认为是材料本征缺陷的困难。国际上从80年代后期开始在这个方面进行了大量研究,并取得了比较好的结果。半导体量子阱是近30年来半导体物理学最重要的发展之一,也是最活跃的研究领域之一。当超晶格生长方向周期交替势阱、势垒层减薄到可以和电子德布罗意波长或平均自由程相比拟时,必须考虑量子尺寸效应。势阱中电子能量状态量子化,电子运动开始呈现二维特性,从而形成了量子阱、超晶格的一系列新的物理性质,并开拓了一系列新的固体运用领域。对于GaAs/InGaAs量子阱结构存在缺点:导带带隙较小,工作温度升高时易产生载流子泄露,从而导致器件阈值电流变大;激射波长越长,In组分要求就越高,应变就越大,就越容易到达应变层的临界厚度,对材料的生长不利。近年来,采用物理和化学等多种方法,在纳米半导体材料制备方面取得了显著的进展,特别是利用晶格失配材料体系的应变自组装生长技术。当研究系统的特征尺寸与电子的平均自由程相比拟或更小时,必须同时考虑电子的波动和粒子双重特性,量子力学则成为纳米电子学所依赖的物理基础。纳米半导体器件的一个共同特征是它们至少有一个维度的尺寸在100nm以下,有半岛体组成的“小岛”,行为类似于场效应晶体管器件的沟道,“岛”被势垒所包围,以阻止电子进入“岛区”。
发明内容
针对现有技术中存在的上述技术问题,本发明的目的是能提供一种计算变磷(P)组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法。提出了计算由GaAs1-xPx-GaAs-GaAs1-xPx组成的单量子阱,并利用薛定谔方程、变分法、以及流体力学来计算量子阱的发射波长。本发明主要应用于在设计激光器时,确定量子阱在不同磷(P)组分处的发射波长,并得到GaAsP中的磷(P)组分与发射波长的关系图。
附图说明
图1是GaAs/GaAs1-xPx单量子阱结构示意图;
图2是GaAsP中的磷(P)组分与发射波长的关系图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明专利作进一步说明。
图1是GaAs/GaAsP单量子阱结构示意图。基于MBE生长技术,在GaAs衬底上外延生长GaAsP时,将表面钝化的GaAs衬底在As环境中进行脱氧处理,因为脱氧的GaAs衬底表面并不是很平整,有很多小洞,在这样的表面上直接外延生长量子阱结构不利于获得高质量的材料,所以在脱氧的GaAs衬底上先生长厚度约为200nm的GaAs的缓冲层,然后开始生长量子阱结构:首先生长100nm的GaAsP势垒层,接着生长8nm的GaAs势阱层,再生长100nm的GaAsP势垒层,最后生长7nm的GaAs帽层,以防止GaAsP层在空气中被氧化。这样就获得了一个GaAs/GaAsP单量子阱。因为GaAsP的禁带宽度大于GaAs的禁带宽度,并且GaAs的禁带完全落在GaAsP的禁带中,所以无论对于电子还是空穴来说,GaAs层都是势阱,GaAsP层都是势垒,电子和空穴完全被限制在GaAs层中运动。图中的ΔEC和ΔEv分别是电子、空穴势阱的深度,通常称为导带、价带带阶,并且满足:
由于当磷的组分x>0.55时,GaAs1-xPx为间接带隙材料,故本发明中x的范围是0到0.55。外延生长量子阱时,由于外延层GaAsP材料与GaAs材料的晶格常数不匹配,则在外延层中引入应变,形成应变量子阱。应变附加的势能会使带边发生移动,改变材料的带隙能,并使原来在价带顶简并的重空穴和轻空穴退简并。另外,应变会使得能带结构发生形变,最重要的应变效应就是使价带弯曲,半径增大,即空穴的有效质量减少。
假设电子、空穴在z方向的运动与在势阱层内的x、y方向的运动是相互独立、各不相关的,因而这两个运动可以分开来处理。这样,在z方向电子和空穴运动的波函数在势阱层内有正弦函数形式,在势垒层内有指数衰减函数形式,如下:
由薛定谔方程::
由于势阱和势垒界面处有一有限的势能不连续,则导带和价带的这种势能不连续性分别为uΔEg和wΔEg,其中u、w分别表示导带和价带的势能的不连续系数,ΔEg表示禁带宽度。且u+w=1,则w=1-u。故:
Ve,Vh分别表示电子和空穴的势能。
采用变分法求解,令试解波函数为:
式中fe(ze)和fh(zh)为有限方势阱及势垒中电子和空穴的包络波函数。q(ρ,z,φ)是描述电子-空穴相对运动的波函数,可以试取下解:
式中α、δ为变分参数,于是可以解得能量本征值E为:
激子束缚能或第一能级的能量为:
式中Ee和Eh分别代表势阱中电子和空穴的基态能量,E1s表示的是第一能级的能量,E表示的是能量本征值。
因为应变对导带边的作用是产生一个流体静压形变能,式中ac为导带的流体静压势,εxx、εyy、εzz为应变张量的分量,且对应的变张量为:
a0是衬底的晶格常数,a(x)是外延层GaAs1-xPx的晶格常数,C11和C22分别是晶体的弹性模量。
应变引起的价带漂移有两个分量:一部分是流体静压形变能,它的作用是使整个价带上升或下降,影响到整个应变层的带隙宽带:
另一部分是四角形剪切形变能Qε,它的作用是使重空穴带向反方向移动,即退简并:
式中m为剪切形变势。
GaAs1-xPx材料的禁带宽度为:
所以,得到:
。
Claims (4)
1.一种计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,用于计算由GaAs1-xPx-GaAs-GaAs1-xPx组成的单量子阱,其特征在于:利用量子力学中的薛定谔方程、变分法、以及流体力学来计算量子阱的发射波长。
2.如权利要求1所述的计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,其特征在于:
在z方向电子和空穴运动的波函数在势阱层内有正弦函数形式,在势垒层内有指数衰减函数形式,如下:
由薛定谔方程::
;
由于势阱和势垒界面处有一有限的势能不连续,则导带和价带的这种势能不连续性分别为uΔEg和wΔEg,其中u、w分别表示导带和价带的势能的不连续系数,ΔEg表示禁带宽度,且u+w=1,则w=1-u;故:
;
Ve,Vh分别表示电子和空穴的势能。
3.如权利要求2所述的计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,其特征在于:利用变分法:
采用变分法求解,令试解波函数为:
式中fe(ze)和fh(zh)为有限方势阱及势垒中电子和空穴的包络波函数;q(ρ,z,φ)是描述电子-空穴相对运动的波函数,可以试取下解:
式中α、δ为变分参数,于是可以解得能量本征值E为:
激子束缚能或第一能级的能量为:
式中Ee和Eh分别代表势阱中电子和空穴的基态能量,E1s表示的是第一能级的能量,E表示的是能量本征值。
4.如权利要求3所述的计算变磷组分的GaAs/GaAsP量子阱发射波长的方法,其特征在于:利用流体力学的流体静压形变:
因为应变对导带边的作用是产生一个流体静压形变能,式中ac为导带的流体静压势,εxx、εyy、εzz为应变张量的分量,且对应的变张量为:
a0是衬底的晶格常数,a(x)是外延层GaAs1-xPx的晶格常数,C11和C22分别是晶体的弹性模量;
应变引起的价带漂移有两个分量:一部分是流体静压形变能,它的作用是使整个价带上升或下降,影响到整个应变层的带隙宽带:
另一部分是四角形剪切形变能Qε,它的作用是使重空穴带向反方向移动,即退简并:
式中m为剪切形变势;
GaAs1-xPx材料的禁带宽度为:
;
得到:
。
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CN1638219A (zh) * | 2004-01-10 | 2005-07-13 | 三星电子株式会社 | 量子阱结构的半导体装置和用该装置的激光器及制造方法 |
CN101571886A (zh) * | 2009-06-12 | 2009-11-04 | 哈尔滨工业大学 | 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法 |
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